CZ17135U1 - Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev - Google Patents
Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev Download PDFInfo
- Publication number
- CZ17135U1 CZ17135U1 CZ200618265U CZ200618265U CZ17135U1 CZ 17135 U1 CZ17135 U1 CZ 17135U1 CZ 200618265 U CZ200618265 U CZ 200618265U CZ 200618265 U CZ200618265 U CZ 200618265U CZ 17135 U1 CZ17135 U1 CZ 17135U1
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- deposition
- layers
- nozzles
- perovskite layers
- generators
- Prior art date
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000246358 Thymus Species 0.000 description 1
- 235000007303 Thymus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000001585 thymus vulgaris Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
Oblast techniky
Technické řešení spadá do oblasti technologických postupů depozice tenkých feroelektrických vrstev s využitím plazmochemických reakcí a týká se konstrukce systému pro realizaci depozice perovskitových vrstev, zejména tenkých vrstev BaxSr].xTiO3.
Dosavadní stav techniky
Tenké perovskitové vrstvy typu BaxSri.xTiO3 (BSTO), kde 0 < x < 1, vykazují výraznou závislost dielektrické konstanty v mikrovlnném spektrálním oboru na přiloženém stejnosměrném elektrickém poli. Proto ve srovnání s jinými materiály je BSTO věnována velká pozornost především z hlediska použití pro elektricky laditelné mikrovlnné aplikace jako posouvače fáze, varaktory, laditelné rezonátory, filtry apod. Této problematice jsou například věnovány odborné statě S.E. Moon, E.K. Kim, S.J. Lee, S.K. Han, K.Y. Kang and W.J. Kim, Ferroelectrics 272, 333 (2002); W.J. Kim, W. Chang, S.B. Qadri, J.M. Pond, S. W. Kirchoefer, D.B. Chrisey and J.S. Horwitz, Appl. Phys. Lett. 76(9), 1185 (2000); A.T. Findikoglu, Q.X. Jia, I.H.Campbell, X.D. Wu, D.
Reagor, C.B. Mombourquette and D. McMurry, Appl. Phys. Lett. 66(26), 3674 (1995); H. Fuke, Y. Terashitna, H. Kayano, M. Yamazaki, F. Aiga and R. Katoh, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 11, 434 (2001); F.W. Van Kuels, C.H. Mueller, F.A. Miranda, R.R. Romanofsky, C.L. Canedy, S. Aggarwal, T. Venkatesan, R Ramesh, J.S. Horwitz, W. Chang and W.J. Kim, IEEE MTT-S 2, 737 (1999); C.M. Carlson, T.V. Rivkin, P.A. Parilla, J.D. Perkins, D.S. Ginley, A.B.
Kozyrev, V.N. Oshadchy and A.S. Pavlov, Appl. Phys. Lett., 76, 1920 (2000); C.L. Canedy, S. Aggarwal, H. Li, T. Venkatesan, R. Ramesh, F.W. Van Keuls, R.R. Romanofsky and F.A. Miranda, Appl. Phys. Lett., 77, 1523 (2000); J. Im, O. Auciello, P.K. Baumann, S.K. Streiffer, D.Y. Kaufman andA.R. Krauss, Appl. Phys. Lett., 76, 625 (2000); B.H. Park, E.J. Peterson, Q.X. Jia, J. Lee, X. Zeng, W. Si andXX. Xi, Appl. Phys. Lett., 78, 533 (2001).
Důležité parametry pro aplikace těchto materiálů představují nízké dielektrické ztráty (tan δ) a míra laditelnosti. Dielektrické chování BSTO vrstev je silně ovlivňováno větším počtem fyzikálně-chemických parametrů především vnitřním mechanickým pnutím ve vrstvě, typem substrátu, chemickým složením, kyslíkovými vakancemi, defekty a příměsemi, morfologií vrstev ve formě nanostrukturovaných vrstev apod., čímž se kromě výše zmiňovaných statí zabývá rovněž článek autorů S.F. Karmanenko, et. al., J. Phys.: Condens. Matter, 14, 6823 (2002). Většinu uvedených vlastností lze pak ovlivňovat použitou technologií během procesu depozice případně následujícím tepelným zpracováním.
V současné době se používají technologie přípravy perovskitových tenkovrstvých struktur zahrnující chemické depoziční techniky jako CSD (Chemical Solution Deposition), MOCVD (Metal
Organic Chemical Vapor Deposition) apod. Druhou skupinu představují fyzikální depoziční techniky jako MBE (Molecular Beam Epitaxy), PLD (Pulsed Laser Deposition) a různé naprašovací metody, o nichž je pojednáváno ve statích R.J. Shul, S.J. Pearton (Eds.), Handbook of Advanced Plasma Processing Techniques, Springer-Verlag, Berlin (2000); D.M. Mattox, Handbook of Physical Vapor Deposition (PVD) Processing, William Andrew Publishing, New York (1998); J.E. Mahan, Physical Vapor Deposition of Thin Films, John Wiley & Sons, New York (2000); H. O. Pierson, Handbook of Chemical Vapor Deposition: Principles, Technologies and Applications, 2nd Edition, William Andrew Publishing, New York (1999); D.L. Smith, Thin-Film Deposition: Principles and Practice, McGraw-Hill, New York (1995). Zmíněné chemické metody pracují v mnoha případech s toxickými materiály a vyžadují následně tepelné zpracování připra45 vovaných vrstev při poměrně vysokých teplotách, což ztěžuje případnou integraci těchto struktur.
Fyzikální depoziční techniky především MBE představují vysoce nákladné zařízení s dlouhou dobou přípravy procesu a je vhodné hlavně pro určité speciální aplikace. PLD depozice pomocí pulsního laseru je sice značně flexibilní, ovšem vrstvy nebývají dostatečně kvalitní z hlediska morfologie povrchu a lze jimi pokrývat pouze menší plochy. PLD technika je tak vhodná přede50 vším pro výzkumné laboratoře. Největšího průmyslového rozšíření dosáhly naprašovací techniky,
-1 CZ 17135 Ul například magnetron sputtering apod. Ovšem při depozici složitějších oxidových sloučenin vznikají problémy s dodržením požadované stechiometrie a obecně dosahují poměrně nízké depoziční rychlosti právě při zvyšování koncentrace kyslíku v depozičním procesu. Tyto jsou také někdy doprovázené deficitem kyslíku a nutností po depoziční oxidace.
Obecně jsou stále hledány další nové technologie vhodné pro přípravu dielektrických vrstev BaxSri_xTiO3 které by zajistily reprodukovatelnost procesu, vysokou depoziční rychlost, nízké poškození substrátů tvořených často další vícevrstvou strukturou a mající snadnou přenosnost do průmyslové výroby. Důležité je zachování kvalitních parametrů z hlediska dielektrických vlastností až do mikrovlnného pásma 10 až 20 GHz. Z tohoto důvodu jsou laboratorně studovány to aplikace vysokofekvenčního (dále RF) nízkoteplotního plazmochemického reaktoru s dutou katodou a proudícími plazmovými kanály na depozici různých oxidových vrstev. Výhodou tohoto systému na rozdíl od klasického magnetronového naprašování je podstatně rychlejší oxidace deponovaných materiálů bez poklesu depoziční rychlosti a bez vzniku deficitu kyslíku v deponovaných vrstvách.
Tento plazmatický systém je pak již dlouhou dobu studován na pracovišti předkladatele technického řešení pro depozici různých typů vrstev a je v současné konfiguraci unikátní. Je známo použití systému využívajícího RF reaktor s dutými katodami osazenými vodivými a polovodivými tryskami pro plazmové leptání, PECVD depozici Si:H vrstev a rychlou depozici TiN vrstev, což je například popsáno ve statích L. Bárdoš and V. Dušek, Thin Solid Films 158 (1988) 265; L.
Bárdoš, V. Dušek, and M. Vaněček, J. Non-Crystal Solids 97 ά 98, (1987) 281 nebo L. Bárdoš and S. Berg, Surface Coating Technol. 54/55, (1992) 91. Využití dvoutryskového systému pro depozici SiGe, ZrCNx a SiGe:H je pak popsáno ve statích M. Šleha, Z, Hubička, L. Soukup, L. Jastrabík, M. Čada, P. Špatenka, Surf. Coat. Technol. 148 (2001) 199 nebo RJ. Soukup, NJ. Ianno, G. Přibil, Z. Hubička, Surf. Coat. Technol. 177 (2004) 676-681. V tomto případě bylo vy25 užito reaktivní rozprašovaní tryskových dutých katod zhotovených z Si, Ge, Zr, C atd.
Úkolem předkládaného technického řešení je pak představit takový systém RF reaktoru, který by umožňoval depozici ferroelektrických perovskitů, jako jsou BSTO vrstvy.
Podstata technického řešení
Uvedeného cíle je dosaženo technickým řešením, kterým je systém pro realizaci depozice perov30 skitových vrstev s využitím plazmochemických reakcí, obsahující vakuový reaktor, v němž je jednak vnitřní prostor uzpůsobený pro uložení tělesa, na jehož povrchu má být realizována depozice, a jednak je v jeho plášti vestavěna alespoň dvojice radiofrekveněních elektrod napojených na výkonové RF generátory. Podstatou řešení je, že radiofrekvenční elektrody jsou opatřené elektricky nevodivými tryskami pracujícími jako RF duté katody a napojenými na přívod pracov35 ního plynu, přičemž každá z radiofrekveněních elektrod je napojena přes tuner na samostatný výkonový RF generátor, kde RF generátory jsou propojeny do pulsního modulátoru.
Další podstatou řešení je, že trysky jsou vytvořeny z dielektrické keramiky, kde ve výhodném provedení je u dvoutryskového systému jedna tryska vytvořena z BaTiO3 a druhá ze SrTiO3.
Konečně je podstatou řešení, že mezi RF generátory a radiofrekvenční elektrody jsou umístěny vzorkovací osciloskopy s měřiči RF proudu a RF napětí.
Technickým řešením se dosahuje nového a vyššího účinku v tom, že použitím dielektrických elektricky nevodivých trysek je možno dosáhnout vysokých depozičních rychlostí a vhodné kvality deponované BSTO vrstvy. Tyto vrstvy je právě možné pomocí tohoto systému při použití více trysek připravit s gradientním složením, což je hlavní výhodou a novinkou. To znamená, že složenou vrstvu BaxSr[.xTiO3 je možno připravit tak, že poměr množství Ba a Sr ve vrstvě, což je vyjádřeno parametrem „x“ v chemickém vzorci BaxSr].xTiO3, se spojitě mění během depozice vrstvy. Výsledkem tohoto postupu je, že výsledná vrstva má u podložky, tedy substrátu, určité složení, tedy poměr Ba/Sr nebo parametr „x“, a to se spojitě mění směrem k hornímu povrchu vrstvy, následkem čehož vznikne gradientní BSTO vrstva. Vzhledem ke skutečnosti, že výbojové plazma je značně neizotermické, když teplota neutrálního plynu jen mírně převyšuje pokojovou
-2CZ 17135 Ul teplotu zatímco teplota elektronů dosahuje až 100 000 °K, nedochází při depozici k teplotní destrukci citlivých substrátů, a proto se může provádět depozice nejen na kovové a teplotně odolné substráty, ale i na plastové materiály.
Popis obrázků na připojených výkresech
Konkrétní příklad provedení technického řešení je schematicky znázorněn na připojených výkresech, znázorňujících na obr. 1 základní provedení systému s dvoutryskovým RF reaktorem a na obr. 2 průběh časové separace modulačního cyklu jednotlivých trysek systému.
Příklady provedení technického řešení
Základem příkladného provedení systému podle technického řešení je vakuový reaktor 1 napojeío ný na vakuovou vývěvu 2, jehož vnitřní prostor 101 je uzpůsoben pro uložení tělesa 3, na jehož povrch 31 má být deponována perovskitová vrstva 4. V horní části reaktoru 1 jsou do jeho pláště vestavěny radiofrekvenční elektrody 5, které jsou elektricky izolovány od uzemněného pláště JI reaktoru 1. V těchto elektrodách 5 jsou vestavěny duté katody ve formě nevodivých trysek 6, napojenými na přívod 7 pracovního plynu, tvořeného s výhodou směsí Ar + O2, přičemž trysky 6 jsou směrovány do jedné oblasti povrchu 31 tělesa 3. Trysky 6 jsou vytvořeny z dielektrické keramiky, v konkrétním případě jedna z BaTiO3 a druhá ze SrTiO3. Každá z radiofrekvenčních elektrod 5 je napojena přes tuner 8 na samostatný výkonový RF generátor 9 a oba RF generátory 9 jsou propojeny do pulsního modulátoru 10, sloužícího jednak jako zdroj buzení a modulace RF generátorů 9 a jednak jako synchronizátor fází činnosti obou RF generátorů 9. Mezi RF generáto20 ry 9 a radiofrekvenční elektrody 5 jsou pak umístěny vzorkovací osciloskopy J_0 s měřiči RF proudu a RF napětí, sloužící k měření RF výkonu generátorů 9 a absorbovaného RF výkonu v jednotlivých tryskách.
Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev ve dvoutryskové verzi byl ověřován pro BaxSri.xTiO3 gradientní tenké vrstvy, kde parametr x se měnil v různém intervalu se vzdáleností od povrchu 31 tělesa 3 až k povrchu vrstvy 4. Parametr x se měnil v experimentech až v maximálním rozsahu od x = 0 do x = 1, případně v menších rozsazích. Ve zmíněném systému byla jedna tryska 6 zhotovená z dielektrické keramiky SrTiO3 a druhá z dielektrické keramiky BaTiO3. Obě trysky 6 pracovaly ve funkci RF duté katody. Každá radiofrekvenční elektroda 5 s tryskou 6 byla kapacitně napájena z nezávislého výkonového RF generátoru 9, čímž bylo dosa30 ženo zapálení nezávislého RF výboje v této duté katodě, kde jeho intenzita byla dána absorbovaným výkonem ve výboji. Materiál keramických trysek 6 pracujících jako duté katody byl reaktivně odprašován v Ar + O2 proudícím plazmatu touto tryskou 6 a tyto rozprášené částice byly unášeny po výtoku z trysky 6 směrem k tělesu 3.
Takto na tělese 3 různě vyhřívaném vznikla perovskitová vrstva BaxSri_xTiO3 (BSTO) s různým parametrem x, který byl dán poměrem RF výkonů absorbovaných v obou RF dutých katodách, tedy tryskách 6. Pokud byl tento poměr RF absorbovaných výkonů kontinuálně měněn během depozice, bylo možné získat gradientní vrstvu BSTO s kontinuálně proměnným x v tloušťkovém profilu vrstvy 4. Pokud byl použit pro buzení RF výbojů v tiyskách 6 kontinuální RF výkon, bylo pro stabilitu plazmatu výhodné synchronizovat fázi obou RF generátorů 9. Během vývoje této technologie se ukázalo výhodné použít pulzně modulované RF buzení výboje v RF duté katodě. Tento pulzní mod je výhodný pro depoziční proces díky vysoké okamžité hustotě plazmatu během aktivní části modulačního cyklu a zároveň malé tepelné zátěži trysky 6 i při tak velkých okamžitých hustotách RF výkonu a vysokých hustotách plazmatu. Depoziční rychlost je tak možné kontrolovat nejen velikostí okamžitého absorbovaného výkonu v trysce 6, ale také veli45 kostí střídy modulačního cyklu při konstantním absorbovaném okamžitém RF výkonu, který je optimální pro depoziční proces. V tomto případě je možné aktivní část modulačního cyklu jednotlivých trysek 6_úplně časově separovat.
Tato separace znázorněná z průběhu modulovaných RF napětí naměřených na obou tryskách 6 je znázorněná na obr. 2. Znamená to, že každá tryska 6 je aktivní v jiný časový okamžik modulač50 ního cyklu. Tímto způsobem je vyloučeno vzájemné ovlivňování obou výbojů v tryskách 6, což
-3CZ 17135 Ul je výhodné pro nastavování definovaných parametrů výboje a intenzity rozprašování trysek 6. Gradientní složení BSTO vrstvy 4 je pak dosaženo pouze změnou poměru velikostí stříd pulzně modulovaných RF výkonů v obou tryskách 6 při konstatním optimálním okamžitém RF výkonu v každé jednotlivé tiysce 6.
Krystalická struktura BSTO byla dokázána strukturní analýzou pomocí XRD difrakce. Gradientní složení bylo ověřeno pomocí spektroskopické elipsometrie, která umožnila určit tloušťkový profil velikosti indexu lomu. Gradientní složení BSTO vrstev bylo také patrné z profilu rozšíření difrakčních čar.
Popsaný příklad není jediným možným provedením podle technického řešení, ale depoziční sysio tém nemusí pracovat pouze ve dvoutiyskové verzi, ale může být rozšířen na tří, čtyř a vícetryskový, kde trysky 6 jsou umístěny vzájemně pod různými úhly. Je možné tak zvýšit depoziční rychlost BSTO vrstev nebo tak vrstvu dopovat dalšími příměsi. Dále je možné každou jednotlivou trysku 6 nahradit lineární řadou ekvivalentních trysek 6 z důvodu realizace depozice perovskitů na velké plochy.
Průmyslová využitelnost
Systém podle technického řešení lze s výhodou použít pro depozici BaxSri.xTiO3 tenkých vrstev s různým složením určeným parametrem x nebo měnícím se parametrem x v profilu tlouštky vrstvy, tj v gradientních vrstvách BaxSri.xTiO3. Systém umožňuje i depozici těchto typů vrstev s různými příměsemi prvků jako je Mn, Cr, atd. Systém tak umožňuje připravit tyto ferroelektrické vrstvy ve vhodném tvaru a vhodným parametrem x nebo profilem parametru x jako součást laditelných struktur a součástek pro mikrovlnné aplikace, tj. převážně pro mikrovlnné ladítelné součásti jako jsou mikrovlnné laditelné filtry, posouvače fáze, laditelné rezonátory, varaktory, atd, kde je využito vysoké hodnoty dielektrické konstanty vrstvy a její laditelnosti. Dále je možné takto připravené typy vrstev s gradientním složením, které vykazují mnohem větší hodnotu pyro25 koeficientu než homogenní vrstvy s konstantním x, použít pro tenkovrstvé pyrodetektory a další teplotní čidla. Vlastnosti BSTO vrstev připravených touto metodou, tj. vrstev bez olova, jsou blízké k vlastnostem průmyslových materiálů obsahujícím olovo, což umožňuje jejich výrobu v souladu se současnými ekologickými předpisy.
Claims (4)
- NÁROKY NA OCHRANU30 1. Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev s využitím plazmochemických reakcí, obsahující vakuový reaktor (1), v němž je jednak vnitřní prostor (101) uzpůsobený pro uložení tělesa (3), na jehož povrchu (31) má být realizována depozice, a jednak je v jeho plášti (11) vestavěna alespoň dvojice radiofrekvenčních elektrod (5) napojených na výkonové RF generátory (9), vyznačující se tím, že radiofrekvenční elektrody (5) jsou opatřené elektricky35 nevodivými tryskami (6) pracujícími jako RF duté katody a napojenými na přívod (7) pracovního plynu, přičemž každá z radiofrekvenčních elektrod (5) je napojena přes tuner (8) na samostatný výkonový RF generátor (9), kde RF generátoiy (9) jsou propojeny do pulsního modulátoru (10).
- 2. Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev podle nároku 1, vyznačující se tím, že trysky (6) jsou vytvořeny z dielektrické keramiky.40
- 3. Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev podle nároku 2, vyznačující se tím, že u dvoutryskového systému je jedna tryska (6) vytvořena z BaTiO3 a druhá ze SrTiO3.
- 4. Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev podle některého z nároků 1 až 3, vyznačující se tím, že mezi RF generátory (9) a radiofrekvenční elektrody (5) jsou45 umístěny vzorkovací osciloskopy (10) s měřiči RF proudu a RF napětí,
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ200618265U CZ17135U1 (cs) | 2006-11-14 | 2006-11-14 | Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ200618265U CZ17135U1 (cs) | 2006-11-14 | 2006-11-14 | Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ17135U1 true CZ17135U1 (cs) | 2007-01-08 |
Family
ID=37684334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ200618265U CZ17135U1 (cs) | 2006-11-14 | 2006-11-14 | Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ17135U1 (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019210891A1 (en) | 2018-05-02 | 2019-11-07 | Fyzikalni Ustav Av Cr, V.V.I. | Method of low-temperature plasma generation, method of an electrically conductive or ferromagnetic tube coating using pulsed plasma and corresponding devices |
-
2006
- 2006-11-14 CZ CZ200618265U patent/CZ17135U1/cs not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019210891A1 (en) | 2018-05-02 | 2019-11-07 | Fyzikalni Ustav Av Cr, V.V.I. | Method of low-temperature plasma generation, method of an electrically conductive or ferromagnetic tube coating using pulsed plasma and corresponding devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Moon et al. | Orientation dependent microwave dielectric properties of ferroelectric Ba 1− x Sr x TiO 3 thin films | |
| Hong et al. | Voltage tunable dielectric properties of rf sputtered Bi2O3-ZnO-Nb2O5 pyrochlore thin films | |
| York et al. | Synthesis and characterization of (BaxSr1− x) Ti1+ yO3+ z thin films and integration into microwave varactors and phase shifters | |
| Goud et al. | Thickness dependence of microwave dielectric tunability in Ba0· 5Sr0· 5TiO3 thin films deposited by pulsed laser deposition | |
| CZ17135U1 (cs) | Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev | |
| Varanasi et al. | Large area Ba1− xSrxTiO3 thin films for microwave applications deposited by pulsed laser ablation | |
| Le Paven et al. | Lanthanum titanium perovskite compound: Thin film deposition and high frequency dielectric characterization | |
| Cukauskas et al. | Ba (1− x) Sr x TiO 3 thin films by off-axis cosputtering BaTiO 3 and SrTiO 3 | |
| Yan et al. | Influence of deposition temperature on microstructure and electrical properties of modified (Ba, Sr) TiO3 ferroelectric thin films | |
| Tumarkin et al. | Effect of annealing in oxygen atmosphere on structure and microwave properties of multilayered tunable (Ba, Sr) TiO3 capacitors | |
| You et al. | Structural and electrical properties of low temperature sintered Li2CO3 doped (Ba, Sr) TiO3 ceramics | |
| Xu et al. | Annealing effects on structural and dielectric properties of tunable BZT thin films | |
| Li et al. | Dielectric properties of SrTiO3 thin films grown on various perovskite electrodes by pulsed laser deposition | |
| Kozyrev et al. | A finline 60-GHz phase shifter based on a (Ba, Sr) TiO3 ferroelectric thin film | |
| Rousseau et al. | Influence of substrate on the pulsed laser deposition growth and microwave behaviour of KTa0. 6Nb0. 4O3 potassium tantalate niobate ferroelectric thin films | |
| Pamu et al. | Dielectric properties of ambient temperature grown nanocrystalline ZrTiO4 thin films using DC magnetron sputtering | |
| Park et al. | Investigation on the relation between the thickness and the orientation of epitaxially grown YBCO thin films by laser ablation | |
| Feng et al. | High dielectric tunability of Ba0. 6Sr0. 4TiO3 thin film deposited by radio-frequency magnetron sputtering | |
| Li et al. | Effect of film orientation on the dielectric properties of bismuth magnesium niobate thin films prepared by RF magnetron sputtering | |
| Yang et al. | Microwave properties of Bi1. 5Zn1. 0Nb1. 5O7/Ba0. 6Sr0. 4TiO3 hetero layered films directly sputtered on Si up to 50 GHz | |
| Kalkur et al. | Tunable RF filters with graded-composition, MOCVD-deposited BST capacitors | |
| Kim et al. | Dielectric properties of ferroelectric (Ba0. 6Sr0. 4) TiO3 thick films prepared by tape-casting | |
| TAKAYAMA et al. | Preparation of La-modified lead titanate thin films by rf-magnetron sputtering method and their pyroelectric properties | |
| Cheon et al. | The correlation between τɛ and the tolerance factor in (Sr, Ca)(Ti, Zr) O3 microwave dielectric ceramics | |
| Razumov et al. | Electrical properties of magnetron sputtered thin BaSrTiO3 films depending on deposition conditions |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG1K | Utility model registered |
Effective date: 20070108 |
|
| ND1K | First or second extension of term of utility model |
Effective date: 20101109 |
|
| ND1K | First or second extension of term of utility model |
Effective date: 20131106 |
|
| MK1K | Utility model expired |
Effective date: 20161114 |