DD239807A1 - TARGET TO HIGH-RATE INCREASES - Google Patents

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DD239807A1
DD239807A1 DD27916985A DD27916985A DD239807A1 DD 239807 A1 DD239807 A1 DD 239807A1 DD 27916985 A DD27916985 A DD 27916985A DD 27916985 A DD27916985 A DD 27916985A DD 239807 A1 DD239807 A1 DD 239807A1
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target
thickness
targets
erosion
high rate
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DD27916985A
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Ullrich Heisig
Wolfgang Hempel
Klaus Goedicke
Harald Bilz
Siegfried Schiller
Juergen Henneberger
Wilfried Dietrich
Georg Pfeil
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Ardenne Forschungsinst
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Target zum Hochratezerstaeuben, bei welchem das Zerstaeubungsmaterial auf elektrochemischem Wege auf einen Grundkoerper aufgebracht ist. Das Ziel ist die Erhoehung der Einsatzdauer und die Aufgabe besteht darin, im Bereich hoechster Erosion eine groessere Materialdicke zu erreichen. Erfindungsgemaess ist der Grundkoerper auf der dem Substrat zugewandten Seite nichteben, indem er im Erosionsbereich dicker ist. Das eigentliche Targetmaterial ist im Bereich hoechster Erosion auf dem Grundkoerper wesentlich dicker aufgebracht als in den uebrigen Bereichen. Fig. 1The invention relates to a target for Hochratezerstaeuben, wherein the Zerstaeubungsmaterial is applied to a base body by electrochemical means. The goal is to increase the duration of use and the task is to achieve a greater material thickness in the area of maximum erosion. According to the invention, the base body is not flat on the side facing the substrate in that it is thicker in the erosion region. The actual target material is applied in the area of highest erosion on the basic body much thicker than in the remaining areas. Fig. 1

Description

Ausführungsbeispielembodiment

In den zugehörigen Zeichnungen zeigen:In the accompanying drawings show:

Figur 1: einen Schnitt durch ein Target für eine planare Zerstäubungsquelle, Figur 2: einen Schnitt durch ein rotationsymmetrisches Target für Rohrinnenbeschichtung (Torusplasmatron), Figur 3: einen Schnitt durch ein Target für ein Rohrplasmatron.1 shows a section through a target for a planar sputtering source, FIG. 2 shows a section through a rotationally symmetrical target for inner tube coating (torus plasma sorter), FIG. 3 shows a section through a target for a tubular plasma sorter.

In Figur 1 ist ein Planarplasmatron dargestellt. Das Target 1 befindet sich über der magnetfelderzeugenden Einrichtung 2. Das Target 1 wird während seines Einsatzes beim Hochratezerstäuben bevorzugt im Erosionsbereich E abgetragen. Dabei werden die Substrate 3 beschichtet. Das Target 1 besteht aus Chrom, dessen Herstellung mittels eines elektrochemischen Abscheidungsprozesses in einer Chromsalzlösung erfolgt. Katode bei diesem Elektrolyseprozeß ist der Grundkörper 4 aus Kupfer. Die den Substraten 3 zugewandte Fläche des Grundkörpers 4 ist uneben. Im Erosionsbereich E des Targets 1 hat der Grundkörper 4 eine größere Dicke von ca. 8mm; dagegen in den übrigen Bereichen nur 4mm. Der Übergang erfolgt linear und stetig, wobei die Übergangsbereiche ca. 20mm breit sind. Die beschriebene Gestaltung des Grundkörpers 4 erlaubt es, das Targetmaterial Chrom 5 elektrochemisch mit einer mittleren Dicke von 5mm abzuscheiden. Dabei beträgt die Chromdicke im Bereich der größten Dicke des Grundkörpers E' 8mm und am Targetrand etwa 3mm. Im Übergangsbereich zum Targetrand hin nimmt die Chromdicke etwa linear ab. Das erreichte Dickenprofil für das Material Chrom 5 stimmt damit tendenziell mit dem Erosionsprofil beim Zerstäuben überein, d.h. die Chromschichtdicke ist im Bereich höchster Targeterosion E' am größten. Die Krümmung der Fläche, die dem Substrat 3 zugewandt ist, ist an allen Stellen geringer als die der Magnetfeldlinien 6. Die Gestaltung des Grundkörpers ermöglicht einerseits, die genannte hohe Schichtdicke des Chroms elektrochemisch abzuscheiden und damit eine sehr hohe Gebrauchsdauer des Targets zu erreichen. Andererseits wird durch die überhöhte Schichtdicke des Chroms im Bereich höchster Erosion E' eine Verbesserung der Materialausnutzung für Chrom beim Hochratezerstäuben erreicht.. Schließlich führt die erfindungsgemäße Gestaltung des Targets, insbesondere besagte Krümmung, dazu, daß die Erosionszpne E auf dem Target trotz der nichtebenen Fläche des Targets im angestrebten Targetbereich liegt.FIG. 1 shows a planar plasmatron. The target 1 is located above the magnetic field generating device 2. The target 1 is preferably removed in the erosion region E during its use in high rate sputtering. In this case, the substrates 3 are coated. The target 1 is made of chromium, which is produced by means of an electrochemical deposition process in a chromium salt solution. Katode in this electrolysis process is the base body 4 made of copper. The substrate 3 facing surface of the base body 4 is uneven. In the erosion region E of the target 1, the base body 4 has a greater thickness of approximately 8 mm; In contrast, only 4mm in the other areas. The transition is linear and continuous, with the transition areas are about 20mm wide. The described design of the main body 4 makes it possible to deposit the target material chromium 5 electrochemically with an average thickness of 5 mm. The thickness of the chromium in the region of the largest thickness of the main body E 'is 8 mm and at the target edge about 3 mm. In the transition region to the target edge, the chromium thickness decreases approximately linearly. The achieved thickness profile for the material chromium 5 thus tends to coincide with the erosion profile during sputtering, i. the chromium layer thickness is highest in the region of highest target erosion E '. The curvature of the surface which faces the substrate 3 is less than that of the magnetic field lines 6 at all points. The design of the base body makes it possible on the one hand to electrochemically deposit said high layer thickness of the chromium and thus to achieve a very long service life of the target. On the other hand, the excessive layer thickness of the chromium in the region of highest erosion E 'achieves an improvement in the utilization of chromium during high-rate sputtering. Finally, the inventive design of the target, in particular said curvature, results in erosion spins E on the target despite the non-planar surface of the target is in the target range targeted.

In Figur 2, einer Zerstäubungsquelle vom Typ des Torusplasmatrons, sind entsprechend dem charakteristischen Einsatzfall für diesen Typ die Substrate 3 bei der Beschichtung rings um die Zerstäubungsquelle angeordnet, z. B. auf einem Drehkorb. Das Magnetfeld wird von drei Ringmagneten 7 im Inneren des Targets 1 erzeugt. Das Target 1 wird bei seinem Einsatz zum Hochratezerstäuben bevorzugt in den drei ringförmigen Erosionsbereichen E abgetragen.In Figure 2, a sputtering source of the torus plasma type, according to the characteristic application for this type, the substrates 3 are arranged around the sputtering source in the coating, e.g. B. on a rotary basket. The magnetic field is generated by three ring magnets 7 inside the target 1. The target 1 is preferably removed in its use for high rate sputtering in the three annular erosion areas E.

Das Target 1 besteht aus Chrom 5. Bei seiner Herstellung wird der Kupfer-Grundkörper 4 verwendet. Der Grundkörper 4 hat eine zylinderförmige innere Fläche, die dem Magneterzeugungssystem (Ringmagneten 6) zugewandt ist, und eine rotationssymmetrische „wellrohr"-artige Außenfläche. Der innere lichte Durchmesser des Grundkörpers 4 beträgt 80mm, der Außendurchmesser in den Erosionsbereichen E, in dem die Dicke maximal ist, 100mm, in den dazwischen liegenden Bereichen 86mm. Die Gesamtlänge des Targets 1 beträgt etwa 300mm. Die Außenkontur ist durch Drehen hergestellt, das äußere Profil entspricht einer Kurve, die durch Kreisbögen zwischen den Stellen größter und geringster Dicke des Grundkörpers hergestellt wird. Auch bei diesem Ausführungsbeispiel sichert die Festlegung der geometrischen Parameter des Grundkörpers 4, daß die Krümmung stets kleiner ist als die Krümmung der Magnetfeldlinien 6, die das Target 1 durchdringen. In Figur 3, einem Rohrplasmatron mit zu beschichtenden ebenen Substraten 3, befindet sich im Inneren des rohrförmigen Targets 1 die magnetfelderzeugende Einrichtung 2. Die Erosion des Targets 1 erfolgt in dem großflächigen Erosionsbereich E. Dadurch, daß das Target 1 während seines Einsatzes in der Hochratezerstäubungsquelle rotiert, werden stets wechselnde Bereiche des Targets 1 abgetragen. Die innere Fläche des Grundkörpers 4 ist zylindersymmetrisch und hat einen lichten Durchmesser von 150 mm sowie eine Länge von 800 mm. Die äußere Fläche des Grundkörpers 4 ist im Erosionsbereich E ebenfalls zylindersymmetrisch mit einem Durchmesser von 166 mm. Außerhalb des Erosionsbereiches E, an den Targetenden, beträgt der Durchmesser 158mm. In den Übergangsbereichen wächst der Außendurchmesser des Grundkörpers 4 stetig und linear von 158 mm auf 166 mm. Die Übergangsbereiche haben jeweils eine Breite von 15 mm. Das Target 1 aus dem elektrochemisch abgeschiedenen Material ist dadurch entstanden, daß der beschriebene Grundkörper 4 aus Kupfer während einer Zeit von 100 Stunden unter langsamer Rotation in einem stromstarken chromionenhaltigen Elektrolysebad dem elektrochemischen Abscheidungsprozeß ausgesetzt war. Die Chromschichtdicke beträgt danach 6mm im Erosionsbereiche E und 3 mm in den übrigen Bereichen ohne nennenswertes Aufwachsen von Spitzen und anderen Defekten der Chromschicht. Das Target 1 zeichnet sich durch hohe Materialausnutzung aus.The target 1 is made of chromium 5. In its manufacture, the copper base 4 is used. The main body 4 has a cylindrical inner surface facing the magnetic generating system (ring magnet 6) and a rotationally symmetric "corrugated tube" -like outer surface. The inner diameter of the main body 4 is 80 mm, the outer diameter in the erosion regions E in which the thickness The total length of the target 1 is about 300mm The outer contour is made by turning, the outer profile corresponds to a curve made by circular arcs between the points of greatest and smallest thickness of the body. In this exemplary embodiment too, the definition of the geometric parameters of the base body 4 ensures that the curvature is always smaller than the curvature of the magnetic field lines 6 penetrating the target 1. In FIG. 3, a tubular plasma with planar substrates 3 to be coated, is located inside of the tubular target 1, the magnetic field The generating device 2. The erosion of the target 1 takes place in the large-scale erosion region E. Due to the fact that the target 1 rotates during its use in the high-rate sputtering source, constantly changing regions of the target 1 are removed. The inner surface of the base body 4 is cylindrically symmetrical and has a clear diameter of 150 mm and a length of 800 mm. The outer surface of the base body 4 is also cylindrically symmetric in the erosion region E with a diameter of 166 mm. Outside the erosion area E, at the target ends, the diameter is 158mm. In the transition areas, the outer diameter of the main body 4 grows steadily and linearly from 158 mm to 166 mm. The transition areas each have a width of 15 mm. The target 1 of the electrodeposited material is formed by subjecting the described base body 4 made of copper to the electrochemical deposition process for a period of 100 hours with slow rotation in a high-current electrolysis bath containing chromium ions. The chromium layer thickness is then 6mm in erosion E and 3mm in the remaining areas without appreciable growth of spikes and other defects of the chromium layer. The Target 1 is characterized by high material utilization.

Claims (1)

Patentanspruch:Claim: Target zum Hochratezerstäuben, bestehend aus einem metallischen Grundkörper und dem darauf auf elektronischem Wege abgeschiedenen Targetmaterial, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die dem Substrat (3) zugewandte Oberfläche des Grundkörpers (4) nichteben ist und im Erosionsbereich (E) eine größere Dicke besitzt als in den übrigen Bereichen, daß das Targetmaterial im Bereich höchster Erosionsrate (E') eine größere Dicke besitzt als in den übrigen Bereichen und daß die Krümmung der Fläche des Grundkörpers (4), die dem Substrat (3) zugewandt ist, an allen Stellen geringer ist als die Krümmung der Magnetfeldlinien beim Einsatz des Targets (1).Target for high rate sputtering, consisting of a metallic base body and the electronically deposited thereon target material, characterized in that at least the substrate (3) facing surface of the base body (4) is not even and in the erosion region (E) has a greater thickness than in the remaining areas that the target material in the region of highest erosion rate (E ') has a greater thickness than in the other areas and that the curvature of the surface of the base body (4) facing the substrate (3) is lower at all points as the curvature of the magnetic field lines when using the target (1). Hierzu 3 Seiten ZeichnungenFor this 3 pages drawings Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention Targets zum Hochratezerstäuben werden aus verschiedenen Materialien entsprechend der aufzubringenden Schicht hergestellt. Diese Erfindung bezieht sich im wesentlichen auf Cr-Targets, die für die Herstellung von Funktionsschichten elektronischer Bauelemente, Veredlungsschichten in der Metallurgie oder Dekorationsschichten bei der Kunststoffherstellung verwendet werden.Targets for high rate sputtering are made of different materials according to the layer to be applied. This invention relates essentially to Cr targets used for the fabrication of electronic device functional layers, metallurgy finishing layers or decorative layers in plastics manufacturing. Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions Es ist bekannt, Targets, soweit sie aus elektromechanisch abgeschiedenen Materialien bestehen, ailf der Basis ebener Platten herzustellen. Dazu werden Bleche aus einem geeigneten, gut leitfähigen Material, z. B. Kupfer, als Katode einer Elektrolyse-Einrichtung geschaltet und bei hoher Stromstärke über lange Zeiträume dem elektrochemischen Ausscheidungsprozeß ausgesetzt.It is known to produce targets, insofar as they consist of electromechanically deposited materials, on the basis of flat plates. These sheets are made of a suitable, highly conductive material, eg. As copper, connected as the cathode of an electrolysis device and exposed to the electrochemical precipitation process at high current for long periods of time. Nachteilig ist, daß die Dicke der auf diese Weise abgeschiedenen Schichten sehr begrenzt ist. Damit ist die Gebrauchsdauer der Targets beim Hochratezerstäuben niedrig, und es entstehen durch häufigen Targetwechsel und die dabei erforderliche Vakuumunterbrechung in der Beschichtungsanlage hohe Ausfallzeiten für den eigentlichen Beschichtungsprozeß. Die weitere Erhöhung der Expositionszeit der Bleche im Elektrolysebad löst diese Schwierigkeiten nicht. Bei technisch wichtigen Materialien wie Chrom erfolgt der Dickenzuwachs der elektrochemisch abgeschiedenen Schicht zunehmend an Rändern, Kanten und Unebenheiten der Bleche infolge der höheren elektrischen Feldstärke im Elektrolysebad. Auch die in der galvanischen Praxis bekannten Maßnahmen, wie das partielle Abdecken der Kanten oder das Anbringen von speziell geformten Anoden zur Beeinflussung des elektrischen Feldes, führen nur zu graduellen Verbesserungen. Besonders nachteilig für den Einsatz solcher elektrochemisch beschichteter Bleche als Targets zum Hochratezerstäuben wirkt sich aus, daß die Schichtdicke ungleichmäßig ist und im mittleren Bereich der Bleche, der der Erosionszone der Targets beim Hochratezerstäuben entspricht, im allgemeinen niedriger als in den Randbereichen ist. Daraus resultiert eine zusätzliche Begrenzung der Gebrauchsdauer der Targets. Sie ist um so größer, je dicker die elektrochemisch abgeschiedene Schicht ist.The disadvantage is that the thickness of the layers deposited in this way is very limited. Thus, the service life of the targets during high rate sputtering is low, and it caused by frequent target changes and thereby required vacuum interruption in the coating system high downtime for the actual coating process. The further increase of the exposure time of the sheets in the electrolysis bath does not solve these difficulties. In technically important materials such as chromium, the thickness increase of the electrochemically deposited layer is increasingly at edges, edges and bumps of the sheets due to the higher electric field strength in the electrolysis. The measures known in the galvanic practice, such as the partial covering of the edges or the attachment of specially shaped anodes for influencing the electric field, only lead to gradual improvements. Particularly disadvantageous for the use of such electrochemically coated sheets as targets for Hochratezerstäuben has the effect that the layer thickness is uneven and in the central region of the sheets, which corresponds to the erosion zone of the targets in Hochratezerstäuben, is generally lower than in the edge regions. This results in an additional limitation of the service life of the targets. It is the larger, the thicker the electrochemically deposited layer. Ziel der ErfindungObject of the invention Ziel der Erfindung ist es, die Mangel des Standes der Technik zu überwinden, die beim Einsatz elektrochemisch abgeschiedener Materialien für Targets von Hochratezerstäubungsquellen auftreten. Die Einsatzdauer der Targets soll erhöht werden.The object of the invention is to overcome the deficiencies of the prior art which occur in the use of electrochemically deposited materials for targets of high rate sputtering sources. The duration of use of the targets should be increased. Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde. Targets aus elektrochemisch abgeschiedenem Material mit hoher Dicke des Materials zu schaffen, welche an den Stellen, an denen beim Einsatz in Hochratezerstäubungsquellen die höchste Erosion erreicht wird, die größte Dicke der elektrochemisch abgeschiedenen Schicht besitzen.The invention is based on the object. To provide targets of high thickness electrochemically deposited material of the material having the greatest thickness of the electrodeposited layer where the highest erosion is achieved when used in high rate sputtering sources. Erfindungsgemäß ist das Target, bestehend aus einem metallischen Grundkörp'er und der darauf elektrochemisch abgeschiedenen Schicht aus dem zu zerstäubenden Targetmaterial, so ausgebildet, daß der Grundkörper zumindest auf der dem zu beschichtenden Substrat zugewandten Seite nichteben ist. Seine größte Dicke besitzt.er in dem Bereich, der dem Erosionsbereich beim Einsatz des Targets in der Hochratezerstäubungsquelle entspricht. Die im folgenden Verfahrensschritt elektrochemisch aufgebrachte Schicht aus dem Targetmaterial besitzt an den Stellen hoher Dicke des Grundkörpers, d. h. den Stellen hoher Erosionsrate beim Hochratezerstäuben, eine größere Dicke als an den übrigen Stellen. Diese Schichtdickenverteilung des Targetmaterials wird durch die Feldverteilung des elektrolytischen Bades erreicht. An den Kanten des Grundkörpers ist andererseits die Abscheiderate reduziert, wodurch einer ständig abnehmenden mittleren Abscheiderate mit fortschreitender Expositionszeit des Grundkörpers im Elektrolysebad wirksam begegnet wird und damit eine hohe absolute Schichtdicke des abgeschiedenen Materials erzielt wird.According to the invention, the target, consisting of a metallic Grundkörp'er and the electrochemically deposited layer of the target material to be sputtered, is formed so that the base body is at least on the side facing the substrate to be coated not just. Its greatest thickness is in the area corresponding to the erosion area when using the target in the high rate sputtering source. The electrochemically applied layer of the target material in the following process step has at the points of high thickness of the base body, d. H. the places of high rate of erosion during high rate sputtering, a greater thickness than at the other places. This layer thickness distribution of the target material is achieved by the field distribution of the electrolytic bath. At the edges of the body, on the other hand, the deposition rate is reduced, whereby a constantly decreasing average deposition rate with increasing exposure time of the body is effectively counteracted in the electrolysis and thus a high absolute thickness of the deposited material is achieved. Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht darin, daß die Krümmung der Fläche des Grundkörpers, die beim Hochratezerstäuben dem Substrat zugewandt ist, an allen Stellen geringer ist als die Krümmung der Magnetfeldlinien, die das Target bei seinem Einsatz in der Hochratezerstäubungsquelle durchdringen. Durch diese Maßnahme wird erreicht, daß die Lager der Erosionszone auf dem Target durch die örtlich unterschiedliche Dicke des Grundkörpers nicht in unzulässiger Weise verändert wird.Another feature of the invention is that the curvature of the surface of the body facing the substrate in high rate sputtering is lower at all points than the curvature of the magnetic field lines penetrating the target when used in the high rate sputtering source. By this measure it is achieved that the bearing of the erosion zone on the target is not changed by the locally different thickness of the body in an inadmissible manner. Die Vorteile des erfindungsgemäßen Targets werden in besonderem Maße erreicht, wenn der Grundkörper während der elektrochemischen Abscheidung des Materials mit an sich bekannten Mitteln im Elektrolysebad bewegt wird.The advantages of the target according to the invention are achieved to a particular extent when the base body is moved during the electrochemical deposition of the material by means known per se in the electrolytic bath.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2002086186A1 (en) * 2001-04-24 2002-10-31 Tosoh Smd, Inc. Target and method of optimizing target profile

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2002086186A1 (en) * 2001-04-24 2002-10-31 Tosoh Smd, Inc. Target and method of optimizing target profile
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