DD221401A1 - PROCESS FOR SURFACE STRUCTURING OF ANY MATERIALS - Google Patents
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Abstract
Das Verfahren zur Oberflaechenstrukturierung beliebiger Materialien ist z. B. fuer die Erzeugung von Leiterstrukturen im Mikrometerbereich, also in der Mikroelektronik anwendbar. Das Traegermaterial soll mit erhoehter Arbeitsproduktivitaet strukturiert werden, umstaendliche Mehrschichrittechnologien werden abgeloest. Das geschieht dadurch, dass auf die zu strukturierende Flaeche ein fuer die Laserstrahlung durchlaessiger, mit dem Strukturmaterial beschichteter Traeger in Kontakt gebracht wird, und zwar derart, dass an den durch diesen Schichttraeger hindurch belichteten Stellen durch die Energiezufuhr das Strukturmaterial vom Schichttraeger abgeloest und auf die zu strukturierende Oberflaeche uebertragen wird.The method for surface structuring of any materials is z. B. applicable for the production of conductor structures in the micrometer range, ie in microelectronics. The carrier material is to be structured with increased labor productivity, and ambitious multi-channel technologies are being replaced. This is accomplished by bringing a carrier permeable to the laser radiation, coated with the structural material, into contact with the surface to be structured, in such a way that the structural material is removed from the layer carrier by the energy supply at the points illuminated by this layer carrier to be structured surface is transferred.
Description
Verfahren zur Oberflächeiistrukturierung "beliebiger MaterialienProcess for surface structuring of "any materials
Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen von Oberflächenstrukturen auf beliebige Materialien, insbesondere zur Erzeugung von Leiterstrukturen im Mikrometerbereich für die Anwendung in der Mikroelektronik. Das Verfahren kann darüber hinaus zum Aufbringen von Zeichen, Symbolen und Schriftzügen auf Oberflächen angewendet werden.The invention relates to a method for applying surface structures to any materials, in particular for the production of conductor structures in the micrometer range for use in microelectronics. The method can also be used to apply characters, symbols and lettering to surfaces.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen Bekannt sind für die Herstellung von yum-Strukturen entweder fotochemische Verfahren (IEEE J. QiM2(1981)11O; J. QE--16(198O)1233) oder Verfahren der Elektronenstrahllithographie. Bei allen diesen Verfahren wird an definierten Stellen entweder Material aufgetragen oder abgetragen.Characteristics of the known technical solutions are known either photochemical process for the preparation of yum structures (IEEE J. QiM2 (1981) 11O; J. QE - 16 (198o) 1233) or the method of electron beam lithography. In all of these methods either material is applied or removed at defined locations.
Diese bekannten Verfahren weisen unterschiedliche Nachteile auf. Bei den fotochemischen Verfahren ist die Anfertigung und Verwendung entsprechender Masken unerläßlich, was zu einer Mehrschrittechnologie führt. Bei den materialabtragenden Verfahren mittels Elektronen- oder Laserstrahler wird mehr Material abgetragen als für die eigentliche Struktur verbleiben kann. Bei der Elektronenstrahllithographie muß außerdem die Bearbeitung im Vakuum vorgenommen werden.These known methods have different disadvantages. In the photochemical processes, the preparation and use of appropriate masks is essential, resulting in a multi-step technology. In the material-removing process by means of electron or laser emitter more material is removed than can remain for the actual structure. Electron beam lithography also requires processing in a vacuum.
U c\ Γ U c \ Γ
T tJ i.·T iJ i.
Ziel der ErfindungObject of the invention
Ziel der Erfindung ist die Erhöhung der Arbeitsproduktivität bei der Aufbringung von Strukturen auf beliebige Materialien.The aim of the invention is to increase the labor productivity in the application of structures to any materials.
Darlegung des Wesens der Erfindung Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, insbesondere bei der Herstellung von Strukturen für die Mikroelektronik im Mikrometerbereich umständliche Mehrschrittechnologien abzulösen.DISCLOSURE OF THE INVENTION The invention is based on the object, in particular in the production of structures for microelectronics in the micrometer range, to replace cumbersome multi-step technologies.
Die Lösung dieser Aufgabe gelingt mit einem Verfahren zum Aufbringen von Oberflächenstrukturen auf beliebige Materialien, insbesondere zur Erzeugung von Leiterstrukturen im Mikrometerbereich, erfindungsgemäß dadurch, daß auf die zu strukturierende Oberfläche ein für Laserstrahlung durchlässiger, mit dem Strukturmaterial beschichteter Träger derart in Kontakt gebracht wird, daß an den durch den Träger hindurch belichteten Stellen durch die Energiezufuhr das Strukturmaterial auf die zu strukturierende Oberfläche übertragen wird. Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht vor allen Dingen darin, daß die gewünschte Oberflächenstruktur sofort und ohne Zwischenschritte auf die Oberfläche aufgebracht werden kann. Dabei ist; es gleichgültig, ob es sich um graphische Symbole, wie z. B. Zahlen oder Schriftzüge handelt, oder ob die Leiterstrukturen einer miniaturisierten elektronischen Schaltung übertragen werden. Auch die Materialkombination von zu strukturierendem und Strukturmaterial spielt keine vorrangige Rolle. Die Herstellung von Oberflächenstrukturen kann, da nur die Stellen bearbeitet werden, die die Struktur tragen, mit erhöhter Bearbeitungsgeschwindigkeit erfolgen. Daraus resultiert also eine erhöhte Arbeitsproduktivität und ein reduzierter Materialverbrauch.Komplizierte Mehrschicht- oder Mehrschrittechnologien sowie die Not-The solution to this problem is achieved with a method for applying surface structures to any materials, in particular for the production of conductor structures in the micrometer range, according to the invention in that on the surface to be structured for laser radiation permeable, coated with the structural material carrier is brought into contact, that the structural material is transferred to the surface to be structured by the energy supply at the points illuminated by the carrier. Above all, the advantage of the method according to the invention is that the desired surface structure can be applied to the surface immediately and without intermediate steps. It is; It does not matter whether they are graphic symbols, such as As numbers or logos, or whether the conductor structures of a miniaturized electronic circuit are transmitted. The combination of materials to be structured and structural material does not play a primary role. The production of surface structures can be carried out at an increased processing speed, as only the points carrying the structure are processed. This results in an increased labor productivity and a reduced material consumption. Complicated multi-layer or multi-step technologies as well as the emergency
wendigkeit, die Arbeiten unter Vakuum durchzuführen, entfallen.The need to carry out the work under vacuum, eliminated.
Ausführungsbeispielembodiment
Das Wesen der Erfindung soll an einem im folgenden näher "beschriebenen Ausführungsbeispiel erläutert werden. Vorteilhafterweise wird ein kontinuierlich strahlender Laser verwendet, dessen Ablenkung z. B. rechnergesteuert erfolgen kann. Die Laserstrahlung wird durch das für die verwendete Strahlung durchlässige Trägermaterial auf die zu übertragende Schicht fokussiert. Die Ablenkung des Strahles erfolgt mit einer der jeweiligen Strukturierungsaufgabe angepaßten Empfindlichkeit und Auflösung, die natürlich bei einem Einsatz in der Mikroelektronik ein Ablenksystem mit einer Auflösung im /um-Bereich voraussetzt.The essence of the invention will be explained with reference to an embodiment described in more detail below: Advantageously, a continuously radiating laser is used whose deflection can be effected, for example, under the control of a computer The deflection of the beam takes place with a sensitivity and resolution adapted to the respective structuring task, which, of course, when used in microelectronics, requires a deflection system with a resolution in the / um range.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD25470383A DD221401A1 (en) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | PROCESS FOR SURFACE STRUCTURING OF ANY MATERIALS |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD25470383A DD221401A1 (en) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | PROCESS FOR SURFACE STRUCTURING OF ANY MATERIALS |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD221401A1 true DD221401A1 (en) | 1985-04-24 |
Family
ID=5550335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD25470383A DD221401A1 (en) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | PROCESS FOR SURFACE STRUCTURING OF ANY MATERIALS |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD221401A1 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4743463A (en) * | 1986-02-21 | 1988-05-10 | Eastman Kodak Company | Method for forming patterns on a substrate or support |
| DE19637255C1 (en) * | 1996-09-13 | 1997-12-11 | Jenoptik Jena Gmbh | Indirect laser marking of transparent material e.g. glass |
| DE19726489C1 (en) * | 1997-06-21 | 1999-02-11 | Hartmann & Braun Gmbh & Co Kg | Process for producing a mechanical connection between a thin metallic wire and a glass body |
| DE10259006A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-06-24 | Volkswagen Ag | Process for making a mark in glass |
| DE102005026038A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Boraglas Gmbh | Method for marking object surfaces |
| DE102005025982A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg | Low-E-Schichsysteme with colored structures and process for the production of the structures |
| DE102006029941A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Calyxo Gmbh | Procedure for indirect inscription of glass by passing focused laser beam of appropriate wave length through the glass on absorbing substrate such as metal/semi-metal and bringing the substrate to the upper surface of the glass |
-
1983
- 1983-09-09 DD DD25470383A patent/DD221401A1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4743463A (en) * | 1986-02-21 | 1988-05-10 | Eastman Kodak Company | Method for forming patterns on a substrate or support |
| DE19637255C1 (en) * | 1996-09-13 | 1997-12-11 | Jenoptik Jena Gmbh | Indirect laser marking of transparent material e.g. glass |
| DE19726489C1 (en) * | 1997-06-21 | 1999-02-11 | Hartmann & Braun Gmbh & Co Kg | Process for producing a mechanical connection between a thin metallic wire and a glass body |
| DE10259006A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-06-24 | Volkswagen Ag | Process for making a mark in glass |
| DE102005026038A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Boraglas Gmbh | Method for marking object surfaces |
| DE102005025982A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg | Low-E-Schichsysteme with colored structures and process for the production of the structures |
| DE102005025982B4 (en) * | 2005-06-03 | 2008-04-17 | Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg | Color-structured low-E layer systems and methods for producing the color-structured low-E layer systems and their use |
| DE102006029941A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Calyxo Gmbh | Procedure for indirect inscription of glass by passing focused laser beam of appropriate wave length through the glass on absorbing substrate such as metal/semi-metal and bringing the substrate to the upper surface of the glass |
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Legal Events
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