DD148696A1

DD148696A1 - ARRANGEMENT OF PARALLEL-SWITCHED HALF-LEAD VALVES OF CONNECTED BRIDGE BRANCHES OF AN INVERTER

Info

Publication number: DD148696A1
Application number: DD21847880A
Authority: DD
Inventors: Gunter Hornig
Original assignee: Gunter Hornig
Priority date: 1980-01-16
Filing date: 1980-01-16
Publication date: 1981-06-03

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung parallelgeschalteter mit Halbleiterventilen bestueckter Brueckenzweige eines mittels fluessiger Medien gekuehlten Wechselrichters hoeherer Frequenz. Ziel der Erfindung ist es, die Stromverteilung in den Stromschienen und in den Brueckenzweigen wesentlich zu verbessern. Aufgabengemaesz ist dies durch eine raeumlich guenstigere Anordnung dieser Elemente zu erreichen. Erfindungsgemaesz wird diese Aufgabe dadurch geloest, dasz die Gleichstromschienen um den Platzbedarf zweier Halbleiterventile zueinander seitlich versetzt, jedoch symmetrisch zu den Laststromschienen angeordnet sind und dasz die Halbleiterventile jeder der parallelgeschalteten Brueckenzweige in einer horizontalen Ebene an beiden Auszenkanten der Gleichstrom- und Laststromschienen liegen und dasz die beiden innen befindlichen Halbleiterventile der einen Laststromschiene und je einer Gleichstromschiene und die beiden auszen befindlichen Halbleiterventile der anderen Laststromschiene und ebenfalls je einer Gleichstromschiene zugeordnet sind. Die Anwendung der Erfindung erfolgt vorzugsweise in Wechselrichtern, die mit einer Betriebsfrequenz von 500 Hz und hoeher arbeiten.The invention relates to an arrangement of parallel connected with semiconductor valves bridge branches of a cooled by means of liquid media inverter higher frequency. The aim of the invention is to significantly improve the power distribution in the busbars and in the bridge branches. Taskgemaesz this is achieved by a spatially favorable arrangement of these elements. According to the invention, this object is achieved by laterally displacing the DC bus bars by the space requirements of two semiconductor valves, but placing them symmetrically with respect to the load bus bars and by placing the semiconductor valves of each of the parallel connected bridge arms in a horizontal plane on both edges of the DC and load bus bars; two internal semiconductor valves of a load busbar and a respective DC bus and the two auszen semiconductor valves of the other load busbar and are also each associated with a DC bus. The application of the invention is preferably carried out in inverters operating at an operating frequency of 500 Hz and higher.

Description

Zustellung ^^bevollmächtigter Pat.-rlng. Ernst Y/ünschigDelivery ^^ authorized Pat.-rlng. Ernst Y / unwanted

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Anordnung parallelgeschalteter mit Halbleiterventilen bestückter Brückenzweige eines WechselrichtersArrangement of parallel-connected bridge branches of an inverter fitted with semiconductor valves

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

H 02 M 7/08H 02 M 7/08

Die Erfindung betrifft eine Anordnung parallelgeschalteter mit Halbleiterventilen bestückter Brückenzweige eines mittels flüssiger Medien gekühlten Wechselrichters höherer Frequenz, bei dem Gleichstromschienen und Laststromschienen räumlich im wesentlichen parallel und elektrisch voneinander isoliert als tragendes Gerüst angeordnet sind und die 3ckpunkte der Brücken bilden, zwischen denen die Halbleiterventile derart angebracht sind, dal: die bei Stromfluß entstehende elektromagnetische Feldwirkung in den Brückenzv/eigen weitgehend aufgehoben wird.The invention relates to an arrangement of parallel-connected with semiconductor valves bridge branches of a liquid medium cooled inverter of higher frequency, in the DC busbars and load busbars spatially substantially parallel and electrically isolated from each other as supporting framework are arranged and form the 3ckpunkte the bridges, between which the semiconductor valves mounted in such a way in that: the electromagnetic field effect arising in the course of current flow is largely canceled out in the bridge circuit.

Die Anwendung erfolgt vorzugsweise in 7/echselrichtern, die mit einer Betriebsfrequenz von 500 Hz und höher arbeiten.The application is preferably carried out in inverters operating at an operating frequency of 500 Hz and higher.

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Um die statische und vor allem die dynamische Stromaufteilung parallel geschalteter Halbleitervenbile günstig zu beeinflussen, ist die elektrische Verbindung der Bauelemente untereinander sowie ihre geometrische Zuordnung sehr wesentlich. Das trifft vor allem dann zu, wenn die Betriebsfrequenz der Leistungshalbleiter und damit auch die Stromänderungsgeschwindigkeit in den Stromschienen größer als bei üblicher Netzfrequenz ist.In order to favorably influence the static and above all the dynamic current distribution of parallel-connected semiconductor valves, the electrical connection of the components to one another and their geometric assignment are very important. This is especially true when the operating frequency of the power semiconductors and thus the rate of change of current in the busbars is greater than at the usual network frequency.

In bekannten Anordnungen flächenhafter Stromleiter mit parallel geschalteten Halbleiterventilen bilden die Stromschienen als Samraelschienen ein Gerüst. In dieses Gerüst sind die Halbleiterventile vorzugsweise Thyristoren, so in einer vertikalenIn known arrangements of planar conductors with parallel-connected semiconductor valves, the busbars form a framework as Samarra rails. In this framework, the semiconductor valves are preferably thyristors, so in a vertical

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Ebene angebracht, daß in einem Viertel des gesamten Gerüstfeldes die parallelen Thyristoren eines Brückenzweiges mit ihren Stromflaßbahnen parallel zueinander angeordnet sind. In den anderen Vierteln des Feldes liegen jeweils in entsprechender Anordnung die parallelen Stromflußbahnen der anderen Brükkenzweige, d.h., ,je Quadrant des Gerüstfeldes liegt ein paralleler Zweig. Die Anordnungen werden sprossenartig (DS-PS 1 073 609), kammerartig (DE-AS 1 263 919) oder gitterförmig (DE-OS 14 3Ö 602) aufgebaut. Es zeigt sich aber, daß in diesen Anordnungen, unabhängig von der Lage der Einspeise- und/oder Entnahmepunkte des Speise- bzw. Laststromes, sich der Strom auch dann nicht gleichmäßig auf die parallelgeschalteten Halbleiterventile verteilt, wenn diese nach ihren elektrischen Durchlaßeigenschaften ausgesucht wurden. Die Stromverteilung auf die einzelnen parallelen Stromflußbahnen eines Brückenzweiges erfolgt dabei derart, daß die an einer Laststromschiene befindlichen Thyristoren benachbarter Quadranten, die in räumlich benachbarter Lage unterschiedlichen Brückenzweigen angehören, einen höheren Strom aufnehmen, als die Thyristoren, die in räumlich entfernter Lage den beiden Brückenzweigen angehören.Plane attached that in one quarter of the entire framework field, the parallel thyristors of a bridge branch are arranged with their Stromflaßbahnen parallel to each other. In the other quarters of the field are in each case arranged in a corresponding arrangement, the parallel current flow paths of the other Brükkenzweige, that is, per quadrant of the framework field is a parallel branch. The arrangements are rung-like (DS-PS 1 073 609), chamber-like (DE-AS 1 263 919) or grid-shaped (DE-OS 14 3Ö 602) constructed. It turns out, however, that in these arrangements, irrespective of the location of the feed and / or extraction points of the load current, the current does not distribute evenly among the parallel-connected semiconductor valves even when selected for their electrical breakdown characteristics. The current distribution to the individual parallel current flow paths of a bridge branch takes place in such a way that the thyristors of neighboring quadrants located on a load busbar which belong to different bridge branches in a spatially adjacent position receive a higher current than the thyristors which belong to the two bridge branches in a spatially remote location ,

Ursache dieser Erscheinung ist die elektromagnetische V/echselwirkung zwischen den parallelen Stromflußbahnen der einzelnen Brückenzweige im Gerüst der Stromschienen. Diese Erscheinung tritt um so stärker auf, je größer die Anzahl der in einem Brückenzweig parallel~eschalteten Halbleiterventile und/oder je höher die Betriebsfrequenz und damit das di/dt der Halbleiterventile ist. Hierbei wird vor allem die dynamische Stromaufteilung beeinflußt. Diese auftretende ungleichmäßige Stromverteilung muß insbesondere beim Ersatz defekter Halbleiterventile durch Aussuchen dieser Ventile beachtet werden. Besonders nachteilig wirkt sich außerdem eine notwendige, 10 bis 25% betragende, Überdimensionierung der Brückenschaltung aus, die mit höherem Llaterialauiwand und damit auch höheren Kosten verbunden ist.The cause of this phenomenon is the electromagnetic interaction between the parallel current flow paths of the individual bridge branches in the framework of the busbars. This phenomenon occurs all the more, the greater the number of semiconductor valves connected in parallel in a bridge branch and / or the higher the operating frequency and thus the di / dt of the semiconductor valves. In this case, especially the dynamic current distribution is influenced. This occurring uneven power distribution must be taken into account in particular when replacing defective semiconductor valves by selecting these valves. Particularly disadvantageous also affects a necessary, 10 to 25% amount, over-dimensioning of the bridge circuit, which is associated with higher Llaterialauiwand and thus higher costs.

In einer anderen Anordnung (DE-OS 15 63 270) sind in einem annähernd koaxialen Aufbau eines Schienenpakets für die parallelen Stromflußbahnen eines Brückenzweiges drei Schienen mitIn another arrangement (DE-OS 15 63 270) are in an approximately coaxial structure of a rail package for the parallel current flow paths of a bridge branch three rails with

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Hin- and Sückleiter aufgewendet. Damit v/ird einerseits zwar die elektromagnetische 7/echselwirkung zwischen den parallelen Stromflußbahnen eingeschränkt, andererseits aber ein hoher technisch-ökonomischer Aufwand bezüglich des Schienenpaketes getrieben und damit erheblich mehr Platz beansprucht. Für die Anordnung der Stromschienen und der parallelen Halbleiterventile wird gemäß DE-OS 25 07 316 vorgeschlagen, die Halbleiterventile im Gerüst der vier Schienen eines 7/echselrichters in einer vertikalen Ebene so anzuordnen, daß untereinander die zu einer der Speiseschienen zugehörigen Ventile angebracht sind und jeweils unterschiedlichen Brückenzv/eigen angehören. Die parallelen Ventile in den beiden unterschiedlichen Zweigen wechseln sich in vertikaler Sichtung ab. Nachteilig wirkt sich diese Anordnung bei schmalen oder tiefen Schränken aus, da dieser LösungS'.veg konstruktiv nur einen vorgegebenen Aufbau zuläßt. Außer der ungünstigen Platzausnutzung v/erden die für Mittelfrequenzanwendungen notwendigen breiten und flachen Laststromschienen bei dieser Anordnung nicht ausgenutzt. Elektromagnetische Felder im nichtstationären Betriebsfall, die sich nur im Bereich der Stroailußbahnen an der Plusschiene oder der Minusschiene ausbilden, können nicht kompensiert werden.Back and uppers spent. Thus on the one hand the electromagnetic interaction between the parallel current flow paths is restricted on the one hand, but on the other hand a high technical and economic effort is made with respect to the rail package and thus considerably more space is required. For the arrangement of the busbars and the parallel semiconductor valves is proposed according to DE-OS 25 07 316, to arrange the semiconductor valves in the framework of the four rails of a 7 / echselrichters in a vertical plane so that the associated with one of the feed rails valves are mounted and each belong to different bridge / own. The parallel valves in the two different branches alternate in vertical sighting. The disadvantage of this arrangement affects narrow or deep cabinets, since this solution S'.veg structurally allows only a predetermined structure. Apart from the unfavorable space utilization, the wide and flat load busbars required for medium frequency applications are not utilized in this arrangement. Electromagnetic fields in non-stationary operation, which form only in the area of the Stroailußbahnen on the plus rail or the negative rail can not be compensated.

Ziel der ErfindungObject of the invention

Ziel der Erfindung ist es, die Stromverteilung sowohl in den Stromschienen wie auch in den Brückenzweigen wesentlich zu verbessern.The aim of the invention is to significantly improve the power distribution both in the busbars as well as in the bridge branches.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine räumliche Anordnung der Stromschienen und der Halbleiterventile in Brückenschaltung zu finden, mit der eine gleichmäßigere Stromverteilung erreichbar ist.The invention has for its object to find a spatial arrangement of the busbars and the semiconductor valves in bridge circuit, with a more uniform current distribution can be achieved.

Erfindungsgeniäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die Gleichstromschienen um den Platzbedarf zweier Halbleiterventile zueinander seitlich versetzt, jedoch symmetrisch zu den Last— Stromschienen angeordnet sind und daß die Halbleiterventile jeder der parallelgeschalteten Brückenzweige in einer horizontalen Ebene an beiden Außenkanten der Gleichstrom- und Laststrom-Erfindungsgeniäß this object is achieved in that the DC bus bars laterally offset by the space requirement of two semiconductor valves, but are arranged symmetrically to the load busbars and that the semiconductor valves of each of the parallel-connected bridge arms in a horizontal plane at both outer edges of the DC and load current

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schienen liegen und daß die oeiden innen befindlichen tialbieiterventile der einen Laststromschiene and je einer Gleichstromschiene und die beiden außen befindlichen Halbleiterventile der anderen Lasts tr oinschiene und ebenfalls je einer G-leichstromschiene augeordnet sind«,rails and that the tippers located on the inside are of one load bus bar and each of a DC bus bar and the two external semiconductor valves of the other load bus bar and also each one G bus bar

In dieser Anordnung der Stromschienen und Halbleiterventile ist die Stromrichterschaltung durch örtliche Anordnung der zugehörigen Halbleiterventile so aufgelöst, daß nicht mehr die parallel liegenden Ventile des Brückenzweiges örtlich benachbart angeordnet sind, sondern daß in den horizontalen Ebenen die Ventile der Senkrechten der Wechselrichterbrücke abwechselnd liegen und in der vertikalen Ebene jeweils die der Plus- bzw. Minusschiene zugeordneten Ventile sich abwechseln. Auf diese Weise wird die Brückenschaltung so aufgelöst, daß in einer horizontalen Ebene immer eine komplette Brücke gebildet wird und sich in der nächsten Ebene die parallelgeschalteten Ventile wieder zu einer Brücke anschließen. Zur konstruktiv günstigen Realisierung der Anordnung werden vorteilhafterweise die Plus- und Minusschienen der Einspeisung des Wechselrichters als Winkel- oder U-Profile ausgebildet und die Laststromschienen entweder als U-Profil oder als Flachschiene ausgeführt. Die günstige Wirkung dieser Anordnung bezüglich der Stromaufteilung zwischen den parallelgeschalteten Halbleiterventilen ergibt sich aus der gegenseitigen elektromagnetischen Beeinflussung. Im Kommutierungsfall fließen die Ströme in den benachbarten Stromflußbahnen jeweils entgegengerichtet, das erzeugte Ivlagnetfeld vom abkommutierenden Strom beeinflußt in bekannter Weise durch die induzierte Spannung im Nachbarpfad einen Strom in Flußrichtung. Infolge der entgegengesetzten Magnetfelder, sowohl in der horizontalen wie auch in der vertikalen Ebene, wird diese Beeinflussung jedoch weitgehend aufgehoben. Die dynamische und damit die statische Stromaufteilung wird deshalb durch die vorgeschlagene Anordnung entscheidend verbessert.In this arrangement, the busbars and semiconductor valves, the power converter circuit is resolved by local arrangement of the associated semiconductor valves so that no longer the parallel valves of the bridge branch are spatially adjacent, but that in the horizontal planes, the valves of the vertical of the inverter bridge are alternately and in the vertical plane respectively associated with the plus and minus rails associated valves. In this way, the bridge circuit is resolved so that in a horizontal plane always a complete bridge is formed and connect in the next level, the parallel valves back to a bridge. For structurally favorable realization of the arrangement advantageously the plus and minus rails of the feed of the inverter are designed as angle or U-profiles and the load busbars designed either as a U-profile or as a flat rail. The favorable effect of this arrangement with respect to the current distribution between the parallel-connected semiconductor valves results from the mutual electromagnetic interference. In Kommutierungsfall the currents in the adjacent current flow paths flow in opposite directions, the generated Ivlagnetfeld from the commutating current influenced in a known manner by the induced voltage in the neighboring path a current in the flow direction. Due to the opposite magnetic fields, both in the horizontal and in the vertical plane, this influence is largely offset. The dynamic and thus the static current distribution is therefore significantly improved by the proposed arrangement.

Ist zur Erzielung einer höheren Leistung des Wechselrichters eine Vielzahl von parallelgeschalteten Halbleiterventilen nötig, so wird zwecks günstiger Saumausnutzung spiegelbildlich zu den Lastscromschienen ein zweites Paar GleichstromschienenIf a large number of parallel-connected semiconductor valves is required to achieve a higher power of the inverter, a second pair of DC busbars will be mirrored to the loadcrystrains for the purpose of favorable seam utilization

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symmetrisch, zu den Laststromschienen vorgesehen und die HaIbleiterventile in den entstehenden vertikalen und horizontalen Ebenen wie bereits beschrieben angeordnet.symmetrical, provided to the load busbars and the HaIbleiterventile arranged in the resulting vertical and horizontal planes as already described.

Ausführungsbeispielembodiment

Anhand von Ausführungsbeispielen soll die Erfindung näher erläutert werden. Es stellen darBased on embodiments, the invention will be explained in more detail. It represents

Fig. 1: Bekannte Brückenschaltung eines WechselrichtersFig. 1: Known bridge circuit of an inverter

Fig. 2: Konstruktive Anordnung der Halbleiterventile und Stromschienen der Brückenschaltung gemäß Fig. 1 mit mehreren parallelgeschalteten Ventilen je BrückenzweigFig. 2: Constructive arrangement of the semiconductor valves and busbars of the bridge circuit of FIG. 1 with several parallel valves per bridge branch

Fig. 3i eine Ausfuhrungsform der Stromschienen und Halbleiterventile in Draufsicht3i an embodiment of the busbars and semiconductor valves in plan view

Fig. 4: Anordnung von einem Paar Laststromschienen und zwei Paar Gleichstromschienen in Draufsicht und schematischer Darstellung der HalbleiterventileFig. 4: Arrangement of a pair of load busbars and two pairs of DC busbars in plan view and schematic representation of the semiconductor valves

In Fig. 1 sind als Halbleiterventile 5» б, 7 und 8 einer Brükkenschaltung Thyristoren eingesetzt. Die Anordnung der Thyristoren 5 und 7 sind gemeinsam an der positiven Gleichstromschiene 1, die Katoden der Thyristoren б und 8 gemeinsam an der negativen ü-leichstromschiene 2 angeschlossen, während die anderen Anschlüsse der Thyristoren 5 und 8 an die Laststromschiene 3 und die anderen Anschlüsse der Thyristoren 6 und 7 an die Laststromschiene 4 gelegt sind. Die Gleichsuromschienen 1 und 2 sind jeweils über eine Drossel 9 ^i^ dem entsprechenden Plus- bzw. LIinuspol einer Gleichstromquelle verbunden. Die Laststromschienen 3 und Ц- sind mit einem Parallelschv/ingkreis aus Kondensator 10 und der Ofenspule 11 zusamaengeschaltet. Die Anlage dient beispielsvveise zur induktiven Erwärmung von elektrisch leitenden Y/erkstoffen.In FIG. 1, thyristors are used as semiconductor valves 5, 6, 7 and 8 of a bridge circuit. The arrangement of the thyristors 5 and 7 are connected in common to the positive DC rail 1, the cathodes of the thyristors б and 8 together on the negative ü-bus bar 2, while the other terminals of the thyristors 5 and 8 to the load busbar 3 and the other terminals of Thyristors 6 and 7 are placed on the load busbar 4. The Gleichsuromschienen 1 and 2 are each connected via a throttle 9 ^ i ^ the corresponding plus or LIinuspol a DC power source. The load busbars 3 and Ц- are connected together with a parallel circuit of capacitor 10 and the furnace coil 11. The system is used, for example, for the inductive heating of electrically conductive Y / erkstoffen.

Die Thyristoren werden in bekannter V/eise so gesteuert, daß jeweils um 180° elektrisch gegeneinander phasenverschoben die Thyristoren 5 und 6 und die Thyristoren 7 und 8 den Speisestrom führen. In den Laststromschienen 3 und Ц- ergibt sich dann ein Wechselstrom, dessen Frequenz von der Zündfrequenz der Thyristorsteuerurig vorgegeben ist. Im Kosnutiorungszeitpunlct sind kurzfristig alle vier Brückenzweige leitend und es ergibt sicn,The thyristors are controlled in a known manner in such a way that the thyristors 5 and 6 and the thyristors 7 and 8 carry the supply current in phase opposition by 180 °. In the load busbars 3 and Ц- then results in an alternating current whose frequency is predetermined by the ignition frequency of Thyristorsteuerurig. In the Kosnutiorzeitpunlct short term all four bridge arms are conductive and it results sicn,

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bei der Stromkommutierung von den Thyristoren 7, 8 auf die Thyristoren 5, 6, der in ifig. 1 durch Pfeile gekennzeichnete S"cromverlauf durch die Thyristoren.in the current commutation of the thyristors 7, 8 to the thyristors 5, 6, in ifig. 1 marked by arrows S "cromverlauf through the thyristors.

In Pig· 2 ist in einer schematischen Darstellung aie räumliche Lage der Gleich- und Laststromschienen gezeigt. Sie sind parallel zueinander so angeordnet, daß die Gleichstromschienen 1 und 2 und die Laststromschienen 3 und 4 jeweils als Schienenpakete ausgebildet und elektrisch, beispielsweise mittels Hartpapier, voneinander isoliert sind. Zwischen die beiden Schienenpakete sind die Thyristoren der Brückenzweige eingebracht. Ss ergibt sich ein kastenförmiger Aufbau mit je einer vertikalen Ebene zu beiden Seiten der Stromschienen und horizontalen Ebenen entsprechend der parallelgeschalteten Ventilzweige. Die Gleichstromschienen 1 und 2 sind so zu einem Schienenpaket zusammengefaßt, daß sie bei gleicher Breite um den Platzbedarf zweier Thyristoren zueinander seitlich verschoben sind. Von den zwei in einer horizontalen лЪепе auf je einer Gleichstromschiene nebeneinander angeordneten Thyristoren sind die beiden innen befindlichen Thyristoren б und 7 an die innere Laststromschiene 4 und die beiden außen befindlichen Thyristoren 5 und 8 an die äußere Laststromschiene angeschlossen. Die Laststromschienen 3 und Ц- sind so ausgebildet, daß die äußere Laststromschiene 3 breiter als die innere Laststromschiene 4 ist. Durch diese Maßnahmen wird eine horizontale Ebene mit den vier Thyristoren 5, 6, 7 u.nd 8 der Brücke erreicht.In Pig. 2, the spatial position of the DC and load busbars is shown in a schematic representation. They are arranged parallel to each other so that the DC busbars 1 and 2 and the load busbars 3 and 4 are each formed as rail packages and electrically, for example by means of hard paper, are insulated from each other. Between the two rail packages, the thyristors of the bridge arms are introduced. Ss results in a box-shaped structure, each with a vertical plane to both sides of the busbars and horizontal planes corresponding to the parallel-connected valve branches. The DC busbars 1 and 2 are combined to form a rail package that they are mutually laterally shifted with the same width to the space requirement of two thyristors. Of the two in a horizontal лЪепе on a DC bus side by side arranged thyristors, the two internal thyristors б and 7 are connected to the inner load busbar 4 and the two outer thyristors 5 and 8 to the outer load busbar. The load busbars 3 and Ц- are formed so that the outer load busbar 3 is wider than the inner load busbar 4. Through these measures, a horizontal plane with the four thyristors 5, 6, 7 u.nd 8 of the bridge is achieved.

In der Fig. 3 ist die gleiche Anordnung dargestellt, jedoch sind hier die beiden Gleichstromschienen 1 und 2 an je einer Längsseite abgewinkelt. Die innere Laststromschiene 4 hingegen ist an beiden Längsseiten u-förmig abgewinkelt worden. Durch diese Maßnahmen wird eine höhere festigkeit aber auch eine bessere Hantierbarkeit erreicht.In Fig. 3, the same arrangement is shown, but here the two DC busbars 1 and 2 are angled on one longitudinal side. The inner load busbar 4, however, has been angled U-shaped on both sides. By these measures, a higher strength but also a better handling capability is achieved.

Im Kommutierungszeitpunkt bildet sich der durch Pfeile gekennzeichnete Stromverlauf durch die Thyristoren 5_t 6, 7 und 8 heraus. Durch den annähernd koaxialen Aufbau des Wechselrichters erfolgt die Beeinflussung der Magnetfelder der Thyristorstrombahnen dabei sowohl in horizontaler, als auch in vertikaler Ebene mit dem Erfolg, daß sich bei Stromanderungen im Konmutierungsintervail die dynamische Stromaufteilung zwischen denAt commutation, the current waveform indicated by arrows forms through the thyristors 5 _t 6, 7 and 8 out. Due to the approximately coaxial structure of the inverter influencing the magnetic fields of the thyristor current paths takes place both in the horizontal, and in the vertical plane with the result that the current distribution in Konmutierungsintervail the dynamic current distribution between the

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parallelen Halbleiterventilen jedes Brückenzweiges gegenüber anderen Anordnungen^bedeutend verbessert.Parallel semiconductor valves of each bridge branch compared to other arrangements ^ significantly improved.

Für eine höhere Anzahl paralleler Ventile je Brückenzvveig ist es zur Ausnutzung eines gegebenen Schrankvolunens günstig, ein zweites Schienenpaket Gleichstromschienen 1 und 2 spiegelbildlich zu den Laststromschienen 3 und 4- nach Fig. A- vorzusehen. Der Aufbau und die Wirkung ist analog wie oben bei Fig. 2/Fig. beschrieben.For a higher number of parallel valves per Brückenzvveig it is convenient to use a given cabinet volume to provide a second rail package DC busbars 1 and 2 mirror images of the load busbars 3 and 4- of Fig. A-. The structure and the effect is analogous to the above in FIG. 2 / FIG. described.

Die elektrische Stromzuführung an die Gleichstromschienen erfolgt vorteilhafterweise an dem einen Ende jeder Schiene, die Abführung des Laststromes von den Laststromschienen am entgegengesetzten Ende. Damit wird erreicht, daß bezüglich jedes Halbleiterventils der Parallelschaltung gleiche Leitungslängen eingehalten werden.The electrical power supply to the DC rails is advantageously carried out at one end of each rail, the removal of the load current from the load busbars at the opposite end. This ensures that the same line lengths are maintained with respect to each semiconductor valve of the parallel connection.

Claims

21 84 7 8 · * Claim for invention

1. Arrangement of parallel-connected semiconductor branches of a liquid-cooled higher frequency inverter in which DC busbars and load busbars are spatially substantially parallel and electrically isolated from one another as supporting framework and form the vertices of bridges, between which the semiconductor valves are mounted such in that the stray current rails (1, 2) are offset laterally relative to each other by the space requirement of two semiconductor valves (5>6;7; 4) and that the semiconductor valves (.5; 6; 7 »ö) of each branched bridge branch in a horizontal plane are at both outer edges of the ü ( 2) and load (strom ) busbars; Beiden-) and that both inside oeiindlichea semiconductor valves (5; ö) of a Lasustromschiene (3) and each of a DC busbar (1; 2) and the two outer semiconductor valves (6; 7) of the other load busbar (4) and also each of a DC bus (1, 2) are assigned.

2. Arrangement according to item 1, characterized in that the DC busbars (1, 2) and / or the load busbars (3, 4) are angled at least on one of its two longitudinal sides ·

3. Arrangement according to item 1 and 2, characterized in that symmetrically to the load busbars (3; 4) further two DC busbars (1; 2) are provided and are electrically interconnected in the same way as in item 1 with the load busbars (3; 4 ·).

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