DD108559A1 - - Google Patents

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DD108559A1
DD108559A1 DD175035A DD17503573A DD108559A1 DD 108559 A1 DD108559 A1 DD 108559A1 DD 175035 A DD175035 A DD 175035A DD 17503573 A DD17503573 A DD 17503573A DD 108559 A1 DD108559 A1 DD 108559A1
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Klaus Goeddicke
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DD108559B1 DD108559B1 (de) 1979-11-28

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0067432A1 (de) * 1981-06-12 1982-12-22 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zum Messen des elektrischen Widerstandes und der Temperatur von durch Aufdampfen oder Aufstäuben auf Substraten abgeschiedenen dünnen metallisch-leitenden Schichten während der Schichtherstellung
EP0289661A3 (de) * 1987-03-28 1989-02-01 Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur reproduzierbaren Bildung von Materialschichten und/oder zur Behandlung von Halbleiter-Materialschichten
WO2018229250A1 (de) * 2017-06-15 2018-12-20 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Verfahren und anlage zur herstellung eines elektrischen bauteils sowie computerprogramm

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0067432A1 (de) * 1981-06-12 1982-12-22 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zum Messen des elektrischen Widerstandes und der Temperatur von durch Aufdampfen oder Aufstäuben auf Substraten abgeschiedenen dünnen metallisch-leitenden Schichten während der Schichtherstellung
EP0289661A3 (de) * 1987-03-28 1989-02-01 Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur reproduzierbaren Bildung von Materialschichten und/oder zur Behandlung von Halbleiter-Materialschichten
WO2018229250A1 (de) * 2017-06-15 2018-12-20 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Verfahren und anlage zur herstellung eines elektrischen bauteils sowie computerprogramm

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