DD207322A3 - CIRCUIT ARRANGEMENT FOR SUPPORTING FOREIGN ENVIRONMENTAL IMPACT ON SEMICONDUCTOR PICTURE DEVICES - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung findet Anwendung in der Mess-, Handhabe- und Robotertechnik und hier insbesondere bei elektrooptischen Messsystemen, die einen Ausschluss von Fremdlichteinwirkungen erfordern. Ziel der Erfindung ist die Schaffung einer elektrooptischen Messeinrichtung mit einer Strahlungsquelle als Sender und einer fotoempfindlichen nochaufloesenden Halbleiter-Abbildungseinrichtung als Empfaenger, die bei starken Fremdlichteinwirkungen mit geringem Aufwand eine zuverlaessige Signalerkennung ermoeglicht. Es ist die Aufgabe zu loesen, Moeglichkeiten fuer die Verarbeitung des optoelektronischen Sende- und Empfangssignals zu finden. Dies erfolgt, indem eine Synchronisation von Sender und Empfaenger vorgenommen wird. Durch eine neuartige getaktete Ansteuerung der Steuerelektrode wird garantiert, dass nur zum Zeitpunkt der Abstrahlung des Sendesignals auch eine Aktivierung des Sensors und Auswertung dieses Sendesignals moeglich ist. Die Fremdlichtunterdrueckung erfolgt ohne wesentlichen Mehraufwand, ist charakterisiert durch einen grossen Signal-Rausch-Abstand, besitzt eine hohe Zuverlaessigkeit und ist gekennzeichnet durch einen geringen Energieverbrauch.The invention finds application in measuring, handling and robot technology and in particular in electro-optical measuring systems which require the exclusion of external light effects. The aim of the invention is to provide an electro-optical measuring device with a radiation source as a transmitter and a photosensitive still aufaufloesenden semiconductor imaging device as a receiver that allows for strong extraneous light effects with little effort reliable signal detection. It is the task to solve, to find possibilities for the processing of the optoelectronic transmit and receive signal. This is done by a synchronization of transmitter and receiver is made. By a novel clocked control of the control electrode is guaranteed that only at the time of emission of the transmission signal and activation of the sensor and evaluation of this transmission signal is possible. The Fremdlichtunterdrueckung occurs without significant overhead, is characterized by a large signal-to-noise ratio, has a high reliability and is characterized by low energy consumption.
Description
Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Fremdlichteinwirkungen bei Halbleiter-AbbildungseinrichtungenCircuit arrangement for the suppression of extraneous light effects in semiconductor imaging devices
Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Unterdrückung einer starken Fremdlichteimvirkung bei fotoempfindlichen hochauflösenden sequentiell auslesbaren Halbleiter-Abbildungseinrichtungen.The invention relates to a circuit arrangement for suppressing strong external light effects in the case of photosensitive high-resolution sequentially readable semiconductor imaging devices.
Sie findet Anwendung in der MeS-, Handhabe- und Robotertechnik und hier insbesondere bei elektrooptischen Meßsystemen, die einen Ausschluß von Fremdlichteinwipkungen erfordern.It finds application in the MeS, handling and robot technology and in particular in electro-optical measuring systems that require the exclusion of extraneous light.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen Ein elektrooptisches Meß- oder Erkennungssystem kann im weitesten Sinne aus einer Strahlungsquelle als Sender, einem optischen Kanal und einem fotoempfindlichen Sensor als Empfänger bestehen. Die Trendentwicklung sieht einen Einsatz von hochauflösenden Halbleiter-Abbildungseinrichtungen als Empfänger vor. Solche bekannten Halbleiter-Abbildungseinrichtungen liefern eine Information über die relative Intensität der auf einen gegebenen Fotoplatz auftreffenden Strahlung im Vergleich zu anderen Fotoplätzen. Characteristic of the Known Technical Solutions An electro-optical measuring or detection system can consist in the broadest sense of a radiation source as a transmitter, an optical channel and a photosensitive sensor as a receiver. Trend development envisages the use of high-resolution semiconductor imagers as receivers. Such known semiconductor imagers provide information about the relative intensity of the radiation incident on a given photoplot compared to other photoplates.
Erfolgt nun die übertragung eines optischen Informationssignal unter Beeinflussung eines Fremdlichtpegels, so kommt es zu einer Oberlagerung des Nutzsignals und des störenden Fremdlichtpegels. Dies erschwert oder verhindert die Auswertung der am Ausgang aer Halbleiter-Abbil-If now the transmission of an optical information signal under the influence of an external light level, so it comes to a superposition of the useful signal and the interfering extraneous light level. This hinders or prevents the evaluation of aer at the output semiconductor Abbil-
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dungseinrichtung vorliegenden information. Durch eine Erhöhung der Sendeleistung und oder durch die Abschirmung des optischen Kanals vor Fremdlichtq-uelien kann unter Einschränkung und hoherr! Aufwand eine Halbleiter-Abbildungseinrichtung zur Anwendung kommen. Eine andere Möglichkeit der Fremdlichtunterdrückung wird in der Erfindungsbeschreibung DE 25 57 363 dargestellt. Dabei wird der Fremdlichtanteil als Gleichanteil bzw.. als Wechselanteil mit niedrigen Frequenzkomponenten angenommen.information device present information. By increasing the transmission power and / or by shielding the optical channel from extraneous light sources, it is possible, under restriction and higher! Expenditure of a semiconductor imaging device are used. Another possibility of extraneous light suppression is shown in the description of the invention DE 25 57 363. In this case, the extraneous light component is assumed as DC component or as AC component with low frequency components.
O Es wird vorgeschlagen, das zu übertragende optische Signal mit einer hohen Frequenz zu modulieren. Das Ausgangs-.signal der Smpfangseinbeit wird einem Demodulator über Filter zugeführt, wo eine Diskrimination hinsichtlich der Signale des Umgebungsrauschens von sehr viel niedrigeren Frequenzen als die Modulationsfrequenz erfolgt.It is proposed to modulate the optical signal to be transmitted at a high frequency. The output signal of the smelter is fed to a demodulator via filters where discrimination of the ambient noise signals occurs at much lower frequencies than the modulation frequency.
Diese Lösung basiert auf der Verwendung eines modulierten Senders und setzt voraus, daß der vorhandene Fremdlichtanteil betreffs seiner Frequenzkomponenten bekannt sein muß. Weiterhin ist der Empfang der notwendigen hohen Modu-This solution is based on the use of a modulated transmitter and assumes that the existing extraneous light component must be known as to its frequency components. Furthermore, the reception of the necessary high modu-
O lationsfrequenz beim derzeitigen Stand der Technik an Einzelempfänger gebunden. Der Einsatz von hochauflösenden Halbleiter-Abbildungseinrichtungen macht eine solche Modulationserkennung unmöglichO lationsfrequenz tied in the current state of the art to individual receivers. The use of high-resolution semiconductor imaging devices makes such modulation detection impossible
In der Erfindungsbeschreibung DE 27 02 452 wird vorgeschlagen, ein paralleles Strahlenbündel mit einem bestimmten Querschnitt auf einen Bereich des zu untersu- . chenden Objektes zu richten. Das vom Objekt reflektierte Licht wird durch eine Aufnahmeeinrichtung empfangen und anschließend ausgewertet. Dabei wird die Lichtintensität der vom Objekt reflektierten Fremdbeleuchtung kleiner der vom parallelen Strahlenbündel angenommen. Befindet sich aber eine Fremdlichtquelle im Lichtaufnahmewinkel des Empfängersystems, so wird das Erkennungsprinzip gestört. Außerdem ist die für viele Meßprinzipien gefor- In the invention description DE 27 02 452 it is proposed to investigate a parallel beam with a certain cross-section on a range of. to judge the object. The reflected light from the object is received by a receiving device and then evaluated. The light intensity of the external illumination reflected by the object is assumed to be smaller than that of the parallel radiation beam. But if there is an extraneous light source in the light receiving angle of the receiver system, the detection principle is disturbed. In addition, the many measurement principles required
»5 derte Verwendung von divergentem Licht bei der vorliegenden Erkennungseinrichtung unmöglich.It is impossible to use divergent light in the present recognition device.
Die Erfindungsbeschreibung DE 29 48 510 beinhaltet eine Anordnung zur Qualitätskontrolle. Unter Verwendung einer Halbleiter-Abbildungseinrichtung wird ein Meßsignal ge-The description of the invention DE 29 48 510 includes an arrangement for quality control. Using a semiconductor imaging device, a measurement signal is generated.
1-0 wonnen, das aus dem Informationssignal und einem Grundsignal besteht. Durch ständige Messung des Grundsignal'S1-0, which consists of the information signal and a fundamental signal. By constant measurement of the basic signal
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und deren Speicherung wird durch digitale Subtraktion des Grundsignals vom MeSsignai das MeSergebnis gebildet . Es zeigt sich aber, daS solch eine Digitalisierung und anschließende Subtraktion sehr aufwendig ist.and their storage is formed by digital subtraction of the basic signal from the MeSsignai the measurement result. It turns out, however, that such a digitization and subsequent subtraction is very expensive.
Für eine eiektrooptische Meßeinrichtung mit einer Strahlungsquelle als Sender und einer fotoempfindlichen hochauflösenden Halbleiter-Abbildungseinrichtung als Em-For an electro-optical measuring device with a radiation source as a transmitter and a photosensitive high-resolution semiconductor imaging device as an emitter
2-0 pfänger soll bei starken Fremdlichteinwirkungen mit geringem Aufwand eine zuverlässige Signalerkennung ermöglicht werden.2-0 pfänger should be possible with strong external light effects with little effort reliable signal detection.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Möglichkeiten für die Verarbeitung des optoelektronischen Sende- und Empfangssignals zu finden.The invention has for its object to find ways to process the optoelectronic transmit and receive signal.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Fremdlichteinwirkungen mit einer strahlungsempfindlichen sequentiell auslesbaren Halbleiter-Abbildungseinrichtung als Empfänger und einer Strahlungsquelle als Sender, bei der die Halbleiter-Abbildungseinrichtung eine Transportelektrode, eine Transferelektrode und eine Steuerelektrode zur Beeinflussung der Akkumulation informationstragender Ladungsträger aufweist und zur Bereitstellung des Transporttaktes und zur Schaffung der Anschlußbedingungen für die Halbleiter-Abbildungseinrichtung eine Ansteuerschaltung vorhanden ist, deren Ausgänge mit den jeweiligen Elektroden in elektrischer Verbindung stehen, dadurch gelöst, daß die Strahlungsquelle als Impulsstrahler ausgebildet ist, in dessen Energieversorgungsleitung eine Impulssteuerung mit einem Synchronisationseingang vorhanden ist, und daß von einem Taktausgang der Ansteuerschaltung eine elektrische VeT-bindung zur Steuerelektrode zu deren getakteten Steuerung besteht und der Taktausgang eine weitere elektrische Verbindung mit dem Synchronisationseingang der Impulssteuerung aufweist.The object is achieved in a circuit arrangement for suppressing external light effects with a radiation-sensitive sequentially readable semiconductor imaging device as a receiver and a radiation source as a transmitter, wherein the semiconductor imaging device comprises a transport electrode, a transfer electrode and a control electrode for influencing the accumulation of information-carrying charge carriers and Provision of the transport clock and to provide the connection conditions for the semiconductor imaging device, a drive circuit is provided, the outputs of which are in electrical communication with the respective electrodes, achieved in that the radiation source is designed as a pulse emitter, in whose power supply line a pulse control with a synchronization input is present , And that of a clock output of the drive circuit, an electrical VeT bond to the control electrode to the ge clocked control and the clock output has a further electrical connection with the synchronization input of the pulse control.
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Die Impulssteuerung kann einen Impulszähler und im Signalvveg nachfolgend einen Impulswandler enthalten. Der Synchronisationseingang der Impulssteuerung ist dann als Start/Stopp-Eingang des Impulszählers ausgebildet. Vorn Takteingang des Impulszahlers besteht eine elektrische Verbindung zu einem Taktgenerator. Besteht die Ansteuerschaltung aus einem Transportsignalgeber und einem nachfolgenden Steuerteil, so kann der Transportsignalgeber zugleich als Taktgenerator für den Impulszähler genutzt werden.The pulse control may include a pulse counter and subsequently a pulse converter in the signal path. The synchronization input of the pulse control is then designed as a start / stop input of the pulse counter. In front of the clock input of the pulse payer, there is an electrical connection to a clock generator. If the drive circuit consists of a transport signal transmitter and a subsequent control part, then the transport signal transmitter can also be used as a clock generator for the pulse counter.
Der Vorteil der Erfindung besteht darin, daß durch die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung für eine Halbleiter-Abbildungseinrichtung auch bei starken Fremdlichteinwirkungen eine zuverlässige Signalerkennung ermöglicht wird. The advantage of the invention is that a reliable signal detection is made possible by the inventive circuit arrangement for a semiconductor imaging device even with strong extraneous light.
^ 5 Die Fremdlichtunterdrückung erfolgt ohne großen Mehraufwand an schaltungstechnischen bzw. optischen Anordnungen. Damit wird ein geringer Material-, Platz- und Kostenaufwand garantiert. Die Lösung ist charakterisiert durch einen großen Signal-Rausch-Abstand, eine hohe Zuverläs-^ 5 The external light suppression takes place without much additional effort on circuitry or optical arrangements. This guarantees a low material, space and cost. The solution is characterized by a large signal-to-noise ratio, a high reliability
-^ sigkeit, einen geringen Energieverbrauch und eine sehr schnelle Bereitstellung des Inforinationssignals. Weiterhin zeigt sich, daß eine Einschränkung bezüglich des optischen Heßprinzips nicht vorliegt.low energy consumption and very fast provision of the information signal. Furthermore, it turns out that there is no restriction on the optical haptic principle.
-5 Ausführungsbeispiel -5 embodiment
Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel erläutert werdenThe invention will be explained below using an exemplary embodiment
Die zugehörigen Zeichnungen zeigen The accompanying drawings show
^ Fig. 1 Blockschaltbild der SchaltungsanordFig. 1 block diagram of Schaltungsanord
nung zum Ausführungsbeispieltion to the embodiment
Fig. 2 Impuls-Zeit-Diagramm zum AusführungsbeispielFig. 2 impulse-time diagram to the embodiment
Die im Ausführungsbeispiel verwendete strahlungsempfindliche sequentiell auslesbare Halbleiter-Abbildungsein-.richtung i als Empfänger besitzt zur ihrer Ansteuerung eine Transportelektrode, eine Transferelaktrode und eine Steuerelektrode, wobei das Eingangssignal der Steuerelek-The radiation-sensitive sequentially readable semiconductor imaging device i used as the receiver in the exemplary embodiment has a transport electrode, a transfer electrode and a control electrode for driving the latter, the input signal of the control electronics.
K) trode^g aktiv Einfluß auf die Akkumulation von infor-K) actively influences the accumulation of information
mationstragenden Ladungsträger nimmt. Somit kann als Steuerelektrode ζ.3. der in der 1, und 2. Generation der Halbleiter-Abbildungseinrichtungen als Photogateelektrode bezeichnete Anschluß dienen. Zur Bereitstellung der notwendigen Anschiußbedingungen ist der Halbleiter-Abbildungseinrichtung 1 eine Ansteuerschaltung 3, deren Ausgänge mit den jeweiligen Elektroden in .elektrischer Verbindung stehen, zugeordnet. Insbesondere muß von einem Taktausgang der Ansteuerschaltung 3 eine elektrische Verbindung zur getakteten Steuerung der Steuerelektrode vorhanden sein. Die als Sender verwendete Strahlungsquelle ist als Impuisstrahler 2 ausgebildet. In der Energieversorgungsleitung des Impulsstrahlers 2 ist eine Impulssteuerung 4 mit einem Synchronisationseingang vorhanden.mation-carrying charge carrier takes. Thus, as a control electrode ζ. 3. serve the connection referred to in the 1, and 2 nd generation of the semiconductor imaging devices as the photogate electrode. To provide the necessary Anschiußbedingungen the semiconductor imaging device 1 is a drive circuit 3, the outputs of which are in electrical connection with the respective electrodes associated. In particular, an electrical connection to the clocked control of the control electrode must be present from a clock output of the drive circuit 3. The radiation source used as a transmitter is designed as Impuisstrahler 2. In the power supply line of the pulse emitter 2, a pulse control 4 is present with a synchronization input.
Zur Kopplung-von Sender und Empfänger weist der Taktausgang der Ansteuerschaltung 3 eine weitere elektrische Verbindung mit diesem Synchronisationseingang auf. Zur Unterdrückung von Fremdlichteinwirkungen kann dieser Grundaufbau der Schaltungsanordnung bei jeder Halbleiter-Abbildungseinrichtung 1 Anwendung finden. Die Unterdrükkung basiert dabei darauf, daß nur während des Zeitabschnittes der Abstrahlung des Sendesignals durch den Impulsstrahler 2 auch eine Aktivierung des Sensors und eine damit verbundene Auswertung dieses Sendesignals möglich ist. Die Folge ist !eine wesentliche Verbesserung des Signal-Rausch-Verhältnisses. Diese Synchronisation-. von Sender und Empfänger wird durch die Anwendung der bisher nicht bekannten getakteten Steuerung der Steuerelektrode realisiert. Bei der Verwendung einer Halbleiter-Abbildungseinrichtung der 1. Generation kann somit entweder mittels der Photogateelektrode oder einer eventuell vorhandenen Anti-Blooming-Elektrode die Generationszeit der Ladungsträger und damit die Integrationszeit auf den Zeitabschnitt der Übermittlung des Sende- signals begrenzt werden. Die getaktete Steuerung der Photogateelektrods bei Halbleiter-Abbildungseinrichtungen der 2. Generation hat daaeqen auch einen wesentlichenFor coupling of transmitter and receiver, the clock output of the drive circuit 3 has a further electrical connection with this synchronization input. For suppression of external light effects, this basic structure of the circuit arrangement can be used in any semiconductor imaging device 1. The suppression is based on the fact that only during the time period of the emission of the transmission signal by the pulse emitter 2, an activation of the sensor and an associated evaluation of this transmission signal is possible. The result is a significant improvement in the signal-to-noise ratio. This synchronization. of transmitter and receiver is realized by the application of the hitherto unknown clocked control of the control electrode. When using a semiconductor imaging device of the 1st generation, the generation time of the charge carriers and thus the integration time can thus be limited to the time interval of the transmission of the transmission signal, either by means of the photo-gate electrode or a possibly present anti-blooming electrode. The clocked control of the photogate electrodes in semiconductor imaging devices of the 2nd generation also has a substantial one
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Einfluß auf die Ladungsübertragungsvorgänge dieses Sensors. Nur während der Sendezeit des Impulsstrahlers 2 erfolgt eine Akkumulation der informationstragenden Ladungsträger in der der Photogateelektrode zugeordneten Raumladungszone oder in der CCD-Schieberegisterstruktur der Halbleiter-Abbildungseinrichtung 1. Durch die gegebene Möglichkeit der Elimination der durch die Fremdlichteinwirkungen erzeugten Ladungsträger beim Ladungsübertragungsvorgang ist es hierbei vorteilhaft, während einesInfluence on the charge transfer processes of this sensor. Only during the transmission time of the pulse emitter 2, an accumulation of the information-carrying charge carriers takes place in the space charge zone assigned to the photo-gate electrode or in the CCD shift register structure of the semiconductor imaging device 1. By the given possibility of eliminating the charge carriers generated by the external light effects during the charge transfer process, it is advantageous here during one
D Meßvorganges mehrere Sendeimpulse abzustrahlen. Um dies zu realisieren, wird ohne großen Aufwand der bisherige Grundaufbau der Schaltungsanordnung weiter untersetzt.' In der Fig. 1 ist das Blockschaltbild zu diesem Ausführungsbeispiel dargestellt. Die Impulssteuerung 4 enthält dabei einen Impulszähler 7 und im Signalweg nachfolgend einen Impulswandler 8. Der Synchronisationseingang der Impulssteuerung 4 ist als Start/Stopp-Eingang des Impulszählers 7 ausgebildet. Der Takteingang des Impulszählers 7 weist eine elektrische VerbindungD Meßvorganges to emit several transmit pulses. To realize this, the previous basic structure of the circuit arrangement is further reduced without much effort. In Fig. 1, the block diagram is shown for this embodiment. The pulse control 4 contains a pulse counter 7 and the signal path below a pulse converter 8. The synchronization input of the pulse control 4 is formed as a start / stop input of the pulse counter 7. The clock input of the pulse counter 7 has an electrical connection
D zu einem Taktgenerator auf. Besteht die Ansteuerschaltung 3 aus einem Transportsignalgeber 5 und einem nachfolgenden Steuerteil S, so kann der Transportsignalgeber 5 zugleich als Taktgenerator für den Impulszähler 7 genutzt werden. ·D to a clock generator on. If the drive circuit 3 consists of a transport signal transmitter 5 and a subsequent control part S, then the transport signal generator 5 can also be used as a clock generator for the pulse counter 7. ·
Vor dem Beginn eines Meßzyklus muß am Impulszähler 7 ein Zählerstand eingestellt werden.. Die Größe des Zählsrstandes hängt einerseits von der möglichen Folgefrequenz der Übermittlung eines Sendesignals 2 durch den Impulsstrahler 2 und andererseits von der Amplitude des Aus-Before the start of a measurement cycle, a counter reading must be set on the pulse counter 7. The size of the count depends on the one hand on the possible repetition frequency of the transmission of a transmission signal 2 by the pulse emitter 2 and on the other hand on the amplitude of the output.
O gangssignals des Impulsstrahlers f, und der Erkennungsschvvelle des Sensors ab. Mit dem Start des Meßvorganges liegt das Ausgangssignal des Transportsignalgebers f^ am Eingang des Steuerteils S und am Takteingang des Impulszählers 7 vor. Im Steuerteil S werden die notwendigen Anschlußbedingungen für die Halbleiter-Abbildungseinrichtung 1, das,Eingangssignal für die Transportelektrode 0j, das Eingangssignal für die Transferelektrode 0^ und das Eingangssignal für die Steuerelektrode 0^, erzeugt. Zu einem ausgewählten Zeitpunkt erscheint an demO output signal of the pulse emitter f, and the detection of the sensor from. With the start of the measuring process, the output of the transport signal generator f ^ at the input of the control part S and the clock input of the pulse counter 7 is present. In the control part S, the necessary connection conditions for the semiconductor imaging device 1, the input signal for the transport electrode 0j, the input signal for the transfer electrode 0 ^ and the input signal for the control electrode 0 ^, generated. At a selected time appears on the
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Taktausgang der Ansteuerschaltung 3, der mit- der Steuerelektrode elektrisch verbunden ist, ein Taktsignal* Dieses schafft in car dar Steuerelektrode zugeordneten Raumladungszone die Bedingungen zur Akkumulation von informationstragenden Ladungsträgern. Gleichzeitig dient dieses Taktsignal als.Startsignal für den Impulszähler Mit Erreichen des eingestellten Zählerstandes wird am Ausgang des nachfolgenden Impulswandlers 8 ein dem Impulsstrahler 2 angepaßtes Impulssignal bereitge'stellt.Clock output of the drive circuit 3, which is electrically connected to the control electrode, a clock signal * This creates in car the control electrode space charge associated with the conditions for the accumulation of information-carrying charge carriers. At the same time, this clock signal serves as the starting signal for the pulse counter. When the set counter reading has been reached, a pulse signal matched to the pulse radiator 2 is provided at the output of the following pulse converter 8.
Damit wird der Impulsstrahler 2 kurzzeitig aktiviert und ein Sendesignal wird ausgestrahlt. Dieser Zählvorgang wird ständig wiederholt und bricht erst ab, wenn am Taktausgang der Ansteuerschaltung 3 das Taktsignal entfällt. Der Zähler wird gestoppt und eine Akkumulation und übertragung der inforraationstragenden Ladungsträger ist nicht mehr möglich. Nach Schaffung aller Anfangsbedingungen kann der Meßzyklus neu beginnen, in der Fig. 2 ist das dazugehörige Impuls-Zeit-Oiagramm dargestellt. Mit dieser Schaltungsanordnung kann mit einem geringen Aufwand eins wesentliche Vergrößerung des Signal-Raüsch-Abstandes und damit eine wirksame Unterdrükkung der Fremdlichteinwirkungen erfolgen.Thus, the pulse emitter 2 is briefly activated and a transmission signal is emitted. This counting process is repeated continuously and stops only when the clock signal of the drive circuit 3 is omitted. The counter is stopped and an accumulation and transfer of the inforraation-carrying charge carriers is no longer possible. After creation of all initial conditions, the measurement cycle can begin again, in Fig. 2, the associated pulse-time diagram is shown. With this circuit arrangement can be done with a little effort one significant increase in the signal-ruffling distance and thus an effective suppression of extraneous light.
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Claims (3)
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| DD207322A3 true DD207322A3 (en) | 1984-02-22 |
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Family Applications (1)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ENJ | Ceased due to non-payment of renewal fee |