DD259966A3 - Ceramic dielectrics - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft keramische Dielektrika fuer Kondensatoren, vorzugsweise fuer Vielschichtkondensatoren mit annaehernd linearen Temperaturkoeffizienten der Kapazitaet im Bereich von 40010 6/K bis 2 50010 6/K. Diese Werkstoffe sollen bei relativ billigen eingesetzten Rohstoffen und bei ueblichen keramischen Aufbereitungstechnologien und Sintertemperaturen von hoechstens 1 410 K die allgemein bekannten technischen Forderungen an keramische Vielschichtkondensatoren erfuellen lassen. Erfindungsgemaess wird diese Aufgabe durch Zusammensetzungen der Dielektrika eines Werkstoffsystems aus einer Komponente H, bestehend ausa Sr1-x-yBaxMgyTi1-m-zZrmSnzO3b Di2Ti2-o-uZroSnmO7c Ca1-q-rBaqMgrTi1-s-tZrsSntO3,einer Komponente G, bestehend aus Pb3O4, ZnO und SiO2, und einer Komponente J weiterer Zuschlaege vonSnO2, Bi2O3, Bi4Ti3O12n (MeIITiO3) und TiO2geloest. Durch a, b und c werden die Gewichtsanteile der Teilkomponenten H angegebenen, die innerhalb des in Abb. 1 dargestellten Polygons A-B-C-D-E-F-A liegen muessen. Die in den Teilkomponenten moeglichen Substitutionen werden angegeben. Abb. 1The invention relates to ceramic dielectrics for capacitors, preferably for multilayer capacitors with approximately linear temperature coefficients of the capacitance in the range from 40010 6 / K to 2 50010 6 / K. These materials should meet the generally known technical requirements for ceramic multilayer capacitors in relatively cheap used raw materials and in conventional ceramic processing technologies and sintering temperatures of at most 1 410 K. According to the invention, this object is achieved by compositions of the dielectrics of a material system comprising a component H, consisting of Sr1-x-yBaxMgyTi1-m-zZrmSnzO3b Di2Ti2-o-uZroSnmO7c Ca1-q-rBaqMgrTi1-s-tZrsSntO3, a component G consisting of Pb3O4, ZnO and SiO2, and a component J of further additions of SnO2, Bi2O3, Bi4Ti3O12n (MeIITiO3) and TiO2. By a, b and c, the weight fractions of the sub-components H are given, which must lie within the polygon A-B-C-D-E-F-A shown in Fig. 1. The possible substitutions in the subcomponents are given. Fig. 1
Description
mit den entsprechenden Gewichtsanteilen a, b und c eines Bereiches bestehen, der im Dreiecksdiagramm (Abb. 1) mit den Eckpunkten P(ap, bp, cp) durch das von der Linie A-B-C-D-E-F-A umschlossene und es begrenzende Polygon mitwith the corresponding proportions by weight a, b and c of a region in the triangular diagram (Fig. 1) with the vertices P (a p , b p , c p ) by the enclosed by the line ABCDEFA and limiting polygon with
A(85,5,10) B(35,5,60) C(35,25,40) D(10,25,65) E(15,55,30) F(35,55,10)A (85,5,10) B (35,5,60) C (35,25,40) D (10,25,65) E (15,55,30) F (35,55,10)
dargestellt wird und worinis shown and in which
x,y,q, r = O...0,20; m,o, s = 0...0,30 und z, M = O...0,25 sind,x, y, q, r = O ... 0.20; m, o, s = 0 ... 0.30 and z, M = O ... 0.25,
• daß sie zu 15 bis 5Gew.-% aus einer Komponente G bestehen, die• that they consist of 15 to 5% by weight of a component G, the
20 bis 90 Gew.-% Pb3O4, 3 bis 45 Gew.-% ZnO und 1 bis 10 Gew.-% SiO2 enthält, und20 to 90 wt .-% Pb 3 O 4 , 3 to 45 wt .-% ZnO and 1 to 10 wt .-% SiO 2 , and
• daß sie in einer weiteren Komponente J mindestens einen weiteren auf die Gesamtmenge der Komponenten H + G bezogenen Zuschlag in Höhe von• that in a further component J it contains at least one further addition to the total quantity of components H + G in the amount of
bis zu 5,25 Gew.-% SnO2 oder bis zu 9 Gew.-% Bi2O3 oder bis zu 10 Gew.-% Bi4Ti3O12 · n(Me" · TiO3) mit η = 0,1,2 und Me" = Sr, Ca, Ba, Mg oder Pbup to 5.25% by weight SnO 2 or up to 9% by weight Bi 2 O 3 or up to 10% by weight Bi 4 Ti 3 O 12 · n (Me ". TiO 3 ) with η = 0 , 1,2 and Me "= Sr, Ca, Ba, Mg or Pb
oder bis zu 20 Gew.-% TiO2 or up to 20% by weight of TiO 2
oder mehrere dieser Zuschläge gleichzeitig enthält, wobei jedoch die Summe aus Bi2O3 und Bi4Ti3O12 · n(Me" · TiO3) 13Gew.-% nicht übersteigt.or more of these additives simultaneously, but the sum of Bi 2 O 3 and Bi 4 Ti 3 O 12 · n (Me "TiO 3 ) does not exceed 13% by weight.
2. Keramische Dielektrika nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das verwendete Didymoxid zu mindestens 97 Gew.-% aus einem Oxid oder einem Gemisch der Oxide der Seltenerden Nd, Pr, Sm oder La besteht.2. Ceramic dielectrics according to claim 1, characterized in that the didymium oxide used consists of at least 97 wt .-% of an oxide or a mixture of oxides of rare earths Nd, Pr, Sm or La.
Hierzu 1 Seite ZeichnungFor this 1 page drawing
Die Erfindung betrifft Dielektrika zur Herstellung keramischer Kondensatoren, vorzugsweise keramischer Vielschichtkondensatoren, mit annähernd linearen, im Bereich von —400 10~6/K bis -2500 10~6/K einstellbaren Temperaturkoeffizienten der Kapazität, die relativ niedrige Sintertemperaturen (unter 1410K) erfordern.The invention relates to dielectrics for producing ceramic capacitors, preferably of ceramic multilayer capacitors, with approximately linear in the range of -400 10 -6 / K to -2500 10 -6 / K adjustable temperature coefficient of capacitance, requiring relatively low sintering temperatures (below 1410K).
Neben solchen technischen Anforderungen an die Dielektrika zur Herstellung aller miniaturisierten keramischen Kondensatoren der Klasse 1 nach IEC, wie hohe Dielektrizitätskonstante, niedrige dielektrische Verluste, hoher Isolationswiderstand, hohe Durchschlagsfestigkeit, annähernd linearer Temperaturverlauf der Kapazität, technologische Beherrschbarkeitund Reproduzierbarkeit ist bei Vielschichtkondensatoren die erforderliche Sintertemperatur wegen dem ihr entsprechenden Gehalt an hochschmelzenden Edelmetallen wie Pd, Pt und AU in den Elektroden in hohem Maße für eine kostengünstige Fertigung entscheidendBesides such technical requirements for the dielectrics for the production of all miniature ceramic capacitors class 1 according to IEC, such as high dielectric constant, low dielectric loss, high insulation resistance, high dielectric strength, almost linear temperature profile of capacity, technological controllability and reproducibility is the required sintering temperature for multilayer capacitors because of Their corresponding content of refractory precious metals such as Pd, Pt and AU in the electrodes is highly critical for cost-effective production
Es sind bekannt:It is known:
— Dielektrika aus dem System SrTiO3-CaTiO3-Bi2Q3 · nTiO2 mit η = 3...9 (DE-OS 1918021) erfordern Sintertemperaturen- Dielectrics from the system SrTiO 3 -CaTiO 3 -Bi 2 Q 3 · nTiO 2 with η = 3 ... 9 (DE-OS 1918021) require sintering temperatures
T5 s 1570 K und gestatten die Einstellung des Temperaturkoeffizienten TKC nur im Bereich zwischen -1000...—2000 10~6/ K, wobei diese nicht ausreichend linear sind (vgl. DE-OS 3146102)T 5 s 1570 K and allow the setting of the temperature coefficient TK C only in the range between -1000 ...- 2000 10 ~ 6 / K, which are not sufficiently linear (see DE-OS 3146102)
— Mit veränderten mengenmäßigen Zusammensetzungen im o.g. System unter Zugabe von MgTiO3 (US-PS 4482934) gelingt zwar eine Erweiterung des einstellbaren TKc-Bereiches auf -580... -1 640 · 10~6/K, es sind jedoch Sintertemperaturen T3 > 1523 K erforderlich.- With modified quantitative compositions in the above system with the addition of MgTiO 3 (US-PS 4482934) succeeds although an extension of the adjustable TKc range to -580 ... -1 640 · 10 ~ 6 / K, but there are sintering temperatures T 3 > 1523 K required.
— Die in der SU-PS 445932 angegebene Lösung für einen engen TKc-Bereich von etwa -1 500...-1800 · 10"6/Kauf der Basis des Systems Strontiumtitanat-Kalziumtitanat-Wisrnuttitanat erfordert sogar Sintertemperaturen von mindestens 1 533 K.- The in SU-PS 445 932 mentioned solution for a narrow TKc range of about -1500 ...- 1800 x 10 "6 / purchase of the base of the system strontium-calcium titanate-Wisrnuttitanat even requires sintering temperatures of at least 1 533 K.
— Günstiger hinsichtlich des einstellbaren TKc-Bereiches von etwa -700...—2200 · 10~6/K bei ausreichenden Dielektrizitätskonstanten erscheinen die Zusammensetzungen im System CaTiO3-La2O3 · 2TiO2-PbO · xTiO2mitx = 0,5...10 nach DE-OS 2003596. Jedoch selbst bei der von den Erfindern dargelegten Lösung mit χ = 2 ist ζ. Β. zur Herstellung eines Werkstoffes mit einem TKc von -770 · 10~e/K eine Sintertemperatur von 1 570 K erforderlich.- Favorable with respect to the adjustable TKc range of about -700 ...- 2200 · 10 ~ 6 / K with sufficient dielectric constant, the compositions appear in the system CaTiO 3 -La 2 O 3 · 2TiO 2 -PbO · xTiO 2 wherex = 0, 5 to 10 according to DE-OS 2003596. However, even with the solution set forth by the inventors with χ = 2, ζ. Β. to produce a material with a TKc of -770 · 10- e / K a sintering temperature of 1 570 K is required.
— Im Vergleich mit den o.g. bekannten Lösungen ist der Vorschlag gemäß DE-OS 3146102, derauf Zusammensetzungen im System SrO-CaO-TiO2-B2O3-Pb3O4-MgO basiert, hinsichtlich der erforderlichen Sintertemperaturen von 1423 K bis 1523 K günstiger, aber noch unzureichend. Das System ist auch nicht geeignet, einen genügend breiten Bereich.der Temperaturbeiwerte zu realisieren.In comparison with the above known solutions, the proposal according to DE-OS 3,146,102, which is based on compositions in the system SrO-CaO-TiO 2 -B 2 O 3 -Pb 3 O 4 -MgO, with respect to the required sintering temperatures of 1423 K to 1523 K cheaper, but still insufficient. The system is also not suitable to realize a sufficiently wide range of temperature coefficients.
— Zusammensetzungen der Dielektrika auf der Basis von MgTiO3- bzw. Mg2Ti04-reichen Keramiken mit nichtreduzierenden Gläsern, wie z. B. aus dem System 4BaO AI2O3 · 2 B2O3 nach US-PS 4308570 sind vor allem wegen ihrer niedrigen Dielektrizitätskonstanten von ca. 10 keine brauchbare kostengünstige Lösung, obwohl sie Sintertemperaturen um 1300K gestatten.Compositions of the dielectrics based on MgTiO 3 or Mg 2 TiO 4 -rich ceramics with non-reducing glasses, such as, for example, Example, from the system 4BaO Al 2 O 3 · 2 B 2 O 3 according to US-PS 4308570 are mainly because of their low dielectric constant of about 10 is not a viable cost-effective solution, although they allow sintering temperatures around 1300K.
Das Ziel der Erfindung besteht darin, keramische Dielektrika für Vielschichtkondensatoren der Klasse 1 nach IEC mit Temperaturkoeffizienten der Kapazität im Bereich von -400 · 10~6/K bis —2500 10~6/ zu erhalten, die eine kostengünstige, ausschußarme Fertigung ermöglichen.The object of the invention is to obtain ceramic dielectrics for multi-layer capacitors of the class 1 according to IEC with temperature coefficient of capacitance in the range of -400 × 10 -6 / K to -2500 10 ~ 6 /, which allow cost, Committee poor manufacturing.
Es sind Zusammensetzungen keramischer Dielektrika für Vielschichtkondensatoren der Klasse 1 nach IEC zu finden, die außer solchen technischen Forderungen wie niedrige dielektrische Verluste tan δ, hohe Isolationswiderstände Ris, annähernd linearen Temperatürverlauf der Kapazität und Reproduzierbarkeit vor allem Sintertemperaturen T5 unter 141 OK gestatten, durch gezielte Veränderung der Zusammensetzung innerhalb des gefundenen Systems die Einstellung aller Temperaturkoeffizienten TKC im Bereich von -400 · 10~6/K bis -2500 · 10~6/K ermöglichen und dabei Dielektrizitätskonstanten εΓ von mindestens 80 aufweisen.Compositions of ceramic dielectrics for class 1 multilayer capacitors according to IEC are to be found which, apart from such technical requirements as low dielectric losses tan δ, high insulation resistances R is , allow almost linear tempering of the capacitance and reproducibility above all sintering temperatures T 5 below 141 OK allow the adjustment of all temperature coefficient TK C in the range of -400 × 10 -6 / K to -2500 x 10 -6 / K, while the dielectric constant ε Γ of at least 80 have selective modification of the composition within the found system.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das komplexe Werkstoff sy stern gelöst, das ausAccording to the invention this object is achieved by the complex material sy star, the
85-95Gew.-% einer Komponente H, 15-5Gew.-% einer Komponente G85-95% by weight of a component H, 15-5% by weight of a component G
und einer Komponente J aus mindestens einem weiteren, mengenmäßig auf H + G bezogenen Zuschlag von bis zu 5,25 Gew.-% SnO2 oder bis zu 9Gew.-% Bi2O3 oder bis zu 10Gew.-% eines Wismutschichttitanates Bi4Ti3Oi2 · n(Me" -TiO3) mit η = 0,1,2 und Me" = Sr, Ca, Ba, Mg oder Pb oder bis zu 20Gew.-%TiO2 oder aus mehreren dieserZuschläge besteht, wobei jedoch die Summe aus Bi2O3 und Bi4Ti3O12 · n(Me" · TiO3) 13Gew.-% nicht übersteigtand a component J from at least one additional quantity of H + G based on quantity of up to 5.25% by weight SnO 2 or up to 9% by weight Bi 2 O 3 or up to 10% by weight of a bismuth layer titanate Bi 4 Ti 3 Oi 2 · n (Me "-TiO 3 ) with η = 0, 1, 2 and Me" = Sr, Ca, Ba, Mg or Pb or up to 20% by weight of TiO 2 or several of these additions, where however, the sum of Bi 2 O 3 and Bi 4 Ti 3 O 12 · n (Me "TiO 3 ) does not exceed 13% by weight
Darin ist die Komponente Therein is the component
H = aSri.x.yBaxMgyTh.m.zZrmSnzO·)H = aSri.x.yBaxMgyTh.m.zZrmSnzO ·)
+bDi2Ti2.0.uZr0Snu07 + bDi 2 Ti 2 . 0 . u Zr 0 Sn u 0 7
+cCai.q.rBaqMgrTis.tZrsSn,O3 + CCAI. q . r Ba q Mg r Ti s . t Zr s Sn, O 3
aus den entsprechenden Gewichtsanteilen a, b und c eines Bereiches zusammengesetzt, der im Dreiecksdiagramm (Abb. 1) mit den Eckpunkten P(ap, bp, cp) durch das von der Linie A-B-C-D-E-F-A umschlossene und es begrenzende Polygon mitcomposed of the corresponding parts by weight a, b and c of a region in the triangular diagram (Fig. 1) with the vertices P (a p , b p , c p ) by the enclosed by the line ABCDEFA and limiting polygon with
A (85,5, 10)A (85.5, 10)
B (35,5, 60)B (35.5, 60)
C (35,25, 40)C (35,25, 40)
D (10,25, 65)D (10,25, 65)
E (15,55, 30)E (15.55, 30)
F (35,55, 10)F (35,55,10)
dargestellt wird, worin die partielle Substitution des Sr und/oder Ca durch Ba und/oder Mg bis zu 20 Mol-% betragen kann, die des Titan in allen Teilkomponenten von H durch Zr bis zu 30 Mol-% und/oder durch Sn bis zu 25Mol-%, jedoch beide insgesamt 30 Mol-% nicht überschreitend, betragen kann, und worin Di zu mindestens 97 Gew.-% aus einem Oxid oder einem Gemisch der Oxide der Seltenen Erden Nd, Pr, Ce, Sm oder La besteht.in which the partial substitution of Sr and / or Ca by Ba and / or Mg can be up to 20 mol%, that of titanium in all subcomponents of H by Zr up to 30 mol% and / or by Sn to to at least 97% by weight of an oxide or a mixture of the rare earth oxides Nd, Pr, Ce, Sm or La is 25% by mole but not exceeding 30% by mole in total.
Hinsichtlich der Einhaltung der Mol verhältnisse bei den Zwischenprodukten bestehen die in der technischen Keramik üblichen Forderungen.With regard to compliance with the molar ratios of the intermediates are the usual requirements in technical ceramics.
Die Komponente G besteht zuComponent G consists of
20-90 Gew.-% aus Pb3O4 3-45 Gew.-% aus ZnO und 1-10Gew.-% aus SiO2 20-90 wt .-% of Pb 3 O 4 3-45 wt .-% of ZnO and 1-10Gew .-% of SiO 2
Die Aufbereitung des Werkstoffes erfolgt nach üblichen Verfahren:The preparation of the material is carried out by conventional methods:
Dabei ist es sowohl möglich, aus den Rohstoffen in Form ihrer Oxide oder Karbonate auf bekannte Weise durch Temperaturbehandlung oder durch andere geeignete Verfahren, wie Karbonat-Mischverfahren, Oxalatverfahren, durch Mischfällung oder andere, zunächst die einzelnen Zwischenprodukte wie SrTiO3, Di2Ti2O7, CaTiO3, BaTiO3, MgTiOa, entsprechende Zirkonate, Stannate oder Mischverbindungen sowie die Wismutschichtverbindungen vorzubilden und diese Zwischenprodukte dann entsprechend den festgelegten Gewichtsanteilen mit den Bestandteilen der Komponente G und den genannten Zusätzen einzuwiegen und auf bekannte Weise zu Kondensatoren zu verarbeiten, als auch ohne vorherige Vorbildung aus den entsprechenden Oxiden und/oder Karbonaten unmittelbar den Werkstoff herzustellen. Hinsichtlich der Einhaltung der Molverhältnisse bzw. des Einsatzes nichtäquimolarer Zwischenprodukte (Teilkomponenten von H) sind die in der technischen Keramik üblichen Forderungen ausreichend.It is both possible from the raw materials in the form of their oxides or carbonates in a known manner by temperature treatment or by other suitable methods, such as carbonate mixing, oxalate, by Mischfällung or others, first the individual intermediates such as SrTiO3, Di 2 Ti 2 O. 7 , CaTiO3, BaTiO3, MgTiOa, corresponding zirconates, stannates or mixed compounds and the bismuth layer compounds and then weighing these intermediates according to the specified proportions by weight with the components of component G and said additives and to process in a known manner to capacitors, as well as without prior Previous training from the corresponding oxides and / or carbonates directly to produce the material. With regard to compliance with the molar ratios or the use of non-equimolar intermediates (partial components of H), the usual requirements in technical ceramics are sufficient.
Die Einstellung der gewünschten Temperaturkoeffizienten des Dielektrikums erfolgt ausgehend von Zusammensetzungen um den Eckpunkt A im Dreiecksdiagramm, die Werkstoffe mit einem TKC um etwa -2500 · 10~6/K ergeben, durch Erhöhung der Gewichtsanteile von Di2Ti2O7 und CaTiOs in der Komponente H.The adjustment of the desired temperature coefficients of the dielectric is carried out starting from compositions around the vertex A in the triangular diagram, the materials with a TK C by about -2500 · 10 ~ 6 / K, by increasing the weight proportions of Di 2 Ti 2 O 7 and CaTiOs in the component H.
Die folgenden Ausführungsbeispiele stellen nur einige aus einer Vielzahl von zweckmäßigen Lösungen der Erfindung dar, die zeigen, daß auch bei Verwendung von Rohstoffen technischer Reinheit, ihrer Aufbereitung zu Zwischenprodukten in bekannter Weise und bei Einwaage erfindungsgemäßer Gewichtsanteile und deren Weiterverarbeitung zu Scheiben- und Vielschichtkondensatoren nach üblichen Technologien bereits bei Sintertempef aturen von 1375 K (bei einer Haltezeit von 2 h) im Rahmen der erfindungsgemäßen Lösung vielfache Möglichkeiten bestehen, um alle Temperaturkoeffizienten im Bereich von -400 · 10~6/K bis -2500 · 10~e/K einstellen zu können und dabei den übrigen genannten technischen Forderungen im Vielschichtkondensator zu entsprechen. Tabelle 1 stellt die Zusammensetzung der Ausführungsbeispiele dar. Sie gibt die Gewichtsanteile der Zwischenprodukte a, b, c und damit die daraus ermittelbaren Rohstoffmengen (Karbonate, Oxide) an, sie weist den Gesamtanteil der Komponente H in der Einwaage ohne die oben genannten Zusätze aus, sie gibt die Gewichtsanteile der Rohstoffe in der Komponente G an und führt die einzelnen Zusätze in Gew.-% bezogen auf die Menge H + G auf. In Tabelle 2 sind die entsprechenden Kenndaten der bei 1375 K gesinterten Scheibenkondensatoren aufgeführt, die auch an Vielschichtkondensatoren bestätigt werden konnten.The following embodiments are only a few of a variety of useful solutions of the invention, which show that even when using raw materials of technical purity, their preparation to intermediates in a known manner and weighing the inventive proportions and their further processing to disk and multilayer capacitors according to usual technologies already in Sintertempef aturen of 1375 K (for a holding time of 2 h) as part of the inventive solution is much scope to set all the temperature coefficient in the range of -400 × 10 -6 / K to -2500 x 10 ~ e / K to can and thereby meet the other mentioned technical requirements in the multilayer capacitor. Table 1 shows the composition of the exemplary embodiments. It indicates the weight fractions of the intermediates a, b, c and thus the amounts of raw materials (carbonates, oxides) which can be determined from them; it exhibits the total amount of component H in the initial weight without the additives mentioned above, It indicates the weight proportions of the raw materials in the component G and lists the individual additives in wt .-% based on the amount of H + G on. Table 2 shows the corresponding characteristics of the 1375 K sintered disk capacitors, which could also be confirmed on multilayer capacitors.
Die zusätzlich aufgenommenen erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiele unterscheiden sich von den in Tabelle 1 dargestellten hinsichtlich Zusammensetzung oder der Wahl bekannter Aufbereitungstechnologien für den Werkstoff wiefolgt: Ausführungsbeispiel 2 a unterscheidet sich vom Ausführungsbeispiel 2 durch einen partiellen Ersatz des Sr durch Ba im Anteil a der Komponente H: Es wurde Sr0,9Bao,iTi03 eingesetzt.The additionally included embodiments of the invention differ from those shown in Table 1 in terms of composition or the choice of known processing technologies for the material as follows: Embodiment 2 a differs from Embodiment 2 by a partial replacement of Sr by Ba in the component a of component H: It was Sr 0 , 9Bao, iTi0 3 used.
Die Ausführungsbeispiele 7a und 7 unterscheiden sich durch den partiellen Ersatz des Ca durch Mg im Anteil c der Komponente . H: Es wurde Ca0f8Mg0,2TiO3 verwendet.The embodiments 7a and 7 differ by the partial replacement of Ca by Mg in the component c of the component. H: Ca 0f8 Mg 0 , 2 TiO 3 was used.
Die Ausführungsbeispiele 9a und 9 unterscheiden sich durch den Austausch des Wismutschichttitanates Ca011Sr0^Bi4Ti4O15 gegen das Wismutschichttitanat PbBi4Ti4O15.Embodiments 9a and 9 are distinguished by the replacement of the bismuth layer titanate Ca 011 Sr 0 ^ Bi 4 Ti 4 O 15 by the bismuth layer titanate PbBi 4 Ti 4 O 15 .
Das Ausführungsbeispiel 11a zeigt die partielle Ersetzbarkeit des Ti durch Sn, indem im Versatz des Beispieles 11 TiO2 durch 0,8TiO2 · 0,2SnO2 ersetzt wurde.Embodiment 11a shows the partial substitutability of Ti by Sn by replacing TiO 2 by 0.8TiO 2 .2.2 SnO 2 in the offset of Example 11.
Die Ausführungsbeispiele 2 b, 7 b, 9 b und 11b resultieren aus einer Aufbereitung der Werkstoffe aus den Rohstoffen entsprechend der Ausführungsbeispiele 2,7,9 und 11 ohne vorherige Vorbildung der entsprechenden Zwischenprodukte wie z.B. Titanate u.a.The embodiments 2 b, 7 b, 9 b and 11 b resulting from a treatment of the materials from the raw materials according to the embodiments 2,7,9 and 11 without prior formation of the corresponding intermediates such. Titanate and the like
-4- 259 96b-4- 259 96b
Tabelle 1: Zusammensetzungen der Ausführungsbeispiele in Gew.-%Table 1: Compositions of the embodiments in% by weight
Gesamtanteil Komponente G in % Komponente J in %Total component G in% component J in%
Pb3O4 ZnO SiO2 SnO2 Bi2O3 Pb 3 O 4 ZnO SiO 2 SnO 2 Bi 2 O 3
Tabelle 2: Dielektrische KenndatenTable 2: Dielectric characteristics
Nr. des Ausführungsbei spieles εΓ No. of the Ausführungsbei game ε Γ
tan δ-1O4*Tan δ-1O 4 *
1 3101 310
2 3402 340
3 1503,150
4 1654 165
5 1655 165
6 1556 155
7 1187 118
8 1108 110
9 . 1149. 114
10 9510 95
11 10011 100
12 94 2 a 335 7a 109 9a 12012 94 2 a 335 7a 109 9a 120
11a 9811a 98
2 b 3302 b 330
7b 1057b 105
9b 1129b 112
11b 9311b 93
* gemessen bei 1 MHz* measured at 1 MHz
6 7 6 76 7 6 7
7 4 4 5 4 7 6 6 7 4 5 4 9 7 8 7 4 47 4 4 5 4 7 6 6 7 4 5 4 9 7 8 7 4 4
3 63 6
3 33 3
Claims (1)
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4127829A1 (en) * | 1991-08-22 | 1993-03-04 | Mittweida Ing Hochschule | Lead zirconate titanate compsn. for e.g. monolithic device prodn. - additionally contg. bismuth oxide, zinc oxide and other metal oxide(s) for low sintering temp. |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4127829A1 (en) * | 1991-08-22 | 1993-03-04 | Mittweida Ing Hochschule | Lead zirconate titanate compsn. for e.g. monolithic device prodn. - additionally contg. bismuth oxide, zinc oxide and other metal oxide(s) for low sintering temp. |
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