CZ31194U1 - Impedanční spektrograf pro měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu - Google Patents
Impedanční spektrograf pro měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu Download PDFInfo
- Publication number
- CZ31194U1 CZ31194U1 CZ2017-34172U CZ201734172U CZ31194U1 CZ 31194 U1 CZ31194 U1 CZ 31194U1 CZ 201734172 U CZ201734172 U CZ 201734172U CZ 31194 U1 CZ31194 U1 CZ 31194U1
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- impedance
- probes
- plasma
- probe
- flame
- Prior art date
Links
Landscapes
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Description
Oblast techniky
Technické řešení spadá do oblasti měření parametrů nízkotlakého plazmatu, které se používá pro různé aplikace, jako je plazmatická depozice tenkých vrstev, plazmové leptání, plazmové iontové zdroje atd., a týká se impedančního spektrografu pro měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu.
Dosavadní stav techniky
V současné době existuje celá řada metod a zařízení pro měření parametrů výbojového plazmatu přímo při technologickém procesu, jako je plazmatické nanášení tenkých vrstev, úprava povrchů a plazmové leptání. Tato zařízení umožňují analyzovat při procesu buď vlastní plazma, nebo tenkou vrstvu přímo při růstu. Jako základní metoda pro měření parametrů plazmatu při technologickém procesu jsou používány různé modifikace Langmuirovské sondy, a to buď jednosondové popsané ve stati: V. I. Demidov, S. V. Ratynskaia, and K. Rypdal, Electric Probes for Plasmas: The Link Between Theory and Instrunent, Review of Scientific Instruments 73, 3409 (2002) nebo dvousondové popsané ve stati: E. O. Johnson and L. Malter, A Floating Double Probe Method for Measurements in Gas Discharges, Physical Review 80 (1950) 58-68. Tyto metody jsou používané v mnoha uspořádáních vhodných pro technologické plazma. To zahrnuje například vyhřívanou sondu popsanou ve stati: P Adámek, J. Kalčík, M. Sícha, M. Tichý, H. Biederman, L. Soukup, L. Jastrabík, Czechoslovak Journal of Physics, Vol. 49 (1999), 1685-1701, která díky ohřevu povrchu sondy zajistí její čistý povrch při měření. Další uspořádání využívají rychlé měření sondových charakteristik tj. s takovou rychlostí měření, než se sonda stihne pokrýt tenkou vrstvou a dojde k ovlivnění měření. Na tomto principu fungují i časově rozlišené sondové systémy popsaných ve statích: P. Adámek, M. Čada, Z. Hubička, L. Jastrabík, S. Kment, J. Olejníček, Způsob synchronizace měření pro sondovou diagnostiku plazmatu a měřicí systém kprovádění tohoto způsobu, patent CZ 04249, a dále: P. Adámek, M. Čada, Z. Hubička,
L. Jastrabík, S. Kment, J. Olejníček, Zařízení pro umožnění diagnostiky plazmatu s vyloučením měření narušených nestabilitami a přechodovými jevy v plazmatu, užitný vzor CZ 29928; které umožňují analyzovat nestacionární a časově nestabilní plazma. Z důvodu pokrývání povrchu sondy dielektrickou vrstvou v některých nanášecích procesech byly použity metody a zařízení na bázi vysokofrekvenčních metod diagnostiky plazmatu. Tyto metody zahrnují různá měření vysokofrekvenčních impedancí plazmatu popsaných ve statích: M. A. Sobolewski, Monitoring Sheath Voltages and /on Energies in High-density Plasmas using Noninvasive Radio-frequency Current and Voltage Measurements, Journal of Applied Physics 85, 4593 (2004), a dále: Hopkins
M, 2000, US Patent 6, 061, 006. Používány jsou jak vektorové, tak skalární vysokofrekvenční měřící metody. Dále jsou používána vysokofrekvenční měření iontových toků na sondu v případě jejího pokrytí dielektrickou nebo polovodivou tenkou vrstvou, Jedna základní metoda měření iontového toku na substrát v depozičním plazmatu je popsaná ve stati: N. St. J. Braithwait, J. P Boothy and G. Cunge, Plasma Sources Sci. Technol. 5 (1996) 677-684, a využívá modulovaného RF napětí aplikovaného na substrát, kdy je měřen vybíjecí proud tvořený dopadem iontů na sondu v době modulační pauzy. Tato metoda v některých modifikacích diskutuje vliv deponované vrstvy na substrátu a jejích izolačních vlastností na přesnost měření, nicméně tyto metody nejsou schopny určit impedanci deponované vrstvy přímo z těchto měření. Další metoda měření vysokofrekvenčních impedancí plazmatu a toku iontů na různě pokrytou sondu tenkou vrstvou je popsána ve statích: M. A. Sobolewski, Appl. Phys. Lett. 72, 1146 (1998). Tyto metody využívají měření průběhu vysokofrekvenčních napětí a proudů a jejich fázového rozdílu různými digitálními záznamníky signálů či digitálními osciloskopy. Bylo nalezeno několik postupů, jak z těchto průběhů signálů určit iontový tok na sondu případně impedanci plazmatu. Tyto postupy jsou dále popsány ve statích: M. A. Sobolewski, Phys. Rev. E 59, 1059 (1999). I v těchto případech je vliv impedance deponované vrstvy v některých uvedených statích diskutován ve vztahu k přesnosti určení impedance plazmatu, nicméně o určení impedance vlastní deponované vrstvy a velikosti její reálné a imaginární části z těchto měření přímo při depozičním procesu v plazmatu se dosud v žádných případech a statích nehovoří.
- 1 CZ 31194 Ul
Střídavé a vysokofrekvenční impedance polovodivých a dielektrických tenkých vrstev deponovaných na vodivém substrátu jsou standardně měřeny metodou impedanční spektroskopie. Tenké vrstvy deponované na vodivém substrátu jsou vkládány do kapalných či pevných elektrolytů a je měřena jejich impedance v širokém rozsahu frekvencí. V tomto případě je měřena souhrnná impedance soustavy tenká vrstva+elektrolyt. Jelikož je tato impedance měřena v širokém rozsahu frekvencí, lze sestrojit tak zvané Nyquistovy grafy, kde je zachycena závislost reálné a imaginární části měřené celkové impedance na frekvenci. Z charakteru těchto Nyquistových grafů a znalosti modelu jednotlivých impedancí v systému lze od sebe oddělit impedance jednotlivých částí, a tak určit impedanci tenké vrstvy nebo impedanci blízko povrchu tenké vrstvy (v případě polovodivých vrstev tzv. Schottkyho bariéry atd.). Impedanční spektroskopie tenkých vrstev v kapalných a pevných elektrolytech byla popsána ve statích: I. M. Hodge, M. D. Ingranm and A. R. West, Impedance and Modulus Spectroscopy of Polyctystalline Solid Electrolytes, J. Electroanal. Chem., 74 (1976) 125-143, a dále: D. Armstrong, M. F Bell, and A. A. Metcalfe, The AC Impedance of Complex Electrochemical Reactions. Electrochemistry. Chenmical Society Specialist Periodical Reports 6, (1978) 98-127. Tato impedanční spektroskopická měření byla dosud prováděna pouze v kapalných nebo pevných elektrolytech, ale nikdy v plynném výbojovém plazmatu. Tato měření by byla totiž v klasické konfiguraci ve výbojovém plazmatu značně obtížná díky silné nelineární volt-ampérové charakteristice stěnové vrstvy prostorového náboje kolem měřené elektrody s tenkou vrstvou. Je dobře známo, že voltampérové charakteristiky planámí sondy ve výbojovém plazmatu mají značně nelineární charakter, což je podrobně popsáno například ve stati: V. I. Demidov, S. V. Ratynskaia, and K. Rypdal, Electric Probes for Plasmas, The Link Between Theory and Instrument. Review of Scientific Instruments 73, 3409 (2002). Pokud by bylo přivedeno RF napětí na sondu kolem Ufj (plovoucí potenciál), díky nelineárnímu charakteru charakteristiky by vznikaly zejména na měřeném proudu vyšší harmoniky a to by komplikovalo stanovení a interpretaci měřených impedančních spekter.
Úkolem předkládaného technického řešení je představit nový impedanční spektrograf pro měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu, který umožňuje na základě měření průběhu napětí a proudu ve zvolených frekvencích a následného vyhodnocení impedančních spekter určit komplexní impedanci samostatné deponované vrstvy na povrchu planámí sondy.
Podstata technického řešení
Stanoveného cíle je dosaženo technickým řešením, kterým je impedanční spektrograf pro měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu, tvořený vakuovou komorou vybavenou alespoň čerpací jednotkou a depozičním zdrojem pro generování plazmatu, které je charakterizováno tím, že ve vnitřním prostoru vakuové komory je instalována nosná souprava vyrobená z dielektrického materiálu a uzpůsobená pro uložení dvou symetricky zrcadlově uspořádaných elektricky vodivých planámích sond, které jsou vyvedeny vně vakuové komory, kde jsou přes transformátor propojeny s uzemněným signálovým generátorem, přičemž před transformátorem je k vývodům planámích sond přes osciloskopické sondy připojen digitální osciloskop, propojený jednak s vyhodnocovacím a řídícím počítačem a jednak s proudovou sondou, která je osazena před transformátorem na jednom z vývodů planámích sond.
Ve výhodném provedení jsou vývody planámích sond vně vakuové komory opatřeny hlavními spínači, před nimiž je k vývodům přes dvojici oddělovacích spínačů a oddělovací kondenzátor paralelně připojen vysokofrekvenční generátor, přičemž planámí sondy jsou tvořeny dvojicí přilehlých půlkruhů.
Předkládaným technickým řešením se dosahuje nového a vyššího účinku v tom, že pomocí nového způsobu měření je možno během doby růstu tenké vrstvy v plazmatu určit a vyčlenit z celkové naměřené impedance v reálném čase samostatnou impedanci deponované vrstvy, tedy její reálnou a imaginární část, v závislosti na frekvenci a určit kapacitu Cv a paralelní odpor Rv deponované vrstvy. Oddělením impedance deponované vrstvy na sondách je možno získat také samostatnou impedanci vlastního výbojového plazmatu a z této impedance je dále možno získat informaci o hustotě výbojového plazmatu tedy koncentrace elektronů ne ve výbojovém plazmatu.
-2CZ 31194 Ul
Konstrukce zařízení je nová v tom, že využívá pro měření impedančních spekter v plazmatu dvojici identických rovinných sond v symetrickém zapojení, pracující v lineární oblasti jejich voltampérové charakteristiky v okolí sondového napětí Ud = 0 V, přičemž rozmítaný signální generátor je připojen k dvojici sond přes oddělovací transformátor, který sníží vnitřní impedanci zdroje signálu a zároveň systém dvou sond galvanicky oddělí od země.
Objasnění výkresů
Konkrétní příklady provedení impedančního spektrografu podle technického řešení jsou schematicky znázorněny na připojených výkresech, kde:
obr. 1 je celkové blokové schéma zařízení pro měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu, obr. 2 je dílčí schéma vlastního impedančního spektrografu z obr. 1 se znázorněním nosné soupravy planámích sond při pootočení o 90°, obr. 3 je schéma impedančního modelu tenké vrstvy a plazmatu v dvousondovém symetrickém systému pro měření spektroskopie v plazmatu, obr. 4 je grafické znázornění impedančního spektra získaného v dvousondovém systému bez pokrytí sond tenkou vrstvou, obr. 5 je grafické znázornění impedančního spektra získaného v dvousondovém systému s tenkou vrstvou analogickou na obou sondách o kapacitě Cv = 10 pF a paralelním odporu Rv = 500 Ω, obr. 6 je grafické znázornění impedančního spektra získaného v dvousondovém systému s tenkou vrstvou analogickou na obou sondách o kapacitě Cv = 10 pF a paralelním odporu Rv = 50 kQ a obr. 7 je grafické znázornění impedančního spektra získaného v dvousondovém systému s tenkou vrstvou analogickou na obou sondách o kapacitě Cv = 10 μΡ a paralelním odporu Rv = 50 Ω.
Obrázky, které znázorňují schémata zařízení podle technického řešení a prokazují účinky jeho užívání, a následně popsané příklady konkrétních provedení zařízení v žádném případě neomezují rozsah ochrany uvedený v definici, ale jen objasňují podstatu technického řešení.
Příklady uskutečnění technického řešení
Impedanční spektrograf podle technického řešení je v základním provedení znázorněném na obr. 1 tvořen vakuovou komorou i, v jejímž vnitřním prostoru 101 je instalována nosná souprava 2, vyrobená z dielektrického materiálu a uzpůsobená pro uložení dvou symetricky zrcadlově uspořádaných elektricky vodivých planámích sond 3, na které je deponována tenká vrstva 4. Planámí sondy 3 jsou v příkladném optimálním provedení zobrazeném na obr. 2 vytvořeny ve tvaru přilehlých půlkruhů. Vakuová komora 1 je přes spojovací hrdlo 102 opatřené oddělovacím regulačním ventilem 103 standardně propojena s čerpací jednotkou 104, například vývěvou. V homí části je vakuová komora 1 vybavena depozičním zdrojem 105 pro generování plazmatu 5 a je opatřena dvěma průtokoměry 106 pro vpouštění pracovních plynů. Planámí sondy 3 jsou přes průchodky 107 vyvedeny vně vakuové komory fy kde jsou přes hlavní spínače 6 a transformátor 7, snižující vnitřní impedanci zdroje signálu na zanedbatelnou hodnotu, propojeny s uzemněným signálovým generátorem 8. Před transformátorem 7 je vně vakuové komory 1 k vývodům planámích sond 3 přes osciloskopické sondy 9 připojen digitální osciloskop 10 propojený jednak s vyhodnocovacím a řídícím počítačem 11 a jednak s proudovou sondou 12, která je osazena před transformátorem 7 na jednom z vývodů planámích sond 3. Zařízení je dále vybaveno vysokofrekvenčním generátorem 13, který je přes dvojici oddělovacích spínačů 14 a oddělovací kondenzátor 15 paralelně připojen před hlavními spínači 6 na vývody planámích sond 3.
Měření komplexní impedance Z celkového měřeného obvodu zařízení popsaného výše je prováděno v plazmatu 5, které je generováno plazmovým depozičním zdrojem 105 do prostora nade dvěma identickými symetricky zrcadlově uspořádanými planámími sondami 3 pracujícími
-3CZ 31194 Ul v blízkém okolí sondového napětí Ud = 0 V a sondového proudu Id - 0 mA, kde lze charakteristiku planárních sond 3 považovat za téměř lineární.
Planámí sondy 3 jsou přes sepnuté hlavní spínače 6 připojeny k signálovému generátoru 8, jehož pracovní frekvence je rozmítána přes transformátor 7, který snižuje vnitřní impedanci zdroje signálu, tedy signálového generátoru 8 na zanedbatelnou hodnotu a galvanicky sondový obvod odděluje od země. Přes paralelně napojené osciloskopické sondy 9 a přes proudovou sondu 12 jsou vývody z planárních sond 3 připojeny k digitálnímu osciloskopu 10, z něhož jsou naměřená data exportována do vyhodnocovacího a řídícího počítače H k dalšímu programovému zpracování.
Takto jsou do vyhodnocovacího a řídícího počítače 11 přenesena data obsahující časové průběhy sondového proudu f na planárních sondách 3, a sondového napětí lf mezi planámími sondami 3, jak je graficky znázorněno na obr. 3. Z průběhů těchto veličin lze pomocí vyhodnocovacího a řídícího počítače Π. určit ze sondového napětí lf a sondového proudu f jejich amplitudy lf0 af0, jejich okamžitou frekvenci £ danou okamžitou frekvencí rozmítaného signálového generátoru 8 a dále jejich vzájemný fázový posuv ¢. Takto lze stanovit pro každou nastavenou frekvenci signálového generátoru 8 komplexní impedanci Z, která má reálnou část ReZ a imaginární část ImZ. Tyto veličiny lze určit z naměřených veličin na základě následujících vztahů:
ReZlf) = — cos<p 4o
(III)
Pokud se vynese do 2D grafu na vertikální osu ImZ a na horizontální osu ReZ pro všechny změřené frekvence dostaneme Nyquistův graf stanovené komplexní impedance Z, který je znázorněn na obr. 4 a obr. 5. Homí křivka přidaná v grafech je závislost okamžité frekvence/na ReZ, aby byl patrný vztah mezi vynesenou impedancí a frekvencí.
Takto je možno určit komplexní impedanci Z celkového měřeného obvodu, která se skládá z impedance Zv deponované vrstvy a dále impedance Zp plazmatu, přičemž platí vztah:
Na obr. 3 je znázorněn vhodný impedanční model dvou měřících planárních sond 3 vložených do plazmatu 5. Vodivé planámí sondy 3 se pokryjí tenkou vrstvou 4, jejíž impedanci Zv lze modelovat paralelním spojení kapacity Cv vrstvy a rezistom Rv vrstvy. Vztah mez Zv, Cv a Rv lze určit podle vztahu:
Právě tyto veličiny, které charakterizují deponovanou vrstvu během jejího růstu, je možno určit pomocí nového způsobu měření na novém zařízení ze získaných impedančních spekter, jak je patrné z obr. 4 a obr. 5. Na obr. 4 je vidět impedanční spektrum sondového systému pouze s plazmatem 5 bez deponované tenké vrstvy 4. Na obr. 5 je vidět impedanční spektrum sondového systému v plazmatu 5 s tenkou vrstvou 4, jejíž impedanci Zv lze vyjádřit paralelním spojením kapacity Cv a Rv. Po srovnání obou případů z obr. 4 a obr. 5 lze identifikovat v grafu dva oddělené půlkruhy frekvenční závislosti impedance, kdy levý patří zjevně k impedanci Zp plazmatu 5 a pravý k impedanci Zv tenké vrstvy 4. Pak lze ze spektra oddělit frekvenční závislost impedance Zv samotné tenké vrstvy (ReZv a ImZf podle modelu z obr. 3 a stanovit podle vztahu (V) Rv a Cv deponované vrstvy.
Na obr. 5 je příklad impedančního spektra dvojice planárních sond 3 v plazmatu 5 při pokrytí tenkou vrstvou 4 s kapacitou Cv= 10 pF a paralelním odporem Rv = 500 W. Impedanci vlastní tenké vrstvy 4 pro různé frekvence lze z impedančního spektra jasně identifikovat podle patrné půlkružnice v pravé části grafu. Impedanční příspěvek plazmatu lze v principu určit měřením v počátku depozice, kdy dvojice planárních sond 3 ještě není pokryta tenkou vrstvou 4. Srovnáním obr. 4 a obr. 5 lze impedančnímu spektru vlastního plazmatu 5 přiřadit půlkružnici
-4CZ 31194 Ul v levé části grafu. Situace tenké vrstvy 4 s Cv = 10 pF a odporem Rv = 50 kQ, což je případ relativně bezeztrátového dielektrika, je zobrazena na obr. 6. Rapidní změna ImZ pro oblast nízkých frekvencí je charakteristická pro dielektrické vrstvy s nízkou vodivostí. Naopak na obr. 7 je vidět případ velmi vodivé vrstvy Cv = 10 pF a Rv = 50 W, kdy je impedance tenké vrstvy 4 s identifikovatelná krátkou oblastí v pravé části grafu.
Za účelem možnosti vyčištění obou planámích sond 3 před měřením je měřící obvod deaktivován a odpojen otevřením hlavních spínačů 6 a následným sepnutím pomocných spínačů 14. Tak jsou obě planámí sondy 3 připojeny přes oddělovací kondenzátor 15 k vysokofrekvenčnímu generátoru 13. Tento generátor 13 generuje okolo obou planámích sond 3 přídavný vysokofrekvenční ío výboj, který způsobí odprášení deponované tenké vrstvy 4 na obou planámích sondách 3.
Popsaný příklad konstrukce impedančního spektrografu není jeho jediným možným provedením, ale jak je patrné z obr. 2, nemusí být vybaven v základní verzi dvojicemi hlavních spínačů 6 a pomocných spínačů 14, pomocí jejichž střídavého spínání a vypínání je umožněno aktivovat měřící obvod a připojením vysokofrekvenčního generátoru 13 zajistit pomocí přídavného vyso15 kofrekvenčního výboje odprášit deponované vrstvy na obou planámích sondách 3.
Průmyslová využitelnost
Nový impedanční spektrograf a způsob měření impedance měření jsou aplikovatelné v plazmatických depozičních systémech, kdy je nutné kontrolovat přímo při depozici dielektrické vlastnosti deponované tenké vrstvy a její vodivost. Jelikož se jedná o zařízení, které tyto informace poskytne v reálném čase přímo při depozici v plazmatu, lze toto zařízení použít k řízení depozičního procesu, např. reaktivního magnetronového naprašování nebo plazmochemické depozice z par reaktivních plynů.
Claims (3)
1. Impedanční spektrograf pro měření impedance deponované vrstvy (4) ve výbojovém
25 plazmatu (5), tvořený vakuovou komorou (1) vybavenou alespoň čerpací jednotkou (104) a depozičním zdrojem (105) pro generování plazmatu (5), vyznačující se tím, že ve vnitřním prostoru (101) vakuové komory (1) je instalována nosná souprava (
2) vyrobená z dielektrického materiálu a uzpůsobená pro uložení dvou symetricky zrcadlově uspořádaných elektricky vodivých planámích sond (3), které jsou vyvedeny vně vakuové komory (1), kde jsou přes
30 transformátor (7) propojeny s uzemněným signálovým generátorem (8), přičemž před transformátorem (7) je k vývodům planámích sond (3) přes osciloskopické sondy (9) připojen digitální osciloskop (10), propojený jednak s vyhodnocovacím a řídícím počítačem (11) a jednak s proudovou sondou (12), která je osazena před transformátorem (7) na jednom z vývodů planámích sond (3).
35 2. Impedanční spektrograf podle nároku 1, vyznačující se tím, že vývody planárních sond (3) jsou vně vakuové komory (1) opatřeny hlavními spínači (6), před nimiž je k vývodům přes dvojici oddělovacích spínačů (14) a oddělovací kondenzátor (15) paralelně připojen vysokofrekvenční generátor (13).
3. Impedanční spektrograf podle nároků 1 nebo 2, vyznačující se tím, že planámí
40 sondy (3) jsou tvořeny dvojicí přilehlých půlkruhů.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CZ2017-34172U CZ31194U1 (cs) | 2017-10-04 | 2017-10-04 | Impedanční spektrograf pro měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CZ2017-34172U CZ31194U1 (cs) | 2017-10-04 | 2017-10-04 | Impedanční spektrograf pro měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CZ31194U1 true CZ31194U1 (cs) | 2017-11-14 |
Family
ID=60324301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ2017-34172U CZ31194U1 (cs) | 2017-10-04 | 2017-10-04 | Impedanční spektrograf pro měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CZ (1) | CZ31194U1 (cs) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023061519A1 (en) * | 2021-10-15 | 2023-04-20 | Univerzita Palackého v Olomouci | Method and system for plasma diagnostics |
-
2017
- 2017-10-04 CZ CZ2017-34172U patent/CZ31194U1/cs not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023061519A1 (en) * | 2021-10-15 | 2023-04-20 | Univerzita Palackého v Olomouci | Method and system for plasma diagnostics |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110520960B (zh) | 用于远程感测等离子体的系统和方法 | |
CN102598200B (zh) | 用于测量等离子体参数的传感器 | |
CN105659075B (zh) | 多相计量中的结垢监测和抑制剂量化技术 | |
Liu et al. | Influence of humidity and air pressure on the ion mobility based on drift tube method | |
US8242789B2 (en) | Plasma system and measurement method | |
Sobolewski | Current and voltage measurements in the Gaseous Electronics Conference rf Reference Cell | |
Sobolewski | Measuring the ion current in electrical discharges using radio-frequency current and voltage measurements | |
CZ31194U1 (cs) | Impedanční spektrograf pro měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu | |
Sezemsky et al. | Modified high frequency probe approach for diagnostics of highly reactive plasma | |
US20120046895A1 (en) | RF Probe Technique for Determining Plasma Potential | |
CZ2017613A3 (cs) | Způsob měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu | |
Vilitis et al. | Determination of contact potential difference by the Kelvin Probe (Part I) I. Basic principles of measurements | |
Oberrath et al. | On the Multipole Resonance Probe: Current Status of Research and Development | |
Ye et al. | Application of a tuned Langmuir probe for the diagnostic study of radio frequency glow discharges: instrumentation and theory | |
KR101564787B1 (ko) | 2차원 공정 모니터링 장치 | |
Dvořák | Measurement of plasma potential waveforms by an uncompensated probe | |
Kito et al. | Multi-harmonic analysis in a floating harmonic probe method for diagnostics of electron energy and ion density in low-temperature plasmas | |
Ryu et al. | Design and validation of impedance probe for platform-independent ionospheric plasma diagnostics | |
Chenyao et al. | Fast-sweeping Langmuir probes: what happens to the I–V trace when sweeping frequency is higher than the ion plasma frequency? | |
Smy et al. | Variation of the rf response of a Langmuir probe with amplitude and frequency | |
KR101000939B1 (ko) | 공정 모니터링 장치와 그 방법 | |
Gordienko et al. | Hybrid signals in the local microwave diagnostics of small objects | |
Huo et al. | Studies on characteristics of resistive power calculated with discrete Fourier transform in a pulse-modulated radio frequency discharge | |
EP4250335A1 (en) | Apparatus for non-invasive sensing of radio-frequency current spectra flowing in a plasma processing chamber | |
Ghezzi et al. | Current identification in vacuum circuit breakers by inverting magnetic field data |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG1K | Utility model registered |
Effective date: 20171114 |
|
MK1K | Utility model expired |
Effective date: 20211004 |