CZ306799B6 - Způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny a zařízení k provádění tohoto způsobu - Google Patents
Způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny a zařízení k provádění tohoto způsobu Download PDFInfo
- Publication number
- CZ306799B6 CZ306799B6 CZ2016-224A CZ2016224A CZ306799B6 CZ 306799 B6 CZ306799 B6 CZ 306799B6 CZ 2016224 A CZ2016224 A CZ 2016224A CZ 306799 B6 CZ306799 B6 CZ 306799B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- plasma
- frequency
- measuring
- electron cyclotron
- magnetic field
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 14
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 56
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 5
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000168 high power impulse magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 230000005495 cold plasma Effects 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000012631 diagnostic technique Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny za účelem určení jeho parametrů, zejména koncentrace elektronů v plazmatu přiváděného do měřicího prostoru (1) vytvořeného ve vakuové komoře (2), spočívá v tom, že v měřicím prostoru (1), v němž je aplikováno regulovatelné stacionární pomocné magnetické pole (B), je pomocí vysokofrekvenčního buzení ze signálového vysokofrekvenčního generátoru (10) s nastavitelnou frekvencí generována pravotočivě polarizovaná elektronová cyklotronová vlna. Velikost její amplitudy je regulována tak, aby neovlivňovala měřené plazma. Jeho vlastnosti se současně měří minimálně dvěma vysokofrekvenčními magnetickými sondami (11). Ze získaných údajů se vyhodnocují a vypočítávají se parametry měřeného plazmatu. Dále je podstatou vynálezu zařízení k provádění tohoto způsobu.
Description
Způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny a zařízení k provádění tohoto způsobu
Oblast techniky
Vynález spadá do oblasti měření parametrů nízkotlakého plazmatu, které se používá pro různé aplikace jako je plazmatická depozice tenkých vrstev, plazmové leptání, plazmové iontové zdroje atd. a týká se způsobu měření s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny a zařízení k provádění tohoto způsobu.
Dosavadní stav techniky
V současné době existuje mnoho měřících metod parametrů plazmatu, mezi které patří různé sondové metody, radiofřekvenční (RF) a mikrovlnné (MW) diagnostiky, MW rezonanční metody atd.
Elektronová koncentrace a elektronová teplota je nejčastěji měřena různými modifikacemi Langmuirovské sondy popsané například v publikacích: I. Langmuir, Η M. Mott-Smith, Gen. Elec. Rev. 26 (1923) 731.; D. Bohm, E.H.S. Burhop, H.S.W. Massey, The Characteristics of Electrical Discharges in Magnetic Fields, A. Guthrie, R. K. Wakerling (Eds.), McGraw-Hill, New York (1949), p. 77.; B. M. Annaratone, M. W. Allen, J. E. Allen, J. Phys. D: Appl. Phys. 25 (1992) 417. Také se používají RF sondy popsané v publikaci: J. P. Booth, N. St. J. Braithwaite, A. Goodyear and P. Barroy Measurements of characteristic transients of planar electrostaticprobes in coldplasmas, Review ofScientific Instruments 71 (2000) 2722-2727. Dále se pak k měření elektronové koncentrace a elektronové teploty používají různé RF rezonanční sondy popsané v patentových spisech US 8190366 B2, US 6741944 BI a US 3265967 A. Tyto vysokofrekvenční systémy se většinou zabývají analýzou šíření elektromagnetických vln plazmatem, případně umístěním plazmatu do různých druhů uzavřených nebo otevřených rezonátorů, kde se sleduje změna rezonanční frekvence vzniklá změnou dielektrické konstanty přítomností plazmatu.
MW metody zahrnují interferometru, měření odrazu vln při dosažení kritické frekvence, nebo tzv. rezonanční hairpin sondu apod. a jsou popsány např. ve statích: Heald, M. A. and Wharton, C. B., Plasma Diagnostics with Microwaves, 2nd ed., Kríeger, Malabar, FL. (1978); Huddlestone, R. H, and Leonard, S. L, eds., Plasma Diagnostic Techniques, Academie Press, New York. (1965); R. L. Stenzel, „Microwave resonator probe for localized density measurements in weakly magnetizedplasmas, Rev. Sci. Instrum. 47, (1976) 603; R. B. Piejak, V. A. Godyak, R. Garner, B. M. Alexandrovich and N. Sternberg, „ The hairpin resonator: A plasma density measuring technique revisiteď, Joumal of Applied Physics 95 (7), (2004) 3785. Všechny tyto MW metody pracují s kruhovou frekvencí elektromagnetické vlny vyšší, než je plazmová frekvence elektronů, která je typicky v řádu 6-30 GHz, podle velikosti koncentrace elektronů v plazmatu. Přesná měřicí zařízení pro tuto oblast frekvencí jsou relativně nákladná a náročná na implementaci v průmyslových depozičních systémech. Nevýhodou sondových metod, jako je např. Langmuirovská sonda, je pokrytí měřicí sondy tenkou vrstvou, která způsobuje nepřesnost měření, což je popsáno ve Statích: P.Špatenka, H. Suhr, Plasma Chemistry and Plasma Processing 13 (1993) 555, P. Spatenka, Z Beneš, Frontiers in Low Temperature Plasma Diagnostic, Book of Papers, BadHonnef Germany (1997), 227.
Pro generaci nízkotlakého plazmatu byl vyvinut vysokofrekvenční induktivně vázaný systém ve stejnosměrném magnetickém poli, kde je generována elektronová cyklotronová elektromagnetická vlna s pravotočivou kruhovou polarizací a s kruhovou frekvencí ω, která se šíří ve směru vektoru vloženého stacionárního magnetického pole B. Tyto systémy se nazývají ECWR (Electron Cyclotron Wave Resonance, elektron-cyklotronová vlnová rezonance) zdroje plazmatu a jsou popsané ve statích: B. Pfeiffer, Skin Effect in Anisotropic Plasmas and Resonance Excitation of Electron-Cyclotron Waves, I. Theory, J. Appl. Phys, 37, (1966) 1624 ; B. Pfeiffer, Skin Effect in Anisotropic Plasmas and Resonance Excitation of Electron-Cyclotron Waves, II. Experiments, Journal of Applied Physics 37, (1966) 1628; H. Qechsner, Electron Cyclotron Wave Resonances and Power Absorption Effects in Electrodeless Low Pressure H.F. Plasmas With a Superimposed Static Magnetic Field, Plasma Physics, Vol. 16 (9), (1974) 835-844.
Cyklotronová vlna je generována v obdélníkovém nebo kruhovém páskovém závitu s délkou nebo průměrem d ve směru vektoru přiloženého magnetického pole B. Elektronová cyklotronová elektromagnetická vlna s pouze pravotočivou kruhovou polarizací se šíří takto magnetovaným plazmatem podél směru přiloženého stacionárního vektoru magnetické indukce B na kruhových frekvencích ω nižších, než je cyklotronová frekvence elektronů a>c v aplikovaném stejnosměrném magnetickém poli, a také na frekvencích nižších, než je elektronová plazmová frekvence plazmatu «„daná elektronovou koncentrací ne podle vztahu:
(D ωρ =
neez eome kde e je náboj elektronu, me je hmotnost elektronu, £» je permitivita vakua. Pro cyklotronovou frekvenci elektronů a>c platí:
(2) (Oc |e|B me kde B je velikost přiloženého stacionárního magnetického pole.
Pro index lomu nr šíření pravotočivé elektromagnetické vlny tímto magnetovaným plazmatem platí známý vztah popsaný ve stati: Pfeiffer, B., Skin Effect in Anisotropic Plasmas and Resonance Excitation of Electron-Cyclotron Waves. I. Theory, J. Appl. Phys., 37, (1966) 1624-8:
kde v je srážková frekvence elektronů s neutrálními atomy či molekulami, i je imaginární jednotka. V nízkotlakém plazmatu je často splněna podmínka, že v«a> a pak lze vztah (3) zjednodušit na:
kde nrje reálná část indexu lomu a imaginární část indexu lomu je pro tento případ nula. Podle vztahu (4) roste index lomu k nekonečnu, když se ω blíží zdola k <dc. Pro dané stacionární magnetické pole B, které určuje velikost cyklotronové frekvence ac podle vztahu (2), lze nastavit změnou budicí frekvence velikost nr na velkou hodnotu, a to takovou, aby velikost vlnové délky byla nastavena tak, aby v prostoru budícího závitu vznikla vlnová rezonance této elektronové cyklotronové vlny se vznikem stojaté elektromagnetické vlny v budícím závitu. Tato vlnová rezonance se nazývá ECWR rezonance. Podmínku pro vznik této rezonance lze vyjádřit podle vztahu:
zc\ 1 ^Χλρ1 2k+l 2nc 1 (5) d = (2k + 1) -f- = —---
2 ω nr kde í/je délka budícího závitu podél vektoru stacionárního magnetického pole B, k=0, 1, 2,3,...je řád rezonance a Ápi je vlnová délka cyklotronové vlny v plazmatu s magnetickým polem B, c je rychlost světla ve vakuu. ECWR rezonance lze také dosáhnout podle (4) změnou íuc pří konstantním ω, kde (oc měníme změnou velikosti stacionárního magnetického pole B.
Popsané ECWR rezonance v budícím páskovém závitu se používá pro generaci nízkotlakého plazmatu s vysokou koncentrací iontů a elektronů a zároveň velmi nízkého tlaku. Těchto výhod ECWR generace plazmatu se používá pro PECVD depoziční procesy, iontové zdroje a plazmové leptání. Technologické využití zdrojů ECWR plazmatu je popsáno ve stati: Hans Oechsner, Theoretical background and some applications of ECWR-plasmas, Vacuum 83 (4), (2009) 727731.
Úkolem nového vynálezu je využití vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny ECWR v páskovém závitu výhradně pro měření parametrů plazmatu, a to zejména koncentrace elektronů. Elektronová cyklotronová vlna má v tomto případě dostatečně malou amplitudu, aby neovlivňovala měřené plazma.
Podstata vynálezu
Stanoveného cíle je dosaženo vynálezem, kterým je způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny za účelem určení jeho parametrů, zejména koncentrace elektronů v plazmatu přiváděného do měřícího prostoru 1 vytvořeného ve vakuové komoře 2, kde podstata vynálezu spočívá v tom, že v měřícím prostoru 1, v němž je aplikováno regulovatelné stacionární pomocné magnetické pole B, je pomocí vysokofrekvenčního buzení ze signálového vysokofrekvenčního generátoru 10 s nastavitelnou frekvencí generována pravotočivě polarizovaná elektronová cyklotronová vlna, velikost jejíž amplitudy je regulována tak, aby neovlivňovala měřené plazma, jehož vlastnosti se současně měří minimálně dvěma vysokofrekvenčními magnetickými sondami 11, a následně se ze získaných údajů vyhodnocují a vypočítávají parametry měřeného plazmatu.
Dále je podstatou vynálezu zařízení pro měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny za účelem určení jeho parametrů, zejména koncentrace elektronů v plazmatu, které je tvořeno vakuovou komorou 2, jejíž vnitřní prostor je propojen s vývěvou 6 a je v něm umístěn vodivý páskový závit 4, nad jehož měřícím prostorem 1, délky d je umístěn plazmový zdroj 7 napojený na zásobník 15 pracovního plynu, kde páskový závit 4 přes měřič 9 vysokofrekvenční impedance napojen na signálový vysokofrekvenční generátor 10 s nastavitelnou frekvencí, přičemž podél bočních stěn páskového závitu 4 je umístěna dvojice Helmholtzových cívek 3 sloužících ke generování stacionárního magnetického pole Bav měřícím prostoru 1 páskového závitu 4 jsou ve směru vektoru stacionárního magnetického pole B ustaveny alespoň dvě vysokofrekvenční magnetické sondy 11, které jsou samostatně propojeny přes vysokofrekvenční detektory 12 k indikátorům 13 velikosti signálu.
Ve výhodném provedení zařízení je vakuová komora 2 propojena s vývěvou 6 přes regulační ventil 5 a plazmový zdroj 7 je napojen na zásobník 15 pracovního plynu přes průtokoměr 14.
Předkládaným vynálezem se dosahuje nového a vyššího účinku v tom, že popsaným způsobem a s využitím znázorněného zařízení je možné pomocí identifikace vlnové ECWR rezonance výhradně určit v měřícím prostoru páskového závitu parametry plazmatu, a to zejména koncentraci elektronů.
Objasnění výkresů
Konkrétní příklady provedení vynálezu jsou schematicky znázorněny na přiložených výkresech kde:
obr. 1 znázorňuje schéma základního měřícího systému s ECWR vlnovou rezonancí pro měření parametrů nízkotlakého plazmatu ve vakuovém reaktoru se zdrojem plazmatu za nízkého tlaku a obr. 2 znázorňuje detail měřícího systému s páskovým závitem pro ECWR vlnovou rezonanci s trojicí vysokofrekvenčních magnetických sond.
Výkresy znázorňující představovaný vynález a následně popsaný příklad konkrétního provedení v žádném případě neomezují rozsah ochrany uvedený v definici, ale jen objasňují podstatu vynálezu.
Příklady uskutečnění vynálezu
Zařízení pro měření depozičního nízkotlakého plazmatu podle vynálezu je tvořeno vakuovou komorou 2, jejíž vnitřní prostor je přes regulační ventil 5 propojen s vývěvou 6. Vakuová komora 2 je vybavena elektricky vodivým páskovým závitem 4, nad jehož měřícím prostorem 1 délky d je umístěn plazmový zdroj 7 a podél jehož bočních stěn je umístěna dvojice Helmholtzových cívek 3 sloužících ke generování stacionárního magnetického pole B, směr, jehož vektoru je kolmý na směr plazmatu generovaného ze zdroje 7. Plazmový zdroj 7 je přes průtokoměr 14 napojen na zásobník 15 pracovního plynu umístěný vně vakuové komory 2 a páskový závit 4 je přes měřič 9 vysokofrekvenční impedance napojen na signálový vysokofrekvenční generátor 10 s nastavitelnou frekvencí, například v rozsahu 10 až 1000 MHz, kde přístroje 9 a 10 jsou rovněž umístěny vně vakuové komory 2, když propojení páskového závitu 4 směrem vně vakuové komory 2 je realizováno přes elektrickou průchodku 8. V měřícím prostoru 1 páskového závitu 4 jsou pak ve směru vektoru stacionárního magnetického pole ustaveny tři vysokofrekvenční magnetické sondy 12, které jsou samostatně propojeny přes vysokofrekvenční detektory 12 k indikátorům 13 velikosti signálu, jak je patrné z obr. 2.
Při funkci zařízení je využito popsané vlnové ECWR rezonance v páskovém závitu 4 výhradně pro diagnostiku plazmatu, tedy efektu ECWR rezonance není použito ke generaci plazmatu ani jeho ovlivnění, ale k určení parametrů plazmatu, a to zejména koncentrace elektronů. Páskový závit 4 je napájen signálovým vysokofrekvenčním generátorem 10 o proměnné frekvenci, například v rozsahu f = 10 až 1000 MHz. V prostoru vysokofrekvenčně buzeného měřícího páskového závitu 4, ve kterém je dále aplikováno regulovatelné stacionární pomocné magnetické pole B vybuzené Helmholtzovými cívkami 3 umístěnými vně páskového závitu 4, je generována pravotočivě polarizovaná elektronová cyklotronová vlna. Ta má ale dostatečně malou amplitudu, aby v měřícím prostoru 1 příliš neovlivňovala měřené plazma. Při vhodné velikosti frekvence buzení páskového závitu 4 a nastavené velikosti stacionárního magnetickém pole 5, dostáváme uvnitř závitu vlnovou ECWR rezonanci podle vztahu (5). Ze znalosti délky závitu d a budicí kruhové frekvence ω lze ze vztahu (5) vypočítat reálnou část indexu lomu nr\ (2k+l)2irc d®
Rád rezonance určené číslem k ve vztahu (5) je stanoven pomocí tří vysokofrekvenčních magnetických sond 11 umístěných ve středu a na obou okrajích páskového závitu 4 a tvořených malou vzduchovou cívkou s několika závity. Tyto vysokofrekvenční magnetické sondy 11 umožní určit amplitudu vysokofrekvenčního magnetického pole v daném místě.
(6) nr =
Dále ze znalosti nr za předpokladu že platí podmínka pro kruhovou frekvenci ω buzení závitu vztah ω»ν, kde v je srážková frekvence elektronů, můžeme ze vztahu (4) určit koncentraci elektronů v měřené oblasti, když do (4) dosadíme za a>p a cůc z (1) a (2) a dostaneme pro ny.
(7)
kde, kruhová frekvence ω budícího vysokofrekvenčního generátoru 10 a velikost stacionárního magnetického pole B jsou dva nezávislé parametry nastavené tak, aby byla v měřícím páskovém závitu 4 identifikována ECWR rezonance.
Stav ECWR vlnové rezonance v měřícím páskovém závitu 4 je identifikován dvěma způsoby:
(i) ostrou změnou vysokofrekvenční impedance měřícího páskového závitu 4 v plazmatu pro stav vlnové ECWR rezonance.
(ii) poměrem velikostí amplitud vysokofrekvenčních magnetických polí změřených uvnitř měřícího páskového závitu 4. Tyto umožní určit i řád k vlnové rezonance.
Alternativně po provedení stanovení koncentrace elektronů ne z různých dvojic B, ω, pro které byla v páskovém závitu 4 identifikována ECWR rezonance, je možné nastavit ω na nižší hodnoty, kde nebude již platit podmínka ω»ν. Pokud je pro tento případ nalezena ECWR rezonance pro tyto ω a B, je možné pro výpočet reálné části nr použít složitější vztah 3. Pokud již známe koncentraci elektronů ne a reálnou část nr ze vztahu 6 je možné určit ze vztahu 3 i srážkovou frekvenci elektronů v. Srážková frekvence elektronů je funkcí elektronové teploty Te, kterou lze v některých případech ze srážkové frekvence v určit.
Průmyslová využitelnost
Způsob měření a zařízení podle vynálezu jsou vhodné pro použití při měření parametrů technologického chemicky aktivního a depozičního plazmatu. Nová měřicí metoda je vhodná pro nízkotlaké plazma jako jsou HIPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering) pulzní magnetrony, iontové zdroje, systémy plazmového leptání a nízkotlaké PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) reaktory. Z principu měřicí metody je zřejmé, že přesnost měření parametrů plazmatu nebude ovlivněna pokrytím páskového závitu a dalších komponent tenkou vrstvou během plazmového procesu.
PATENTOVÉ NÁROKY
Claims (3)
1. Způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny za účelem určení jeho parametrů, zejména koncentrace elektronů v plazmatu přiváděného do měřicího prostoru (1) vytvořeného ve vakuové komoře (2), vyznačující se tím, že v měřicím prostoru (1), v němž je aplikováno regulovatelné stacionární pomocné magnetické pole (B), je pomocí vysokofrekvenčního buzení ze signálového vysokofrekvenčního generátoru (10) s nastavitelnou frekvencí generována pravotočivě polarizovaná elektronová cyklotronová vlna, velikost jejíž amplitudy je regulována tak, aby neovlivňovala měřené plazma, jehož vlastnosti se současně měří minimálně dvěma vysokofrekvenčními magnetickými sondami (11), a následně se ze získaných údajů vyhodnocují a vypočítávají parametry měřeného plazmatu.
2. Zařízení pro měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny za účelem určení jeho parametrů, zejména koncentrace elektronů v plazmatu, které je tvořeno vakuovou komorou (2), jejíž vnitřní prostor je propojen s vývěvou (6) a je v něm umístěn vodivý páskový závit (4), nad jehož měřicím prostorem (1) délky (d) je umístěn plazmový zdroj (7) napojený na zásobník (15) pracovního plynu, vyznačující se tím, že páskový závit (4) je přes měřič (9) vysokofrekvenční impedance napojen na signálový vysokofrekvenční generátor (10) s nastavitelnou frekvencí, přičemž podél bočních stěn páskového závitu (4) je umístěna dvojice Helmholtzových cívek (3) sloužících ke generování stacionárního magnetického pole (B) a v měřícím prostoru (1) páskového závitu (4) jsou ve směru vektoru stacionárního magnetického pole (B) ustaveny alespoň dvě vysokofrekvenční magnetické sondy (11), které jsou samostatně propojeny přes vysokofrekvenční detektory (12) k indikátorům (13) velikosti signálu.
3. Zařízení podle nároku 2, vyznačující se tím, že vakuová komora (2) je propojena s vývěvou (6) přes regulační ventil (5) a plazmový zdroj (7) je napojen na zásobník (15) pracovního plynu přes průtokoměr (14).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2016-224A CZ306799B6 (cs) | 2016-04-18 | 2016-04-18 | Způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny a zařízení k provádění tohoto způsobu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2016-224A CZ306799B6 (cs) | 2016-04-18 | 2016-04-18 | Způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny a zařízení k provádění tohoto způsobu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2016224A3 CZ2016224A3 (cs) | 2017-07-12 |
| CZ306799B6 true CZ306799B6 (cs) | 2017-07-12 |
Family
ID=59284915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ2016-224A CZ306799B6 (cs) | 2016-04-18 | 2016-04-18 | Způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny a zařízení k provádění tohoto způsobu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ306799B6 (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022117130A1 (en) | 2020-12-03 | 2022-06-09 | Univerzita Palackého v Olomouci | Device for deposition of dielectric optical thin films by the help of sputtering plasma sources and sources of energy ions |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203859921U (zh) * | 2014-05-04 | 2014-10-01 | 核工业西南物理研究院 | 一种测量等离子体电流分布的极化ece诊断系统 |
-
2016
- 2016-04-18 CZ CZ2016-224A patent/CZ306799B6/cs not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203859921U (zh) * | 2014-05-04 | 2014-10-01 | 核工业西南物理研究院 | 一种测量等离子体电流分布的极化ece诊断系统 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| XP012071717 Watts Christopher; et al., Comparison of different methods of electron cyclotron emission-correlation radiometry for the measurement of temperature fluctuations in the plasma core, REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, AIP, MELVILLE, NY, US, Vol. 75, Nr. 10, pg 3177 - 3184, 20.09.2004, doi:10.1063/1.1790567 * |
| XP020205688 Liu Yong; et al., MAGNETICALLY CONFINED PLASMA; Present Status of the Electron Cyclotron Emission Measurements on HT-7 and EAST, PLASMA SCIENCE AND TECHNOLOGY, INSTITUTE OF PHYSICS PUBLISHING, BRISTOL, GB, Vol. 13, Nr. 3, pg 352 - 356, 15.06.2011, doi:10.1088/1009-0630/13/3/15 * |
| XP080689106 Willensdorfer M; et al., Plasma response measurements of external magnetic perturbations using electron cyclotron emission and comparisons to 3D ideal MHD equilibrium, Cornell University Library, 201 Olin Library Cornell University Ithaca, NY, 30.03.2016 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022117130A1 (en) | 2020-12-03 | 2022-06-09 | Univerzita Palackého v Olomouci | Device for deposition of dielectric optical thin films by the help of sputtering plasma sources and sources of energy ions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CZ2016224A3 (cs) | 2017-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hopwood et al. | Electromagnetic fields in a radio‐frequency induction plasma | |
| US7615985B2 (en) | Probe for measuring characteristics of an excitation current of a plasma, and associated plasma reactor | |
| EP2122657B1 (en) | Method for controlling ion energy in radio frequency plasmas | |
| Gahan et al. | Ion energy distribution measurements in rf and pulsed dc plasma discharges | |
| Kamenski et al. | An evaluation of different antenna designs for helicon wave excitation in a cylindrical plasma source | |
| Cunge et al. | Anomalous skin effect and collisionless power dissipation in inductively coupled discharges | |
| Kechkar et al. | Investigation of the electron kinetics in O2 capacitively coupled plasma with the use of a Langmuir probe | |
| Enk et al. | Radio frequency power deposition in a high-density helicon discharge with helical antenna coupling | |
| Lho et al. | Azimuthally symmetric pseudosurface and helicon wave propagation in an inductively coupled plasma at low magnetic field | |
| Binwal et al. | Transverse magnetic field effects on spatial electron temperature distribution in a 13.56 MHz parallel plate capacitive discharge | |
| CZ306799B6 (cs) | Způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny a zařízení k provádění tohoto způsobu | |
| Binwal et al. | Passive inference of collision frequency in magnetized capacitive argon discharge | |
| Scharwitz et al. | Optimised plasma absorption probe for the electron density determination in reactive plasmas | |
| CZ29519U1 (cs) | Vysokofrekvenční aparatura pro měření parametrů plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny | |
| Wegner et al. | E‐H Transition in Argon/Oxygen Inductively Coupled RF Plasmas | |
| RU2587468C2 (ru) | Способ измерения плотности электронов в плазме методом оптической спектроскопии | |
| Liu et al. | Experimental and numerical investigations of the characteristics of electron density in O2/Ar pulsed planar-coil-driven inductively coupled plasmas | |
| Ding et al. | Experimental investigation of the electron sheath resonance (ESR) effect in parallel plate radio-frequency capacitively coupled plasmas | |
| Colina-Delacqua et al. | Qualification of uniform large area multidipolar ECR hydrogen plasma | |
| Tanışlı et al. | Comments on the Langmuir probe measurements of radio-frequency capacitive argon–hydrogen mixture discharge at low pressure | |
| KR20230092941A (ko) | 플라즈마 시스템의 비침습적 측정 | |
| Viel et al. | Modelling and characterization of a large-diameter plasma cylinder produced by surface waves | |
| Petrov et al. | Plasma parameters in a dual-camera low-power inductive RF discharge with an external magnetic field | |
| Wilson | Development of a large RF plasma source for non-linear microwave-plasma interactions | |
| EP4416753B1 (en) | Method and system for plasma diagnostics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Patent lapsed due to non-payment of fee |
Effective date: 20220418 |