DD276376A1 - MONOLITHIC CRYSTAL FILTER - Google Patents

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DD276376A1
DD276376A1 DD32099388A DD32099388A DD276376A1 DD 276376 A1 DD276376 A1 DD 276376A1 DD 32099388 A DD32099388 A DD 32099388A DD 32099388 A DD32099388 A DD 32099388A DD 276376 A1 DD276376 A1 DD 276376A1
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resonator
resonators
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electrode
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DD32099388A
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Inventor
Ralf Strehl
Gabriele Zank
Heike Kavel
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Elektron Bauelemente Carl Von
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf schmalbandige monolithische Quarzfilter mit nebeneinanderliegenden Strukturen, deren Anwendung in elektronischen Schaltungen fuer den Mittelfrequenzbereich 30 MHz, vorzugsweise bei ZF-Verstaerkern eingesetzt wird. Bei dem erfindungsgemaessen Bauelement sollen eine verbesserte Stoerresonanzdaempfung, eine Senkung des Zeit- und Materialaufwandes bei der Herstellung sowie des Pruefaufwandes erreicht werden. Die erfindungsgemaesse Loesung beruht darauf, dass die auf einem Substrat befindlichen benachbarten Resonatoren senkrecht zur Verkopplungsrichtung versetzt sind und/oder diese Resonatoren des Resonatorpaares unterschiedlich grosse Resonatorstrukturen bzw. Resonatorelektroden aufweisen, d. h. dass sie sich sowohl in den Abmessungen in Richtung zum jeweils anderen Resonator als auch senkrecht dazu unterscheiden. Die Elektrode des einen Resonators hat gleichzeitig eine Metallschicht mit einer oertlich groesseren Schichtdicke gegenueber dem anderen Resonator mit der groesseren Resonatorflaeche.The invention relates to narrow-band monolithic quartz filters with juxtaposed structures, the application of which is used in electronic circuits for the mid-frequency range 30 MHz, preferably in IF amplifiers. In the inventive device an improved Stoerresonanzdaempfung, a reduction in the time and material costs in the production and the Pruefaufwandes are to be achieved. The solution according to the invention is based on the fact that the adjacent resonators located on a substrate are offset perpendicularly to the coupling direction and / or these resonators of the resonator pair have differently sized resonator structures or resonator electrodes, ie. H. that they differ both in the dimensions in the direction of the other resonator and perpendicular thereto. At the same time, the electrode of one resonator has a metal layer with a layer thickness which is larger than the other resonator with the larger resonator surface.

Description

Hierzu 3 Seiten ZeichnungenFor this 3 pages drawings

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung betrifft ein elektrisches Frequenzfilter aus piezoelektrischem Material zur Anwendung im Mittelfrequenzbereich über 30MHz, besonders für Zwischenfrequenzverstärker. Beschrieben wird der Aufbau dieses mit Volurnenwellen arbeitenden monolithischen Quarzfilters (MQF) nach dem Oberwellenprinzip, insbesondere eines Zweikreisfilters.The invention relates to an electrical frequency filter made of piezoelectric material for use in the mid-frequency range above 30 MHz, especially for intermediate frequency amplifiers. The structure of this monolithic quartz filter (MQF) operating with vertical waves is described according to the harmonic principle, in particular of a dual-circuit filter.

Charakteristik des bekannten Standes der TechnikCharacteristic of the known state of the art MQF mit Mittelfrequenzen >30MHz setzen sich meist aus einem oder mehreren Doppclresonatoren sowie weiteren passivenMedium frequency MQFs> 30MHz usually consist of one or more double resonators and other passive ones

elektronischen Bauelementen zusammen. Sie arbeiten hauptsächlich nach dem Obertonprinzip, auch Oberwellenprinzip genannt.electronic components together. They work mainly according to the overtone principle, also called harmonic principle.

Die hohen Arbeitsfrequenzen können ebenfalls dadurch erzeugt werden, daß die Quarzscheibe in dem Bereich, in welchemThe high operating frequencies can also be generated by the fact that the quartz disk in the area in which

später die beiden Resonatoren strukturiert werden, örtlich abgetragen wird.later the two resonators are structured, is removed locally.

Durch dieses Verfahren kann die Arbeitsfähigkeit in der Grundwelle auch bei höheren Froquenzen gewährleistet werden. Aus derBy this method, the work ability in the fundamental wave can be ensured even at higher frequencies. From the Literatur ist bekannt, daß hierbei zusätzlich zu einer größeren Bandbreite eine verbesserte Unterdrückung der störendenLiterature is known that this in addition to a larger bandwidth improved suppression of disturbing Nebenwellen erreicht wird (DE 2 255432, DE 2 256624, DE 2416085).Secondary waves is achieved (DE 2 255432, DE 2 256624, DE 2416085). Auf Grund dieses hohen technischen Aufwandes bei der Herstellung dieser MQF und der oft nicht zufriedenstellenden GütewerteDue to this high technical effort in the production of this MQF and the often unsatisfactory quality values

konnten sich derartige Kristallfilter bisher nicht durchsetzen.So far, such crystal filters could not prevail.

Neben Kristallfiltern sind auch Keramikfilter bekannt, die ebenfalls auf der Basis von Volumenwellen arbeiten.In addition to crystal filters and ceramic filters are known which also work on the basis of volume waves. Die PS-DD 240296 stellt ein derartiges elektronisches Bauelement vor. Hier erfolgt die Anordnung der Resonatorelektroo'en aufPS-DD 240296 introduces such an electronic component. Here the arrangement of the resonator electrodes takes place

einem Keramikstreifen so, daß der Abstand der äußeren Eloktrodenränder jedes Filtergrundelementes zu den ihnen zugeordneten Streifenenden ungleich ist und jedes Filtergrundelement den gleichen definierten Abstand von einem .ilektrodenrand zu dem ihm zugeordneten Streifenrand aufweist. Ein derartig aufgebautes Frdquenzfilter benötigt jedoch zusätzjiches Material, damit eino Verschlechterung der Eigenschaften der Nutzmode vermieden wird. Aus diesem erhöhtena ceramic strip so that the distance between the outer Eoktrodenränder each filter base element to its associated strip ends is unequal and each filter base element has the same defined distance from a .lektrodenrand to its associated strip edge. However, a frequency filter constructed in this way requires additional material in order to avoid deterioration of the characteristics of the useful mode. For this increased

Materialaufwand resultiert eine Vergrößerung der Bauelementeabmaße und der Bauelementegewichte.Cost of materials results in an increase in the component dimensions and the component weights. Bei Kristallfiltern, insbesondere MQF, f tollt das Material jedoch einen erheblichen Kostenfaktor dat. Als weitere MöglichkeitenWith crystal filters, in particular MQF, the material, however, costs a considerable cost factor. As further possibilities

der Nebenwellenunterdrückung erweisen sich der großflächige Auftrag von Dämpfungsmasse sowie das örtliche Bedampfen durch punktartige Dämpfungsmasse. Naci.teilig ist bei Anwendung dieser Möglichkeiten jedoch, daß sich hierbei die Parameter der Nutzmode verschlechtern.The secondary wave suppression prove the large-scale application of damping mass and the local vaporization by point-like damping mass. Naci.teilig is when using these possibilities, however, that this deteriorate the parameters of Nutzmode.

Wie aus theoretischen Arbeiten entnommen werden kann, ist unterhalb einer kritischen Größe der Elektrodenfläche bzw.As can be seen from theoretical work, is below a critical size of the electrode surface or

unterhalb einer bestimmten Schichtdicke der Elektrode (bei Einhaltung eines vom Material abhängigen Verhältnisses vonbelow a certain layer thickness of the electrode (while maintaining a material-dependent ratio of

Elektrodendicke zu Elektrodenoberfläche) eine verbesserte Nebenwellenunterdrückung zu erwarten. Diese TheorienElectrode thickness to electrode surface) to expect an improved spurious suppression. These theories

berücksichtigen jedoch weder prinzipielle Fertigungsmängef noch Fertigungstoleranzen (z. B. Balligkeit bzw. Keilförmigkeit derHowever, neither basic manufacturing costs nor manufacturing tolerances (eg crowning or wedge shape of the

Qrirzsubstrate, technische Grenzen infolge technologischer Problame, örtlich unterschiedliche Dicken der aufgebrachtenQrirzsubstrate, technical limits due to technological problem, locally different thicknesses of applied

Schichten).Layers).

Die Entwicklung von MQF schließt meist zahlreiche Kompromisse zwischen den verschiedenen Filtei parametern ein.The development of MQF usually involves numerous compromises between the various Filtei parameters. Mit den derzeit üblichen theoretischen Entwurfsverfahren ist es oft nicht möglich, dio für die NebenwellenunterdrückungWith the current theoretical design methods, it is often not possible, dio for the spurious suppression

günstigen Bereiche einzuhalten.to comply with favorable areas.

Eine Minimierung der störenden Nobenwellen ist oft nur durch erhöhte Aufwände (z.B. PS-DD 2313955) möglich.A minimization of the disturbing noise waves is often only possible by increased efforts (for example PS-DD 2313955). Diefatentschrift US 3517350 beschreibt eine weitere Möglichkeit zur Nebenwellenunterdrückung. Hier wird zwar erkannt, daßThe document US Pat. No. 3,517,350 describes another possibility for spurious suppression. Here it is recognized that

unterschiedliche grundstrukturierte Resonatoren verschiedene Nebenwellenspektren ausbilden, nicht aber die Notwendigkeit zum Ausgleich hierbei entstandener Frequenzunterschiede zwischen den Resonatoren.Different fundamental resonators form different side wave spectra, but not the need to compensate for the resulting frequency differences between the resonators.

Ziel der ErfindungObject of the invention

Ziel der Erfindung ist die Verbesserung der technischen Parameter der Oberton-MQF, insbesondere hinsichtlich der Dämpfung, die im Durchlaßbereich vermindert und im Sperrbereich erhöht werden soll. Des weiteren sollen mit dieser neuen technischen Lösung bei der Herstellung der MQF eine Senkung des Zeit- und Materialaufwandes und bei der Funktionsprüfung ein geringerer Zeitaufwand erreicht werden.The aim of the invention is to improve the technical parameters of the overtone MQF, in particular with regard to the attenuation, which is to be reduced in the passband and increased in the stopband. Furthermore, with this new technical solution in the production of MQF a reduction in the time and material costs and in the functional test a lesser amount of time can be achieved.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention Die im Sperrbereich der Filter infolge störender Neb'inwollen auftretenden Einbrüche müssen minimiert werden.The burglaries that occur in the blocking area of the filters as a result of disturbing Neb'inwollen must be minimized. Die Realisierung dieser Aufgabe erfordert eine stärkere Bedämpfung der Nebenwellen ohne ein Auftragen vonThe realization of this task requires a stronger attenuation of the spurs without an application of Dämpfungsmassen, durch die noch ein weiterer Arbeitsgang für das Aushärten des Kitts nötig wäre.Damping compounds, through which a further operation would be necessary for the hardening of the cement. Eifindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Anordnung der Resonatoren eines Resonatorpaares in senkrechterEifindungsgemäß the object is achieved in that the arrangement of the resonators of a Resonatorpaares in vertical Versetzung zur Verkopplungsrichtung ausgeführt wird und sich ferner durch Kombination unterschiedlicherDisplacement is performed to the coupling direction and further by combining different Eliktrodenausführungen eine effektvolle Verstärkung von Nebenwellendämpfung und Nutzmode ergibt.Electrode designs an effective reinforcement of secondary wave attenuation and Nutzmode results. Es wurde gefunden, daß durch eine Versetzung der Resonatoren senkrecht zur Verkopplungsrichtung eine Verbesserung derIt has been found that by an offset of the resonators perpendicular to the coupling direction an improvement in the Nebenwellendämpfung erreicht werden kann.Side wave attenuation can be achieved. Diese Tatsache beruht beispielsweise darauf, daß die zweite symmetrische Mode (die im allgemeinen am meisten störondeThis fact is due, for example, to the fact that the second symmetric mode (which is generally the most interfering Nebenwelle) in dieser Richtung drei Schwingungszonen ausbildet; wobei die · »iden Schwingungszonen am RandeNebenwelle) in this direction forms three oscillation zones; with the vibration zones on the edge

phasenverkehrt zu der in der Mitte befindlichen Zone schwingen. Die mittlere,ι Schwingungszonen sind über einen anderenout of phase with the zone in the middle. The middle vibration zones are over another

Wirkungsmechanismus nicht effektiv zu bedampfen, ohne dabei die Nutzmode ebenfalls zu schädigen. Eine zusätzlicheEffect mechanism not effectively vaporize, without damaging the Nutzmode also. An additional Bedämpfung der äußei an Schwingungszonen kann z. B. weiterhin mittels bekannter Dämpfungsmassen erreicht werden.Damping the äußei of vibration zones can z. B. continue to be achieved by means of known damping masses. Es ist bekannt, daß erheblich unterschiedliche Resonatorstrukturen stark voneinander abweichende NebenwollenspektrenIt is known that considerably different resonator structures differ widely from one another

ausbilden. Dadurch ist es möglich, benachbarte Resonatoren so zu dimensionieren, daß die besonders ausgeprägtenform. This makes it possible to dimension adjacent resonators so that the most pronounced

Nebenwellen des ersten Resonators eines Resonatorpaares dort auftreten, wo der zweite Resonator eine geringeSide waves of the first resonator of a resonator pair occur where the second resonator has a low Schwingfähigkeit aufweist. Es wurde ferner gefunden, daß es nicht notwendig ist, erheblich unterschiedlicheHas oscillation capability. It has also been found that it is not necessary to vary significantly Resonantorstrukturen zu verwenden, ν/ο η η auf die Elektroden des Resonators mit der kleineren Resonatorfläche eine gegenüberResonantorstrukturen use, ν / ο η η on the electrodes of the resonator with the smaller resonator surface opposite

dieser nochmals flächenmäßig geringere Metallschicht aufgebracht wird.this surface area smaller metal layer is applied.

Gs ist weiterhin festzustellen, daß auch durch Versetzung dieser zusätzlich aufgebrachten Metallschicht eine Beeinflussung desGs is further noted that even by displacement of this additionally applied metal layer influencing the Schwingverhaltens der Nebenwellen möglich ist. Es gelingt dadurch, die Übertragung der Nebenwellen von einem ResonatorOscillation behavior of the spurs is possible. It succeeds by the transmission of the spurious waves of a resonator

zum anderen Resonator zu behindern bzw. einer Verkopplung zwischen den Nebenwellen entgegenzuwirken.to hinder the other resonator or to counteract a coupling between the secondary waves.

Unter Anwendung einer speziollen Feinabgleichsmaske kann z. B. der Resonator 1 noch einmal bedampft werden, die zusätzlichUsing a special fine-adjustment mask, z. B. the resonator 1 are steamed again, in addition

auf den Resonator aufgebrachte Schicht ist dabei kleiner als die Grundstruktur des Resonators 1. Dadurch läßt sich der Abstand der von beiden Resonatoren ausgebildeten Nebenwellen selbst dann ausreichend gegeneinander verschieben, wenn dieThe layer applied to the resonator is smaller than the basic structure of the resonator 1. As a result, the distance between the secondary waves formed by the two resonators can be sufficiently shifted relative to each other even if the

Resonatoren fast gleiche Resonatorflächen aufweisen.Resonators have almost the same Resonatorflächen. Es wurde experimentell bestätigt, daß trotz der unterschiedlichen Strukturen der Resonatoren der Energieeinfang-MochanismusIt has been experimentally confirmed that, despite the different structures of the resonators, the energy capture Mochanism

bei dor Nutzmode erhalten bleibt.at dor Nutzmode remains.

AusfOhrungibeispleleAusfOhrungibeisplele Die Erfindung wird anhand von zwei Ausfiihrungsbeispielen näher erläutert. Die Figuren 1 und 3 sxellen ein erfindungy^smäßesThe invention will be explained in more detail with reference to two Ausfihrungsbeispielen. Figures 1 and 3 illustrate an invention Resonatorpaar bzw. einen Doppelreson-tor in Vorderansicht dar.Resonator pair or a Doppelreson-gate in front view. Das erste Ausführungsbeispiel mit Figur 1 dient der Demonstration der Wirkung einer geringfügigen Versatzung der baidenThe first embodiment with Figure 1 is used to demonstrate the effect of a slight misalignment of the baiden Resonatoren in senkrechter Richtung zur ursprünglichen Soll-Ausbreitungsrichtung der Welle.Resonators in the direction perpendicular to the original desired propagation direction of the shaft. Die Resonatoren 1 und 2 mit den Zuleitungen 5 befinden sich auf einer Quarzscheibe 3, die in einem Quarzhalter 4 eingespanntThe resonators 1 and 2 with the leads 5 are located on a quartz disk 3, which is clamped in a quartz holder 4

ist. Die mechanische Befestigung und elektrische Kontaktierung der Quarzscheibe 3 im Quarzhalter 4 erfolgt im wesentlichen mittels der Kittstellen 6.is. The mechanical attachment and electrical contacting of the quartz disk 3 in the quartz holder 4 takes place essentially by means of the cemented areas 6.

Die Resonatoren 1 und 2 sind um V« ihrer Höhe und damit senkrecht zur Verkopplungsrichtung gegeneinander versetztThe resonators 1 and 2 are offset by V "their height and thus perpendicular to the coupling direction against each other

angeordnet.arranged.

Obwohl die ResonstU'abmessungen stark vom theoretischen Optimum abweichen, ist eine Verbesserung derAlthough the resonator dimensions deviate greatly from the theoretical optimum, an improvement of the Nebenwellenunterdrückung erreichbar.Spurious wave suppression achievable. Die Figur 2 zeigt hierzu din Vergleich des Seloktionsvorhaltens zwischen dem oben beschriebenen Doppelresonator (mitFIG. 2 shows for this purpose the comparison of the selection behavior between the double resonator described above (with

gegeneinander versetzten Resonatoren) und einem Doppelresonator mit unversetzten Resonatoren. Beide Resonatoren wurden gemeinsam bedampft und c'ie aufgebrachten Elektroden hatten alle gleiche Abmaße.mutually offset resonators) and a double resonator with unsubstituted resonators. Both resonators were co-evaporated and all of the electrodes applied had the same dimensions.

Abschließend wird die Erfindung an einem zweiten Ausführungsbeispiel dokumentiert. Die Figuren 3 und 4 stellen einenFinally, the invention is documented in a second embodiment. Figures 3 and 4 provide a

erfindungsgemäßen Dop,>elresona!or dar, bei dem beide Neuheiten kombiniert wurden.Dop, elresona or or, in which both novelties were combined.

Die Quarzscheibe 3 befindet sich im Ouarzhalter 4.AufderQuarzscheibe 3 sind sowohl der Resonator 1 als auch der Resonator 2The quartz disk 3 is located in the resin holder 4. On the quartz disk 3, both the resonator 1 and the resonator 2 are

strukturiert. Die Resonatoren 1 und 2 mit den Zuleitungen 5 sind über Kittstellen 6 (z. B. Silberleitkitt) mit dem Ouarzhalter 4 verbunden, wodurch eine elektrische Kontaktierung erfolgt.structured. The resonators 1 and 2 with the leads 5 are connected to the resin holder 4 via cemented areas 6 (eg silver conductive cement), whereby electrical contacting takes place.

Der linke Resonator 1 schwingt anfangs aufgrund der geringen Resonatorfläche auf einer höheren Frequenz als der Resonator 2.The left resonator 1 initially oscillates at a higher frequency than the resonator 2 due to the small resonator area. Der Ausgleich dieser Unsymmetrie wird durch die zusätzliche Metallschicht 7 erreicht.The compensation of this asymmetry is achieved by the additional metal layer 7. Figur 4 zeigt den horizontalen Schnitt durch den zentralem Teil des Doppelrcsonators. Hierbei ist die QuarzscheibendickeFigure 4 shows the horizontal section through the central part of the Doppelrcsonators. Here is the quartz disk thickness

vergrößert dargestellt. Die aufgedampften Schichten sind überhöht gezeichnet.shown enlarged. The vapor-deposited layers are exaggerated.

Aus den Figuren geht hervor, daß zur Verbesserung der Nebenwellenunterdrückung der Resonator 1 etwas höher angeordnet istFrom the figures it is apparent that the resonator 1 is arranged slightly higher in order to improve the secondary wave suppression

als dor Resonator 2. Aus dem gleichen Grund befindet sich auf den Resonator 1 eine Metallschicht 7, die eine wesentlich geringere Fläche als der Resonator 1 aufweist und ebenfalls versetzt ist.as the resonator 2. For the same reason is located on the resonator 1, a metal layer 7, which has a substantially smaller area than the resonator 1 and is also offset.

Claims (3)

1. Monolithisches Kristallfilter, das sich aus einem oder mehreren Filtergrundelementen, z. B. Doppelresonatoren und weiteren passiven elektronischen Bauelementen zusammensetzt und die Filtergrundelemerite mit Volumenwellen nach dem Energieeinfangprinzip arbeiten und die jeweils benachbarten Resoantorelektroden auf dem Filtergrundelement so angeordnet sind, daß der Abstand der Elektrodenränder zu dem zugeordneten äußeren Rand des Filtergrundelementes ungleich ist, gekennzeichnet dadurch, daß die Resonatoren eines Resonatorpaares senkrecht zur Verkopplungsrichtung gegeneinander versetzt sind und oder die jeweils benachbarten auf einem Substrat befindlichen Resonatoren unterschiedlich große Resonatorelektroden sowohl hinsichtlich ihrer Dicke als auch Fläche aufweisen, wobei der Resonator (1) mit der kleineren Resonatorfläche örtlich eine größere Schichtdicke besitzt als der Resonator (2) mit der größeren Resonatorfläche.1. Monolithic crystal filter, which consists of one or more filter base elements, for. B. double resonators and other passive electronic components and the Filtergrundelemerite work with bulk waves on the energy capture principle and the adjacent Resoantorelektroden are arranged on the filter base element so that the distance between the electrode edges to the associated outer edge of the filter element is unequal, characterized in that the Resonators of a pair of resonators perpendicular to the coupling direction are offset from each other and or each adjacent resonator located on a substrate resonator electrodes of different sizes both in thickness and surface, wherein the resonator (1) with the smaller resonator surface locally has a greater layer thickness than the resonator ( 2) with the larger resonator surface. 2. Anordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Elektrode des Resonators (1) gleichzeitig eine Metallschicht (7) mit einer wesentlich geringeren Fläche gegenüber der Resonatorfläche des Resonators (1) aufweist.2. Arrangement according to claim 1, characterized in that the electrode of the resonator (1) at the same time a metal layer (7) having a substantially smaller area relative to the resonator surface of the resonator (1). 3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß die Massenschwerpunkte der Metallschicht (7) und des Resonators versetzt sind.3. Arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the centers of mass of the metal layer (7) and the resonator are offset.
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