DD234559A3 - PRESSURE TRANSDUCER - Google Patents

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DD234559A3
DD234559A3 DD26692384A DD26692384A DD234559A3 DD 234559 A3 DD234559 A3 DD 234559A3 DD 26692384 A DD26692384 A DD 26692384A DD 26692384 A DD26692384 A DD 26692384A DD 234559 A3 DD234559 A3 DD 234559A3
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pressure
membrane
transducer
silicon
semiconductor chip
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DD26692384A
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Hans Gerd Kunze
Andreas Lippold
Matthias Thuemmler
Hans-Joachim Koehler
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Messgeraetewerk Zwonitz Veb K
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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Druckmesswandler zum Messen von absoluten Druckwerten und Differenzdruckwerten in fluessigen Medien, vorzugsweise fuer die intrakorporale Druckmessung in physiologischen Fluessigkeiten des Menschen. Sie hat das Ziel, bei geringem technologischem Herstellungsaufwand einen kleinen Linearitaetsfehler, hohe zeitliche und thermische Stabilitaet, den Schutz vor Zerstoerung und eine Vermeidung der Thrombosierung zu erreichen. Die Aufgabe besteht u. a. darin, eine ebene Druckeinleitungsflaeche zu schaffen, den unmittelbaren Kontakt der Messfluessigkeit mit dem druckempfindlichen Element zu verhindern und eine glatte, geschlossene Oberflaeche des gesamten Druckwandlers zu erreichen. Erfindungsgemaess ist der Wandler auf der Basis einer in Silizium integrierten druckabhaengigen Widerstandsstruktur aufgebaut, in dem ein abgeduennter Bereich des Siliziums als Membran dient. Das eigentliche Wandlerelement ist in einem Koerper aus hochelastischem Material mit grosser Schichtdicke eingebettet und in einem Gehaeuse untergebracht, das auf zwei gegenueberliegenden Seiten Oeffnungen aufweist. Fig. 1The invention relates to a pressure transducer for measuring absolute pressure values and differential pressure values in liquid media, preferably for intracorporeal pressure measurement in physiological fluids of humans. Its aim is to achieve a low linearity error, high temporal and thermal stability, protection against destruction and avoidance of thrombosis with low technological production costs. The task is u. a. to provide a flat pressure introduction surface, to prevent the direct contact of the measuring fluid with the pressure sensitive element and to achieve a smooth, closed surface of the entire pressure transducer. According to the invention, the transducer is constructed on the basis of a silicon-based pressure-dependent resistance structure, in which a sealed-off region of the silicon serves as a membrane. The actual transducer element is embedded in a body of highly elastic material with a large layer thickness and accommodated in a housing which has openings on two opposite sides. Fig. 1

Description

gegenüberliegenden Seiten Öffnungen aufweist. Vorzugsweise ist der Körper aus hochelastischem Material in mindestens zwei übereinanderliegenden Schichten aufgebracht, wobei die an das Halbleiterplättchen angrenzende Schicht einen Füllstoffanteil aufweist. Vorteilhafterweise findet als hochelastisches Material Silikonkautschuk Verwendung.Having opposite sides openings. Preferably, the body of highly elastic material is applied in at least two superimposed layers, wherein the adjacent to the semiconductor wafer layer has a filler content. Advantageously, silicone rubber is used as the highly elastic material.

Ausführungsbeispielembodiment

Die Zeichnung zeigt eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Druckmeßwandlers zur Druckmessung in menschlichen BlutgefäßenThe drawing shows a preferred embodiment of the pressure transducer according to the invention for pressure measurement in human blood vessels

Fig. 1: Längsschnitt durch den Druckmeßwandler Fig. 1: longitudinal section through the pressure transducer

Fig. 2: Querschnitt durch den Druckmeßwandler in der Fig. 1 angegebenen Schnittebene Für den angegebenen Anwendungsfall ist der Druckmeßwandler mit einem Katheter 1 versehen, der zur Einführung und Positionierung des Wandlers in den Blutgefäßen, der Zuführung des Referenzdruckmediums sowie der Anschlußdrähte 4 dient. Der Katheter 1 sitzt dabei auf einem Stutzen 2 fest auf, der zur Abdichtung eine Epoxydharzfüllung 3 aufweist, in der die Anschlußdrähte 4 vergossen sind. Das rohrförmige Gehäuse 5 aus Edelstahl verfügt über zwei Öffnungen 11, die an gegenüberliegenden Seiten angeordnet und so ausgeführt sind, daß das Gehäuse 5 an der Wandlerspitze in gabelförmigen, sich in axialer Richtung erstreckenden Zylinderwandsegmenten endet, die durch ein aus der Zeichnung nicht ersichtliches Querstück miteinander verbunden sind. Die Epoxydharzfüllung 3 reicht ein Stück in den rohrförmigen Teil des Gehäuses 5 hinein und verankert dort einseitig das Halbleiterplättchen 7, das aus monokristallinem Silizium mit einem dünnen/als Membran 10 ausgebildeten Mittelteil besteht, in dessen Oberfläche in Brücke geschaltete piezoresistive Widerstände eingearbeitet sind, die mit den Anschlußdrähten 4 elektrisch verbunden sind. Das Halbleiterplättchen 7 ist mit einem Gegenkörper 8 aus Silizium verklebt, der im Bereich der Membran 10 über eine Ausnehmung verfügt, so daß er zusammen mit dem Halbleiterplättchen 7 eine Kammer 12 bildet, die mit einem Referenzdruck beaufschlagbar ist. Die für die Zuführung des Referenzdruckmediums erforderliche Kanüle durch die Epoxydharzfüllung 3 ist der besseren Übersicht halber in der Zeichnung nicht dargestellt. Die gabelförmigen Enden des Gehäuses 5 sind mit einer Epoxydharzspitze 9 versehen. Die Öffnungen des Gehäuses 5 sind vollständig mit Silikonkautschuk 6 ausgefüllt, der fest an den Oberflächen der Membran 10 und des Gegenkörpers 8 haftet. Die Füllung mit dem Silikonkautschuk 6 verläuft dabei an der Oberfläche vom rohrförmigen Teil des Gehäuses 5 bis zu dessen gabelförmigen Enden mit aufgesetzter Epoxydharzspitze 9 stromlinienartig, so daß eine hydrodynamisch günstige Form und eine ebene Druckeinleitungsfläche entsteht. Der Silikonkautschuk 6 ist mit einer Schichtdicke aufgebracht, die die Membranstärke um ein Vielfaches überschreitet (Dickenverhäitnisca. 600:1). Damit ist ein ausgezeichneter mechanischer Schutz der Membran 10 des Halbleiterplättchens 7 gewährleistet. Die geringe Stoffaustauschneigung des Silikonkautschuks 6 reduziert die chemische und elektrische Beeinflussung des Halbleiterplättchens 7 durch das Meßmedium wesentlich, da in den Silikonkautschuk 6 eindringende Ionen in diesem verweilen und nach kurzer Zeit zu einem stabilen Zustand führen, wodurch sich eine hohe zeitliche Konstanz der Wandlerkennwerte, insbesondere des Nullpunktes, ergibt. Die Füllung mit Silikonkautschuk 6 verhindert ebenfalls das Eindringen von Membranbruchstücken bei Defekten in das Meßmedium, was bei medizinischen Anwendungen von außerordentlicher Bedeutung ist. Weiterhin ist eine sehr gute Wärmeisolation des Halbleiterplättchens gegeben und damit eine Unempfindlichkeit gegenüber kurzzeitigen Temperaturschwankungen. Die hydrodynamisch günstige Form und geringe Oberflächenrauhigkeit ermöglicht eine einfache Plazierung des Wandlers im Gefäß und reduziert das Absetzen von Rückständen bei strömenden Medien, wodurch im medizinischen Anwendungsfall insbesondere die Thrombenbildung bei intravasaler Druckmessung vermieden wird.1 for the specified application, the pressure transducer is provided with a catheter 1, which serves for introduction and positioning of the transducer in the blood vessels, the supply of the reference pressure medium and the connecting wires 4. The catheter 1 sits firmly on a socket 2, which has an epoxy resin filling 3 for sealing, in which the connecting wires 4 are potted. The tubular housing 5 made of stainless steel has two openings 11 which are arranged on opposite sides and designed so that the housing 5 ends at the transducer tip in fork-shaped, extending in the axial direction of the cylinder wall segments, which by a not apparent from the drawing cross-piece with each other are connected. The epoxy resin filling 3 extends a piece into the tubular part of the housing 5 and anchored there on one side of the semiconductor wafer 7, which consists of monocrystalline silicon with a thin / membrane 10 formed as a central part, in the surface of which piezoresistive resistors are incorporated in the bridge the leads 4 are electrically connected. The semiconductor chip 7 is glued to a counter body 8 made of silicon, which has a recess in the region of the membrane 10, so that it forms a chamber 12 together with the semiconductor chip 7, which can be acted upon by a reference pressure. The need for the supply of the reference pressure medium cannula through the Epoxydharzfüllung 3 is not shown for the sake of clarity in the drawing. The forked ends of the housing 5 are provided with an epoxy resin tip 9. The openings of the housing 5 are completely filled with silicone rubber 6, which adheres firmly to the surfaces of the membrane 10 and the counter body 8. The filling with the silicone rubber 6 runs on the surface of the tubular part of the housing 5 to the forked ends with attached Epoxydharzspitze 9 streamlined, so that a hydrodynamically favorable shape and a flat pressure introduction surface is formed. The silicone rubber 6 is applied with a layer thickness that exceeds the membrane thickness by a multiple (thickness ratio approximately 600: 1). This ensures excellent mechanical protection of the membrane 10 of the semiconductor chip 7. The low Stoffaustauschneigung the silicone rubber 6 significantly reduces the chemical and electrical influence of the semiconductor chip 7 by the measuring medium, as in the silicone rubber 6 penetrating ions dwell in this and after a short time lead to a stable state, resulting in a high temporal constancy of the converter characteristics, in particular of the zero point results. The filling with silicone rubber 6 also prevents the penetration of membrane fragments in case of defects in the measuring medium, which is of great importance in medical applications. Furthermore, a very good thermal insulation of the semiconductor chip is given and thus insensitivity to short-term temperature fluctuations. The hydrodynamically favorable shape and low surface roughness allows easy placement of the transducer in the vessel and reduces the settling of residues in flowing media, which in the medical application in particular the thrombus formation is avoided in intravascular pressure measurement.

Des weiteren wird die Säuberung, Desinfektion und Sterilisation erleichtert. Die durch die Öffnungen 11 ermöglichte beiderseitige Druckeinwirkung sorgt für eine stabile Lage des Halbleiterplättchens 7 und somit durch die Verhinderung einseitiger Krafteinwirkungen für den Ausschluß von Meßwertverfälschungen. Trotz der Tatsache, daß die Schichtdicke des Silikonkautschuks 6 die Membranstärke um ein Vielfaches überschreitet, hat dies überraschenderweise keinen wesentlichen Einfluß auf Übertragungsfaktor, Linearität und Hysteresefehler.Furthermore, the cleaning, disinfection and sterilization is facilitated. The two-sided pressure action made possible by the openings 11 ensures a stable position of the semiconductor chip 7 and thus by preventing unilateral force effects for the exclusion of measured value distortions. Despite the fact that the layer thickness of the silicone rubber 6 exceeds the membrane thickness by a multiple, this surprisingly has no significant influence on the transfer factor, linearity and hysteresis errors.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform ist der Silikonkautschuk in zwei übereinanderliegenden Schichten aufgebracht, wobei die in das Halbleiterplättchen angrenzende Schicht aus Silikonkautschuk mit einem ca. 10%igen Anteil aus Füllstoffen, z. B. Kreide, besteht, während es sich bei der darüberliegenden Schicht um reinen Silikonkautschuk handelt. Dies hat den Vorteil, daß eine sehr gute Haftung des Materials auf dem Halbleiterplättchen erreicht wird, während im oberflächennahen Bereich die Eigenschaften der besseren Formbarkeit, hohen Elastizität und geringen Oberflächenrauhigkeit erhalten bleiben.In a further advantageous embodiment of the silicone rubber is applied in two superimposed layers, wherein the adjacent in the semiconductor wafer layer of silicone rubber with an approximately 10% proportion of fillers, for. Chalk, while the overlying layer is pure silicone rubber. This has the advantage that a very good adhesion of the material is achieved on the semiconductor wafer, while in the near-surface region, the properties of better moldability, high elasticity and low surface roughness are maintained.

Claims (3)

Erfindungsanspruch:Invention claim: 1. Druckmeßwandler mit einem Halbleiterplättchen aus vorzugsweise monokristallinem Silizium mit einem dünnen, flexiblen, als Membran ausgebildeten Mittelteil, in dessen Oberfläche in Brücke geschaltete piezoresistive Widerstände eingearbeitet sind, wobei das Halbleiterplättchen mit einem Gegenkörper aus Silizium verbunden ist und der Gegenkörper im Bereich der Membran eine Ausnehmung aufweist, so daß er zusammen mit dem Halbleiterplättchen eine Kammer bildet, die mit einem Referenzdruck beaufschlagbar ist, gekennzeichnet dadurch, daß das Halbleiterplättchen und der Gegenkörper mit ihrem freien Ende in einem Körper aus hochelastischem Material mit geringer Oberflächenrauhigkeit und geringer Stoffaustauschneigung gegenüber dem Meßmedium eingebettet sind, dessen Schichtdicke die Membranstärke um ein Vielfaches überschreitet und das an den Oberflächen der Membran und des Gegenkörpers fest haftet, und daß sich Halbleiterplättchen und Gegenkörper in einem Gehäuse befinden, das auf zwei gegenüberliegenden Seiten Öffnungen aufweist.1. pressure transducer with a semiconductor chip of preferably monocrystalline silicon with a thin, flexible, designed as a diaphragm middle part, in the surface in piezoresistive resistors are incorporated, wherein the semiconductor chip is connected to a counter body made of silicon and the counter body in the region of the membrane Has recess so that it forms a chamber together with the semiconductor chip, which is acted upon by a reference pressure, characterized in that the semiconductor chip and the counter body with its free end embedded in a body of highly elastic material with low surface roughness and low Stoffaustauschneigung against the measuring medium are, whose layer thickness exceeds the membrane thickness many times and which adheres firmly to the surfaces of the membrane and the counter body, and that be semiconductor die and counter body in a housing be find, which has openings on two opposite sides. 2. Druckmeßwandler nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Körper aus hochelastischem Material in mindestens zwei übereinanderliegenden Schichten aufgebracht ist, wobei die an das Halbleiterplättchen angrenzende Schicht einen Füllstoffanteil aufweist.2. Pressure transducer according to item 1, characterized in that the body of highly elastic material is applied in at least two superimposed layers, wherein the adjacent to the semiconductor wafer layer has a filler content. 3. Druckmeßwandler nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß es sich bei dem hochelastischen Material vorzugsweise um Silikonkautschuk handelt.3. Pressure transducer according to item 1, characterized in that it is preferably the silicone rubber in the highly elastic material. Hierzu 1 Seite ZeichnungenFor this 1 page drawings Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention Die Erfindung betrifft einen Druckmeßwandler zum Messen von absoluten Druckwerten und Differenzdruckwerten in flüssigen Medien, vorzugsweise für die intrakorporale Druckmessung in physiologischen Flüssigkeiten des Menschen. Die Anwendung erfolgt insbesondere in der Kardiologie, der Urologie und der Gastroenterologie.The invention relates to a pressure transducer for measuring absolute pressure values and differential pressure values in liquid media, preferably for the intracorporeal pressure measurement in physiological fluids of humans. The application is particularly in cardiology, urology and gastroenterology. Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions Ein prinzipiell für das oben genannte Anwendungsgebiet geeigneter Druckmeßwandler ist in der DE-AS 2206624 beschrieben. Er verfügt über ein in einem Gehäuse abgedichtet angeordnetes Biegeelement, dessen durch Einwirkung des zu messenden Drucks verursachte Durchbiegung mittels Dehnungsmeßstreifen meßbar ist. Dertechnologische Fertigungsaufwand ist auf Grund des Aufbaus aus diskreten Elementen als verhältnismäßig hoch einzuschätzen. Das wegen der notwendigen Realisierung einer ebenen Druckeinleitungsfläche bei geringen Abmessungen des Wandlers sich zwangsläufig ergebende scharfkantige Gehäuse birgt eine Verletzungsgefahr des Patienten z. B. beim Einführen des Wandlers in die Blutgefäße in sich. Eine mögliche Ablagerung von Blutbestandsteilen kann zurThrombenbildung führen. Die Säuberung, Desinfektion und Sterilisation des Wandlers ist ebenfalls erschwert. Durch die hydrodynamisch ungünstige Form kann sich der Strömungswiderstand verfälschend auf die Druckmessungen bei strömenden Medien auswirken.A pressure transducer suitable in principle for the abovementioned field of application is described in DE-AS 2206624. It has a sealed in a housing bending element whose deflection caused by the action of the pressure to be measured by means of strain gauges can be measured. Dertechnological production costs are estimated to be relatively high due to the construction of discrete elements. The inevitably resulting because of the necessary realization of a flat pressure introduction surface with small dimensions of the transducer sharp housing contains a risk of injury to the patient z. B. during insertion of the transducer into the blood vessels in itself. Possible deposition of blood components can lead to thrombosis. The cleaning, disinfection and sterilization of the transducer is also difficult. Due to the hydrodynamically unfavorable shape, the flow resistance can have a detrimental effect on the pressure measurements in flowing media. Technologisch vorteilhafter lassen sich Druckmeßwandler auf der Basis einer in Silizium integrierten druckabhängigen Widerstandsstruktur realisieren. In der US-PS 4023562 ist ein solcher Druckmeßwandler beschrieben, der über ein Halbleiterplättchen aus Silizium mit einem dünnen, flexiblen, als Membran ausgebildeten Mittelteil verfügt, in dessen Obberfiäche in Brücke geschaltete piezoresistive Widerstände eingearbeitet sind. Das Halbleiterplättchen ist mit einem Gegenkörper aus Silizium verbunden, wobei der Gegenkörper im Bereich der Membran eine Ausnehmung aufweist, so daß er zusammen mit dem Halbleiterplättchen eine Kammer bildet, die mit einem Referenzdruck beaufschlagbar ist. Als nachteilig ist anzusehen, daß der durch das Herausätzen der Membran entstehende Hohlraum keine ebene Druckeinleitungsfläche bildet, da sich die Meßbrücke aus Schutzgründen auf der dem Meßmedium abgewandten Seite der Membran befindet. Trotz einer damit erzielten gewissen Schutzwirkung kommt es zu nachteiligen Wechselwirkungen des Meßmediums mit der Brückenstruktur, z.B. durch Eindiffundieren von Ionen in die Siliziumoberfläche, wodurch die zeitliche Stabilität verringert wird. Auf Grund der geringen Dicke der Membran ergeben sich auch negative Auswirkungen durch kurzzeitige Temperaturschwankungen. Bei Überlastung des Wandlers ist eine Zerstörung der Membran möglich, wodurch auch eine unzumutbare Gefährdung der Patienten durch den Eintritt von Membranbruchstücken in die Blutbahn besteht.More technologically, pressure transducers can be realized on the basis of a pressure-dependent resistance structure integrated in silicon. In US-PS 4023562 such a pressure transducer is described, which has a semiconductor wafer made of silicon with a thin, flexible, designed as a diaphragm middle part, in the Obberfiäche in piezoresistive resistors are incorporated. The semiconductor chip is connected to a counter body made of silicon, wherein the counter body in the region of the membrane has a recess so that it forms a chamber together with the semiconductor chip, which can be acted upon by a reference pressure. A disadvantage is to be considered that the cavity formed by the etching out of the membrane does not form a flat pressure introduction surface, since the measuring bridge is located on the side facing away from the measuring medium for protection reasons of the membrane. Despite a certain protective effect achieved therewith, adverse interactions of the measuring medium with the bridge structure, e.g. by diffusion of ions into the silicon surface, whereby the temporal stability is reduced. Due to the small thickness of the membrane, there are also negative effects due to short-term temperature fluctuations. If the converter is overloaded, destruction of the membrane is possible, as a result of which an unacceptable risk to the patient due to the entry of membrane fragments into the bloodstream exists. Ein eventuell naheliegendes Einbetten des Wandlers in ein Metallgehäuse ähnlich DE-OS 2206624 würde bei Druckbelastungen zu Lageveränderungen des Elementes im Gehäuse und damit zu einem hohen Linearitätsfehler führen.A possibly obvious embedding of the transducer in a metal housing similar to DE-OS 2206624 would lead to changes in position of the element in the housing and thus to a high linearity error under pressure loads. Ziel der ErfindungObject of the invention Die Erfindung hat das Ziel, bei geringem technologischen Herstellungsaufwand einen kleinen Linearitätsfehler, hohe zeitliche und thermische Stabilität, den Schutz vor Zerstörung und eine Vermeidung derThrombosierung zu erreichen.The invention aims to achieve a small linearity error, high temporal and thermal stability, protection against destruction and avoidance of thrombosis with low technological production costs. Wesen der ErfindungEssence of the invention Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Wandler für die intrakorporaie Druckmessung auf der Basis einer in Silizium integrierten druckabhängigen Widerstandsstru!:iurzu schaffen, in dem eil abgedünnter Bereich des Siliziums als Membran dient, wobei eine ebene Druckeinleitungsfläche geschaffen werden soll, die Lage des druckempfindlichen Elements durch Druckbelastung nicht beeinflußt werden darf, ein unmittelbarer Kontakt der Meßflüssigkeit mit dem Membranbereich verhindert wird und eine glatte, geschlossene Oberfläche des gesamten Druckwandlers erreicht wird, bei weitestgehender mechanischer Entkopplung des druckempfindlichen Elements vom Gehäuse.The object of the invention is to provide a transducer for the intracorporaie pressure measurement au f the basis of a silicon-integrated pressure-dependent Widerstandsstru !: Iurzu, in the eil thinned region of the silicon serves as a membrane, wherein a flat pressure introduction surface is to be created, the position of the pressure-sensitive element must not be affected by pressure load, direct contact of the measuring liquid is prevented with the membrane area and a smooth, closed surface of the entire pressure transducer is achieved with the greatest possible mechanical decoupling of the pressure-sensitive element from the housing. Der erfindungsgemäße Druckmeßwandler verfügt über ein Halbleiteiterplättchen aus vorzugsweise monokristallinem Silizium mit einem dünnen, flexiblen, als Membran ausgebildeten Mittelteil, in desser Oberfläche in Brücke geschaltete piezoresistive Widerstände eingearbeitet sind. Das Halbleiterplättchen ist mit einem Gegenkörper aus Silizium verbunden, wobei der Gegenkörper im Bereich der Membran eine Ausnehmung aufweist, so daß er zusammen mit dem Halbleiterplättchen eine Kammer bildet, die mit einem Referenzdruck beaufschlagbar ist.The pressure transducer according to the invention has a semiconductor conductor plate preferably made of monocrystalline silicon with a thin, flexible, designed as a membrane middle part, are integrated in the surface in bridge piezoresistive resistors. The semiconductor chip is connected to a counter body made of silicon, wherein the counter body in the region of the membrane has a recess so that it forms a chamber together with the semiconductor chip, which can be acted upon by a reference pressure. Das Halbleiterplättchen und der Gegenkörper sind mit ihrem freien Ende in einem Körper aus hochelastischem Material mit geringer Oberflächenrauhigkeit und geringer Stoffaustauschneigung gegenüber dem Meßmedium eingebettet, dessen Schichtdicke die Membranstärke um ein Vielfaches überschreitet und das an den Oberflächen der Membran und des Gegenkörpers fest haftet. Halbleiterplättchen und Gegenkörper befinden sich in einem Gehäuse, das auf zwei ·The semiconductor chip and the counter body are embedded with their free end in a body of highly elastic material with low surface roughness and low Stoffaustauschneigung against the measuring medium, the layer thickness exceeds the membrane thickness by a multiple and firmly adheres to the surfaces of the membrane and the counter body. The semiconductor chip and the counter-body are housed in a housing that
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