DD221201A1

DD221201A1 - METHOD FOR MASKLESS PRODUCTION OF CARBON LAYERS ON SUBSTRATES

Info

Publication number: DD221201A1
Application number: DD25767883A
Authority: DD
Inventors: Ulrich Wendt; Hartmut Heyse; Winfried Morgner
Original assignee: Univ Magdeburg Tech
Priority date: 1983-12-09
Filing date: 1983-12-09
Publication date: 1985-04-17

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur maskenlosen Herstellung von Kohlenstoffschichten auf Substraten, wobei ein Elektronenstrahl innerhalb einer gasdicht geschlossenen Kammer relativ zur Substratoberflaeche gefuehrt wird, beispielsweise zur Herstellung von Bausteinen der Mikroelektronik und Optik sowie von verschleissfesten bzw. harten Oberflaechen. Ziel ist ein Verfahren, das gegenueber den bekannten Verfahren einen geringeren Aufwand und einen erweiterten Anwendungsbereich aufweist. Hierzu sollen die bekannten Verfahren zur maskenlosen Herstellung von Kohlenstoffschichten derart veraendert werden, dass nur noch eine Strahlenquelle, erforderlich ist, keine Einschraenkungen hinsichtlich der Leitfaehigkeit von Schicht und Substrat bestehen und eine Beeinflussung der nicht zu beschichtenden Oberflaechenbereiche vermieden wird. Erfindungsgemaess erfolgt die Einwirkung des Elektronenstrahles auf die Substratoberflaeche in Anwesenheit von mindestens einer Kohlenstoff im Molekuel enthaltenden chemischen Verbindung. Diese wird bzw. werden bis in die Naehe der Substratoberflaeche geleitet. An der Substratoberflaeche herrscht ein Gasdruck zwischen 1,3 10 4 Pa und 1,3 kPa. Fig. 1The invention relates to a method for the mask-free production of carbon layers on substrates, wherein an electron beam is guided within a gas-tight closed chamber relative to the substrate surface, for example for the production of components of microelectronics and optics as well as wear-resistant or hard surfaces. The aim is a method that has a lower cost and a wider range of applications compared to the known methods. For this purpose, the known methods for maskless production of carbon layers are to be changed so that only one radiation source is required, no restrictions on the Leitfaehigkeit of layer and substrate and an influence on the non-coated surface areas is avoided. According to the invention, the action of the electron beam on the substrate surface takes place in the presence of at least one carbon in the chemical compound containing the molecule. This is or are passed to near the substrate surface. At the substrate surface there is a gas pressure between 1.3 10 4 Pa and 1.3 kPa. Fig. 1

Description

!Titel der ErfindungTitle of the invention

Verfahren zur maskenlosen Herstellung von Kohlenstoffschichten auf Substraten . :Method for the maskless production of carbon layers on substrates. :

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur maskehlosen Herstellung von Kohlensto ff schichten auf Substraten, vorzugsweise in Form von Mistern, Markierungen oder Dekorationen, wobei ein Elektronenstrahl innerhalb einer gas dicht geschlossenen Kammer mittels Ablenkeinheiten und Linsen relativ zur Substrat oberfläche geführt wird, beispielsweise sur Herstellung von Bausteinen der löLkroelektronik: und Optik sowie von verschleißfesten bzw. harten Oberflächen·The invention relates to a method for the maskehlosen production of Kohlensto ff layers on substrates, preferably in the form of misters, markings or decorations, wherein an electron beam within a gas tightly closed chamber by means of deflection units and lenses is guided relative to the substrate surface, for example, sur production of building blocks microelectronics: and optics as well as wear-resistant or hard surfaces ·

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Uin den hohen Aufwand der Verfahren zur Herstellung von KohIelistof f schicht en auf Substraten mit Hilfe von Masken zu verringern hat man bereits Verfahren entwickelt, bei denen das 'auf der Substrat ob er fläche gewünschte Muster der kohlenstoff ablagerung durch das gleichzeitige Beschießen des Substrates mit Ionenstrom und Elektronenstrom erreicht wird.In order to reduce the high cost of the processes for the production of carbon dioxide layers on substrates by means of masks, methods have already been developed in which the pattern of carbon deposition desired on the substrate surface is obtained by simultaneously bombarding the substrate with ion current and electron current is achieved.

So werden gemäß einer solchen Lösung (US-PS 4 086 108) bei der Herstellung dotierter Kristalloberflächen Mister dadurch erzielt, daß während der großflächigen Einwirkung von Ionenströmen auf das Substrat ein fokussierter Elektronenstrahl entsprechend dem erforderlichen Mister über die Substrat-Thus, according to such a solution (US Pat. No. 4,086,108), in the production of doped crystal surfaces, Mister is achieved by the fact that during the large-scale action of ion currents on the substrate, a focused electron beam corresponding to the required Mister on the substrate

Oberfläche geführt wird. Dabei treten Ablagerungen nur dort auf, wo der Elektronenstrahl die Ionen nicht neutralisiert.Surface is guided. Deposits occur only where the electron beam does not neutralize the ions.

Bei einem anderen maskenlosen Verfahren zur Erzeugung leitender Strukturen durch Ionenimplantation (ISD-PS 145 444) werden die zu strukturierenden Bereiche eines Halbleiters gleichzeitig mit einem Ionenstrahl und einem Laserstrahl behandelt» Dabei können Ionen- und Laserstrahl synchron über die Halbleiterfläche geführt sein oder ein intensitätsmodulierter laserstrahl verwendet werden.In another maskless method for producing conductive structures by ion implantation (ISD-PS 145 444), the regions to be structured of a semiconductor are treated simultaneously with an ion beam and a laser beam. »Ion and laser beam can be guided synchronously over the semiconductor surface or an intensity-modulated laser beam be used.

lachteilig an diesen Verfahren wipkt sich aus, daß außer dem Elektronen- bzw· li$$ßX-s\i'Telui.]n^^ätn&\!b.ea.(mäßxe. Ionenquelle 'notwendig-..ist«;..';";,; :' /,;. -'.-.-/..y-^..-:'. ; - :\r: '' ;'...:-.. ~ ' .: - _; :.. . '-·..'.With the help of this method, it is implausible that apart from the electron or liquid, the atomic ion source 'is necessary...'. . ';';,;: '/,;. -'.-.- / .. y - ^ ..-:'.; -: \ r: '';' ...: - .. ~' .: _-;:. .. '- · ..'.

Bei einem weiteren Verfahren (DE-OS 1 765 417) werden auf einem isolierenden Substrat Mister dadurch hergestellt, daß durch einen Elektronenstrahl Bereiche des Substrates negativ aufgeladen werden, und nur auf diesen Bereichen die Ablagerung der positiven Ionen des lonenstromes erfolgt, indem die durch Elektronenbeschuß negativ aufgeladenen Bereiche des Substrates den positiv geladenen;ΐeilchen des aufzudampfenden Materials ausgesetzt .weTden· - '.-'Γ-V^";'' '· :'ν . Wahrend auf der ejLnen Seite der Elektronenstrahl gleichzeitig der positiven Ionisierung des Aufdampfmaterials dient, wird andererseits innerhalb der Vakuumkammer eine zusätzliche SLnrichtung zur Erzeugung eines Äterialstrome s benötigt. Außerdem ist die Anwendung dieses Ve rf all re ns auf die Herstellung von elektrisch leitenden Strukturen auf isolierendem Material beschränkt, ;In another method (DE-OS 1 765 417) mister be prepared on an insulating substrate in that are charged by an electron beam portions of the substrate negative, and only in these areas, the deposition of the positive ions of the ionic current by the electron bombardment negatively charged regions of the substrate are exposed to the positively charged particles of the material to be evaporated. While the electron beam simultaneously serves for the positive ionization of the vapor deposition material on the one side On the other hand, within the vacuum chamber, an additional device for generating an ether current is required, Moreover, the application of this method is limited to the production of electrically conductive structures on insulating material;

Bei allen drei Verfahren wird der erzeugte Ionenstrom nicht vollständig zur Herstellung der.fester ausgenutzt sondern nur an den Oberfläohenbereichen, auf die der Elektronen- bzw, Laserstrahl auftrifft. Dadurch geht die zur Erzeugung des lonenstromes aufgebrachte Energie zu einem großen Teil ungenutzt verloren, so daß bei diesen Ve rf ahi^en zur Erzeugung einer genügend hohen lonendichte verhältnismäßig große Ionenquellen verwendet werden müssen. Dies vergrößert den gerätetechnischen Aufwand zusätzlich«In all three methods, the generated ion current is not fully utilized for the production of the solid but only at the surface areas on which the electron or laser beam impinges. As a result, the energy applied to generate the ion current is lost to a great extent unused, so that comparatively large ion sources must be used in these processes to produce a sufficiently high ion density. This additionally increases the equipment complexity "

Weiterhin ist von Wach teil, daß der Jonenstrara auch auf dpi. e nicht mit dem Elektronen- bzw. Laserstrahl su behandelnden Oberflächenbereiche auftrifft und dort unerwünschte, toils nicht behebbare 'Mate rial ve rand er -unge-n hervorruft ν Dadurch ist die Anwendung dieser Verfahren eingeschränkt, bzw· ist ein zusätzlicher Aufwand zur Beseitigung der unerwünscht en lüaterialveränderungen erforderlich. : Furthermore, Wach is part of the fact that the Jonenstrara also on dpi. e does not impinge on the surface areas treated with the electron beam or laser beam and there causes unwanted, non-recoverable material marginally ν. As a result, the application of these methods is restricted, or an additional expense for the elimination of undesirable effects required changes in the material. :

Ziel der ErfindungObject of the invention

Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur maskenlosen Herst ellung von Kohlenstoff schi chten auf Substrat en zu entwickeln, das gegenüber den " ekannten Verfahren einen geringeren Aufwand und einen erwei . erten Anwendungsbereich aufweist··The aim of the invention is to develop a process for the maskless production of carbon coatings on substrates which, compared to the known processes, has lower costs and a wider field of application.

Darlegung des Wesens der Ea indung \Explanation of the essence of the Ea indung \

Der Erfindung liegt die Aui :abe zugrunde, die bekannten Verfahren zur maskenlosen Hert ellung von Kohlenstoffschichten, vorzugsweise in Eorm von Mustern* l/Iarkierungen oder Dekorationen auf Substraten, dereirt zu verändern, daß nur noch eine Strahlenquelle, insbesondere nur noch eine Elektronenstrahlquelle erforderlich ist, keine Einschränkungen hinsichtlich der Leitfähigkeit von Schicht und Substrat bestehen und eine Beeinflussung der nicht zu beschichtenden Oberflächenbereiche vermieden wird.The invention is based on the Aui: abe to change the known methods for maskless Hert ellung carbon layers, preferably in Eorm of patterns * l / Iarkierungen or decorations on substrates, dereirt to change that only one radiation source, in particular only one electron beam source is required , there are no restrictions on the conductivity of the layer and the substrate and it is avoided to influence the surface areas that are not to be coated.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Eiiiwirkung des Elektron en strahl es auf die Substratoberfläche in Anwesenheit von mindestens einer Kohlenstoff im Molekül enthalt enden chemischen Verbindung erfolgt. Djtee chemische Verbindung bzw. chemischen.Verbindungen werden bis in die Nähe der Substrat oberfläche geleitet. Ah der Substrat oberfläche herrscht ein Gasdruck dieser Kohlenstoff im Molekül enthaltenden chemischen Verbindung bzw. Verbindungen zwischen 1,3 > 10"⁴ Pa und 1,3 kPa.According to the invention the object is achieved in that the Eiiiwirkung of the electron beam on the substrate surface in the presence of at least one carbon contained in the molecule containing chemical compound takes place. Djtee chemical compound or chemical compounds are conducted close to the surface of the substrate. Ah the substrate surface, there is a gas pressure of this chemical compound or compounds containing carbon in the molecule between 1.3> 10 " ⁴ Pa and 1.3 kPa.

Zum Schutz der den Elektronenstrahl erzeugenden Einrichtungen kann die Vakuumkammer durch ein gasdichtes Fenster unterteiltTo protect the electron beam generating means, the vacuum chamber may be divided by a gas-tight window

sein, wobei in dem Bereich, in dem der Elektronenstrahl erzeugt wirdjein geringerer Gasdruck als in dem Bereich,in dem sich das Substrat befindet, vorherrscht ,·in which, in the region in which the electron beam is generated, a lower gas pressure prevails than in the region in which the substrate is located,

Eine besondere Ausige staltung der S rf in dung sieht vor, daß die Einwirkung des Elektronenstrahls auf die Sub st ratöberfläche bei einer Elektrohenstromdichte von 1 · Ip A/m bis 1 · 10⁸ A/m und bei einer Beschleunigungsspannung von 5 kV bis 150. kV erfolgt.; Λ ·, . ;\ ' ' _;V.' ;;"''W. V_;U.l: . ;.. ...../; ·.:. ; · A special embodiment of the invention provides that the effect of the electron beam on the substrate surface at an electric current density of 1 · Ip A / m to 1 · 10 ⁸ A / m and at an acceleration voltage of 5 kV to 150. kV is done .; Λ ·,. \ ''_; V. ';;"'' W. V _; Ul:.; .. ..... /; ·.:.; ·

Ein wesentlicher Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung besteht darin, daß gegenüber den bekannt en Verfahren eine gesonderte Hilfsquelle zur Eraeugung von Ionen nicht mehr erforderlich ist. Pern er bestehen keine Einschränkungen hinsichtlich der Leitfähigkeit von Substrat bzw. ScMchi. Unerwünschte Veränderungen der nicht beschichteten Oberflächenbereiche treten nicht ein. Mit Hilfe der e:rf in dungsgemäß en Lösung ist es auch möglich, großflächige Kohlensto ff ab^ Scheidungen au erreichen. _{: ;} ·' -^:" .;;... -^: -.. ,·.-. c.'... '. '-^:: :.'. , /'" '; j - ' -ν An essential advantage of the solution according to the invention is that compared with the known methods, a separate auxiliary source for the extraction of ions is no longer required. There are no restrictions on the conductivity of the substrate or the scmchi. Undesirable changes in the uncoated surface areas do not occur. With the help of the following solution, it is also possible to obtain large-scale carbon deposits from divorce. _:; · ^'-' ;; ... ^-: - .., · .. c.. ^'-'; ...:: '.'. '/'. " j - '-ν

'Ausfuh.rungsbeis.piel · ·;. , '^'.\-'^: / '" -' :^:-^ .'; "'..-.-' ^:.'^:-:· ' ·^:.''- -. -" Das V/esen der Erfindung soll nachstehend anhand einiger Ausführungsbeispiele naher er laut ert werden* In der zugehörigen Zeichnung zeigen " \-';'^:/' '·, V- .-.;: - ; ...; .· .^{; ;}...';.-.;/' , ^: ._r.. ·.'Exportation.is · ·. ., '^' \ - ^': /':;'-^-'.: ^ '"' ..-.- ^''. ^: -: · '· ^: .''- -. - " The V / esen of the invention will be hereinafter with reference to some embodiments, he will read aloud * In the accompanying drawing show '\ -';' ^: / '' ·, V- .-.;: -; ...; · ·. ^{; ;} ... ';.-.;/', ^: . _r .. ·.

Pig. 1: die Erzeugung einer Kohl en st of fs ch ic ht auf einem_; Pig. 1: the production of a coal stef f on one _;

' ' ' Stahlsubstrat, ' '. ':.''' :-- :';';. - ..-" '-.' \ ". '·' : ;'.' ' ' ,.. ' ' ;'''Steel substrate, ''.':''': -: ';';. - ..- "'-.' \ ". '·':;'.''' , .. '';

' Pig* ^: 2: di e Erzeugung eine r Kohlen st Of f s chicht auf e irier ., Kupfer folie und/. / · '. . . .'; . '.' / '; ' ' ..';; ·\ . ·> . ;.' '.,.·: ;· V :. .'. ^:r'Pig * ^: 2: The production of a coal is done on Irish, copper foil and /. / · '. , , . '; , '.' / ';'' .. ';; · \. ·>. ;. ''., · ·:; · V:. . '. ^: r

Pig. 3v die Erzeugung einer Kohlenstoffs client auf einer: . SiIi zium scheibe. :' ·'. ' : ".'^: ..';' '".W-; '' ;^:·'.' '.,' " ^:'.::' '->:/],, Pig. 3v the generation of a carbon client on a:. Silicon disk. : '·'. ':'.' ^: .. ';' '".W-;''; ^: · '.''.,'" ^: '. ::''->: /] ,,

Gemäß Pig. 1 sind in einem ersten.Au^^isf üh rung sb ei spiel in einer Vakuumkanmer 1 eine Kathode 2 und eine Anode 3 zur Ei^- zeugung eines Elektronenstrahls 4 ang;eordnet. An einem Stut zen 5 wird eine Vakuumerzeugungsapparatur bekannter Bauart angeschlossen. Das Substrat besteht aus einem Stahlteil 6 und ist auf einer Halterung 7 befestigt. Damit kannAccording to Pig. 1, in a first embodiment, in a vacuum chamber 1, a cathode 2 and an anode 3 for generating an electron beam 4 are arranged. At a Stut zen 5 a vacuum generating apparatus of known type is connected. The substrate consists of a steel part 6 and is mounted on a holder 7. So that can

das Substrat elektrisch leitend geerdet werden« IiLn ,aus Pro-·- pan bestehender Gasstrom wird mittels eines Einleitungsroh- res 8 in die Habe der Substrat oberfläche geleitel;· Dabei; wird, V mit Hilfe eines Pe invent ils 9 der Aiasstrojii so reguliert, daß · in der Nähe der Substrat ob er fläche eih Gasdruck von 1,3 · 10 ^ Pa herrscht. Die zwischen der Ka tli ode 2 und.der Anode 3 erzeu$-the substrate is grounded in an electrically conductive manner by means of an introduction tube 8 into the substance of the substrate surface; V is regulated by means of a reservoir 9 of the Aiasstroji, so that there is a gas pressure of 1.3 · 10 ^ Pa in the vicinity of the substrate surface. The between the Ka tli ode 2 und.der anode 3 produced -

te Beschleunigungsspannung v/ird auf 2[V kV eingestellt. Bei .· - ' . L ? ' · te acceleration voltage v / ird set to 2 [V kV. At. · - '. L ? '·

einer Elektronenstromdichte von 1 · 10- A/m wird unter Einleitung des Prop an-Gas stromes der 351 ek tr on en strahl 4 auf das Substrat gericht et. lach 5 liinut en ist -eine 0,-01'^m dicke Kohl enst offs ch ic ht auf der Oberfläche des Stahlteiles £ abge-;; schieden. . - , :' " -..-:.' . ^i;. ·^:-·-·. ; ^: " " '' ;' .. " ' '.· ' ' _::·:^:': :.·^;; an electron current density of 1 · 10 A / m is the introduction of the propane gas stream of the 351 ek tr onen beam 4 on the substrate court et. laughing 5 liinut en -a is off on the surface of the steel part £ 0, -01 '^ m thick carbon enst offs ch ic ht ;; eliminated. , -,: '"-..- :. ⁱ ;. · ^: - · - ·.; ^: ""'';' : .. '' '' ·. _': ^·:'. · ^;;

Bei einem zweiten iu sfüh rung sb ei spiel . ."wi'rd ebenfalls von einer Vakuumkanmer 1 , einer Kathode 2 und; einer Anode 3 sur Erzeugung eines Elektronenstrahles 4 sö-wi.e von der Einordnung eines Stutzens 5 für den Anschluß eines Vakuumerzeuguiigsapparates und eines Einleitungsrohres 8 iirr Anschluß ah ein Feinventil 9 _: fur den Gasstrom ausgegangen. Der erzeugte Elektronenstrahl 4 wird durch eine elektronenoptische Pokussierlinse 10 auf das Substrat gerichtet. Als Substrat dient hier eine ICüpferf olie TI₅ die durch Abwickeln von einer Vorratsspule 12und Aufwickeln auf eine Auf wick el spule 13 unt er dem Elektronenstrahl 4 hindurchgeführt wird. Das Einleitimgsrohr 8 ist über das 2?einvent il 9 mit einem temperierten Vorratsgefäß 14 verbunden, das mit Benzen gefüllt ist. Durch Begulieren des Peinven-? tils 9 wird über dem Kupferblech ein Benzen·*Gasdruck von 1,3 · 10 Pa eingestellt und bei einer Beschleunigungsspannung von 10 kV und einer Elektronenstrom dichte von 1 · 10^ A/m eine Kohlenstoffschicht erzeugt. Durch die iüulvstratbewegung hat diese Kohl en st of fs chic ht die.Form einer Linie, deren Breite von der 3?okussieim:ng durch die elekbronenoptische Fo küss ie rl in se 10 und von dem Durchmesser einer oberhalb des Substrats angeordneten Xo ch blende 15 bestimmt wird., . . : .. ' \ / _; ^: . ' .' . :In a second, a game is played. "Also from a vacuum canister 1, a cathode 2 and an anode 3 sur generating an electron beam 4 sö-wi.e of the classification of a nozzle 5 for the connection of a Vakuumerzeugusigsapparates and an inlet pipe 8 ii connection ah a fine valve _.:. assumed for the gas stream of the generated electron beam 4 is directed through an electron optical Pokussierlinse 10 to the substrate as the substrate a ICüpferf olie TI ₅ serves here by unwinding from a supply reel 12and winding on an up wick el coil 13 it unt the electron beam 4 The inlet tube 8 is connected to a tempered storage vessel 14 filled with benzene via the oil inlet valve 9. By pumping the pinch valve 9, a benzene gas pressure of 1.3 × 10 above the copper sheet is produced Pa and produced at an accelerating voltage of 10 kV and an electron current density of 1 x 10 ^ A / m, a carbon layer By virtue of the oblique movement, this cabbage has the shape of a line, the width of which is of the order of magnitude through the optical-optical foil in 10, and of the diameter of an x-ray stop 15 arranged above the substrate is determined.,. , : .. '\ / _; ^: . '.' , :

Bei einem dritten Ausführungsbeispiel, bei dem wieder von der Valoiumkammer 1 mit Kathode: 2, Anode 3, Stutzen 5 .für den Vaku-In a third embodiment, in which again from the Valoiumkammer 1 with the cathode: 2, anode 3, 5 stutzen.für the vacuum

· 6 · 6

um erzeugungsapparat, erzeugt ein Sielet ionenstrahl 4, elelctro-nenoptischer Fokussierlinse 10 und lochblende 15 sowie Feinventil 9 und Sinleitungsrolii» 8 ausgegangen wird, besteht. das Substrat aus einer SiXiziumscheibe 16.;:^uoh\ liier ist das >pubstrat auf der Halterung 7 befestigt. i)ie: Löchblende 15 ist/ so gestalt et, daß sie den unteren Teil der 'Vakuumkammer 1 gegen den oberen Seil ab grenzt. JJin Gasaustaüsch ist dabei nur durch eine Bohrung 17 der 3Jochbleri4e 15 möglich· Der untere Teil der Vakuumkammer 1 , in dem sich das Substrat befindet, ist über einen weiteren Stutzeh 18 Mt: einem zweiten Vakuumerzeugungsapparat verbunden.-Dadurch ist es möglich_t in beiden Teilen der Vakuumkammer 1 unt erschiedliehe ^Drücke axtfrechtzuerhalten. Durch das Kiinleitungsrohr 8 gelangt ein mit Tetralin gesättigter Argonstrom unter dsm Brück von 1,3 · 10 - Pa auf die Oberfläche des Substrates. Bei einer Beschleunigungsspannung von 25 kV und einer ELektronenstroriidichte von 1 · 10^ A/m wird auf dem Substrat eine Kohlenstoff schicht in Form eines beliebigen jvksters erzeugt, inder/s der Elektronenstrahl 4 mit Hilfä einer Ablenkeinheit 19 entsprechend dem gewünschten Muster über'das Substrat geführt wird. ^:' .. ' '; .' ', - /^;' : --'^. .. ' /.- " 'r' ^:C""'. ^: '·" '"' ' : '' , .:: ' To generation apparatus, generates a Sielet ion beam 4, the electron optical focusing lens 10 and hole panel 15 and fine valve 9 and Sinleitungsrolii »8 is made exists. the substrate is made of a SiXiziumscheibe 16.: uoh \ liier the> pubstrat on the holder 7 is attached. i) ie: Löchblende 15 is / so designed et that it borders the lower part of the 'vacuum chamber 1 against the upper rope. The lower part of the vacuum chamber 1, in which the substrate is located, is connected via another support 18 Mt: a second vacuum generating apparatus. This makes it possible _t in both parts the vacuum chamber 1 untschiedliehe ^ pressures axxtfrechtzuerhalten. Through the introduction tube 8, an argon stream saturated with tetralin passes under the bridge of 1.3 · 10-Pa onto the surface of the substrate. At an acceleration voltage of 25 kV and an electron current density of 1 · 10 ^ A / m, a carbon layer is formed on the substrate in the form of an arbitrary vector, while the electron beam 4 is generated by a deflection unit 19 corresponding to the desired pattern over the substrate to be led. ^: '..''; . '', - / ^; ': -' ^. .. '/.- "' r ' ^: C""'. ^: ''"'"'':'' , . ::'

Claims

claim of the invention:

1. A method for ζ maskless lead · st RECOVERY _γοη; Kohleristoff r layers on substrates, preferably in Porm of misters, markings or decorations, where an electron beam inside a gas-tight sealed chamber inhe it s en and lenses relative to the subscribed surface is guided, for example, for the production of building blocks of microelectronics and optics and of materials with wear-resistant or hard surfaces, characterized in that the action of the 13 le let ro neust rallies (4) on the substrate surface in the presence of at least

'a carbon in the molecule containing chemical verb in dung e rf oil gt, di e bi s in t he Weh e de r Su bs tr at whether it is surface-passed or are being provided on the sub strate surface a gas pressure of this carbon in the Molecule-containing chemical compound or compounds between 1.3 · 10 "" ⁴ Pa and 1.3 KPa. /.-V ''.

2. The method according to item '1, characterized in that the gas pressure in the region of the substrate surface is greater ale in the region of the electron beam (4) generating device. , , ·; ; , ..

3. The method according to item 1 and 2, characterized in that

the action of the electron beam (4) on the substance

. ' '·'. 'ρ. ο

surface at an electron current density of 1 * 10 " A / m '"

f> O ...-. · · -. \

to 1 · 10 A / m and at a Besok acceleration of 5 kV to 150 kV. ; ^.

Flierzu 1 page drawings