DD268715A1

DD268715A1 - DEVICE FOR PRE-ORDERING SUBSTRATES

Info

Publication number: DD268715A1
Application number: DD31277088A
Authority: DD
Inventors: Gerhard Schubert; Friedhelm Feldhofer; Johann Kleineberg; Lutz Kuschel; Dietger Schulz
Original assignee: Robotron Elektronik
Priority date: 1988-02-09
Filing date: 1988-02-09
Publication date: 1989-06-07

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Vorbehandeln von Substraten durch Heizen und HF-Sputteraetzen mittels nur einer Station vor- bzw. waehrend der Vakuumbeschichtung. Eine Hohlkatode besitzt eine torusfoermige Erweiterung mit einer kegelfoermigen Einstuelpung in Richtung des Rohres. Die Innenflaechen der Hohlkatode sind poliert. Eine Heizung ist in der torusfoermigen Erweiterung isoliert in Durchfuehrungen angebracht. Die torusfoermige Erweiterung ist geteilt, gegeneinander abgedichtet und von aussen gekuehlt. Durch die speziell angeordneten Reflektorflaechen wird die Licht- und Waermestrahlung vollstaendig auf die Substratebene gelenkt. Der Flaechengewinn des Kegelmantels erhoeht die Aetzeffektivitaet. FigurThe invention relates to a device for pretreatment of substrates by heating and RF sputtering by means of only one station before or during the vacuum coating. A hollow cathode has a toroidal extension with a cone-shaped Einstuelpung in the direction of the tube. The inner surfaces of the hollow cathode are polished. A heater is mounted in the toroidal extension insulated in executions. The toroidal extension is divided, sealed against each other and cooled from the outside. Due to the specially arranged reflector surfaces, the light and heat radiation is completely directed to the substrate plane. The gain in area of the cone coat increases the etching effectiveness. figure

Description

Einrichtung zum Vorbehandeln von SubstratenDevice for pretreating substrates

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Vorbehandeln von Substraten duroh Heizen und HF-Sputterätzen vor bzw. während der Vakuumbeschichtung.The invention relates to a device for pretreating substrates duroh heating and RF sputter etching before or during the vacuum coating.

Charakteristik des bekannten Standes der Technik Eine Vorbehandlung von Substraten In der Vakuumkammer dient vorwiegend dem Zweck duroh Ausheizen von der metallischen bzw. isolierenden Substratoberfläche leiohtflUchtige adsorbierte Sohiohten (z. B. Wasser, Lösungsmittelreste, Reste aus den Fotolaokverarbeitungs- baw. Ätzprozessen) zu desorbieren sowie duroh Ionenbesohuß z. B. beim HF-Sputterätzen schwer flüohtige Fremdsohiohten (Oxidsoblohten, Kohlenwasserstoffe und andere Verunreinigungen) und einen geringen oberfläohennahen Bereich der eigentlichen zu besohiohtenden Oberfläche abzusputtern. Damit wird eine nahezu atomar saubere Oberfläche unmittelbar vor der Beschichtung erreioht.DESCRIPTION OF THE PRIOR ART A Pretreatment of Substrates In the vacuum chamber, primarily the purpose of desorbing from the metallic or insulating substrate surface is to adsorb volatile soiled substances (eg water, solvent residues, residues from the photolabelling process, etching processes) duroh Ionenbesohuß z. B. in HF sputter etching difficult to flush foreign substances (Oxidsoblohten, hydrocarbons and other impurities) and a small near-surface area of the actual surface to be achouched abzusputten. This achieves an almost atomically clean surface immediately before coating.

Dabei erweist es sioh für die Stabilität der HF-Entladung beim Sputterätzen als zweckmäßig, dem HF-Sputterätzen vor allem dann einen Heizprozeß voranzustellen, wenn eine stärkere Beladung der Substrate mit leichtflüchtigen Ada«t>aten (z. B. Ltisungsmittelresta aus der Dampfzonenwäsohe oder Wasserbelegung aus der !fernsehen Reinigung) vorliegt und duroh den Xonenbesohuß eine lokale Freisetzung und damit eine Entstehung von Druokstößen begünstigt wird, die sioh auf die Plasmastabilität und damit dem stabilen Ablauf des Sputterätzens negativ auswirkt. Aus diesem Grunde ist es von Vorteil, wenn man diese Bestandteile vor dem Sputterätzen abheizt.It proves to be advantageous for the stability of the RF discharge during sputter etching to precede the RF sputter etching, above all, with a heating process if a stronger loading of the substrates with readily volatile additives (eg solvent residue from the vapor zone wash or Water occupation from the television cleaning) is present and by the Xonenbesohuß a local release and thus the emergence of Druokstößen is favored, which has a negative impact on the plasma stability and thus the stable course of Sputterätzens. For this reason, it is advantageous to heat these components before sputter etching.

Auoh ist es für die Erzielung bestimmter phydikalisoher Eigenschaften notwendig, das Substrat auf eine definierte Temperatur zu bringen und diese Temperatur auoh während des Besohiohtungeprozesses zu halten.In addition, for the achievement of certain phydical properties, it is necessary to bring the substrate to a defined temperature and maintain that temperature during the observation process.

Dazu werden Vorrichtungen benutzt, die eine separate Durchführung des Prozesses Heizen ermöglichen und die in einer Besohiohtungsanlage jeweils eine Station erfordern. Vorderseitenheizungen bestrahlen dabei die Probe von vorn, wobei eine Verunreinigung der Substratoberfläohe durch emittierende Heizer« bestandteile bzw. eine Heizerbelegung erfolgen kann.These devices are used, which allow a separate implementation of the process heating and require in a Besohiohtungsanlage each one station. Front heaters irradiate the sample from the front, wherein contamination of the Substratoberfläohe can be done by emitting Heizer «components or a Heizerbelegung.

Rückseitenheizungen erwärmen das Substrat von der Rückseite und damit über die Halterung. Sie sind im allgemeinen träger, vermeiden jedoch oben genannte Verunreinigungen und sind bei Prozessen mit höohsten Reinheitsforderungen unerläßlich.Rear heaters heat the substrate from the back and thus over the bracket. They are generally more inert, but avoid the above impurities and are indispensable in processes with the highest purity requirements.

Für viele Anwehdungszwecke, vor allem auf dem Sektor der Hybrid- und Sensortechr.ologie, reiohen jedooh Vorderseitenheizungen aus. Das Sputterätzen erfolgt ebenfalls in separaten Stationen entweder mit geerdetem Ätzauffänger und auf HP-Potential liegendem Substrattisoh oder nach PS-DE 22^1 229 bzw. PS-DE 3116 732 bei geerdetem Substrat und auf HP-Potential liegender Hohlkatode.For many applications, especially in the field of hybrid and sensor technology, however, front heaters suffice. The sputter etching is also carried out in separate stations either with grounded Ätzauffänger and lying on HP potential substratisoh or PS-DE 22 ^ 1 229 or PS-DE 3116 732 with grounded substrate and lying on HP potential hollow cathode.

Goal of the invention

Ziel der Erfindung ist es. duroh das Vorbehandeln von Substraten für die Gesamtprozeßführung, eine Station für einen zusätzlichen Prozeß zu gewinnen bzw. mit einfacheren BeSchichtungsanlagen komplexere Gesamtprozesse zu ermöglichen. Gleichzeitig soll durch eine dadurch möglich gewordene ineinandergreifende Prozeßführung die Qualität und Effektivität der Schiohthersteilung verbessert werden.The aim of the invention is. by pretreatment of substrates for the overall process management, to obtain a station for an additional process or to enable more complex overall processes with simpler coating systems. At the same time, the quality and effectiveness of the Schiohthersteilung to be improved by an interlocking process that has become possible.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Einrichtung zu schaffen, mit der die Prozesse Heizen und Sputterätzen mittels nur einer Station in der Beschiohtungsanlage gleichzeitig bzw. zeitlich versetzt möglich sind.The object of the invention is to provide a device with which the processes heating and Sputterätzen by means of only one station in the Beschihtungsanlage are simultaneously or temporally offset possible.

Die Einrichtung besteht aus einem Rezipienten, einer geerdeten Substrataufnahme und einer gegenüber angeordneten auf HP-Potential liegenden Hohlkatode, die aus einem Rohr mit einer Erwei-The device consists of a recipient, a grounded substrate receptacle and an oppositely arranged HP potential lying hollow cathode consisting of a tube with an extension

terung besteht. Erf indungs gemäß iat die Erweiterung torusfOrmig ausgebildet und besitzt eine kegelförmige Einstülpung in Riohtung des Rohres. Am äußeren Umfang der torusförmigen Erweiterung ist eine Kühlanordnung befestigt. Die Innenflächen der Hohlkatode sind poliert. Eine Heizung ist von den Substraten aus gesehen verdeckt in der torusförmigen Erweiterung angeordnet und über Durchführungen elektrisch angeschlossen.exists. According to iat, the enlargement is toroidally shaped and has a conical indentation in the direction of the tube. At the outer periphery of the toroidal extension, a cooling arrangement is attached. The inner surfaces of the hollow cathode are polished. A heater is seen hidden from the substrates arranged in the toroidal extension and electrically connected via feedthroughs.

Eine weitere Ausgestaltung besteht darin, daß die Innenreflektorflachen der torusförmigen Erweiterung ein parabolisches Profil besitzen und der Abstand der Parabeln 2 R beträgt.A further embodiment is that the inner reflector surfaces of the toroidal extension have a parabolic profile and the distance of the parabolas 2 R is.

Eine Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß die torusförmige Erweiterung seitlich geteilt, gegeneinander abgediohtet und kontaktiert ist.An embodiment of the invention is that the toroidal extension is laterally divided, against each other abgediohtet and contacted.

Eine Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß die Heizung als Wende !zylinder ausgebildet ist, der ixi axialer Riohtung verschiebbar ist.An embodiment of the invention is that the heating is designed as a turning! Cylinder , which is ixi axial Riohtung displaced.

Eine weitere Ausgestaltung besteht darin, daß die Heizung als induktives Heizband ausgebildet ist.A further embodiment is that the heater is designed as an inductive heating tape.

Das Heizen der ruhenden bzw. bewegten Substrate erfolgt erfindungsgemäß so, daß durch einen entsprechenden Heizstrom die Heizung auf Temperaturen T J^ 870 K gebraoht wird und die so erzeugte Licht- und Wärmestrahlung du.'oh die speziell angeordneten Reflektorflächen infolge einer endlichen Zahl von Reflexionen fast vollständig auf die Substratebene gelenkt wird. Durch die weit zurückgesetzte Heizung ist keine direkte optische Verbindung zwisohen Heizung und Substrattelleraussohnitt möglich. Es wird erreicht, daß Substanzen, die von der Heizung abdampfen, nv.c schwer das Substrat erreichen und umgekehrt beim Sputterätzen in die Hohlkatode gelangende abgesplitterte Substanzen die Heizung nicht erreichen und verunreinigen können«The heating of the stationary or moving substrates is carried out according to the invention so that the heater is gebraoht to temperatures TJ ^ 870 K by a corresponding heating current and the light and heat radiation du.'oh the specially arranged reflector surfaces due to a finite number of reflections almost is completely directed to the substrate level. The far back heating means that there is no direct optical connection between the heater and the substrate plate outlet. It is achieved that substances which evaporate from the heater, nv.c hard reach the substrate and vice versa when sputter etching in the hollow cathode reaching chipped substances can not reach the heater and contaminate «

UMS hUMS h

Während des Sputterätzens wird in der Hohlkatode über den Gewindebolzen eine HP-Spannung angelegt. Die Zündung des Plasmas erfolgt bei laufender Heizung und einem Edelgasdruck von p ^ 2 . 10 mbar durch Anlegen eines Zusatzpotentials an die Heizung von ca. 80...150 V. Nach erfolgter Zündung kann dieses Potential wieder abgeschaltet werden.During sputter etching, an HP voltage is applied across the stud in the hollow cathode. The ignition of the plasma takes place during heating and a noble gas pressure of p ^ 2. 10 mbar by applying an additional potential to the heater of approx. 80 ... 150 V. After ignition has been completed, this potential can be switched off again.

Ein besonderer Effekt wird durch die kegelförmige Einstülpung erreicht. Da die Größe des Plasmapotentials in erster Linie vom Flächenverhältnis der beiden Elektrodenflächen, Fläche der Hohlkatode zu der der Substratkreisflache des Durohmessers d, die dem Ätzer gegenübersteht, abhängt, wird duroh den Fläohengewinn des Kegelmantels ein höheres Plasmapotential erzielt und damit die Ätzeffektivität verbessert. Das ^MKaltzünden^H des Plasmas kann mit Hilfe einer Nebeneinriohtung, bei der nur ein kleiner Teil der Heizung mit einem Heizstrom beauflagt wird, erfolgen.A special effect is achieved by the conical indentation. Since the size of the plasma potential depends primarily on the area ratio of the two electrode surfaces, area of the hollow cathode to the substrate circular area of the Durohmessers d, which faces the etcher, a higher plasma potential is achieved by the increase in area of the conical shell, thus improving the etching efficiency. The ^M Kaltzünden ^{H of} the plasma can be done with the help of a Nebeneinriohtung, in which only a small part of the heater is subjected to a heating current occur.

Beim Übergang vom Heizen zum Sputterätzen bzw. Heizen und Sputterätzen ist der Edelgasdruok einzustellen und duroh Anlegen des Zusatzgleichpo-entials die Emission von Elektronen bei angelegtem HF-Potential in Gang zu setzen. Nach erfolgter Zündung muß das Zusatzgleichpotential abgeschaltet und je nach Erfodernis die Heizung abgeschaltet oder belassen werden.In the transition from heating to sputter etching or heating and Sputterätzen the Edelgasdruok is set and by applying the Zusatzgleichpo-entials the emission of electrons with an applied RF potential in motion. After ignition, the additional DC potential must be switched off and switched off or left depending on Erfodernis the heater.

Der Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die Prozesse Heizen und Sputterätzen mit einer Einrichtung vor bzw. während der Beschichtung durchgeführt werden können. Auf diese Weise wird für die Gesamtprozeßführung eine Station für einen zusätzliohen Prozeß gewonnen, so dafl neue Mater*a.\.varianten möglich sind. Mit einfacheren Beachichtungsanlagen werden komplexere Gesamtprozesse ermöglicht. Es kommt zur Erhöhung der Variabilität und damit Qualität ohne wesentliche zusätzliche Kosten, gleichzeitig wird duroh eine dadurch möglich gewordene ineinandergreifende Prozeßführung die Qualität und Effektivität der Schienthersteilung verbessert.The advantage of the invention is that the heating and sputter etching processes can be carried out with a device before or during coating. In this way, a station for an additional process is obtained for the overall process, so that new material variants are possible. Easier viewing systems allow for more complex overall processes. It comes to increasing the variability and thus quality without significant additional costs, at the same time a interlocking process control made possible by the quality and effectiveness of Schienthersteilung is improved.

Av.sführungsbeisplelAv.sführungsbeisplel

Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausfüuxungsbeispiel näher erläutert werden. Die Zeichnung zeigt die Einrichtung im Schnitt. Die Einrichtung besteht aus einem Rezipienten 8, einer geerdeten Substrataufnähme 10 und einer gegenüber auf HF-Potential liegenden Hohlkatode. Die Hohlkatode ruht auf einem massiven Isolator 7 und ist vakuummäßig beidseitig durch Rundringe 12 abgedichtet. Im Rezipienten 8 ist die Abschirmung 9 ersiohtlioh. Zwisohen der Hohlkatode und der Substratebene wird der Entladungsspalt S gebildet. Die Hohlkatode besteht aus einem Rohr 1 und einer torusförmigen Erweiterung 2 mit einer kegelförmigen Einstülpung k in Richtung des Rohres 1, wobei die Innenflächen der Hohlkatode poliert sind. In der torusförmigen Erweiterung 2 ist am Umfang eine Heizung 3> vom Substrat aus verdeckt, angebracht. Die Reflektorfläohen der Heizung J sind die polierten Innenflächen der torusförmigen Erweiterung des Durchmessers U -rad des Radius R mit der kegelförmigen Einstülpung k der Höhe h und des Kegelwinkels cC » 45° in Richtung des Rohres 1. Die torusförmige Erweiterung 2 besteht aus zwei Teilen, die gegeneinander gediohtet und kontaktiert sind. Die Heizung 3 ist im Ausführungsbeispiel zweokmäßigerweise als Heiawendel mit einer zylindrischen Wicklung aus Mo- bzw. W-Draht mit dem Durohmesser D„ und der Wiokelhöhe H ausgelegt. Mit d wird der Durchmesser der Substratkreisfläohe bezeichnet, die der Hohlkatode gegenübersteht«, Mit S wird der Entladungsspalt angegeben. Dabei gelten folgende geometri«ohe Beziehungen:The invention will be explained in more detail below with reference to an exemplary embodiment. The drawing shows the device in section. The device consists of a recipient 8, a grounded Substrataufnähme 10 and a lying opposite to RF potential Hohlkatode. The hollow cathode rests on a solid insulator 7 and is vacuum-sealed on both sides by round rings 12. In the recipient 8, the shield 9 ersiohtlioh. Zwisohen the hollow cathode and the substrate plane of the discharge gap S is formed. The hollow cathode consists of a tube 1 and a toroidal extension 2 with a conical indentation k in the direction of the tube 1, wherein the inner surfaces of the hollow cathode are polished. In the toroidal extension 2 is on the periphery of a heater 3> covered by the substrate attached. The reflector surfaces of the heater J are the polished inner surfaces of the toroidal extension of the diameter U -rad of radius R with the conical indentation k of height h and the cone angle cC »45 ° in the direction of the tube 1. The toroidal extension 2 consists of two parts, who are doped against each other and contacted. The heater 3 is in the embodiment zweokmäßigerweise designed as a helical coil with a cylindrical winding of Mo or W wire with the Durohmesser D "and the Wiokelhöhe H. D denotes the diameter of the substrate circle surface which faces the hollow cathode. S denotes the discharge gap. The following geometric relations apply:

bzw.or.

D > 5D> 5 RR h >h> R; o£R; o £ d >d> D-URMAJOR D_H «D _H « D-RD-R 2 R >2 R> H >H>

Die Heizung 3 ist beidseitig isoliert in der torusförmigen Erweiterung 2 gehaltert und ist in axialer Richtung verschiebbar.The heater 3 is mounted on both sides isolated in the toroidal extension 2 and is displaceable in the axial direction.

An der torusförmigen Erweiterung 2 sind außen eine Kühlung 5» ein massiver Gewindebolzen 5 für den HF-Anschluß sowie '.te Durchführungen 11 für die Heizung 3 angebracht. Als Heizung können auch Ha'.ogenlampen verwendet werden, die über den Umfang der torusförmigen Erweiterung 2 so verteilt sind, daß bei bewegten bzw, rotierenden Substrat eine gleichmäßige Radialvertoilung der Temperatur zustande kommt. Es kann aber auoh ein induktives Heizband eingesetzt werden. Die Innenreflektorflachen der torusförmigen Erweiterung 2 besitzen beispielsweise ein parabolisches Profil, wobei der größte Abstand der Parabel 2 R beträgt.On the toroidal extension 2, a cooling 5 "a solid threaded bolt 5 for the RF connection and '.te bushings 11 for the heater 3 are outside. As heating Ha'.ogenlampen can be used, which are distributed over the circumference of the toroidal extension 2 so that when moving or rotating substrate, a uniform Radialvertoilung the temperature comes about. But it can be used auoh an inductive heating tape. The inner reflector surfaces of the toroidal extension 2, for example, have a parabolic profile, wherein the largest distance of the parabola is 2 R.

Nachfolgend soll die Funktion der Einrichtung beschrieben werden. Das Heizen der ruhenden bzw. bewegten Substrate erfolgt erfindungsgomäß so, daß durch einen entsprechenden Heizstrom die Heizwendel auf TemperatürenT £ 8?0 K gebracht wird und die so erzeugte Licht- und Wärmestrahlung durch die speziell angeordneten Reflektorflächen infolge einer endlionon Zahl an Reflexion nen fast vollständig auf die Substratebene gelenkt wird. Das wird durch die besondere Gestaltung der Reflektorfläohen und die Einhaltung der angegebenen Konstruktionsbedingungen erreicht. Da die oberen Wicklungen vor allem die achsennahen und die unteren rohrseitigen Wicklungen die aohsenfernen Strahluugsanteile liefern, kann durch Verschiebung des gesamten Wendelzylinders in axialer Richtung die Radialverteilung dor Strahlungsdichte im Substratbereich eingestellt werden und somit die Heizung besser den gewünsohten Arbeitsbedingungen angepaßt werden (ruhendes Substrat - bewegtes Substrat).The function of the device will be described below. According to the invention, the heating of the stationary or moved substrates takes place in such a way that the heating coil is brought to a temperature of 8 ° K by a corresponding heating current and the light and heat radiation thus generated by the specially arranged reflector surfaces almost completely due to a finite number of reflections is directed to the substrate level. This is achieved by the special design of the Reflektorfläohen and compliance with the specified design conditions. Since the upper windings provide the off-axis Strahluugsanteile especially the near-axis and the lower tube-side windings, the radial distribution dor radiation density can be adjusted in the substrate area and thus the heater better adapted to the gewünsohten working conditions by moving the entire spiral cylinder in the axial direction (stationary substrate - moving substrate).

Durch die weit zurückgesetzte Heizwendel ist keine direkte optische Verbindung zwischen Heizwendel und Subatiattellerauseohnitt möglich. Es wird erreicht, daß Substanzen, die von den Heizwendeln abdampfen nur sohwer das Substrat erreiohen und umgekehrt beim Sputtorätzen in die Hohlkatode gelangende abgesputterte Substanzen die Heizwendel kaum erreiohen und verunreinigen können.Due to the far backward heating coil, no direct optical connection between the heating coil and Subatiattellerauseohnitt is possible. It is achieved that substances that evaporate from the heating coils only sohwer reach the substrate and vice versa sputtering in the hollow cathode reaching sputtered substances hardly reach the heating coil and can contaminate.

zaus Zaus ₇₇

Wiihrend dos Sputterätzens wird In die Hohlkatode über den HF-Gewindebolzen 6 eine HF-Spannung angelegt. Die Zündung des Plasmas erfolgt bei laufender Heizung und einem Edelgasdruck von ρ ^y 2 . 10 mbar durch Anlegen eines Zusatzgleiohpotentials an die Heizwendel von oa. 80...150 V. Nach erfolgter Zündung kann dieses Potential wieder abgeschaltet werden.During the sputter etching, an HF voltage is applied to the hollow cathode via the HF threaded bolt 6. The ignition of the plasma takes place during heating and a noble gas pressure of ρ ^ y 2. 10 mbar by applying a Zusatzgleiohpotentials to the heating coil of above. 80 ... 150 V. Once ignition has been completed, this potential can be switched off again.

Ein besonderer Effekt wird bei dieser Einrichtung durch die Hegelfönnige Einstülpung k erreioht. Da die Größe des Plasmapotentials in erster Linie vom Fläohenvorhältnis der beiden Elektrodenflächen, Fläche der Hohlkatode zu der der Substratkreisfläclie des Durohmessers d, die dem Ätzer gegenübersteht, abhängt, wird durch den Fläohengewinn des Kegelmantels ein höheres Plasmapotential erzielt und damit die Ätzeffektivität verbessert.A special effect is achieved in this device by the Hüllelfnnige invagination k . Since the size of the plasma potential depends primarily on the surface area ratio of the two electrode surfaces, area of the hollow cathode to that of the substrate circle of the durometer d facing the etcher, a higher plasma potential is achieved by the crevice gain of the cone sheath, thus improving the etching efficiency.

Ein ^HKaltzünden" des Plasma/3 kann: mit Hilfe einer nioht dargestellten Nebeneinrichtung, bei der nur ein kleiner Teil der Heizwandel mit einem Heizstrom beauflagt wird, erfolgen. ^H A cold-igniting "the plasma / 3 can: by means of a slave device shown nioht in which only a small part of the Heizwandel is beauflagt with a heating current, take place.

Vorteil dieser Einrichtung ist, daß die Prozesse Heizen und Ätzen mit ein ur.id derselben Einrichtung parallel erfolgen können und damit ein schnellerer Durchlauf erfolgt. Beim Übergang vom Heizen zuni Sputterätzen bzw. Hei en und Sputterätzen ist der Edelgaadruok einzustellen und durch Anlegen des Zusatzgleiohpotentials die Emission von Elektronen bei angelegtem HF-Potential in Gang zu setzen. Naoh erfolgter Zündung muß das Zusatzgleichpotential abgeschaltet und je naoh Erfordernis die Heizung abgeschaltet oder belassen werden.The advantage of this device is that the heating and etching processes can be carried out in parallel with a ur.id of the same device, thus resulting in a faster passage. When switching from heating to sputter etching or heating and sputter etching, the Edelgaadruok should be adjusted and the emission of electrons should be initiated by applying the additional gliding potential when the RF potential is applied. Naoh successful ignition, the additional equipotential must be turned off and depending naoh requirement the heater off or left.

Claims

claim

1. A device for pretreatment of substrates, consisting of a recipient, a grounded substrate receptacle and an oppositely disposed at HF potential Hohlkatode consisting of a tube with an extension, characterized in that the extension (2) is toroidal and a cone-shaped invagination (k)

in the tube (i), that a cooling arrangement (5) is fixed to the outer circumference of the torus-shaped extension (2), that the inner surfaces of the hollow cathode are polished, and that a heater (3) is concealed in the substrate Torusf örmiijan extension (2) is arranged and which is electrically connected via feedthroughs (11).

2. Device according to claim 1, characterized in that the Innenroflektorflochen the toroidal extension (2) have a parabolic profile and the distance of the parabolas 2 R is.

3. Device naoh Anspruoh loder 2, characterized in that the toroidal extension (2) laterally divided and against each other and abgediohtet contacted.

k. Device according to claim 1, characterized daduroh that the heater (3) is designed as a helical cylinder, which is displaceable in axial Riohtung.

5. Device according to Anspruoh 1, daduroh in that the heating ung (3) is designed as an inductive heating tape.

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