DD139137A1 - Verfahren zur reaktiven elementzerstaeubung mit hohen raten - Google Patents
Verfahren zur reaktiven elementzerstaeubung mit hohen ratenInfo
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD20825978A DD139137A1 (de) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | Verfahren zur reaktiven elementzerstaeubung mit hohen raten |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD20825978A DD139137A1 (de) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | Verfahren zur reaktiven elementzerstaeubung mit hohen raten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD139137A1 true DD139137A1 (de) | 1979-12-12 |
Family
ID=5514702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD20825978A DD139137A1 (de) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | Verfahren zur reaktiven elementzerstaeubung mit hohen raten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DD (1) | DD139137A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5415756A (en) * | 1994-03-28 | 1995-05-16 | University Of Houston | Ion assisted deposition process including reactive source gassification |
DE10142831A1 (de) * | 2001-08-21 | 2003-03-13 | Siemens Ag | Verfahren zur Konditionierung einer Targetoberfläche bei einem Sputterbeschichtungsprozess eines Substrats und entsprechende Sputteranlage |
EP2434523A3 (de) * | 2010-09-28 | 2014-04-30 | First Solar Malaysia SDN.BHD | Sputterkathode mit nichtgebundenem halbleitendem Target |
EP2434524A3 (de) * | 2010-09-28 | 2014-09-10 | First Solar Malaysia SDN.BHD | Sputterverfahren mit nichtgebundenem halbleitendem Target |
-
1978
- 1978-10-04 DD DD20825978A patent/DD139137A1/de unknown
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5415756A (en) * | 1994-03-28 | 1995-05-16 | University Of Houston | Ion assisted deposition process including reactive source gassification |
DE10142831A1 (de) * | 2001-08-21 | 2003-03-13 | Siemens Ag | Verfahren zur Konditionierung einer Targetoberfläche bei einem Sputterbeschichtungsprozess eines Substrats und entsprechende Sputteranlage |
EP2434523A3 (de) * | 2010-09-28 | 2014-04-30 | First Solar Malaysia SDN.BHD | Sputterkathode mit nichtgebundenem halbleitendem Target |
EP2434524A3 (de) * | 2010-09-28 | 2014-09-10 | First Solar Malaysia SDN.BHD | Sputterverfahren mit nichtgebundenem halbleitendem Target |
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