DD272532A1 - PROCESS FOR ELIMINATING COVERED AND TRANSPARENT DEFECTS ON HARDENING TABLES - Google Patents

PROCESS FOR ELIMINATING COVERED AND TRANSPARENT DEFECTS ON HARDENING TABLES Download PDF

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DD272532A1
DD272532A1 DD31676288A DD31676288A DD272532A1 DD 272532 A1 DD272532 A1 DD 272532A1 DD 31676288 A DD31676288 A DD 31676288A DD 31676288 A DD31676288 A DD 31676288A DD 272532 A1 DD272532 A1 DD 272532A1
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stencil
defects
iron oxide
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stencils
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DD31676288A
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Inventor
Rolf Eichhorn
Hermann Knauer
Juergen Lukas
Herbert Gerstner
Original Assignee
Seghers A Mikroelektronik Veb
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Die Erfindung ist in der Mikroelektronik im Prozess der Schablonenherstellung sowie zur Rueckgewinnung von durch Benutzung im Zyklus I der Bauelementefertigung verschlissenen Schablonen anwendbar. Zur Belichtung des Fotolackes im Defektbereich wird erfindungsgemaess eine Eisenoxidschablone als Blende eingesetzt. In diese Eisenoxidschablone sind Fenster verschiedener Form und Groesse eingeaetzt, welche es gestatten, das Belichtungsfenster optimal der Defektform anzupassen. Anschliessend wird die Lackschicht entwickelt, dann partiell geaetzt oder bedampft und der Lack entfernt. Durch den Einsatz der Eisenoxidschablone wird eine hohe Genauigkeit sowie eine produktive Beseitigung von Defekten auf Hartschichtschablonen mittels eines fotolithografischen Verfahrens erreicht.The invention is applicable to microelectronics in the process of stencil making and to the recovery of stencils worn through use in the cycle I of device manufacturing. For the exposure of the photoresist in the defect region, an iron oxide stencil is used as an aperture according to the invention. In this iron oxide stencil windows of different shape and size are embedded, which allow to optimally adapt the exposure window of the defect shape. Subsequently, the lacquer layer is developed, then partially dissolved or steamed and removed the paint. The use of the iron oxide stencil achieves a high degree of accuracy and a productive elimination of defects on hard-layer stencils by means of a photolithographic process.

Description

Anwendungsggebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung dient der Beseitigung von gedeckten und transparenten Defekten auf Hartschichtschablonen. Das Verfahren ist im Prozeß der Schablonenherstellung sowie zur Rückgewinnung von durch Benutzung im Zyklus I der Bauelementefertigung verschlissenen Schablonen anwendbar.The invention serves to remove masked and transparent defects on hard-layer stencils. The method is applicable in the process of template fabrication as well as for recovery of templates worn through use in Cycle I of device fabrication.

Charakteristik des bekannten Standes der TechnikCharacteristic of the known state of the art

Die bekannten Verfahren zur Beseitigung von Defekten auf Hartschichtschablonen basieren entweder auf einem fotolithografischen Prozeß oder auf dem Einsatzenergiereicher Strahlung. Der fotolithografische Prozeß geht von der Belichtung einer lichtempfindlichen Maskierungsschicht mittels eines Spot-Mikroskopes mit verstellbarer Schlitzblende in x- und y-Richtung aus. Im nachfolgenden Entwicklungsprozeß wird ein durch die Blendengröße des Spot-Mikroskopes bestimmtes Gebiet, innerhalb dessen der zu beseitigende Defekt liegt, freigelegt. Durch Ätzen oder Bedampfen und anschließendes Entfernen der Lackschicht wird der Prozeß der Beseitigung der Defekte abgeschlossen. Der Nachteil des Verfahrens besteht in seiner geringen Genauigkeit. Um den Defekt ist eine Randzone von 5μηι Breite, in der keine Strukturen liegen dürfen, notwendig. Ansonsten besteht die Gefahr der Verletzung dieser Strukturen. Eine Verbesserung in der Genauigkeit, jedoch auch eine Erhöhung der Geräte kosten, bringt der Einsatz von Laserstrahlen zur Beseitigung von Defekten. Hier wird ein rokussierter Laserstrahl zum Verdampfen gedeckter Defekte bzw. die laserinduzierte Abscheidung einer Schicht hoher optischer Dichte aus der Gasphase im Bereich transparenter Defekte genutzt. Die notwendige Sicherheitszone um den Defekt verringert sich gegenüber dem fotolithografischen Verfahren auf die Hälfte. Das gegenwärtig am genauesten arbeitende Verfahren zur Beseitigung von Defekten auf Hartschichtschablonen basiert auf dem Einsatz eines lonenstrahles, der analog dem Laserstrahl wirl.t, ;"doch im Submikrometerbereriche fokussiert werden kann. Dementsprechend sind auch Defektbeseitigungen im Submikrometar möglich. Die Gerätekosten sind aber noch höher.The known methods for eliminating defects on hard-film stencils are based either on a photolithographic process or on the use of high-energy radiation. The photolithographic process is based on the exposure of a photosensitive masking layer by means of an adjustable slit aperture spot microscope in the x and y directions. In the subsequent development process, an area determined by the aperture size of the spot microscope, within which the defect to be eliminated, is exposed. By etching or sputtering and then removing the varnish layer, the process of eliminating the defects is completed. The disadvantage of the method is its low accuracy. To the defect is an edge zone of 5μηι width, in which no structures may be necessary. Otherwise there is a risk of injury to these structures. An improvement in accuracy, but also an increase in equipment costs, brings the use of laser beams to eliminate defects. Here, a rocussed laser beam is used to vaporize covered defects or the laser-induced deposition of a layer of high optical density from the gas phase in the area of transparent defects. The necessary safety zone around the defect is reduced by half compared to the photolithographic process. The most accurate method currently available for eliminating defects on hard film stencils is based on the use of an ion beam that is analogous to the laser beam but can be focussed in the submicrometer, thus allowing defect removal in the submicron, but with even higher equipment costs ,

Ziel der ErfindungObject of the invention

Ziel der Erfindung ist es, ein kostengünstiges fotolithografisches Verfahren zum Einsatz f.u bringen, welches zu einer höhren Genauigkeit als die bisher praktizierten fotolithografischen Verfahren führt.The aim of the invention is to bring a cost-effective photolithographic process f .u bring, which leads to a higher accuracy than the previously practiced photolithographic processes.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Daraus leitet sich die zu lösende technische Aufgabe so ab, ein Verfahren zu entwickeln, mit dem Defekte auf Hartschichtschablonen einfach, produktiv und mit hoher Genauigkeit beseitigt werden. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe so gelöst, daß für die Belichtung des Fotolackes im Deiektberoich eine Eisenoxidschablone als Blende eingesetzt wird. In diese Eisenoxidschablone sind Fenster verschiedener Form und Ciröße eingeälzt, welche es gestatten, das Belichtungsfenster optimal der Defektform und -größe anzupassen. Eine Justierung des Beiichtungsfensters zum Defekt erfolgt mit Gelblicht, da die Eisenoxidschablone im Gelblicht optisch transparent ist.From this, the technical problem to be solved is derived from developing a method with which defects on hard-layer stencils can be eliminated simply, productively and with high accuracy. According to the invention, this object is achieved in that an iron oxide stencil is used as a diaphragm for the exposure of the photoresist in Deiektberoich. In this iron oxide stencil windows of different shape and size are grooved, which allow to optimally adjust the exposure window the defect shape and size. An adjustment of the Besichtungsfensters to the defect takes place with yellow light, since the iron oxide stencil in the yellow light is optically transparent.

Die Belichtung des Defektes erfolgt anschließend mit UV-Licht und ermöglicht eine exakte Abbildung des bestimmten Fensters im Fotolack. Nachfolgend wird die Lackschicht entwickelt, dann partiell geätzt oder bedampft und der Lack entfernt.The exposure of the defect is then made with UV light and allows an exact image of the specific window in the photoresist. Subsequently, the lacquer layer is developed, then partially etched or vaporized and removed the paint.

Durch den Einsatz der Eisenoxidschablone mit verschiedenen Fenstern als Blende und Justierung unter Gelblicht wird eine hohe Genauigkeit sowie produktive Beseitigung von Defekten auf Hartschichtschablonen mittels eines fotolithografischen Verfahrens erreicht.By using the iron oxide stencil with different windows as aperture and adjustment under yellow light, a high accuracy and productive elimination of defects on hard-layer stencils is achieved by means of a photolithographic process.

Ausführungsbeispieleembodiments

Die Erfindung soll nachfolgend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Das Ausführungsbeispiel hat die Beseitigung von Defekten auf Hartschichtschablonen mittels Auflichtmikroskop und eines fotolithografschen Verfahrens zum Inhalt. Verwendet wird ein Auflichtmikroskop mit einer Beleuchtungsquelle, deren Spektrum den nahen UV-Bereich mit * überstreicht (z. B. Xenon-Hochdrucklampe). Auf den Mikroskopkreuztisch wird die mit Positivlack beschichtete, defekte Schablone aufgelegt. In den Auflichtstrahlengang wird ein Gelbfilter eingeschwenkt. Anschließend wird das Auflicht eingeschaltet. Nach Auffinden des Defektes auf der Schablone wird die optimale Form und Größe des Belichtungsfensters gewählt und die entsprechende Eisenoxidschablone anstelle der Leuchtfeldblende in den Auflichtstrahlengang eingesetzt. DasThe invention will be explained in more detail below using an exemplary embodiment. The exemplary embodiment has the elimination of defects on hard layer stencils by means of incident light microscope and a photolithographic process to the content. A reflected-light microscope is used with an illumination source whose spectrum covers the near UV range with * (eg xenon high-pressure lamp). On the microscope cross table, the coated with positive varnish, defective template is placed. A yellow filter is swiveled into the reflected light beam path. Subsequently, the reflected light is turned on. After finding the defect on the stencil, the optimal shape and size of the exposure window is selected and the corresponding iron oxide stencil used instead of the field stop in the reflected light beam path. The

Belichtungsfenster wird durch Bewegen des Mikroskopkreuztisches zum Defekt justiert. Dann wird ein Blaufilter in den Auflichtstrahlengang eingeschwenkt und nach Herausnahme des Gelbfilters die Positivlackschicht der defekten Hartschichtschablone 5 s belichtet. Analog kann mit weiteren Defekten verfahren werden, wobei jedoch entweder alle belichteten Defektbereiche gedeckte oder alle belichteten η Defektbereiche transparente Defekte enthalten müssen. Danach wird die Lackschicht auf der Schablone ganzflächig entwickelt, so daß die Defektbereiche freigelegt sind. Bei gedeckten Defekten wird jetzt partiell geätzt, bei transparenten Defekten wird partiell mit einer Bedampfungsmaske, die nur die Defektgebiete frei läßt, bedampft. Durch diese partielle Bearbeitung schaltet man den Einfluß zufälliger Fehler in der Lackschicht weitestgehend aus und vermeidet so das Entstehen zusätzlicher Defekte auf der Hartschichtschablone. Eine abschließende Sauberkeitskontrolle beendet den Bearbeitungszyklus.Exposure window is adjusted by moving the microscope cross table to the defect. Then a blue filter is pivoted into the reflected light beam path and, after removing the yellow filter, exposes the positive lacquer layer of the defective hard layer stencil for 5 seconds. Analogously, it is possible to proceed with further defects, whereby, however, either all exposed defect areas must have covered defects or all exposed η defect areas must contain transparent defects. Thereafter, the paint layer on the template is developed over the entire surface, so that the defect areas are exposed. In the case of covered defects, partial etching is now carried out; in the case of transparent defects, partial vapor deposition takes place with a vapor deposition mask which leaves only the defect areas exposed. This partial processing largely eliminates the influence of random defects in the lacquer layer, thus avoiding the creation of additional defects on the hardcoat stencil. A final cleanliness check ends the processing cycle.

Claims (2)

1. Verfahren zur Beseitigung von gedeckten und transparenten Defekten auf Hartschichtschablonen mittels fotolithografischen Prozesses, dadurch gekennzeichnet, daß für die Belichtung des Fotolackes im Defektbereich bei UV-Licht eine Eisenoxidschablone mit verschiedenen Fensterstrukturen als Blende eingesetzt wird.1. A method for the removal of muted and transparent defects on hard film stencils by means of photolithographic process, characterized in that for the exposure of the photoresist in the defect region in UV light an iron oxide stencil with different window structures is used as a diaphragm. 2. Verfahren zur Beseitigung von gedeckten und transparenten Defekten auf Hartschichtschablonen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Eisenoxidschablone sowohl im Projektions- als auch im Proximity/Kontaktverfahren zum Belichten des Defektbereiches eingesetzt wird.2. A method for the removal of muted and transparent defects on hard film stencils according to claim 1, characterized in that the iron oxide stencil is used both in the projection and in the proximity / contact method for exposing the defect area.
DD31676288A 1988-06-15 1988-06-15 PROCESS FOR ELIMINATING COVERED AND TRANSPARENT DEFECTS ON HARDENING TABLES DD272532A1 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4018135A1 (en) * 1989-06-06 1990-12-13 Dainippon Printing Co Ltd Emulsion mask defect repair - by applying contoured UV beam of excimer laser

Cited By (2)

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DE4018135A1 (en) * 1989-06-06 1990-12-13 Dainippon Printing Co Ltd Emulsion mask defect repair - by applying contoured UV beam of excimer laser
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