CS276083B6 - Process for making visible defects on aluminium oxide-based single crystal polished surfaces - Google Patents

Process for making visible defects on aluminium oxide-based single crystal polished surfaces Download PDF

Info

Publication number
CS276083B6
CS276083B6 CS905774A CS577490A CS276083B6 CS 276083 B6 CS276083 B6 CS 276083B6 CS 905774 A CS905774 A CS 905774A CS 577490 A CS577490 A CS 577490A CS 276083 B6 CS276083 B6 CS 276083B6
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
single crystal
based single
polished surfaces
aluminium oxide
visible defects
Prior art date
Application number
CS905774A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS577490A3 (en
Inventor
Josef Rndr Csc Novak
Ivana Rndr Csc Velicka
Original Assignee
Fyzikalni Ustav Csav
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fyzikalni Ustav Csav filed Critical Fyzikalni Ustav Csav
Priority to CS905774A priority Critical patent/CS276083B6/en
Publication of CS577490A3 publication Critical patent/CS577490A3/en
Publication of CS276083B6 publication Critical patent/CS276083B6/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Před mikroskopickým pozorováním defektů na leštěných plochách monokrystalů na bázi oxidu hlinitého je třeba defekty zviditelnit. Na monokrystal se působí roztaveným oxofluoroboritanem alkalického kovu při teplotě 700 až 800 °C po dobu 20 až 600 sekund.Before microscopic observation of defects on polished single-crystal surfaces alumina, the defects need to be made visible. The single crystal is molten alkali metal oxofluoroborate at 700 to 800 ° C for 20 hours up to 600 seconds.

Description

Vynález se týká způsobu zviditelňování defektů například dislokací, růstových spirál, bloků, hranic zrn, vměstků, mikrobublin a aikroprasklin na leštěných plochách monokrystalů na bázi oxidu hlinitého například korundu, safíru, rubínu apod. pro mikroskopické pozorování .The invention relates to a method for visualizing defects, for example by dislocations, growth spirals, blocks, grain boundaries, inclusions, microbubbles and microcracks, on polished surfaces of alumina-based single crystals, for example corundum, sapphire, ruby and the like, for microscopic observation.

Z literatury je známo, že zviditelňování defektů na uvedeném materiálu se provádí roztaveným hydrogensíranem draselným při 675 °C, jak uvádí Alford W. J., Stephens D. L.: Jo Amer. Ceram. Soc. 46 (1963), 193; Stephens D. L., Alford W. J.: J. Amer. Ceram. Soc 47 (1964), 81, nebo roztaveným tetraboritanem sodným při 1 000 °C jak popisuje Heuer A. Ho, Roberts J. P.: Trans. Brit. Ceram. Soc. 6£ (1966), 219, nebo roztaveným oxidem vanadičným jak uvádí Faktor Μ. M., Fiddyment D. G., Newns G. R.: J. Elchem. Soc. H.4, (1967). Safdar lí., Frischat G. H., Salge H.: J. Aner. Ceram. Soc. 57 (1974), 106 a Manasevit H. M.: J. Elchem. Soc. 1.^5 (1968), 434 využili účinku plynných fluorovaných uhlovodíků nebo sulfofluoridů při 1 450 °C. Jiní autoři například Scheuplein R., Gibbs P.: J. Amer. Ceram. Soc. 43 (I960) 458; Scheuplein R., Gibbs P.: J. Amer. Ceram. Soc. 45 (1962), 439 využili ke zviditelňování defektů na plochách (0001) a (2021) vroucích roztoků kyseliny fosforečné. Vardiaan R« G.: J. Elchem. Soc. 118 (1971) 1804 použil hydroxid draselný.It is known from the literature that the visualization of defects on said material is performed with molten potassium bisulfate at 675 ° C, as reported by Alford W. J., Stephens D. L .: Jo Amer. Ceram. Soc. 46 (1963), 193; Stephens D. L., Alford W. J .: J. Amer. Ceram. Soc. 47 (1964), 81, or molten sodium tetraborate at 1000 DEG C. as described by Heuer A. Ho, Roberts J. P .: Trans. Briton. Ceram. Soc. 6 £ (1966), 219, or molten vanadium oxide as reported by Factor Μ. M., Fiddyment D. G., Newns G. R .: J. Elchem. Soc. H.4, (1967). Safdar li., Frischat G. H., Salge H .: J. Aner. Ceram. Soc. 57 (1974), 106 and Manasevit H. M .: J. Elchem. Soc. 1. ^ 5 (1968), 434 used the effect of gaseous fluorocarbons or sulfofluorides at 1450 ° C. Other authors, for example, Scheuplein R., Gibbs P .: J. Amer. Ceram. Soc. 43 (I960) 458; Scheuplein R., Gibbs P .: J. Amer. Ceram. Soc. 45 (1962), 439 used boiling phosphoric acid solutions to visualize defects on the surfaces (0001) and (2021). Vardiaan R «G .: J. Elchem. Soc. 118 (1971) 1804 used potassium hydroxide.

Nevýhodou uvedených způsobů je intenzivní pěnění hydrogensíranu draselného nebo hydroxidu draselného, vysoká teplota taveného boraxu, jeho vysoká viskosita a po vychladnutí taví dl a pak jeho vysoká adheze ke vzorku. Použití fluorovaných halogenovodíků nebo sulfofluoridů vyžaduje náročnou aparaturu, vysokou teplotu a tím špatnou kontrolovatelnost stupně naleptání. Nevýhodou leptání ve vroucí kyselině fosforečné je její snadná dehydratace a s ní související nekontrolovatelný stupeň polymerizace se vznikem nerozpustných polyfosforečnýeh sloučenin.The disadvantages of these methods are the intensive foaming of potassium bisulfate or potassium hydroxide, the high temperature of the molten borax, its high viscosity and, after cooling, it melts dl and then its high adhesion to the sample. The use of fluorinated hydrogen halides or sulfofluorides requires complex equipment, high temperature and thus poor controllability of the etching degree. The disadvantage of etching in boiling phosphoric acid is its easy dehydration and the associated uncontrollable degree of polymerization with the formation of insoluble polyphosphorus compounds.

Uvedené nevýhody odstraňuje způsob zviditelňování defektů na leštěných plochách monokrystalů na bázi oxidu hlinitého podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že na zkoumaný monokrystal se působí roztaveným oxofluoroboritanem alkalického kovu obecného vzorce X2B2O^F2, kde X je lithium, sodík, draslík nebo rhubidium při teplotě 700 až 800 °C po dobu 20 až 600 sekund.These disadvantages are eliminated by the method of visualizing defects on the polished surfaces of alumina-based single crystals according to the invention, the essence of which consists in that the investigated single crystal is treated with molten alkali metal oxofluoroborate of general formula X 2 B 2 O ^ F 2 , where X is lithium, sodium , potassium or rhubidium at 700 to 800 ° C for 20 to 600 seconds.

Použití taveniny je výhodné pro její relativně vysokou fluiditu těsně nad bodem tání. Další výhodou je, že tavenina je i po vícenásobném použití značně reaktivní k různým krystalograficky orientovaným plochám resistentních materiálů na bázi korundu. Význačnou vlastností taveniny je i značně odlišná tepelná roztažnost v porovnání s tepelnou roztažností zkoumaných monokrystalů a malá adheze, což způsobuje po vychladnutí monokrystalu samovolné odprýskání tavidla. Leptaný monokrystal tudíž nevyžaduje rozpouštění taveniny a oplachování.The use of a melt is advantageous for its relatively high fluidity just above the melting point. Another advantage is that the melt is highly reactive to different crystallographically oriented surfaces of resistant corundum-based materials even after repeated use. A significant property of the melt is also a significantly different thermal expansion compared to the thermal expansion of the investigated single crystals and low adhesion, which causes the flux to spontaneously flak after cooling of the single crystal. Thus, the etched single crystal does not require melt dissolution and rinsing.

Podstata vynálezu je dále objasněna na konkrétních příkladech.The essence of the invention is further illustrated by specific examples.

Příklad 1Example 1

V platinovém kelímku se smísí 10 g KF a 10,7 g H^BOj, roztaví a vytenperuje na 740 °C. Do tohoto roztoku se ponoří safírová destička s leštěnou plochou (1T02) zavěšená na platinovém drátku a leptá se po dobu 40 s. Po vyjmutí z taveniny se položí na platinový plech a po vychladnutí a odprýskání taveniny se destička podrobí mikroskopickému zkoumání.10 g of KF and 10.7 g of H 2 BO 2 are mixed in a platinum crucible, melted and tempered to 740 ° C. A sapphire plate with a polished surface (1T02) suspended on a platinum wire is immersed in this solution and etched for 40 s.

Příklad 2Example 2

Roztavenou směs 15 g H^BO^ a 6,3 g LiF udržujeme v platinován kelímku na teplotě 730 °C. Pinzetou a platinovými hroty do ní vnoříme korundovou destičku s leštěnou plochou (0001) a leptáme po dobu 70 s. Dále postupujeme jako u příkladu 1.A molten mixture of 15 g H 2 O 2 and 6.3 g LiF is kept in a platinum crucible at 730 ° C. Using tweezers and platinum tips, insert a corundum plate with a polished surface (0001) into it and etch for 70 s. Proceed as in Example 1.

Příklad 3Example 3

V platinovém kelímku máme roztavenou směs 10 g NaF a 14,7 g Na dno kelímku položíme shora uvedeným způsobem safírovou destičku s leštěnou plochou (1T00) a leptáme při teplotě 750 °C po dobu 210 s. Dále postupujeme jako u příkladu 1.We have a molten mixture of 10 g NaF and 14.7 g in a platinum crucible. A sapphire plate with a polished surface (1T00) is placed on the bottom of the crucible as described above and etched at 750 ° C for 210 s.

Claims (1)

Způsob zviditelňování defektů na leštěných plochách monokrystalů na bázi oxidu hlinitého, vyznačující se tím, že se na monokrystal působí roztaveným oxofluoroboritanem alkalického kovu při teplotě 700 až 800 °C po dobu 20 až 600 sekund.Method for visualizing defects on polished surfaces of alumina-based single crystals, characterized in that the single crystal is treated with molten alkali metal oxofluoroborate at a temperature of 700 to 800 ° C for 20 to 600 seconds.
CS905774A 1990-11-21 1990-11-21 Process for making visible defects on aluminium oxide-based single crystal polished surfaces CS276083B6 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS905774A CS276083B6 (en) 1990-11-21 1990-11-21 Process for making visible defects on aluminium oxide-based single crystal polished surfaces

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS905774A CS276083B6 (en) 1990-11-21 1990-11-21 Process for making visible defects on aluminium oxide-based single crystal polished surfaces

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS577490A3 CS577490A3 (en) 1992-03-18
CS276083B6 true CS276083B6 (en) 1992-03-18

Family

ID=5403273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS905774A CS276083B6 (en) 1990-11-21 1990-11-21 Process for making visible defects on aluminium oxide-based single crystal polished surfaces

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS276083B6 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107265473A (en) * 2017-04-03 2017-10-20 中国科学院新疆理化技术研究所 Compound fluoboric acid rubidium and fluoboric acid rubidium nonlinear optical crystal and preparation method and purposes
CN107628629A (en) * 2017-09-19 2018-01-26 中国科学院新疆理化技术研究所 Compound fluoboric acid caesium rubidium and fluoboric acid caesium rubidium nonlinear optical crystal and preparation method and purposes
CN114074944A (en) * 2021-12-17 2022-02-22 中国科学院新疆理化技术研究所 Compound rubidium, boron, phosphorus and oxygen nonlinear optical crystal and preparation method and application thereof

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107265473A (en) * 2017-04-03 2017-10-20 中国科学院新疆理化技术研究所 Compound fluoboric acid rubidium and fluoboric acid rubidium nonlinear optical crystal and preparation method and purposes
CN107265473B (en) * 2017-04-03 2019-11-15 中国科学院新疆理化技术研究所 Compound fluoboric acid rubidium and fluoboric acid rubidium nonlinear optical crystal and preparation method and purposes
CN107628629A (en) * 2017-09-19 2018-01-26 中国科学院新疆理化技术研究所 Compound fluoboric acid caesium rubidium and fluoboric acid caesium rubidium nonlinear optical crystal and preparation method and purposes
CN107628629B (en) * 2017-09-19 2020-04-10 中国科学院新疆理化技术研究所 Compound cesium rubidium fluoroborate, nonlinear optical crystal of cesium rubidium fluoroborate, preparation method and application
CN114074944A (en) * 2021-12-17 2022-02-22 中国科学院新疆理化技术研究所 Compound rubidium, boron, phosphorus and oxygen nonlinear optical crystal and preparation method and application thereof
CN114074944B (en) * 2021-12-17 2024-05-03 中国科学院新疆理化技术研究所 Compound rubidium boron phosphorus oxygen and rubidium boron phosphorus oxygen nonlinear optical crystal, preparation method and application

Also Published As

Publication number Publication date
CS577490A3 (en) 1992-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Shaw et al. Subliquidus immiscibility in binary alkali borates
Osiko et al. Synthesis of refractory materials by skull melting technique
IE903320A1 (en) Macrocrystals of ó-alumina in the form of platelets and¹process for obtaining them
CN104583154A (en) High zirconia fused cast refractory
Weaver et al. The role of TiO 2 and composition in the devitrification of near-stoichiometric cordierite
CS276083B6 (en) Process for making visible defects on aluminium oxide-based single crystal polished surfaces
Linares Growth of Single‐Crystal Garnets by a Modified Pulling Technique
Wanklyn Flux growth of crystals of some transition metal fluorides
Lawson et al. Hot corrosion of alumina
SU683638A3 (en) Method of forming in a bath for electrolytical manufacture of aluminium
Mateika et al. Czochralski growth of barium hexaaluminate single crystals
SEWARD III et al. Transmission electron microscopy of thin glass samples
Champion et al. Etch pits in flux-grown corundum
JPH0653634B2 (en) Regeneration method of quartz crucible for pulling silicon single crystal
Silverman Effect of alumina on devitrification of soda‐lime‐silica glasses
Finch et al. Flux growth and characterization of hexagonal germanium dioxide single crystals
Aleksandrov et al. The formation of high-temperature materials by direct high-frequency fusion in a cold container
Cröll et al. Melt‐crucible wetting behavior in semiconductor melt growth systems
Hengel et al. TSZM growth of β-BaB2O4 crystals
Li et al. Corrosion of electrocast AZS refractories by CAS glass–ceramics melting
JPH0475879B2 (en)
Shieh et al. Constitution of laser melted Al2O3–MgO–SiO2 ceramics
Taft et al. Zone purification of silicon
Weaver et al. Growth of Complex Oxide Single Crystals from Fluoride Melts
Oka et al. Crystal growth of InBO3