DD277796A1

DD277796A1 - CONTROL ARRANGEMENT FOR THE OPERATION OF TRANSISTOR CONTROLLERS IN SEMI-FINISHED LINES

Info

Publication number: DD277796A1
Application number: DD32262988A
Authority: DD
Inventors: Thomas Goetze; Rainer Endesfelder; Peter Rochlitzer; Kurt Haberland; Diethart Eiser
Original assignee: Nemerik Karl Marx Kmst Veb
Priority date: 1988-12-05
Filing date: 1988-12-05
Publication date: 1990-04-11

Abstract

Steueranordnung fuer den Betrieb von Transistorstellgliedern in Halbbruecken. Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der elektronischen Leistungstechnik und ihre Anwendung ist in Stromversorgungs- und Antriebssteuereinrichtungen moeglich und zweckmaessig. Wesentliche Merkmale der Erfindung sind das Anordnen von Leitzustandserfassungseinheiten (LZE) zwischen den Basisansteuereinheiten (BAE) und den Transistorschaltern (TS), die ueber einen Ausgang und Potentialtrenneinheiten (PTE) sowohl an die Ansteuerlogikeinheit (ALE) als auch an mit der Ansteuerlogikeinheit verbundene Fehlererkennungseinheiten (FEE) angeschlossen sind. Fig. 1Control arrangement for the operation of transistor actuators in half-bridges. The invention relates to the field of electronic power engineering and its application is possible and expedient in power supply and drive control devices. Significant features of the invention are the arrangement of conductive state detection units (LZE) between the basic drive units (BAE) and the transistor switches (TS), which are connected via an output and potential isolation units (PTE) both to the drive logic unit (ALE) and to error detection units connected to the drive logic unit (FIG. FEE) are connected. Fig. 1

Description

Hierzu 3 Seiten ZeichnungenFor this 3 pages drawings

Field of application of the invention

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der elektronischen Leistungstechnik und ihre Anwendung ist in Stromversorgungsund Antriebssteuereinnchtungen mit einer oder mehreren Halbbrücken von Transistorsteilgliedern möglich und zweckmäßigThe invention relates to the field of electronic power engineering and its application is possible and expedient in power supply and drive control devices with one or more half-bridges of transistor sub-components

Characteristic of the known technical solutions

In Steueranordnungen fur den Betrieb voln Transistorstellgliedern in Halbbrücken bestehen aus regelungstechnischer Sicht folgende Forderungen an das StellgliedIn control arrangements for the operation voln transistor actuators in half-bridges from a control point of view, the following demands on the actuator

a) eine hohe Linearität der Übertragungsfunktion,a) a high linearity of the transfer function,

b) die Lastunabhangigkeit der Ausgangsspannung,b) the load independence of the output voltage,

c) eine geringe Verzogerungszeitc) a small delay time

d) eine weitgehendste Unabhängigkeit der Ausgangsspannung TAS von der Zwischenkreisspannung ZKSd) a most extensive independence of the output voltage TAS of the intermediate circuit voltage ZKS

Von diesen Forderungen werden die Forderungen unter Punkte) und d) bereits durch die aus der DD-PS 239496, H 02 M 7/537, bekannten Modulatorschaltungen erfüllt Eine geringe Verzogerungszeit als die Voraussetzung fur eine hohe Dynamik des Antriebes, bedingt jedoch eine hohe Pulsfrequenz des Antriebes. Damit fuhren die nicht idealen Schalteigenschaften realer bipolarer Schalttransistoren, insbesondere ihre Speicherzeit (storage time), dazu, daß die im Punkt a) und b) gestellten Forderungen nicht ausreichend erfüllt werden konnen Die Modulartoren liefern Ausgangssteuersignale, die Schalttransistoren wechselweise in den leitfahigen Zustand steuern, mit einem Tastverhältnis tv, das linear von den Eingangssteuerspannungen STE der Modulatoren abhangt. Bezogen auf die Ausgangsspannung SAD der Dreiecksgeneratoreinheit ergibt sich folgende BeziehungOf these requirements, the requirements under points) and d) already met by the DD-PS 239496, H 02 M 7/537, known modulator circuits A small delay time as the prerequisite for high dynamics of the drive, but requires a high pulse frequency of the drive. Thus, the non-ideal switching characteristics of real bipolar switching transistors, in particular, their storage time, cause the requirements set forth in items a) and b) to be insufficiently met. The module types provide output control signals that alternately control switching transistors to the conductive state. with a duty cycle tv, which depends linearly on the input control voltages STE of the modulators. Based on the output voltage SAD of the triangular generator unit, the following relationship results

tv = STE/SAD 0 = tv = 1tv = STE / SAD 0 = tv = 1

Das zeitliche Mittel der Ausgangsspannung eines idealen Transistorstellgliedes ist TAS = ZKS tv_f The time average of the output voltage of an ideal transistor actuator is TAS = ZKS tv _f

woraus folgt TAS = ZKS STE/SADthe result is TAS = ZKS STE / SAD

Diese Beziehung ist linear und es besteht keine Abhängigkeit vom Laststrom Reale Transistorschalter konnen dem Schaltssignal des Modulators aber nicht unverzogert folgen, da zum Zeitpunkt des Umschaltens ein gleichzeitiges Leiten der Schalttransistoren zur Verhinderung eines Bruckenkurzschlusses unbedingt vermieden werden muß Deshalb ist bei jedem Umschaltvorgang folgende Reihenfolge einzuhaltenThis relationship is linear and there is no dependence on the load current. Real transistor switches can not follow the switching signal of the modulator without delay, since at the time of switching a simultaneous conduction of the switching transistors to prevent a short circuit must be strictly avoided Therefore, the following order must be followed for each switching operation

1 Ausschalten des jeweilig leitenden Schalttransistors,1 turning off the respective conducting switching transistor,

2 Abwarten des Beginns des Zustandes der vollständigen Nichtleitbarkeit des Schalttransistors,2 waiting for the beginning of the state of complete non-conductivity of the switching transistor,

3 Einschalten des bisher nicht leitenden Schalttransistors.3 switching on the previously non-conductive switching transistor.

Nach dem Ausschalten verbleibt der Schalttransistor noch über eine bestimmte, bauelementeabhangige Zeit im leitenden Zustand, und diese Zeit wird als Speicherzeit (storage time) bezeichnet Sie ist bei Bipolarschalttransistoren unvermeidbar (s. a Applikationsluft 42, Leistungselektronik 5, „Bipolarer Leistungsschalttransistor" Teil 1,S 12, Bild 1 22 aus dem VEB Halbleiterwerk Frankfurt [Oder] von 1987) Diese Speicherzeit ist nicht nur bauelemente-, sondern auch arbeitspunktabhangig, und deshalb ist in den bereits vorhandenen Anordnungen das Einhalten einer zusätzlichen Sicherheitszeit unbedingt notwendig, die großer als die jeweils maximale auftretende Speicherzeit istAfter switching off, the switching transistor remains in a conductive state for a certain, component-dependent time, and this time is referred to as a storage time It is unavoidable in bipolar switching transistors (see also Application Air 42, Power Electronics 5, "Bipolar Power Switching Transistor", Part 1). S 12, Fig. 1 22 from the VEB semiconductor plant Frankfurt [or] from 1987) This storage time is dependent not only on components, but also on working point, and therefore in the already existing arrangements it is absolutely necessary to keep an additional safety time, which is greater than the respective one maximum occurring storage time is

Aus der DE-OS 2930920, H 02 P13/32 sind dazu ein Verfahren zur Pulsbreitensteuerung eines Gleichstrom-Umkehrstellers und eine Schaltungsanordnung zur Durchfuhrung dieses Verfahrens bekannt In einer Bruckenschaltung sind zur Versorgung einer in der Bruckendiagonalen liegenden ohmisch-induktiven Last vier elektronische Schalter vorgesehen, die zum Einstellen einer bestimmten Richtung des Laststromes abwechselnd in einer Diagonale gegenüberliegend zeitlich versetzt angesteuert werden Um zu verhindern, daß bei einem gleichzeitigen Einschalten von zwei nicht in einer gleichen Diagonale sich befindlichen Transistoren ein Bruckenkurzschluß entsteht, muß bei einem Polaritatswechsel der Steuerspannung eine festgelegte Pausenzeit eingeschalten werden, in der alle Ansteuerimpulse gesperrt sind Diese Pausenzeit wird durch aus einer Diode, einem Widerstand, einem Kondensator und einem Schmitt-Trigger aufgebaute Einschaltverzogerungsglieder erzeugt Auch bei Stromrichterstellgliedern ist nach Langhoff/Raatz „Geregelte Gleichstromantriebe", S 146, eine Sicherheitszeit zum Abschalten der Stromrichter eingerichtet, nach deren Ablauf erst die Zundimpulse fur den einzuschaltenden Stromrichter freigegebenFrom DE-OS 2930920, H 02 P13 / 32, a method for controlling the pulse width of a DC-reverse actuator and a circuit arrangement for carrying out this method are known. In a bridge circuit, four electronic switches are provided for supplying an ohmic-inductive load lying in the bridge diagonal. in order to prevent the switching of two not in the same diagonal located transistors a Bruckenkurzschluss arises to turn a polarity change of the control voltage a fixed pause time must be turned on to set a particular direction of the load current alternately in a diagonal opposite This pause time is generated by switching-on delay elements built up from a diode, a resistor, a capacitor and a Schmitt trigger. In the case of drive converter actuators, too, Lan ghoff / Raatz "Regulated DC Drives", S 146, set up a safety time to switch off the converters, after which the ignition pulses are released for the power converter to be switched on

Es ist ebenfalls bekannt, daß beim Einhalten dieser Sicherheitszeiten eine Verschlechterung der Dynamik des Vorschubantriebes bei kleinen Drehzahlsollwert-Sprungen auftritt (Siemens Gleichstrom-Vorschubantriebe, Katalog DA36, Zeile 6 bis 10, Ausgabe 1985, S 8/15) Die dadurch entstandene Nichtlineantat der Steuerkennlinie wird deshalb durch eine entgegengesetzt wirkende Nichtlinearitat in Abhängigkeit vom Drehzahlsollwert kompensiertIt is also known that when maintaining these safety times a deterioration of the dynamics of the feed drive at low speed setpoint jumps occurs (Siemens DC feed drives, catalog DA36, line 6 to 10, Issue 1985, S 8/15) The resulting Nichtlineantat the control curve is therefore compensated by an opposing non-linearity as a function of the speed setpoint

Der Nachteil dieser Losungen ist ein durch die relativ große Sicherheitszeit bedingtes regelungstechnisch ungunstiges Verhalten bei höheren Pulsfrequenzen und ein großer zusatzlicher schaltungstechnischer Aufwand fur deren Erzeugung Dabei wird der Spannungswirkungsgrad - das minimale und maximale Tastverhältnis - der Schaltstufe eingeschränkt und es ergibt sich eine Belastungskennhnie mit einer Totzone und den Stromwert 0, die die Eigenschaften desStromregelkreises negativ beeinflußtThe disadvantage of these solutions is a due to the relatively large safety time regulatory unfavorable behavior at higher pulse rates and a great additional circuit complexity for their production The voltage efficiency - the minimum and maximum duty cycle - the switching stage is limited and there is a Belastungskennhnie with a dead zone and the current value 0, which adversely affects the properties of the current control loop

Object of the invention

Ziel der Erfindung ist es, bei einer Steueranordnung fur den Betrieb von Transistorstellgliedern in Halbbrücken den zusätzlichen schaltungstechnischen Aufwand zu verringern und die Qualität des regelungstechnischen Verhaltens zu verbessernThe aim of the invention is to reduce the additional circuit complexity in a control arrangement for the operation of transistor actuators in half bridges and to improve the quality of the control behavior

Explanation of the essence of the invention

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Steueranordnung fur den Betrieb von Transistorstellglieder in Halbbrücken zu schaffen, die bestehend aus eingangsseitig über Potentialtrennemheiten mit einer Ansteuerlogikeinheit und ausgangsseitig über zwei Steuersignalleitungen fur die Transistorschalter mit einer Motorlast verbundene Basisansteuereinheiten fur die Transistorschalter ein schnelles wechselweises Ein-/Ausschalten der beiden Transistorschalter ohne ein gleichzeitiges Einschalten ermöglichtIt is an object of the invention to provide a control arrangement for the operation of transistor actuators in half-bridges, consisting of input side via potential separation units with a Ansteuerlogikeinheit and output side via two control signal lines for the transistor switch with a motor load connected Basisansteuereinheiten for the transistor switch rapid alternate on / off allows the two transistor switch without a simultaneous switching

Erfindungsgemaß wird die Aufgabe dadurch gelost, daß sich zwischen den Basisansteuereinheiten und den Transistorschaltern Leitzustandserfassungseinheiten fur Transistorschalter befinden Mit dem einen Ausgang sind diese Leitzustandserfassungseinheiten über Potentialtrennemheiten sowohl an die Ansteuerlogikeinheit als auch an mit der Ansteuerlogik verbundene Fehlererkennungseinheiten angeschlossen Vorteilhafterweise bestehen die Leitzustandserfassungseinheiten aus Schaltungen zum Messen der Basis-Emitter-Spannung der Transistorschalter und sind über Optokoppler sowohl über ein NOR-Glied im jeweils anderen Ansteuerkanal als auch an einen Eingang der Fehlererkennungsemheit des gleichen Ansteuerkanals angeschlossen Der andere Eingang der Fehlererkennungsemheit ist mit dem Ausgang des NOR-Gliedes im gleichen Ansteuerkanal verbunden, der außerdem mit der Potentialtrennemhett zum Ankoppeln der zugehörigen Basisansteuereinheit verbunden ist Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausfuhrungsbeispiel naher erläutert werden In der zugehörigen Zeichnung zeigenAccording to the invention, the object is achieved by the fact that conductive state detection units for transistor switches are located between the basic drive units and the transistor switches. With one output, these conducting state detection units are connected via potential separation units both to the drive logic unit and to error detection units connected to the drive logic. Advantageously, the conduction detection units consist of circuits for measuring the transistor circuits Base-emitter voltage of the transistor switch and are connected via optocouplers both via a NOR gate in each other control channel and to an input of the Fehlerkennungsemheit the same drive channel The other input of Fehlermerkennungsemheit is connected to the output of the NOR gate in the same drive channel, which is also connected to the potential divider to couple the associated base drive unit. The invention will be explained below with reference to an embodiment In the accompanying drawings will be explained in more detail

Fig 1 das Blockschaltbild einer Steueranordnung fur Transistorschalter mit dererfindungsgemaßen Losung, Fig 2 eine schaltungstechnische Variante der erfindungsgemaßen Losung,1 shows the block diagram of a control arrangement for transistor switch with the invention according to the solution, Figure 2 shows a circuit-technical variant of the inventive solution,

Fig 3 eine Zusammenstellung der wichtigsten Logiksignale und Spannungsverlaufe von ausgewählten Meßpunkten gemäß Fig 2 in einem repräsentativen ZeitabschnittFIG. 3 shows a compilation of the most important logic signals and voltage profiles of selected measuring points according to FIG. 2 in a representative period of time

In Fig 1 ist eine Steueranordnung ^Transistorschalter als Blockschaltbild dargestellt, die die erfindungsgemaße Losung enthalt Zum Regeln der Drehzahl einer Last LS ist eine Schaltereinheit SE angeordnet, die zum Ansteuern von zwei Transistorschaltern TS1,TS2 an diese über Leitzustandserfassungseinheiten LZE 1, LZE 2 angeschlossene Basisansteuerungseinheiten BAE1, BAE2 enthalt Die Basisansteuerungseinheiten BAE 1, BAE2 sind mit separaten Stromversorgungseinheiten SVE1, SVE2 verbunden Über Potentialtrennemheiten PTE1, PTE 2 ist an die Basisansteuerungseinheiten BAE1, BAE2 eine Ansteuerlogikeinheit ALE angeschlossen, deren Ausgange mit zwei Fehlererkennungseinheiten FEE1, FEE2 verbunden sind Von den Leitzustandserfassungseinrichtungen LZE1, LZE2 fuhren über weitere Potentialtrennemheiten PTE 3, PTE4 Leitungen sowohl zur Ansteuerlogikeinheit ALE als auch zu den Fehlererkennungseinheiten FEE1, FEE 2 Fig 2 zeigt eine schaltungstechnische Variante der erfindungsgemaßen Losung Em erster und zweiter Ansteuerkanal AK1, AK2 fuhrt zu einem ersten und zweiten NAND-Glied NAI, NA2, dessen Ausgange einerseits mit einem ersten und zweiten NOR-Glied N01, N02 und einem Eingang des jeweils anderen NAND-Gliedes NA1, NA2 verbunden sind Die NOR-Glieder N01, N02 sind mit ihren Ausgangen über Potentialtrennstellen PTS1, PTS2 und über Basisansteuereinheiten BAE1, BAE2 mit der Basis eines ersten und zweiten Transistorschalters TS1, TS 2 verbunden, zwischen deren Emitter-und Kollektoranschlussen die zugehörigen Freilaufdioden FD1, FD2 liegen Die Transistorschalter TS1, TS 2 bilden eine Halbbrücke, an deren Verbindungspunkt VP, zur Erzeugung einer Ausgangsspannung TAS eine Last LS angeschlossen ist Die Kollektoren der Transistorschalter TS1, TS 2, die an der Bezugspotentialspannung BPS und der Zwischenkreisspannung ZKS liegen, sind über Dioden D1, D2 und die Emitter direkt mit den Basisansteuereinheiten BAE1, BAE 2 verbundenIn FIG. 1, a control arrangement is shown as a block diagram, which contains the solution according to the invention. For controlling the speed of a load LS, a switch unit SE is arranged, which is used to drive two transistor switches TS1, TS2 to base drive units connected via conducting state detection units LZE 1, LZE 2 BAE1, BAE2 The base drive units BAE 1, BAE2 are connected to separate power supply units SVE1, SVE2. Via potential isolation units PTE1, PTE 2, a drive logic unit ALE is connected to the basic drive units BAE1, BAE2, whose outputs are connected to two fault detection units FEE1, FEE2 From the conduction detectors LZE1 , LZE2 lead via further potential separation units PTE 3, PTE4 lines both to the control logic unit ALE and to the error detection units FEE1, FEE 2 FIG. 2 shows a circuit-technical variant of the inventive solution Em first and second drive channel AK1, AK2 leads to a first and second NAND gate NAI, NA2 whose outputs are connected on the one hand to a first and second NOR gate N01, N02 and an input of the other NAND gate NA1, NA2. Elements N01, N02 are connected to their outputs via potential separation points PTS1, PTS2 and via base drive units BAE1, BAE2 to the bases of a first and second transistor switch TS1, TS2, between whose emitter and collector terminals the associated freewheeling diodes FD1, FD2 are connected. The transistor switches TS1, TS 2 form a half-bridge, at whose connection point VP, a load LS is connected to generate an output voltage TAS. The collectors of the transistor switches TS1, TS 2, which are connected to the reference potential voltage BPS and the intermediate circuit voltage ZKS, are connected via diodes D1, D2 and the emitters directly connected to the base drive units BAE1, BAE 2

Zwischen den Basisanschlussen und dem Emitter sind Optokoppler OK 1, 0K2 angeschlossen, deren Ausgangsleitungen zu einem Eingang der NOR-Glieder N01, N02 im jeweils anderen Ansteuerkanal AK1, AK2 und zu einem Eingang von Fehlererkennungseinheiten FEE1, FEE2 fuhren, derer andere Eingange mit dem Ausgang der NOR-Glieder N01, N02 im gleichen Ansteuerkanal 1, 2 verbunden sindOptocouplers OK 1, 0K2 are connected between the base terminals and the emitter whose output lines lead to one input of the NOR elements N01, NO2 in the respective other control channel AK1, AK2 and to an input of error detection units FEE1, FEE2, the other inputs to the output NOR gates N01, N02 are connected in the same drive channel 1, 2

Fig 3 enthalt eine Zusammenstellung der wichtigsten Signalverlaufe der Komandosignale KS1, KS2, die mit den Steuerausgangssignalen STA der Modulatoreinheiten gemäß der DD-PS 236496 identisch sein können, des negierten Steuersignals NSS, des Steuersignals STS, der Ansteuersignale ASS 1, ASS 2, der Ruckmeldesignale RMS1, RMS2, der Fehlersignale FS1 FS2 und der Spannungsverlaufe, der Basisspannungen BS1, BS 2 und der Ausgangsspannung TAS fur den Zeitraum eines Umschaltvorganges an den in Fig 2 dargestellten Meßstellen A bis M Die Anordnung arbeitet auf folgende Weise3 shows a compilation of the most important signal curves of the command signals KS1, KS2, which may be identical to the control output signals STA of the modulator units according to DD-PS 236496, the negated control signal NSS, the control signal STS, the drive signals ASS 1, ASS 2, the feedback signals RMS1, RMS2, the error signals FS1 FS2 and the voltage waveforms, the base voltages BS1, BS2 and the output voltage TAS for the period of a switching operation at the measuring points A to M shown in FIG. 2. The arrangement operates in the following manner

Wenn zu einem festgelegten Zeitpunkt ti ein Umschalten der Ausgangsspannung TAS von BPS nach +ZKS in kürzester Zeit erfolgen soll, dann müssen sich die Potentialverhaltnisse des nicht negierten und des negierten Steuersignals STS, NSS umkehren Dabei bilden zunächst das erste Ansteuersignal ASS 1 am Meßpunkt E in der Ausgangsleitung des ersten NOR-Gliedes N01 auf L-Potential, der zweite Transistorschalter TS 2 leitend und der Meßpunkt I in der Leitung zum Ruckmeldesignalemgang des ersten NOR-Gliedes N01 auf Η-Potential Wenn zu diesem Zeitpunkt ti das Steuersignal STS am Meßpunkt D in der Leitung zum Ansteuersignaleingang des zweiten NOR-Gliedes N02 nicht auf Η-Potential liegt, wird das Ansteuersignal ASS 2 fur den zweiten Transistorschalter TS 2 auf L-Potential gesteuert Zum Zeitpunkt 12 ist die Speicherzeit des zweiten Transistorschalters TS 2 beendet, und der Transistorschalter TS 2 selbst wird stromlos Des weiteren wird die Basisspannung BS2 negativ, und der in der Leitung zum Ruckmeldesignaleingang des ersten NOR-GLiedes N01 gelegene Meßpunktl wechseltauf L-Potential Wahrend das Ansteuersignal ASS 1 fur den ersten Transistorschalter TS1 am Meßpunkt E in der Ausgangsleitung des ersten NOR-Gliedes N01 auf Η-Potential übergeht, bleibt das Ansteuersignal ASS 2 fur den zweiten Transistorschalter TS 2 am Meßpunkt Fm der Ausgangsleitung des zweiten NOR-Gliedes N02auf L-Potential, wobei am Meßpunkt D in der Leitung zum Steuereingang des zweiten NOR-Gliedes N02 Η-Potential vorhanden ist Die Ausgangsspannung TAS steuert in diesem Zeitabschnitt von Uo nach +Uz um, zum Zeitpunkt t3 ist der erste Transistorschalter TS1 leitend, und das Ruckmeldesignal RMS1 am Meßpunkt I in der Leitung zum Ruckmeldesignaleingang des zweiten NOR-ghedes N02 besitzt Η-Potential Die an den Meßpunkten G, H in den Ausgangsleitungen der Fehlererkennungseinheiten FEE1, FEE2 vorhandenen Fehlersignale FS 1, FS2 sind gültig und auswertbar Ein Wechsel der Logikpotentiale von H auf L bzw L auf H der Steuersignale NSS, STS an den Meßpunkten C, D in den Leitungen zu den Steuersignaleingangen der beiden NOR-Glieder N01, N02 findet zum Zeitpunkt t4 statt die Ansteuersignale ASS 1, ASS2furden ersten und zweiten Transistorschalter TS1, TS 2 an den Meßpunkten E, Fm den Ausgangsleitungen der beiden NOR-Glieder N01, N02 wechseln bzw bleiben auf L-Potential, weil der erste Transistorschalter TS1 bei Η-Potential am Meßpunkt I in der Leitung zum Ruckmeldesignaleingang des zweiten NOR-Gliedes N02 nicht leitet Ein Umsteuern der Ausgangsspannung TAS von +ZKS nach BPS auf schnellstem Wege wird hiermit eingeleitet Zum Zeitpunkt 15 ist die Speicherzeit des ersten Transistorschalters TS1 beendet, dieser Transistorschalter TS1 wird stromlos und die Basisspannung BS1 wird negativ Das Logikpotential des ersten Ruckmeldesignals RMS1 am Meßpunkt I in der Leitung zum Ruckmeldesignaleingang des ersten NOR-Gliedes N01 wechselt auf L-Potential, am Meßpunkt E in der Ausgangsleitung des ersten NOR-Gliedes N01 bleibt das L-Potential, und am Meßpunkt F in der Ausgangsleitung des zweiten NOR-Gliedes NO 2 wechselt das Logikpotential von L- und Η-Potential Die Ausgangsspannung TAS ist von +ZKS auf BPS umgesteuert Zum Zeitpunkt 16 ist der zweite Transistorschalter TS 2 leitend und das zweite Ruckmeldesignal RMS 2 am Meßpunktl in der Leitung zum Ruckmeldesignaleingang des ersten NOR-Gliedes N01 liegt auf Η-Potential Die an den Meßpunkten g, H in den Ausgangsleitungen der Fehlererkennungseinheiten FEE 1, FEE2 austretenden Fehlersignale FS1, FS 2 sind damit gültig und auswertbar Der Umsteuervorgang der Ausgangsspannung TAS beginnt jetzt erneut auf die bereits beschriebene Weise Durch die erfindungsgemaße Schaltungsanordnung werden zusätzliche Sicherheitszeiten zu den Speicherzeiten von Transistorschaltern bei Umschaltvorgangen eingespart, indem durch eine Zustandserfassung der Transistorschalter und deren Auswerten beim Ansteuern die Lange der bauelementespezifischen Speicherzeiten festgestellt werden und diese Zeiten als ausreichende Sicherheiten verwendbar werdenIf switching of the output voltage TAS from BPS to + ZKS is to take place in a very short time at a fixed time ti, then the potential ratios of the non-negated and negated control signals STS, NSS must be reversed. First, the first control signal ASS 1 forms at the measuring point E in FIG the output line of the first NOR gate N01 to L potential, the second transistor switch TS 2 conductive and the measuring point I in the line to Ruckmeldesignalemgang the first NOR gate N01 to Η potential If at this time ti the control signal STS at the measuring point D in the line to the drive signal input of the second NOR gate N02 is not at Η potential, the drive signal ASS 2 for the second transistor switch TS 2 is controlled to L potential At time 12, the storage time of the second transistor switch TS 2 is completed, and the transistor switch TS 2 itself is de-energized Furthermore, the base voltage BS2 is negative, and in the line too While the drive signal ASS 1 for the first transistor switch TS1 at the measuring point E in the output line of the first NOR gate N01 transitions to Η-potential, the drive signal ASS 2 remains for the second Transistor switch TS 2 at the measuring point Fm of the output line of the second NOR gate N02 to L potential, wherein at the measuring point D in the line to the control input of the second NOR gate N02 Η potential is present The output voltage TAS controls in this period from Uo to + Uz around, at time t3, the first transistor switch TS1 is conductive, and the Rückmeldesignal RMS1 at the measuring point I in the line to Ruckmeldesignaleingang the second NOR ghedes N02 has Η potential The existing at the measuring points G, H in the output lines of the error detection units FEE1, FEE2 Error signals FS 1, FS2 are valid and evaluable A change of the logic potentials from H to L resp L on H of the control signals NSS, STS at the measuring points C, D in the lines to the control signal inputs of the two NOR gates N01, N02 takes place at time t4 instead of the drive signals ASS 1, ASS2For the first and second transistor switches TS1, TS 2 at the measuring points E, Fm the output lines of the two NOR gates N01, N02 change or remain at L potential, because the first transistor switch TS1 does not conduct at Η potential at the measuring point I in the line to Ruckmeldesignaleingang the second NOR gate N02 A reversing the output voltage TAS from + ZKS to BPS in the fastest way is hereby initiated At time 15, the storage time of the first transistor switch TS1 is completed, this transistor switch TS1 is de-energized and the base voltage BS1 is negative The logic potential of the first Ruckmeldesignals RMS1 at the measuring point I in the line to Ruckmeldesignaleingang of first NOR gate N01 changes to L potential, at the measuring point E in the output line of the first NOR gate N01 remains the L potential, and at the measuring point F in the output line of the second NOR gate NO 2 changes the logic potential of L and Η potential The output voltage TAS is reversed from + ZKS to BPS At time 16 is the second transistor switch TS 2 conductive and the second Ruckmeldesignal RMS 2 at Meßpunktl in the line to Ruckmeldesignaleingang the first NOR gate N01 is at Η potential at the measuring points g, H in the output lines of the error detection units FEE 1, FEE2 exiting error signals FS1, FS The switching process of the output voltage TAS starts again in the manner already described by the inventive circuit additional safety times are saved to the storage times of transistor switches in Umschaltvorgangen by by a state detection of the transistor switch and their evaluation when driving the length of the device specific Registering herzeiten be determined and these times as sufficient collateral usable

Claims

1. Control arrangement for the operation of transistor actuators in half bridges, the input side via potential separation units with a Ansteuerlogikeinheit and the output side via two control signal lines for the transistor switch connected to a load Basisansteuereinheiten, characterized in that between the Basisansteuereinheiten (BAS 1, BAS 2) and the Transistor switches (TS 1, TS2) via an output and potential separation units (PTE3; PTE4) to both the control logic unit (ALE) and connected to the control logic unit (ALE) connected error detection units (FEE1; FEE2) Leitzustandserfassungseinheiten (LZE 1, LZE 2) for the transistor switches (TS 1, TS 2) are located.

2. Control arrangement for the operation of transistor actuators in half bridges, according to claim 1, characterized in that the Leitzustandserfassungseinheiten (LZE 1; LZE2) consist of circuits for measuring the base-emitter voltage of the transistor switch (TS 1; TS 2) and via optocouplers (OK 1, OK 2) are connected both to a NOR gate (N01, N02) in the other drive channel (AK1, AK2) and to an input of the error detection unit (FEE 1, FEE2) of the same drive channel (AK 1, AK2), whose other input is connected to the output of the respective NOR element (N01, N02), which is routed to the potential separation point (PTS 1, PTS2), in the same control channel (AK 1, AK 2).