DD259425A1

DD259425A1 - METHOD FOR THE FLUID PHASE PITAXY OF MULTILAYER STRUCTURES

Info

Publication number: DD259425A1
Application number: DD30130687A
Authority: DD
Inventors: Brigitte Jacobs; Michael Humeniuk
Original assignee: Werk Fernsehelektronik Veb
Priority date: 1987-03-31
Filing date: 1987-03-31
Publication date: 1988-08-24

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur epitaktischen Abscheidung von Mehrschichtstrukturen auf grossen Substratflaechen, die als diskrete Injektionslumineszenzdioden zur Anzeige Anwendung findet. Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Fluessigphasenepitaxie anzugeben, das eine einfache zuverlaessige und industriemaessige Herstellung von Mehrschichtstrukturen gewaehrleistet. Erfindungsgemaess wird die Aufgabe dadurch geloest, dass die in separaten Behaeltern homogenisierten Wachstumsschmelzen unterhalb der Homogenisierungstemperatur jeweils mehrere uebereinander angeordnete, scheibenfoermige Wachstumskammern eingeleitet werden, wobei die Teilschmelzen waehrend der folgenden Schichtabscheidung untereinander verbunden bleiben und nach Abschluss der Schichtabscheidung in voneinander getrennte Teilschmelzen zerlegt werden.The invention relates to a method for the epitaxial deposition of multilayer structures on large Substratflaechen, which is used as a discrete injection luminescence diodes for display application. The aim of the invention is to specify a method for liquid phase epitaxy which ensures a simple, reliable and industriemaessige production of multi-layer structures. According to the invention, this object is achieved in that the growth melts homogenized in separate containers are introduced below the homogenization temperature in each case a plurality of disc-shaped growth chambers arranged one above the other, wherein the partial melts remain interconnected during the following layer deposition and are separated into separate partial melts after completion of the layer deposition.

Description

Hierzu 1 Seite ZeichnungFor this 1 page drawing

Field of application of the invention

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur reproduzierbaren epitaktischen Abscheidung von AIII-BV-Mehrschichtstrukturen auf großen Substratflächen, insbesondere von Strukturen, aus denen rote oder infrarote Strahlung emittierende Bauelemente hergesteflt werden. Diese Bauelemente finden als diskrete Injektionslumineszenzdioden zur Anzeige von Betriebszuständen oder in geeigneten Kombinationen als alphanumerische Displays oder Analoganzeigen Anwendung.The invention relates to a method for the reproducible epitaxial deposition of AIII-BV multilayer structures on large substrate surfaces, in particular of structures from which red or infrared radiation-emitting components are produced. These devices are used as discrete injection luminescent diodes for indicating operating conditions or in suitable combinations as alphanumeric displays or analog displays.

Characteristic of the known state of the art

Für die industriemäßige Züchtung von AIII-BV-Mehrschichtstrukturen, die für die Herstellung von rot-oder infrarotemittierenden Bauelementen benötigt werden, wird im allgemeinen die Flüssigphasenepitaxie angewendet.For the industrial breeding of AIII-BV multilayer structures required for the production of red or infrared emitting devices, liquid phase epitaxy is generally used.

Hierzu sind zwei Gruppen von Verfahren bekannt. Die erste bedient sich sogenannter Pumpkassetten, bei denen der Austausch der Wachstumsschmelze für die jeweils abgeschiedene Schicht durch die Wachstumsschmelze für die nachfolgend abzuscheidende Schicht nach dem Prinzip der Verdrängungsspülung erfolgt. Dabei sind die Substrate nacheinander in einem Kanal angeordnet, in den die Wachstumsschmelzen aufeinanderfolgend eingeleitet werden.For this purpose, two groups of methods are known. The first uses so-called pumping cassettes, in which the exchange of the growth melt for the respectively deposited layer by the growth melt for the subsequently deposited layer according to the principle of displacement flushing. In this case, the substrates are successively arranged in a channel, in which the growth melts are introduced successively.

Verfahren dieser Art sind beispielsweise in DE-OS 3106484, DE-OS 3115389 und FR-PS 8004323 beschrieben. Sie weisen insbesondere den Vorteil auf, daß während des Schmelzenaustausches keine mechanischen Beschädigungen der frisch gewachsenen Oberfläche auftreten können. Ein entscheidender Nachteil ist jedoch, daß etwa 5 bis 10mal größere Schmelzen mengen verfügbar sein müssen als für die Schichtabscheidung erforderlich sind, um eine ausreichende Verdrängung zu erreichen. Eine solche Verfahrensweise ist für die Abscheidung von Mehrschichtstrukturen für Laserbauelemente vertretbar, da hier nur vergleichsweise geringe Scheibenflächen (im allgemeinen kleiner als 20cm²) zu beschichten sind. Für die Beschichtung einer größeren Anzahl (etwa 10) Substrate mit einem Durchmesser von 51 mm ist die Gruppe der Pumpkassetten völlig ungeeignet, weil dafür der Wachstumskanal so lang sein müßte, daß ein für alle Substrate gleichmäßiger Schmelzenaustäusch nahezu unmöglich wird, da sich die verdrängende Schmelze über die Kanallänge immer stärker mit Anteilen der zu verdrängenden Schmelze anreichert. Somit ergibt sich eine unerwünschte Änderung der Mischkristallzusammensetzung über die Kanallänge.Methods of this type are described for example in DE-OS 3106484, DE-OS 3115389 and FR-PS 8004323. In particular, they have the advantage that no mechanical damage to the freshly grown surface can occur during the melt exchange. A major disadvantage, however, is that about 5 to 10 times larger amounts of melt must be available than are required for the layer deposition in order to achieve a sufficient displacement. Such a procedure is acceptable for the deposition of multilayer structures for laser devices, since only comparatively small disk areas (generally smaller than 20 cm ² ) are to be coated here. For the coating of a larger number (about 10) substrates with a diameter of 51 mm, the group of pumping cassettes is completely unsuitable, because for the growth channel should be so long that a uniform for all substrates melt noise is almost impossible, since the displacing melt over the channel length increasingly enriched with shares of the melt to be displaced. Thus, there is an undesirable change in the solid solution composition over the channel length.

Eine weitere Gruppe von Verfahren bedient sich sogenannter Schiebekassetten, bei denen die nicht mehr benötigte Wachstumsschmelze mechanisch entfernt und ebenso aufgebracht wird. Ein Vorteil dieser Gruppe ist, daß die benötigten Schmelzenmengen nur denen entsprechen, die für die Schichtabscheidung wirklich erforderlich sind: Nachteilig ist, daß durch besondere Maßnahmen dafür zu sorgen ist, daß mechanische Beschädigungen der Oberflächen vermieden werden. ' Ein Verfahren für die gleichzeitige Beschichtung einer größeren Anzahl von Substraten aus nur einer Schmelze ist in DE-PS 26116700 beschrieben. Die Schmelze wird in einem vertikalen Tiegel homogenisiert. Dieser Tiegel ist aus wechselnd übereinander angeordneten, verschiebbaren und festen Platten zusammengesetzt. Diese Platten nehmen in entsprechenden Aussparungen Substrate auf. Um das Wachstum einzuleiten, werden die verschiebbaren Platten solange gegen die feststehenden Platten verschoben, bis die Schmelze vollständig in einzelne Schmelzenscheiben zerteilt ist, die sich ihrerseits dann jeweils über einem Substrat befinden. Dieses Verfahren eignet sich jedoch prinzipiell nur für die Abscheidung aus einer einzigen Schmelze. Würde man eine weitere, anders zusammengesetzte Schmelze in entsprechender Weise anordnen, so würden sich nach dem Verschieben der Platten Anteile der ersten Schmelze mit der zweiten Schmelzein unerwünschter Weise vermischen.Another group of methods makes use of so-called sliding cassettes in which the growth melt which is no longer needed is mechanically removed and also applied. An advantage of this group is that the required amounts of melt only correspond to those that are really necessary for the layer deposition: The disadvantage is that special measures must be taken to ensure that mechanical damage to the surfaces are avoided. A process for the simultaneous coating of a larger number of substrates from only one melt is described in DE-PS 26116700. The melt is homogenized in a vertical crucible. This crucible is composed of alternately stacked, sliding and fixed plates. These plates take in corresponding recesses substrates. To initiate growth, the slidable plates are displaced against the fixed plates until the melt is completely divided into individual slices of melt, each of which is then above a substrate. However, this method is in principle only suitable for deposition from a single melt. If one were to arrange a further, differently composed melt in a corresponding manner, then, after the displacement of the plates, portions of the first melt would undesirably mix with the second melt.

In den Veröffentlichungen DE-OS 3248689 und DE-OS 3036643 sind Lösungen beschrieben für die Züchtung von Mehrschichtstrukturen für Laserbauelemente, die es gestatten, nach dem Schiebeverfahren eine größere Anzahl von Substraten nacheinander aus verschiedenen Schmelzen zu beschichten. Charakteristisch für diese Lösungen ist, daß mehrere, ca.In the publications DE-OS 3248689 and DE-OS 3036643 solutions are described for the growth of multi-layer structures for laser devices, which allow, after the sliding process, a larger number of substrates sequentially from different melts to coat. Characteristic of these solutions is that several, approx.

20 χ 20 mm große, senkrecht angeordnete Substrate nacheinander durch die entsprechenden Schmelzen geschoben werden.20 χ 20 mm vertically arranged substrates are successively pushed through the corresponding melts.

Die wegen möglicher Konvektion für die Homogenität der Schichtparameter ungünstige senkrechte Anordnung der Substrate ist darüber hinaus ungeeignet für kreisrunde Scheiben, beispielsweise mit 51 mm Durchmesser.The unfavorable vertical arrangement of the substrates due to possible convection for the homogeneity of the layer parameters is furthermore unsuitable for circular disks, for example with a diameter of 51 mm.

In der DE-AS 2352605 ist eine Lösung für die aufeinanderfolgende Beschichtung einer größeren Anzahl von Substraten aus zwei Schmelzen beschrieben. Dazu sind feste und bewegliche Platten so übereinander angeordnet, daß die bt geglichen Platten um eine gemeinsame Achse drehbar sind.In DE-AS 2352605 a solution for the successive coating of a larger number of substrates of two melts is described. For this purpose, fixed and movable plates are arranged one above the other so that the bt equal plates are rotatable about a common axis.

In dem so entstehenden Plattenstapel sind zwei Tiegel für die Aufnahme der Schmelzen ausgespart. Die Ausnehmungen für die Substrate sind auf den festen und den beweglichen Platten jeweils so angeordnet, daß zur Einleitung der Schichtabscheidung durch Drehung um 90° alle Substrate mit einer scheibenförmigen Teilschmelze der ersten Schmelze bedeckt werden. Bei Rückdrehung um 180° werden alle Substrate mit scheibenförmigen Teilschmelzen der zweiten Schmelze bedeckt, und es kann eine zweite Schicht abgeschieden werden. Zur besseren Homogenisierung der Schmelzen vor Beginn der Schichtabscheidung ist je ein Rührwerk vorgesehen, das vor den Drehungen aus den Tiegeln herausgezogen wird. Bei Verwendung dieser Rührwerke sind zwei zusätzliche Durchführungen im Reaktor erforderlich, die zusätzliche Quellen von Undichtigkeiten sind und somit für die Reinheit des Gesamtsystems ein zusätzliches Risiko darstellen.In the resulting stack of plates two crucibles are recessed for receiving the melts. The recesses for the substrates are arranged on the fixed and the movable plates in each case so that all substrates are covered with a disk-shaped partial melt of the first melt to initiate the layer deposition by rotation by 90 °. When reversed 180 °, all substrates are covered with disk-shaped partial melts of the second melt, and a second layer can be deposited. For better homogenization of the melts before the beginning of the layer deposition, an agitator is ever provided, which is pulled out of the crucibles before the rotations. Using these agitators, two additional feedthroughs in the reactor are required, which are additional sources of leakage and thus pose an additional risk to the overall system's purity.

Es läßt sich leicht ermitteln, daß in einer derartigen Vorrichtung bei Einsatz von 51-mm-Substraten sich für eine 180°-Drehung ein Verschiebeweg von ca. 20cm ergibt. Dieser lange Verschiebeweg erhöht die Gefahr von mechanischen Oberflächenbeschädigungen durch Zerkratzen beträchtlich.It can be easily determined that results in a displacement of about 20cm in such a device when using 51-mm substrates for a 180 ° rotation. This long travel increases the risk of mechanical surface damage from scratching considerably.

Während der ersten 90°-Drehung wird zwangsläufig auch die zweite Schmelze in Schmelzenscheiben zerlegt, die während der Abscheidung der ersten Schicht keinen Kontakt zum Sättigungsmaterial mehr haben. Dadurch besteht die Möglichkeit einer spontanen Kristallisation in den Teilscheiben der zweiten Schmelze. Die dabei sich bildenden Kristallite erhöhen auf dem langen Verschiebeweg das Risiko des Zerkratzens der Oberflächen. Darüber hinaus ist eine mit Kristalliten durchsetzte Schmelze ungünstig für eine Schichtabscheidung, da das Wachstum dann nicht nur auf dem Substrat, sondern auch in Undefinierter Weise an den Kristalliten erfolgt.During the first 90 ° rotation, the second melt is inevitably also decomposed into melt disks, which no longer have any contact with the saturation material during the deposition of the first layer. As a result, there is the possibility of spontaneous crystallization in the dividing disks of the second melt. The resulting crystallites increase the risk of scratching the surfaces on the long displacement path. In addition, a melt infiltrated with crystallites is unfavorable for a layer deposition, since the growth then takes place not only on the substrate, but also in an undefined manner on the crystallites.

Object of the invention

Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Flüssigphasenepitaxie anzugeben, das eine einfache, zuverlässige und industriemäßige Herstellung von Mehrschichtstrukturen gewährleistet.The aim of the invention is to provide a method for liquid phase epitaxy, which ensures a simple, reliable and industriemäßige production of multi-layer structures.

Explanation of the essence of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu entwickeln, mit dem auf einer größeren Anzahl und Fläche von Substraten in einem Epitaxieprozeß mindestens zwei verschiedenartig zusammengesetzte Schichten mit in sich homogenen Eigenschaften abgeschieden werden.The invention has for its object to develop a method by which are deposited on a larger number and area of substrates in an epitaxial process at least two different composite layers with inherently homogeneous properties.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die in separaten Behältern homogenisierten Wachstumsschmelzen bei Temperaturen von 5 bis 10 Kelvin unterhalb der Homogenisierungstemperatur unter Zurücklassung von oxidischen und anderen das Wachstum störenden Verunreinigungen in jeweils mehrere übereinander angeordnete, scheibenförmige Wachstumskammern eingeleitet werden. Die entstandenen Teilschmelzenscheiben bleiben untereinander über eine Schmelzensäule verbunden, um unter Ausnutzung der guten Wärmeleitfähigkeit der Schmelze in allen Schmelzenkammern gleiche thermische Verhältnisse zu sichern und damit die Voraussetzung für homogene Schichtabscheidung zu schaffen.According to the invention the object is achieved in that the homogenized in separate containers growth melt at temperatures of 5 to 10 Kelvin below the homogenization temperature, leaving oxidic and other growth-disturbing impurities in each case a plurality of superimposed disc-shaped growth chambers are introduced. The resulting partial melt disks remain connected to one another via a melting column in order to ensure the same thermal conditions in all melt chambers by utilizing the good thermal conductivity of the melt and thus to create the conditions for homogeneous layer deposition.

Eine etwaige Oxidhaut der Schmelze verbleibt im Homogenisierungsbehälter.Any oxide skin of the melt remains in the homogenization container.

Die Substrate werden ebenfalls übereinander auf Graphitplatten mit entsprechenden Ausnehmungen angeordnet. Unmittelbar nach der Schmelzenaufteilung werden die Substratplatten so in die Schmelzenkammern positioniert, daß bei Abkühlung des Systems die Schichtabscheidung auf den gesamten Substratflächen einsetzt.The substrates are also arranged one above the other on graphite plates with corresponding recesses. Immediately after the melt distribution, the substrate plates are positioned in the melt chambers so that upon cooling of the system, the deposition of layers on the entire substrate surfaces used.

Nach Abscheidung der ersten Schicht aus der ersten Schmelze werden die einzelnen Wachstumskammern zur Verringerung des hydrostatischen Drucks in jeder Teilschmelzenscheibe in voneinander getrennte Teilschmelzen zerlegt, um ihr gleichmäßiges Abstreifen vom beschichteten Substrat zu ermöglichen.After deposition of the first layer from the first melt, the individual growth chambers are decomposed into separate partial melts to reduce the hydrostatic pressure in each partial melt disc, in order to allow their uniform stripping from the coated substrate.

Die Beschichtung aus der zweiten Schmelze und gegebenenfalls weiteren Schmelzen erfolgt in gleicherweise.The coating of the second melt and optionally further melting takes place in the same way.

Als abschließender Schritt wird entweder die letzte Wachstumsschmelze abgestreift oder die Schmelze verbleibt bis zur Entnahme der Kassette aus der Epitaxieanlage auf den Scheiben. Um eine genaue und reproduzierbare Positionierung der Scheiben in den einzelnen Wachstumskammern zu gewährleisten, erfolgt der Transport der auf den Substratplatten befindlichen Scheiben in dieWachstumskammern vermittels eines Klinkenmechanismus, der die schrittweise, lineare Translationsbewegung der Scheiben auf eine anschlagbegrenzte Hin-und Herbewegung des äußeren Bedienelementes reduziert. Durch diese sichere Positionierungsmöglichkeit ist das erfindungsgemäße Verfahren besonders geeignet für die industriemäßige Nutzung.As a final step, either the last growth melt is stripped off or the melt remains until removal of the cassette from the epitaxy system on the discs. In order to ensure accurate and reproducible positioning of the discs in the individual growth chambers, the transport of the discs located on the substrate plates into the growth chambers takes place by means of a pawl mechanism which reduces the stepwise, linear translational movement of the discs to a stop-limited reciprocation of the outer operator. This secure positioning option, the inventive method is particularly suitable for industrial use.

Ausführungsbeispieleembodiments

Nachstehend wird das erfindungsgemäße Verfahren an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.The method according to the invention will be explained in more detail on an exemplary embodiment.

Dazu ist in Fig. 1 das Prinzip der Kassette zur Durchführung des Verfahrens dargestellt.For this purpose, the principle of the cassette for carrying out the method is shown in Fig. 1.

Ein Grundkörper 1 enthält mehrere Lagen von übereinander angeordneten, verschiebbaren 2 und feststehenden 3 Etagen. In den verschiebbaren Etagen 2 sind Ausnehmungen angebracht, in denen sich die Substrate 8 befinden. In den feststehenden Etagen 3 sind die Wachstumskammern 9 ausgespart. Diese Wachstumskammern besitzen seitliche Ausnehmungen, die in ihrerA base body 1 contains several layers of stacked, sliding 2 and fixed 3 floors. In the movable floors 2 recesses are mounted, in which the substrates 8 are located. In the fixed floors 3, the growth chambers 9 are recessed. These growth chambers have lateral recesses in their

Übereinanderfolge den Schmelzeneinlaufkanal 17 bilden, der sich bis in die Homogenisierungsbehälter 5 fortsetzt und im Ausgangszustand durch die Platten 6 verschlossen wird. In einer Ebene mit den Platten 6 befindet sich die Steuerplatte 4, die eineForm succession the melt inlet channel 17, which continues into the homogenization 5 and is closed in the initial state by the plates 6. In a plane with the plates 6 is the control plate 4, a

Öffnung 7 besitzt. Die verschiebbaren Etagen 2 werden gemeinsam mit der Steuerplatte 4 von einem Klinkenhalter 13 aufgenommen. Beiderseits der verschiebbaren Etagen 2 befinden sich im Klinkenhalter 13 Ausnehmungen für die Klinken 14. Diese greifen in dafür vorgesehene Kerben 15 des Steuerschiebers 11 ein.Opening 7 has. The movable floors 2 are received together with the control plate 4 by a pawl holder 13. On both sides of the movable floors 2 are located in the pawl holder 13 recesses for the pawls 14. These engage in provided notches 15 of the spool 11 a.

Nach Abschluß der Schmelzenhomogenisierungsphase wird durch Betätigung des Bedienelementes 12 der Steuerschieber 11 bis zum Anschlag 10 geschoben. Damit verschiebt sich das Paket der verschiebbaren Etagen 2 sowie die Steuerplatte 4 vermittels der in die ersten Kerben 15 eingerasteten Klinken um den gleichen Betrag. Dadurch gelangen die Substrate in die Wachstumskammern für die erste Abscheidung. Die Anordnung der Öffnung 7 in der Steuerplatte bestimmt dabei den Zeitpunkt des Einlaufes der Schmelze in die Wai .stumskammern. Durch eine zweckmäßige Anordnung der Öffnung 7 wird der Kontakt zwischen Schmelze 5 und Substraten 8 optimal gestaltet, was insbesondere für die Beschichtung von Substraten mit großem Durchmesser, beispielsweise 51 mm, wichtig ist. Nachdem nun die Schmelze und die Substrate in die Wachstumskammern der ersten Schmelze eingebracht sind, wird in üblicher Weise durch Abkühlung des gesamten Systems die erste Schicht abgeschieden. Ebenso ist der Betrieb nach dem Step-cooling-, Supercooling-, Equilibrium cooling-oderTwo phase solution-Verfahren möglich. Die Schichtabscheidung wird abgebrochen, indem der Steuerschieber 11 bis zum Anschlag 16 zurückgezogen wird. Durch erneutes Verschieben des Steuerschiebers 11 bis zum Anschlag 10 werden die verschiebbaren Etagen 2 sowie die Steuerplatte 4 so weit verschoben, daß die beschichteten Substrate aus den Wachstumskammern der ersten Schmelze herausgelangen. Durch ein weiteres Hin- und Herschieben des Steuerschiebers 11 zwischen den Anschlägen 16 und 10 werden nun in analoger Weise die Substrate in die Wachstumskammern der zweiten Schmelze transportiert sowie die zweite Schmelze in die Wachstumskammern eingeleitet. Der Abschluß der Abscheidung der zweiten Schicht erfolgt in analoger Weise.After completion of the melt homogenization phase, the control slide 11 is pushed to the stop 10 by actuation of the operating element 12. Thus, the package of the movable floors 2 and the control plate 4 shifts by means of the latched into the first notches 15 pawls by the same amount. As a result, the substrates enter the growth chambers for the first deposition. The arrangement of the opening 7 in the control plate determines the time of the inlet of the melt in the Wai .stumskammern. By an appropriate arrangement of the opening 7, the contact between the melt 5 and substrates 8 is optimally designed, which is particularly important for the coating of substrates with a large diameter, for example 51 mm. Now that the melt and the substrates are introduced into the growth chambers of the first melt, the first layer is deposited in a conventional manner by cooling the entire system. Likewise, the operation according to the step cooling, supercooling, equilibrium cooling or TWO phase solution method is possible. The layer deposition is stopped by the control slide 11 is retracted to the stop 16. By re-shifting the spool 11 to the stop 10, the movable floors 2 and the control plate 4 are shifted so far that the coated substrates get out of the growth chambers of the first melt. By a further back and forth of the control slide 11 between the stops 16 and 10, the substrates are now transported in an analogous manner in the growth chambers of the second melt and the second melt introduced into the growth chambers. The conclusion of the deposition of the second layer is carried out in an analogous manner.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist nicht auf das in der Abbildung gezeigte Ausführungsbeispiel beschränkt. In Abhängigkeit vom zur Verfugung stehenden Reaktor werden eine beliebige Anzahl von Substratpositionen, vorzugsweise zehn, und eine beliebige Anzahl von Schmelzenbehältern, vorzugsweise zwei, drei oder vier, verwendet.The inventive method is not limited to the embodiment shown in the figure. Depending on the available reactor, any number of substrate positions, preferably ten, and any number of melt containers, preferably two, three or four, are used.

Claims

1. A process for Flüssigphasenepitaxie of multi-layer structures of binary or multi-component AIIIBV compounds, characterized in that the homogenized in separative containers growth melt at temperatures of 5 to 10 Kelvin below the homogenization temperature, leaving behind oxidic and other growth

.. disturbing impurities in each case a plurality of superimposed, disc-shaped growth chambers are introduced, wherein the partial melts remain interconnected during the subsequent layer deposition and are decomposed after completion of the layer deposition into separate partial melts. '

2. The method according to claim 1, characterized in that for depositing a plurality of differently composite layers, the melts are introduced from a corresponding number of Schmelzehomogenisierungsbehälter in groups of growth chambers immediately before the start of the layer deposition.

3. The method according to claim 1 and 2, characterized in that the semiconductor wafers to be coated in the growth chambers and the growth fuses are distributed in the same by a single outer control element.

4. The method according to claim 1 to 3, characterized in that the position of semiconductor wafers and growth melt is controlled via a stop-limited self-positioning mechanism by means of pawls.