CZ27661U1

CZ27661U1 - Tenký širokopásmový radioabsorbér

Info

Publication number: CZ27661U1
Application number: CZ2014-30039U
Authority: CZ
Inventors: Natalia Kazantseva; Yurii Kazantsev; Vladimir Babayan; Robert Moučka; Jarmila Vilčáková; Pavel Urbánek; Ivo Kuřitka
Original assignee: Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně
Priority date: 2014-10-01
Filing date: 2014-10-01
Publication date: 2014-12-29

Description

Technické řešení se týká tenkého širokopásmového radioabsorbéru, který spadá do oblasti absorpčních materiálů určených pro řešení problémů moderní elektroniky.

Dosavadní stav techniky

Vzhledem k tomu, že v současnosti elektronika proniká do takřka všech odvětví lidské činnosti, je stále častěji nutno řešit problém elektromagnetické kompatibility a elektromagnetické interference, stejně jako negativní vliv elektromagnetického záření na přírodu a člověka. Jedním ze způsobů řešení těchto problémů představují elektromagnetické absorbéry. Mezi hlavní charakteristiky absorbérů patří šířka stíněného frekvenčního pásma, dále tloušťka a hmotnost daného absorbéru. Jedním ze způsobů rozšíření operačního pásma absorbéru bez zvětšení jeho hmotnosti a tloušťky je použití tzv. frekvenčně selektivních povrchů (FSP) v konstrukci daného absorbéru.

Této problematice je věnována řada vědeckých článků a patentů. Řada patentovaných řešení je zaměřena na použití frekvenčně selektivních prvků v absorbérech rezistivního typu, ve kterých je elektromagnetická energie pohlcována rezistivními prvky absorbéru. Např. v patentech US 6 538 596 a US 5 627 541 jsou prvky pohlcujícími elektromagnetické záření rezistivní vrstvy s rezistivitou rovnající se okolnímu (volnému) prostředí (120 π Ω). V patentu CN 102026531 jsou prvky pohlcujícími elektromagnetické záření rezistory s rezistivitou 44,9 kQ, začleněné mezi kovové prvky FSP. Tyto typy absorbérů však nejsou prioritně určeny a ani vhodné pro řešení problémů souvisejících s nežádoucími účinky elektromagnetického záření v moderní elektronice. Jsou zaměřeny přednostně na „stealth“ technologie - antidetekční systémy. Navíc tyto absorbéry mají i kvalitativně nižší charakteristiky (šíře pracovního frekvenčního pásma a úspora tloušťky). Tak kupříkladu v patentu US 6 538 596 relativní operační frekvenční pásmo (fnux/fmin) absorbéru je rovno 2 a jeho tloušťka vztažená na vlnovou délku leží v intervalu 1/16 až 1/12 vlnové délky.

V patentu CN 102026531 je navržen radioabsorbér s FSP, který má relativně menší tloušťku (1/40 vlnové délky), nicméně není pro něj udána šířka frekvenčního pásma, která podle kvalifikovaného odhadu činí 1,1.

V užitném vzoru CZ27020 Ul je popsán návrh širokopásmového absorbéru na bázi kompozitu (elastomer plněný magnetickým plnivem) a FSP ve tvaru periodické mřížky skládající se plošných vodivých prvků vytvářejících elektromagnetické smyčky, umístěných na jedné straně polymemí vrstvy. Šířka operačního pásma absorbéru závisí na rezonanční frekvenci, Q faktoru a poloze FSP v materiálu, přičemž operační frekvenční pásmo je tím širší, čím menší je Q faktor. Nicméně technologie používané v sériové výrobě nedovolují realizovat mřížku FSP popsaného typu s Q faktorem nižším než 1,3, což značně omezuje šířku frekvenčního pásma absorbéru.

Podstata technického řešení

Uvedené nevýhody a nedostatky do značné míry odstraňuje tenký širokopásmový radioabsorbér představovaný vrstvou kompozitu magnetického plniva v elastomemí matrici celkové tloušťky v intervalu 1/20 až 1/60 λ™, opatřenou na výstupní straně podkladní kovovou vrstvou a na vstupní straně nebo uvnitř frekvenčně selektivní mřížkou, podle technického řešení.

Podstata technického řešení spočívá v tom, že frekvenčně selektivní mřížka radioabsorbéru, tvořená sestavou pravidelně rozmístěných plošných vodivých prvků, je vytvořena souběžně po obou stranách nevodivého polymemího substrátu o tloušťce 0,02 až 0,2 mm, přičemž na jedné straně nevodivého polymemího substrátu mají plošné vodivé prvky tvar obvodově uzavřených rámečků a na protilehlé straně tvar podélných obrazců spojujících v půdorysném průmětu vždy každý rámeček se čtyřmi nejblíže sousedícími rámečky tak, že podélný obrazec přesahuje přes vnější obvodové strany těchto rámečků a nepřesahuje přes vnitřní strany rámeček, a zároveň rozteč všech plošných vodivých prvků je shodná a je v intervalu od 0,5 A_m do D₂, kde λ„ je střední vlnová délka operačního pásma absorbéru a D₂ je vnější strana rámečků.

- 1 CZ 27661 Ul

Frekvenčně selektivní mřížka radioabsorbéru podle technického řešení má s výhodou podélné obrazce orientovány kolmo k nejbližším stranám rámečků.

Frekvenčně selektivní mřížka radioabsorbéru podle technického řešení svým umístěním s výhodou rozděluje kompozitní vrstvu na dvě části, ve směru vstupu záření označené jako vstupní kompozitní vrstva tloušťky d\ a výstupní kompozitní vrstva tloušťky d₂, přičemž poměr jejich tlouštěk d\: d₂ je 2:1 až 4:1.

Hlavní výhodou širokopásmového radioabsorbéru podle technického řešení je možnost dosahovat hodnot Q faktoru značně nižších než 1,3, a to například pomocí fotolitografie s rozlišením do 0,15 mm. Tato možnost je dána právě konstrukcí frekvenčně selektivní mřížky, jejíž vodivé prvky dvojího odlišného typu jsou navzájem provázaně umístěny po obou stranách nevodivé polymemí vrstvy, přičemž již známé vodivé prvky tvaru obvodově uzavřených rámečků, vytvářející samostatné elektromagnetické smyčky, jsou z druhé strany nevodivé polymemí fólie doplněny podstatně menšími vodivými prvky ve tvam podélných obrazců. Vzájemnou interakcí obou systémů se i při současných technických limitech rozlišení fotolitografie dosahuje účinku snižujícího hodnoty Q faktoru výrazně pod hodnotu 1,3. Komplexní řešení parametrů kompozitní vrstvy a dané frekvenčně selektivní mřížky umožňuje využití širokopásmového radioabsorbéru podle technického řešení ve zvoleném pásmu vyšších ěi nižších frekvencí, vybraném z celkového rozmezí 1 až 15 GHz.

Frekvenční rozsah 1 až 15 GHz má mimořádný význam, jelikož v tomto pásmu frekvencí pracuje celá řada elektronických zařízení, mezi něž patří radary a systémy mobilních sítí. Zabezpečení tohoto pásma efektivními absorbéry je proto velmi důležité. Realizace tenkého a lehkého absorbéru podle technického řešení přitom umožňuje volbou druhu použitého kompozitního materiálu absorbéru, jeho tloušťkou a také strukturou a polohou frekvenčně selektivní mřížky v materiálu cíleně nasměrovat funkční pásmo radioabsorbéru na homí, dolní nebo střední část uvedeného frekvenčního rozsahu 1 až 15 GHz podle konkrétní potřeby dané aplikace. Blíže o tom v příkladech konkrétního provedení technického řešení.

Objasnění výkresů

Příkladné provedení technického řešení je přiblíženo pomocí přiložených výkresů, kde značí: obr. 1 - Schéma absorbéru;

obr. 2 - Elektromagnetické charakteristiky kompozitu - ε', ε, μ', μ·, obr. 3 - Frekvenční závislosti koeficientu odrazu (R) od vrstev kompozitů o tloušťce rovné tloušťce efektivní (<40 a z jedné strany podložené kovovou deskou; obr. 4a, b - Schéma frekvenčně selektivní mřížky;

obr. 5 - Frekvenční závislosti koeficientu odrazu od absorbérů s frekvenčně selektivní mřížkou pro d\/d₂ = 2.

Příklady uskutečnění technického řešení

Příklad 1

Jak je vidět z obr. 1, tenký širokopásmový absorbér zahrnuje vrstvu kompozitu magnetického plniva v elastomemí matrici celkové tloušťky 3 mm, rozdělenou frekvenčně selektivní mřížkou i na vstupní kompozitní vrstvu 5 a výstupní kompozitní vrstvu 6, za níž je umístěna podkladní kovová vrstva 7.

Frekvenčně selektivní mřížka I je vytvořena na bázi nevodivého polymemího substrátu 2, zde z polyetylentereflalátu (PET), o tloušťce t = 0,1 mm, na jehož obou stranách jsou pravidelně rozmístěny sestavy plošných vodivých prvků typu 3, 4, přičemž na jedné ze stran nevodivého polymemího substrátu 2 mají plošné vodivé prvky tvar obvodově uzavřených rámečků 3, zde tvam čtverce o délce vnitrní strany Di = 8 mm a délce vnější strany D! =10,5 mm, zatímco na

-2CZ 27661 Ul protilehlé straně mají plošné vodivé prvky tvar podélných obrazců 4, zde konkrétně tvar obdélníků o stranách = 2 mm, 1₂ = 1 mm. Tyto obdélníky spojují v půdorysném průmětu vždy každý čtvercový rámeček 3 se čtyřmi nejblíže sousedícími rámečky 3 tak, že přesahují přes vnější obvodové strany čtvercových rámečků 3 a nepřesahují dovnitř rámečků 3. Toto rozložení je zřejmé z obr. 4. Rozteč P všech plošných vodivých prvků - jak rámečků 3, tak podélných obrazců 4, je 11 mm. Pro tuto strukturu frekvenčně selektivní mřížky 1 je charakteristické to, že koeficient odrazu na rezonanční frekvenci f₀ je ve volném prostoru roven -1. Další charakteristikou této frekvenčně selektivní mřížky i je faktor kvality Q_o. Oba tyto parametry - rezonanční frekvence f₀i faktor kvality Q_o - jsou závislé na geometrii a rozmístění plošných vodivých prvků 3, 4, tedy na rozměrech Dj a D₂, a 1₂ a rozteči P.

Pro výpočet těchto strukturních parametrů frekvenčně selektivní mřížky I (Z_b l₂, D_}, D₂, P) tak, aby tato měla optimální hodnoty f_Q a Qo, lze s výhodou použít software FEKO (komerčně dostupný software pro simulaci elektromagnetických vlastností). Optimální hodnoty f₀ a Q_o, při kterých operační frekvenční pásmo tohoto absorbéru podle technického řešení má maximální šířku, se pak pro různé poměry djd₂ získají pomocí teorie přenosu signálu (angl. theory of chains and long lineš).

Vstupní kompozitní vrstva 5 i výstupní kompozitní vrstva 6 absorbéru, mezi nimiž je umístěna frekvenčně selektivní mřížka i, jsou vytvořeny z kompozitu na bázi elastomeru plněného karbonylovým železem. Kompozit má následující složení a hustotu:

50% obj. elastomemí matrice - silikonového elastomeru SYLGARD 184, p = 4.43 g cm³a 50 % obj. magnetického plniva - karbonylového železa typu (struktury) ES.

Frekvenční závislosti komplexní permitivity a permeability tohoto kompozitu jsou uvedené na obr. 2 - viz křivky č. 1. Kompozit je charakterizován určitými hodnotami /_m (střední frekvence frekvence, které odpovídá hluboké minimum na frekvenční závislosti R; dále už jen/_m) a d_m, pro které hodnota koeficientu odrazuje nižší než -20 dB. Na obr. 3 je zobrazena frekvenční závislost koeficientu odrazu R pro tuto kompozitní vrstvu o výše uvedené efektivní tloušťce d_m spolu s vyznačením polohy minima (/m). Na stejném obrázku je čárkovaně vyznačena hranice -10 dB. Použitá již uvedená tloušťka kompozitu se volila tak, aby byla v celkovém souhrnu vstupní kompozitní vrstvy 5 a výstupní kompozitní vrstvy 6 rovna efektivní tloušťce (í/m)· Šířka operačního rozsahu absorbéru souvisí s charakteristikou a polohou frekvenčně selektivní mřížky I v absorbéru.

Tato hodnota je uvedena v tab. 1 a odpovídá danému kompozitnímu materiálu výše popsaného složení. Ve stejných tabulkách lze nalézt také hodnoty okrajových frekvencí a7n±i, které odpovídají rozsahu, v němž hodnota koeficientu odrazu od absorbéru nepřevyšuje -10 dB. Frekvenční závislost koeficientu odrazu pro absorbér na bázi daného kompozitu při poměru djd₂ = 2 je uvedena na obr. 5 (viz křivka č. 1). Srovnání této závislosti s analogickou závislostí uvedenou na obr. 3 pro absorbér tvořený pouze tímto kompozitním materiálem bez jakékoliv frekvenčně selektivní mřížky (viz křivky č. 1) ukazuje, že použití výše popsané frekvenčně selektivní mřížky i v absorbéru podle příkladu 1 umožňuje zvětšit relativní šířku operačního pásma (fnaffmn) z 1,7 na 2,9. Jak je patrné z uvedené tabulky, největší hodnoty podílu /maxjmm lze dosáhnout v rozsahu djd₂ = 2 až 4. Přitom hodnoty Q_o se nacházejí v rozsahu 0,26 až 1,00.

Takto nízkých hodnot Q faktoru by bylo možno u frekvenčně selektivní mřížky dosud známého typu s čtvercovými vodivými prvky (jednostranné) dosáhnout pouze za podmínky, že jejich vzájemná vzdálenost nepřesáhne 0,15 mm. To je však z technologického hlediska na hranici nebo i za hranicí možností současných sériových výrobních postupů. Nutné přiblížení sousedních čtvercových rámečků 3 u frekvenčně selektivní mřížky I absorbéru podle technického řešení při dosažení výše uvedeného širokopásmového účinku absorbéru se s jistotou drží nad hodnotou 0,1 mm, a proto je tato struktura z hlediska aktuálních možností litografie snadno realizovatelná.

U frekvenčně selektivní mřížky I řešené podle technického řešení podélné obrazce 4 ve tvaru plných obdélníků, umístěné na druhé straně nevodivého polymemího substrátu 2 představují kapacitní „zkrat“ mezi sousedními rámečky 3 hlavní mřížky umístěné na první straně nevodivého polymemího substrátu 2. Čtvercové rámečky 3 představují z hlediska své funkce uzavřené elek-3CZ 27661 Ul tromagnetické smyčky. Vliv uvedených kapacitních zkratů na rezonanční frekvenci a Q faktor frekvenčně selektivní mřížky i je analogický efektu prostého zmenšení vzdálenosti mezi čtvercovými rámečky 3, jelikož v obou případech se zvětšuje efektivní kapacita mezi těmito prvky. Efekt zmenšení Q_o i rezonanční frekvence takové mřížky sestavené z elektromagnetických smyček pomocí kapacitního zkratu byl potvrzen experimentální cestou, a to srovnáním charakteristik dosavadní a nové frekvenčně selektivní mřížky I. Naměřený Q faktor a rezonanční frekvence /o při srovnání absorbérů na bázi již známých jednostranných mřížek a oboustranné frekvenčně selektivní mřížky 1 podle technického řešení dosahovaly následujících hodnot: Q$ = 0,8 (dosud) a Qo - 0,5 (podle technického řešení), To - 7,4 GHz (dosud), 5,4 GHz (podle technického řešení).

Příklad 2

Tenký širokopásmový absorbér zahrnuje vrstvu kompozitu magnetického plniva v elastomemí matrici celkové tloušťky 2 mm, opět rozdělenou frekvenčně selektivní mřížkou I na vstupní kompozitní vrstvu 5 a výstupní kompozitní vrstvu 6, za níž je umístěna podkladní kovová vrstva

7.

Frekvenčně selektivní mřížka 1 aplikovaná v tomto absorbérů je ve všech atributech shodná s frekvenčně selektivní mřížkou I popsanou v příkladu 1.

Vstupní kompozitní vrstva 5 i výstupní kompozitní vrstva 6 absorbérů, mezi nimiž je umístěna frekvenčně selektivní mřížka 1, jsou vytvořeny z kompozitu na bázi elastomeru plněného karbonylovým železem a skleněnými kuličkami. Kompozit má následující složení a hustotu:

% obj. elastomemí matrice - silikonového elastomeru SYLGARD 184, p = 3.64 g cm'³, % obj. magnetického plniva - karbonylového železa typu (struktury) HQ, % obj. skleněných mikrokuliček MSVPA9.

Frekvenční závislosti komplexní permitivity a permeability tohoto kompozitu jsou uvedené na obr. 2 - viz křivky č. 2. Kompozit je charakterizován určitými hodnotami f_m (střední frekvence frekvence, které odpovídá hluboké minimum na frekvenční závislosti /?; dále už jen fZ a J_m, pro které hodnota koeficientu odrazu je nižší než -20 dB. Na obr. 3 - viz křivka č. 2 - je zobrazena frekvenční závislost koeficientu odrazu R pro tuto kompozitní vrstvu o výše uvedené efektivní tloušťce d_m spolu s vyznačením polohy minima (/m)- Na stejném obrázku je čárkovaně vyznačena hranice -10 dB. Použitá již uvedená tloušťka kompozitu se volila tak, aby byla v celkovém souhrnu vstupní kompozitní vrstvy 5 a výstupní kompozitní vrstvy 6 rovna efektivní tloušťce (í/_m). Šířka operačního rozsahu absorbérů souvisí s charakteristikou a polohou frekvenčně selektivní mřížky I v absorbérů.

Tato hodnota je uvedena v tab. 2 a odpovídá danému kompozitnímu materiálu výše popsaného složení. Ve stejné tabulce lze nalézt také hodnoty okrajových frekvencí a /min, které odpovídají rozsahu, v němž hodnota koeficientu odrazu od absorbérů nepřevyšuje -10 dB. Frekvenční závislost koeficientu odrazu pro absorbér na bázi daného kompozitu při poměru djd^ = 2 je uvedena na obr. 5 (viz křivka č. 2). Srovnání této závislosti s analogickou závislostí uvedenou na obr. 3 pro absorbér tvořený pouze tímto kompozitním materiálem bez jakékoliv frekvenčně selektivní mřížky (viz křivky č. 2) ukazuje, že použití výše popsané frekvenčně selektivní mřížky I v absorbérů podle příkladu 1 umožňuje zvětšit relativní šířku operačního pásma (/max/Zmin) z 1,8 na 2,8 Jak je patrné z uvedené tabulky, největší hodnoty podílu/maxÝmin lze dosáhnout v rozsahu djdi = 2 až 4. Přitom hodnoty Qq se nacházejí v rozsahu 0,33 až 1,20.

Příklad 3

7.

-4CZ 27661 Ul

Frekvenčně selektivní mřížka I aplikovaná v tomto absorbéru je ve všech atributech shodná s frekvenčně selektivní mřížkou I popsanou v příkladu 1.

Vstupní kompozitní vrstva 5 i výstupní kompozitní vrstva 6 absorbéru, mezi nimiž je umístěna frekvenčně selektivní mřížka 1, jsou vytvořeny z kompozitu na bázi elastomeru plněného karbonylovým železem a skleněnými kuličkami. Kompozit má následující složení a hustotu:

% obj. elastomemí matrice - silikonového elastomeru SYLGARD 184, p = 2.93 g cm³, % obj. magnetického plniva - karbonylového železa typu (struktury) HQ, % obj. skleněných mikrokuliček MSVPA9.

Frekvenční závislosti komplexní permitivity a permeability tohoto kompozitu jsou uvedené na obr. 2 - viz křivky č. 3. Kompozit je charakterizován určitými hodnotami f_m (střední frekvence frekvence, které odpovídá hluboké minimum na frekvenční závislosti R; dále už jeným) a d_m, pro které hodnota koeficientu odrazu je nižší než -20 dB. Na obr. 3 - viz křivka č. 3 - je zobrazena frekvenční závislost koeficientu odrazu R pro tuto kompozitní vrstvu o výše uvedené efektivní tloušťce d_m spolu s vyznačením polohy minima (/„). Na stejném obrázku je čárkovaně vyznačena hranice -10 dB. Použitá již uvedená tloušťka kompozitu se volila tak, aby byla v celkovém souhrnu vstupní kompozitní vrstvy 5 a výstupní kompozitní vrstvy 6 rovna efektivní tloušťce (d_m). Šířka operačního rozsahu absorbéru souvisí s charakteristikou a polohou frekvenčně selektivní mřížky I v absorbéru.

Tato hodnota je uvedena v tab. 3 a odpovídá danému kompozitnímu materiálu výše popsaného složení. Ve stejné tabulce lze nalézt také hodnoty okrajových frekvencí a f_mi_n, které odpovídají rozsahu, v němž hodnota koeficientu odrazu od absorbéru nepřevyšuje -10 dB. Frekvenční závislost koeficientu odrazu pro absorbér na bázi daného kompozitu při poměru d]/d₂ = 2 je uvedena na obr. 5 (viz křivka č. 3). Srovnání této závislosti s analogickou závislostí uvedenou na obr. 3 pro absorbér tvořený pouze tímto kompozitním materiálem bez jakékoliv frekvenčně selektivní mřížky (viz křivky č. 3) ukazuje, že použití výše popsané frekvenčně selektivní mřížky 1 v absorbéru podle příkladu 1 umožňuje zvětšit relativní šířku operačního pásma (/max/Tmin) z 1,7 na 2,8. Jak je patrné z uvedené tabulky, největší hodnoty podílu fmEfmin lze dosáhnout v rozsahu d\!d₂ = 2 až 4. Přitom hodnoty Q_o se nacházejí v rozsahu 0,36 až 1,30.

Z výše uvedených příkladů provedení vyplývá, že u stejné struktury frekvenčně selektivní mřížky 1 lze cíleně nastaveným složením kompozitu tvořícího vstupní kompozitní vrstvu 5 a výstupní kompozitní vrstvu 6 dosáhnout účinnosti absorbéru podle technického řešení pro zvolené či požadované pásmo frekvencí v dolní, střední či homí části intervalu 1 až 15 GHz.

Závěrem lze říci, že rezonanční frekvence fi, je u absorbéru s frekvenčně selektivní mřížkou I podle technického řešení 4 až 8 krát menší než rezonanční frekvence dosavadních absorbérů s optimální (jednovrstvou) mřížkou uvedených v tab. 1 až 3. Proto rozměry takové mřížky včetně vzdálenosti mezi elektromagnetickými smyčkami potřebné pro dosažení požadovaného účinku jsou přímo úměrně menší než u absorbéru popsaného v příkladech provedení technického řešení, tj. 4 až 8 krát menší. Například pro absorbér z tab. 2 v případě d\ld₂ = 2 by vzdálenost mezi sousedními smyčkami při použití předchozí jednovrstvé mřížky měla činit 0,1 mm. Jak bylo ukázáno výše, realizace takových a menších vzdáleností by pomocí běžných sériových technologií litografie byla krajně obtížná.

Průmyslová využitelnost

Tenký širokopásmový radioabsorbér podle technického řešení je využitelný v různých pásmech frekvenčního rozsahu 1 až 15 GHz, což má mimořádný význam pro celou řadu elektronických zařízení, mezi něž patří radary a systémy mobilních sítí. Zabezpečení tohoto pásma efektivními absorbéry je proto velmi důležité pro řešení mnohých problémů moderní elektroniky.

Claims

1. Tenký širokopásmový radioabsorbér představovaný vrstvou kompozitu magnetického plniva v elastomemí matrici celkové tloušťky v intervalu 1/20 až 1/60 λ™ opatřenou na výstupní straně podkladní kovovou vrstvou a na vstupní straně nebo uvnitř frekvenčně selektivní mřížkou, vyznačující se tím, že frekvenčně selektivní mřížka (1), tvořená sestavou pravidelně rozmístěných plošných vodivých prvků, je vytvořena souběžně po obou stranách nevodivého polymemího substrátu (2) o tloušťce 0,02 až 0,2 mm, přičemž na jedné straně nevodivého polymemího substrátu (2) mají plošné vodivé prvky tvar obvodově uzavřených rámečků (3) a na protilehlé straně tvar podélných obrazců (4) spojujících v půdorysném průmětu vždy každý rámeček (3) se čtyřmi nejblíže sousedícími rámečky (3) tak, že podélný obrazec (4) přesahuje přes vnější obvodové strany těchto rámečků (3) a nepřesahuje přes vnitřní strany rámečků (3), a zároveň rozteč (P) všech plošných vodivých prvků je shodná a je v intervalu od 0,5 2_m do D₂, kde /._m je střední vlnová délka operačního pásma absorbéru a D₂ je vnější strana rámečků (3).

2. Tenký širokopásmový radioabsorbér podle nároku 1, vyznačující se tím, že podélné obrazce (4) jsou orientovány kolmo k nejbližším stranám rámečků (3).

3. Tenký širokopásmový radioabsorbér podle nároku 1, vyznačující se tím, že frekvenčně selektivní mřížka (1) svým umístěním rozděluje kompozitní vrstvu na dvě části, ve směru vstupu záření označené jako vstupní kompozitní vrstva (5) tloušťky d\ a výstupní kompozitní vrstva (6) tloušťky </₂, přičemž poměr jejich tlouštěk d_x: d₂je 2:1 až 4:1.