CS274398B1 - Method of ionizing radiation's ge/li coaxial detector treatment - Google Patents
Method of ionizing radiation's ge/li coaxial detector treatment Download PDFInfo
- Publication number
- CS274398B1 CS274398B1 CS69188A CS69188A CS274398B1 CS 274398 B1 CS274398 B1 CS 274398B1 CS 69188 A CS69188 A CS 69188A CS 69188 A CS69188 A CS 69188A CS 274398 B1 CS274398 B1 CS 274398B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- detector
- layer
- coaxial
- ionizing radiation
- mixture
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 title claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 7
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 abstract 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001730 gamma-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
(57) Způsob úpravy koaxiálního detektoru , Ge/Li ionizujícího záření, při čemž se zbrousí silná difúzní vrstva čelní stěny koaxiálního detektoru nejméně na vrstvu i a tím se odstraní část n vrstvy detektoru a tato strana se pak leptá směsí kyselin dusičné a fluorovodíkové v poměru 2:1 až 10:1 tak, aby nedošlo k poškození válcového povrchu, detektoru leptací směsí, načež se na tuto čelní stranu detektoru provede difúze litia a potom se detektor driftuje při teplotě 30 až 50 C, načež se detektor zapouzdří do kryostatu, který se evakuuje a vnoří do kapalného dusíku.
CS 274398 Bl
CS 274398 Bl
Vynález se týká úpravy koaxiálního detektoru Ge/Li ionizujícího záření, zvyšující účinnost detektoru, zejména pro záření gama nižších energií. Kromě toho tato úprava zlepší rovnoměrnost rozložení elektrického pole v přední části detektoru a sběr náboje, a tím i spektroskopické vlastnosti.
Ge/Li detektory ionizujícího zářeni jsou používány pro spektroskopii gama a X záření. Nejčastěji používaným typem Ge/Li detektoru jsou tzv. nepravé koaxiální detektory, které se připravují tak, že se do vhodného výřezu monokrystalu germania typu p provede difúze litia napařeného ve vakuu nebo z olejové suspense litia, nebo z litia elektroliticky naneseného z taveniny chloridů nebo dusičnanů litia. Potom se pod elektrickým napětím provádí drift litiových iontů za teploty 30 až 50 °C směrem ke středu válečku. Objem, do kterého proniknou ionty litia, které kompensují příměsi v monokrystalu, tzv. i oblast, je účinným objemem pro detekci záření. P kontakt je vytvářen zbývajícím p krystalem ve středu válečku, n kontakt vytváří vrstva, kde je nadifundováno litium. Záření dopadá do detektoru touto difúzní vrstvou, která je pro detekci záření neúčinná. Difundovaná vrstva, obvykle ještě značně rozšířená v průběhu technologického procesu přípravy detektoru, působí jako vstupní okénko detektoru, které v důsledku různých nehomogenit krystalu má značnou i nerovnoměrnou tloušťku, která zejména v téo části detektoru ovlivňuje nepříznivě rozložení elektrického pole.
Nedostatek tohoto způsobu přípravy spočívá v tom, že se část gama kvant pohltí v mrtvé vrstvě neúčinné oblasti na povrchu detektoru, tím se snižuje účinnost detektoru, zejména pro gama záření nižších energií a zvyšuje se comptonovské pozadí. Vzhledem k nerovnoměrnosti rozložení elektrického pole dochází ke zhoršení sběru náboje, a tím i spektrometrických vlastností detektoru.
Tyto nedostatky odstraňuje způsob úpravy koaxiálního detektoru Ge/Li ionizujícího záření, jehož podstata spočívá v tom, že se zbrousí silná difúzní vrstva čelní strany detektoru, kterou dopadá záření, nejméně na vrstvu i, a tím se odstraní část n vrstvy detektoru. Tato strana se potom leptá směsí kyselin dusičné a fluorovodíkové v poměru 2:1 až 10:1 tak, aby nedošlo k poškození válcového povrchu detektoru, pokrytého n” vrstvou leptací směsí. Na tuto čelní stranu se provede difúze litia. Potom se detektor driftuje při teplotě 30 až 50 °C po dobu 2 až 20 hodin, potom se detektor zapouzdří do kryostatu, který se evakuuje a vnoří do kapalného dusíku.
Vyšší technický účinek způsobu podle vynálezu se projevuje tím, že detektory připravené popsaným způsobem mají větší účinnost, zejména pro nižší energie záření gama, nižší comtonovské pozadí a lepší spektrometrické vlastnosti.
Příklad:
Na Ge/Li detektor před úpravou bylo možno při závěrném proudu ΙΟ'^θΑ aplikovat napětí pouze 1 000 V. Tento detektor měl nevyhovující rozlišení 4,4 keV a účinnost 5,5 U detektoru byly provedeny tyto úpravy: na čelní straně detektoru byla odstraněna vrstva n a část vrstvy i obroušením o celkové tloušíce 3 mm. Tato strana detektoru byla potom leptána směsí kyselin dusičné a fluorovodíkové v poměru 3:1, potom byla provedena na tuto stranu difúze litia, detektor byl driftován při teplotě 37 °C po dobu 12 hodin, potom byl zapouzdřen do kryostatu a vnořen do kapalného dusíku. Po této úpravě pracoval detektor při napětí 2,1 kV a zpětným proudem 10-^θΑ, rozlišení se výrazně zlepšilo na hodnotu 2,3 keV a účinnost vzrostla na 6,2 ‘-i.
Uvedeného postupu lze použít pro zlepšení parametrů detektorů při výrobě detektorů.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob úpravy koaxiálního detektoru Ge/Li ionizujícího záření, zvyšující účinnost detektoru, zejména u nižších energií a zlepšující jeho spektrometrické vlastnosti, vyznačující se tím, že se zbrousí silná difúzní vrstva čelní stěny koaxiálního detektoru nejméně na vrstvu i, a tím se odstraní část n vrstvy detektoru a tato strana se potom leptá směsí kyselin dusičné a fluorovodíkové v poměru 2:1 až 10:1 tak, aby nedošlo k poškození n vrstvy válcového povrchu detektoru leptací směsí, potom se na tuto čelní stranu detektoru provede difúze litia a potom se detektor driftuje při teplotě 30 až 50 °C, potom se detektor zapouzdří do kryostatu, který se evakuuje a vnoří do kapalného dusíku.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS69188A CS274398B1 (en) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | Method of ionizing radiation's ge/li coaxial detector treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS69188A CS274398B1 (en) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | Method of ionizing radiation's ge/li coaxial detector treatment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS69188A1 CS69188A1 (en) | 1989-09-12 |
| CS274398B1 true CS274398B1 (en) | 1991-04-11 |
Family
ID=5339503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS69188A CS274398B1 (en) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | Method of ionizing radiation's ge/li coaxial detector treatment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS274398B1 (cs) |
-
1988
- 1988-02-04 CS CS69188A patent/CS274398B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS69188A1 (en) | 1989-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gass et al. | Oxygen diffusion in silicon and the influence of different dopants | |
| JPH06139993A (ja) | 入射イオンの粒子個数測定方法及び装置 | |
| JP2799090B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| Burns | Angular distribution of secondary electrons from (100) faces of copper and nickel | |
| US4533831A (en) | Non-mass-analyzed ion implantation | |
| Pearton et al. | Deep level effects in silicon and germanium after plasma hydrogenation | |
| CS274398B1 (en) | Method of ionizing radiation's ge/li coaxial detector treatment | |
| Grimaldi et al. | Epitaxial regrowth of thin amorphous GaAs layers | |
| Yu et al. | Induced defects in GaAs etched by low energy ions in electron beam excited plasma (EBEP) system | |
| Barber et al. | Fast atom bombardment mass spectrometry (FAB). Negative-ion spectra of some simple monosaccharides | |
| Tuominen et al. | Radiation hardness of Czochralski silicon studied by 10-MeV and 20-MeV protons | |
| Ma | Effects of RF annealing on the excess charge centers in MIS dielectrics | |
| CA1144663A (en) | Germanium semiconducting radiation detector with phosphorus implanted n.sup. contacts | |
| Sato et al. | Ionic fragmentation of SiH4 following the L-shell excitation | |
| CS273563B1 (en) | Method of ge/li coaxial detector layout for low-energetical gamma radiation | |
| Fang et al. | Combined microcrystal and amorphous silicon cells | |
| JP2968955B2 (ja) | イオン注入設備のウェーハ汚染防止装置 | |
| JPH0656846B2 (ja) | 半導体基体の処理方法 | |
| US3718955A (en) | Method of manufacturing semiconductor camera tube targets | |
| JPS57111019A (en) | Doping method for impurity | |
| Scanlon et al. | Detection of surface accumulation of dopants in rapid-thermally-annealed, shallow-implant silicon | |
| JPS61156774A (ja) | 半導体放射線検出器 | |
| JPS6139356A (ja) | イオン打込装置 | |
| JPH01119668A (ja) | イオン注入装置 | |
| Al Neami et al. | Ar ion induced X-ray emission for the analysis of light elements in CdTe |