DD288235A5 - DEVICE FOR WAFER TEST UNDER HIGH FREQUENCY CONDITIONS - Google Patents

DEVICE FOR WAFER TEST UNDER HIGH FREQUENCY CONDITIONS Download PDF

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DD288235A5
DD288235A5 DD33302789A DD33302789A DD288235A5 DD 288235 A5 DD288235 A5 DD 288235A5 DD 33302789 A DD33302789 A DD 33302789A DD 33302789 A DD33302789 A DD 33302789A DD 288235 A5 DD288235 A5 DD 288235A5
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DD
German Democratic Republic
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under high
plates
frequency
test under
wafer test
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DD33302789A
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Inventor
Michael Hoesel
Frank Golla
Jens Mueller
Manfred Kunze
Original Assignee
Ingenieurhochhschule Mittweida,Direkt. Forsch. U. Ib,De
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Wafertest unter Hochfrequenzbedingungen. Die Vorrichtung zum Wafertest unter Hochfrequenzbedingungen dient der Realisierung eines Meszkopfes fuer die Funktionstestung von Hochfrequenzschaltkreisen im Waferverband mit hoher Anschluszzahl, der zum einen den sicheren elektrischen Kontakt zwischen den Bondinseln der Chips und dem Tester und zum anderen die verlust- und verzerrungsarme UEbertragung von Hochfrequenzsignalen bei der Testung ermoeglicht. Die Vorrichtung besteht aus vier auf einem Formstueck angeordneten Platten mit Masseflaechen und Koplanarleitungen, wobei auf den Innenleitern der Koplanarleitungen auf der einen Seite Sondennadeln und auf der anderen Seite Innenleiter von Koaxialsteckverbindern kontaktiert sind.{Wafertest; Meszkopf; Hochfrequenzschaltkreis; Bondinsel; Anschluszzahl; Kontakt; Masseflaeche; Koplanarleitung; Innenleiter; Sondennadel; Koaxialsteckverbinder}The invention relates to a device for wafer test under high-frequency conditions. The apparatus for wafer test under high frequency conditions is used to realize a Meszkopfes for the functional testing of high-frequency circuits in the wafer association with a high number of connections, on the one hand the safe electrical contact between the bonding pads of the chips and the tester and on the other the loss and distortion low transmission of high-frequency signals in the Testing allowed. The device consists of four arranged on a Formstueck plates with Masseflaechen and coplanar lines, wherein on the inner conductors of Koplanarleitungen on one side probe needles and on the other side inner conductor of coaxial connectors are contacted {Wafertest; Meszkopf; High-frequency circuit; Bond Island; Anschluszzahl; Contact; Masseflaeche; coplanar; Inner conductor; Probe needle; coaxial}

Description

Hierzu 2 Seiten ZeichnungenFor this 2 pages drawings

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung betrifft eins Meßvorrichtung zur Testung von Haibleitorchips für die Anwendung in der Hochfrequenztechnik im Waferverband, die beim Funktionstest zwischen dem Zyklus I und dem Zyklus Il bei der Herstellung in der Halbleiterindustrie angewendet werden kann.The invention relates to a measuring device for testing of Haibleitorchips for use in high-frequency technology in the wafer assembly, which can be applied in the functional test between the cycle I and the cycle II in the production in the semiconductor industry.

Charakteristik des bekannten Standes der TechnikCharacteristic of the known state of the art

Die bekannten technischen Lösungen lassen sich in koaxiale und koplanare Nadelkarten, wobei die Antastung auf der Basis von Keramiknadelträgern, metallischen Nadelträgern, angelöteten Nadeln oder nach dem Knickdrahtprinzip erfolgt, sowie in alternative Lösungen unterscheiden.The known technical solutions can be in coaxial and coplanar probe cards, the probing on the basis of ceramic needle carriers, metallic needle carriers, soldered needles or kink-wire principle, and differ in alternative solutions.

In der US PS 4791363 ist ein keramischer Nadelträger beschrieben, der auf einer Seite mit einer durchgehenden Massefläche und auf der anderen Seite eine Mikrostreifenleitung trägt. Neben einer geraden Sondennadel, die der Hochfrequenzeinspeisung dient, ist zusätzlich eine Nadel auf die Massefläche aufgebracht. Die Verbindung zum Tester wird durch direkt kontaktierte Koaxialkabel oder Koaxialsteckverbinder gebildet. Den guten Hochfrequenzeigenschaften steht bei dieser Lösung ein hoher Fertigungsaufwand und eine geringe Bondinseldichte gegenüber.In US PS 4791363 a ceramic needle carrier is described which carries on one side with a continuous ground plane and on the other side a microstrip line. In addition to a straight probe needle, which serves the high-frequency feed, a needle is additionally applied to the ground surface. The connection to the tester is formed by directly contacted coaxial cable or coaxial connector. The good high-frequency properties in this solution is offset by a high manufacturing cost and a low bond density.

in der US PS 4161692 wird ein keramischer Nadelträger beschrieben, der lediglich an seiner Unterseite mittels Dickschichttechnik metallisiert ist, um das Übersprechen gering zu halten. An diese Metallisierungsschicht wird eine gerade Nadel mit abgewinkelter Spitze kontaktiert. Die erreichbare Dichte auf der Nadelkarto ist gering.in US PS 4161692 a ceramic needle carrier is described, which is metallized only on its underside by means of thick film technology in order to keep the crosstalk low. At this metallization layer, a straight needle is contacted with angled tip. The achievable density on the Nadelkarto is low.

In der l'S PS 4731577 ist eine koaxiale Nadelkarte mit keramischen Nadelträgern beschrieben, wobei die Verbindung zwischen den mit einer Mikrostreifenleitung versehenen Nadelträgern und dem mit Mikrowellensteckverbindern versehenen Anschlußring durch Koaxialkabel erfolgt. Es treten somit auch hier die genannten Nachteile der keramischen Nadelträger auf.In the patent DE 4731577 a coaxial needle card is described with ceramic needle carriers, wherein the connection between the provided with a microstrip line needle carriers and provided with microwave connectors connector ring is made by coaxial cable. Thus, the mentioned disadvantages of the ceramic needle carrier also occur here.

In der US PS 4686463 wird eine abgeschirmte Nadelkarte mit direkt kontaktierten Nadeln beschrieben, wobei durch Koaxialsteckverbinder die senkrechte Verbindung zu Mikrostreifenleitungen auf einem unterhalb der Trägerplatte angeordneten dielektrischen Plättchen hergestellt wird. Am anderen Ende der Mikrostreifenleitung erfolgt das Anbringen der Nadeln, wobei der mögliche Federweg der Nadeln auf Grund ihrer Kürze extrem klein ist, so daß die Höhentoleranz kritisch ist. Durch die Verwendung von ungeschirmten Streifenleitungen ist die Gefahr des Übersprechens groß.In US PS 4686463 a shielded probe card is described with directly contacted needles, which is made by coaxial connector, the vertical connection to microstrip lines on a disposed below the support plate dielectric plates. At the other end of the microstrip line attaching the needles, wherein the possible spring travel of the needles is extremely small due to their brevity, so that the height tolerance is critical. The use of unshielded strip cables increases the risk of crosstalk.

In der US PS 47273319 ist eine der US PS 4686463 ähnliche Lösung beschrieben, wobei hier zur Verminderung der Reflexionsgefahr die Koaxialsteckverbinder schräg zu den Streifenleitungen montiert wurden. Es treten auch hier die genannten Nachteile auf.No. 4,727,339 describes a solution similar to US Pat. No. 4,683,463, in which case the coaxial connectors were mounted at an angle to the strip lines in order to reduce the risk of reflection. There are also the disadvantages mentioned here.

In der DE OS 2525166 wird eine Kontaktsondeneinrichtung nach dem Knickdrahtprinzip beschrieben, bei der in Nuten einer Trägerplatte eingebettete Koaxialkabel verwendet werden. Durch das dichte Muster der abisolierten Innenleiter ist jedoch eine Kopplung nicht auszuschließen.In DE OS 2525166 a contact probe device is described according to the buckling wire principle, in which coaxial cables embedded in grooves of a carrier plate are used. Due to the dense pattern of the stripped inner conductor, however, a coupling can not be ruled out.

In der US PS 4593243 wird eine Nadelkarte beschrieben, bei der die Hochfrequenzsignalleitungen als Koplanarleitungen ausgebildet und geometrisch so geformt sind, daß ein definierter Wellenwiderstand erreicht wird. Die Nadeln sind in metallischen Nadelhaltern befestigt, bzw. die Nadelträger werden so gestaltet, daß eine Kontaktspitze ausgeformt ist. Die erreichbare Dichte der Anordnung ist begrenzt.In the US PS 4593243 a probe card is described in which the high-frequency signal lines are formed as coplanar lines and geometrically shaped so that a defined characteristic impedance is achieved. The needles are mounted in metallic needle holders, or the needle carrier are designed so that a contact tip is formed. The achievable density of the arrangement is limited.

In der US PS 4764723 wird ein alternativer Testkopf vorgestellt, der einen Mehrebenenaufbau mit Polyamid als Isolatorschicht aufweist, wobei die Kontaktierung der Chips direkt an den koplanaren Streifenleitungen erfolgen soll. Der Fertigungsaufwand einer solchen Lösung ist hoch, und hinsichtlich der Kontaktierung sind Probleme nicht zu vermeiden.In the US PS 4764723 an alternative test head is presented, which has a multi-level structure with polyamide as an insulator layer, wherein the contacting of the chips is to take place directly on the coplanar strip lines. The manufacturing cost of such a solution is high, and in terms of contacting problems are unavoidable.

In der DE OS 3705714 wird ebenfalls eine alternative Lösung angeboten, bei der die Testung mit einem hinsichtlich der Bondinselkonfiguration spiegelbildlich ausgeführten Prüfchip erfolgt. Der Horstellungsprozeß für einen solchen Chip entspricht dem des zu prüfenden Chips.In DE OS 3705714 an alternative solution is likewise offered, in which the testing is carried out with a test chip designed mirror-inverted with respect to the bonding pad configuration. The Horstellungsprozeß for such a chip corresponds to that of the chip to be tested.

Ziel der Erfindung ist ein Testkopf für die Funktionstestung von Hochfrequenzschaltkreisen im Waferverband, wobei eine hohe Anschlußzahl und -dichte, ein gutes Kontaktverhalten und eine verlust- und verzerrungsfreie Signalübertragung bei einem vertretbaren Fertigungsaufwand angestrebt wird.The aim of the invention is a test head for the functional testing of high-frequency circuits in the wafer assembly, with a high number of ports and density, a good contact behavior and a loss and distortion-free signal transmission is aimed at a reasonable manufacturing cost.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention Aufgabe der Erfindung ist die Realisierung eines Meßkopfes für die Funktionstestung von Hochfrequenzschaltkreisen imThe object of the invention is the realization of a measuring head for the functional testing of high-frequency circuits in Waferverband, der zum einen den sicheren elektrischen Kontakt zwischen den Bondinseln der Chips und dem Tester und zumWafer bond, on the one hand, the secure electrical contact between the bonding pads of the chips and the tester and the

anderen die verlust- und verzerrungsfreie Übertragung von Hochfrequenzsignalen ermöglicht.others the loss and distortion-free transmission of high-frequency signals allows.

Gegenüber den bekannten technischen Lösungen wird eine hohe Übertragungsgüte und eine hohe AnschlußdichteCompared to the known technical solutions is a high quality of transmission and a high connection density

angestrebt.sought.

Erfindungsgemäß besteht die Vorrichtung aus einem Formstück, das entweder metallisiert ist oder völlig aus Metall besteht inAccording to the invention, the device consists of a molded piece which is either metallised or consists entirely of metal

der Form eines flachen Pyramidenstumpfes, wobei die Horizontalfläche als Aussparung ausgebildet ist. Auf den Seitenflächendes Pyramidenstumpfes sind vier beidseitig metallisierte Platten angeordnet, wobei die obere Metallisierung als Masseflächeausgebildet und elektrisch leitend mit dem Formstück kontaktiert ist.the shape of a flat truncated pyramid, wherein the horizontal surface is formed as a recess. On the side surfaces of the truncated pyramid four metallized plates are arranged on both sides, wherein the upper metallization is formed as a ground plane and is contacted with the electrically conductive form fitting.

Die untere Metallisierung ist als eine Vielzahl von Koplanarleitungen ausgebildet, wobei die Masseleitungen derThe lower metallization is formed as a plurality of coplanar lines, wherein the ground lines of the Koplanarleitungen mittels Durchkontaktierungen mit der Massefläche elektrisch verbunden sind. Auf der der Aussparung desCoplanar lines are electrically connected by means of plated-through holes with the ground plane. On the recess of the Formstückes zugewandten Seite sind die Koplanarleitungen mit Sondennadeln versehen, die entsprechend der KonfigurationFitting facing side of the coplanar lines are provided with probe needles, which correspond to the configuration

der anzutastenden Einheit angeordnet sind. Die äußeren Enden der Innenleiter der Koplanarleitungen sind leitend mit demthe unit to be scanned are arranged. The outer ends of the inner conductors of the coplanar lines are conductive with the

Innenleiter von Koaxialsteckverbindern verbunden und deren Gehäuse sind mechanisch und elektrisch mit der MasseflächeInner conductor connected by coaxial connectors and their housing are mechanically and electrically connected to the ground plane

kontaktiert.contacted.

Ausführungsbeispielembodiment Anhand eines Ausführungsbeispiels soll die Erfindung gemäß den Figuren 1 bis 4 näher erläutert werden. Darin bedeutenReference to an embodiment of the invention will be explained in more detail according to the figures 1 to 4. Mean in it

Fig. 1: Ansicht der Vorrichtung von der Waferseite Fig. 2: Schnittdarstellung der Vorrichtung Fig. 3: Schnittdarstellung der VerbindungFig. 1: View of the device from the wafer side Fig. 2: sectional view of the device Fig. 3: sectional view of the compound

Koaxialsteckverbinder- Flatte Fig. 4: Ansicht der VerbindungsstelleCoaxial Connector Flatte Fig. 4: View of the connection point

Koaxialsteckverbinder-Platte von der Waferseite.Coaxial connector plate from the wafer side.

Ausgangsmaterial für die Herstellung der Platten 1 ist eine Keramik mit guten Hochfrequenzeigenschaften, ζ. B. AI2O3-Keramik. Die Massefläche 5 und die Koplanarleitungen 2 werden mittels Dünnschichttechnik oder chemisch-reduktiver Metallabscheidung und anschließender Strukturierung realisiert. Anschließend werden die Platten 1 auf dem Formstück 6 elektrisch leitend angeordnet, z. B. durch Verkleben mit einem Loitkleber. An der Massefläche 5 werden die Gehäuse von Koaxialsteckverbindern 4 mechanisch und elektrisch kontaktteil, z. B. durch Löten und die Innenleiter 7 der Koaxialsteckverbinder 4 mit den Innenleitern der Koplanarleitungen 2 verlötet. Abschließend erfolgt die Justage und Montage der Sondennadeln 3 auf den Koplanarleitungen 2.Starting material for the production of the plates 1 is a ceramic with good high-frequency properties, ζ. B. Al 2 O 3 ceramic. The ground plane 5 and the coplanar lines 2 are realized by means of thin-film technology or chemical-reductive metal deposition and subsequent structuring. Subsequently, the plates 1 are arranged electrically conductive on the fitting 6, z. B. by gluing with a Loitkleber. At the ground surface 5, the housing of coaxial connectors 4 are mechanically and electrically contact part, z. B. by soldering and the inner conductor 7 of the coaxial connector 4 with the inner conductors of the coplanar lines 2 soldered. Finally, the adjustment and mounting of the probe needles 3 takes place on the coplanar lines 2.

Claims (2)

1. Vorrichtung zum Wafertest unter Hochfrequenzbedingungen, gekennzeichnet dadurch, daß vier beidseitig metallisierte Platten (1) aus isolierendem Material, wobei die obere Metallisierung dieser Platten (1) als Massefläche (5) und die untere Metallisierung als eine Vielzahl von Koplanarleitungen (2) ausgebildet ist, daß die Masseleitungen der Koplanarleitungen (2) mit der Massefläche (5) mittels Durchkontaktierungen elektrisch leitend verbunden sind, daß die Platten (1) durch ein Formstück (6) mit rechteckiger Mittenaussparung in der Form eines flachen Pyramidenstumpfes gehalten werden, daß auf den der Mittenaussparung des Formstückes (6) zugewandten Innenleitern der Koplanarleitungen (2) Sondennadeln (3) leitend befestigt sind, daß die äußeren Enden der Innenleiter der Koplanarleitungen (2) mit den Innenleitern (7) von Koaxialsteckverbindern (4) und deren Gehäuse mit der Massefläche (5) leitend verbunden sind und daß die Verbindung der Masseflächen (5) der vier Platten (1) durch eine Metallisierung der Unterseite des Formstückes (fi) realisiert wird.An apparatus for wafer testing under high frequency conditions, characterized in that four double-sided metallized plates (1) of insulating material, wherein the upper metallization of these plates (1) as a ground surface (5) and the lower metallization formed as a plurality of coplanar lines (2) in that the ground lines of the coplanar lines (2) are electrically conductively connected to the ground plane (5) by vias, by holding the plates (1) in the form of a flat truncated pyramid through a rectangular shaped recess (6) in the shape of a flat truncated pyramid the inner recesses of the coplanar lines (2) probe needles (3) are conductively secured so that the outer ends of the inner conductors of the coplanar lines (2) with the inner conductors (7) of coaxial connectors (4) and their housing with the ground plane (5) are conductively connected and that the connection of the ground surfaces (5) of the four plates (1) is realized by a metallization of the underside of the molding (fi). 2. Vorrichtung zum Wafertest unter Hochfrequenzbedingungen nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß das Formstück (6) vorzugsweise aus einem metallischen Werkstoff besteht.2. Apparatus for wafer test under high frequency conditions according to claim 1, characterized in that the shaped piece (6) is preferably made of a metallic material.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4301420C2 (en) * 1993-01-20 2002-04-25 Advantest Corp contacting

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE4301420C2 (en) * 1993-01-20 2002-04-25 Advantest Corp contacting

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