CS273111B1 - Method of partial temperature coefficient determination in experimental way - Google Patents
Method of partial temperature coefficient determination in experimental way Download PDFInfo
- Publication number
- CS273111B1 CS273111B1 CS440787A CS440787A CS273111B1 CS 273111 B1 CS273111 B1 CS 273111B1 CS 440787 A CS440787 A CS 440787A CS 440787 A CS440787 A CS 440787A CS 273111 B1 CS273111 B1 CS 273111B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- temperature
- component
- temperature coefficient
- partial
- partial temperature
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002226 simultaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
Vynález se týká způsobu stanovení dílčího teplotního koeficientu experimentální cestou, například součástky elektrotechnických zařízení.The invention relates to a method of determining a partial temperature coefficient by an experimental method, for example components of electrical equipment.
V současné době u zařízení pracujících v prostředí s širším rozsahem teploty se provádí předběžné vyhodnocování vlivu teploty ohříváním celého zařízení, což je zdlouhavý způsob a často neposkytuje přesný obraz o příčinách teplotní závislosti a o možnostech případné úpravy zařízení, aby se dosáhl jeho optimální teplotní koeficient, zpravidla blízký nule. Výsledky takovýchto teplotních zkoušek zařízení jsou vlivem současného působení teploty na více teplotně závislných součástí zkresleny, což má nežádoucí vliv na výzkumné a vývojové práce v té které oblasti. Podobně postup zjištování dílčího teplotního koeficientu přikládáním ohřívacího tělesa známé teploty na zkoušenou součást poskytuje jen orientační výsledky vlivem poměrně velkého tepelného odporu mezi čidlem teploty na ohřívacím tělese a teplotně citlivým místem prověřované součásti.At present, devices operating in a wider temperature range are pre-evaluated by heating the entire device, which is a lengthy process and often does not give an accurate picture of the causes of temperature dependence and the potential for adjusting the device to achieve its optimum temperature coefficient. near zero. The results of such temperature tests of the device are distorted due to the simultaneous effect of temperature on several temperature-dependent components, which has an undesirable effect on research and development work in that area. Similarly, the procedure of determining a partial temperature coefficient by applying a heater of known temperature to the test component provides only indicative results due to the relatively high thermal resistance between the temperature sensor on the heater and the temperature sensitive location of the component under test.
Uvedené nevýhody odstraňuje způsob stanovení dílčího teplotního koeficientu experimentální cestou, při jehož provádění se měří povrchová teplota součástky a charakteristické veličiny celého zařízení, například velikost výstupního signálu. Podstata vynálezu spočívá v tom, že součástka včetně snímače povrchové teploty se zahřeje a po zastavení přívodu tepla se stanoví směrnice tečny k té části závislosti charakteristické veličiny na teplotě, která byla sejmuta když teplota součástky se opět přiblížila teplotě okolí, přičemž tato směrnice je rovna dílčímu teplotnímu koeficientu, kterým se právě zkoušená součástka podílí na teplotním koeficientu celého zařízení.These disadvantages are eliminated by the method of determining the partial temperature coefficient by an experimental method, in which the surface temperature of the component and the characteristic quantities of the whole device, such as the size of the output signal, are measured. SUMMARY OF THE INVENTION The object of the invention is that the component including the surface temperature sensor is heated and, after stopping the heat supply, the tangent slope is determined to that part of the characteristic value versus the temperature that was removed when the component temperature again approached ambient temperature. temperature coefficient by which the component under test contributes to the temperature coefficient of the whole device.
Výhodou uvedeného způsobu je výrazně přesnější stanovení dílčího teplotního koeficientu součástky experimentální cestou. Lze totiž běžně dosáhnout poměrně velký tepelný odpor mezi okolím a teplotním čidlem vzhledem k odporu mezi teplotním čidlem a teplotně citlivým místem součástky, takže v závěrečné fázi experimentu je chyba v měření teploty malá.The advantage of said method is that the partial temperature coefficient of the component is determined more experimentally by an experimental method. In fact, a relatively high thermal resistance between the ambient and the temperature sensor can normally be achieved relative to the resistance between the temperature sensor and the temperature sensitive part of the component, so that in the final phase of the experiment the temperature measurement error is small.
Na připojeném výkrese je šest příkladů záznamů závislosti charakteristické veličiny na teplotě sejmutých v níže popsaném příkladu využití vynálezu. Svislá osa U slouží pro vynášení charakteristické veličiny, tj. výstupního napětí, na vodorovné ose se vynáší povrchová teplota T zkoušené součásti.In the accompanying drawing, there are six examples of temperature-dependent temperature recordings taken in the example of the invention described below. The vertical U-axis serves for plotting the characteristic quantity, ie the output voltage, on the horizontal axis, the surface temperature T of the test component is plotted.
Způsob podle vynálezu byl uplatněn v příkladném provedení pro vývoj přesného převodníku kmitočtu na napětí, který sice obsahoval deset součástí, ale jeho výsledný teplotní koeficient rozhodujícím a současně výpočtem přesně nestanovitelným způsobem ovlivňovaly tři polovodičové prvky: monolitický stabilizátor napětí a dvě monolitické dvojice křemíkových tranzistorů. Teplotní vliv stabilizátoru na výsledný teplotní koeficient je již daný z výroby a účelem zkoušky je pouze zjištění jeho skutečné velikosti u dané součásti ve zkoušeném zapojení. Teplotní vliv prvni monolitické dvojice tranzistorů zapojených jako diody bylo možné vzhledem k různému pracovnímu režimu jednotlivých tranzistorů ovlivnit spojením nebo rozpojením elektrod báze - kolektor. Konečně teplotní koeficient druhé monolitické dvojice tranzistorů bylo možné nastavovat volbou velikosti proudu tekoucího emítorovým přechodem jednoho z tranzistorů změnou odporu příslušného rezistoru.The method according to the invention was applied in an exemplary embodiment for the development of an accurate frequency to voltage converter, which contained ten components, but its resulting temperature coefficient influenced three semiconductor elements in a decisive and non-determinable manner: a monolithic voltage stabilizer and two monolithic pairs of silicon transistors. The temperature influence of the stabilizer on the resulting temperature coefficient is already given by the manufacturer and the purpose of the test is only to determine its actual size for the component in the tested circuit. The temperature influence of the first monolithic pair of transistors connected as diodes could be influenced by the connection or disconnection of the base-collector electrodes due to the different operating mode of the individual transistors. Finally, the temperature coefficient of the second monolithic pair of transistors could be adjusted by selecting the magnitude of the current flowing through the emitter transition of one of the transistors by varying the resistance of the respective resistor.
Vlastní postup práce podle vynálezu spočíval v postupném přitisknutí teplotního čidla na jednu ze sledovaných součástí zařízení a v jejím zahřátí, přičemž zařízení bylo v činnosti, což konkrétně znamená, že na převodník kmitočtu na napětí byl přiveden signál o kmitočtu přesně 10 kHz a sledovaly se změny výstupního napětí od jmenovité velikosti 1 V v závislosti na teplotě čidla.The actual process according to the invention consisted of gradually pressing the temperature sensor onto one of the monitored components of the device and warming it up, while the device was in operation, which means that the frequency to voltage converter received a signal of exactly 10 kHz and monitored changes output voltage from nominal size 1 V depending on sensor temperature.
Na prvním grafu z křivky j. je patrné, jak teplota čidla roste nejprve z bodu podstatně rychleji než teplota ohřívané součásti. Po zastavení přívodu tepla do součásti, což odpovídá bodu jj, teplota čidla klesá, teplota součásti stále ještě narůstá.The first graph of curve j shows how the temperature of the sensor first increases from a point considerably faster than the temperature of the heated component. After stopping the heat supply to the part, which corresponds to point jj, the temperature of the sensor drops, the temperature of the part still increases.
V bodu jc teplota čidla i součásti je velmi blízká a pomalu se zmenšuje na teplotu okolí.At point jc, the temperature of both the sensor and the component is very close and slowly decreases to ambient temperature.
CS 273 111· BlCS 273 111 · Bl
Směrnice v této části grafu určuje vliv teplotní závislosti součásti na teplotní koeficient charakteristické veličiny. Křivka 2 ukazuje zkoušku stabilizátoru. Křivka 2 a 3 dokumentuje nevhodně a vhodně spojené první dvojice tranzistorů. Oe zřejmé, že v případě 2 je dílčí teplotní koeficient výrazně větší, než v případě 3. Konečně křivky 4, 5 a 6 ukazují záznam zkoušek druhé dvojice tranzistorů při různých proudech, kdy se mění velikost i znaménko teplotního koeficientu, přičemž proud při experimentu 5 zajišťuje prakticky nulový teplotní koeficient.The slope in this part of the graph determines the influence of the temperature dependence of a component on the temperature coefficient of a characteristic quantity. Curve 2 shows the stabilizer test. Curve 2 and 3 document the first and second pairs of transistors inappropriately and appropriately coupled. Obviously, in case 2, the partial temperature coefficient is significantly greater than in case of 3. Finally, curves 4, 5 and 6 show the test record of the second pair of transistors at different currents, where the magnitude and the sign of the temperature coefficient vary, ensures practically zero temperature coefficient.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS440787A CS273111B1 (en) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | Method of partial temperature coefficient determination in experimental way |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS440787A CS273111B1 (en) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | Method of partial temperature coefficient determination in experimental way |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS440787A1 CS440787A1 (en) | 1990-07-12 |
| CS273111B1 true CS273111B1 (en) | 1991-03-12 |
Family
ID=5386749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS440787A CS273111B1 (en) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | Method of partial temperature coefficient determination in experimental way |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS273111B1 (en) |
-
1987
- 1987-06-16 CS CS440787A patent/CS273111B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS440787A1 (en) | 1990-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10295416B2 (en) | Temperature sensing circuit with temperature coefficient estimation and compensation using time variable substrate heating | |
| US4487063A (en) | Solid state mass air flow sensor | |
| EP0725923B1 (en) | Two terminal temperature transducer having circuitry which controls the entire operating current to be linearly proportional with temperature | |
| JPH0476412B2 (en) | ||
| US6593761B1 (en) | Test handler for semiconductor device | |
| US3406331A (en) | Compensating power supply circuit for non-linear resistance bridges | |
| US3882728A (en) | Temperature sensing circuit | |
| US4592665A (en) | Temperature-controlled systems for non-thermal parameter measurements | |
| US5091698A (en) | Circuit for measuring the internal resistance of a lambda probe | |
| JPH06102073A (en) | Air flow meter and air flow detection method | |
| US3332285A (en) | Fast precision temperature sensing thermocouple probe | |
| US7085667B2 (en) | System and method of heating up a semiconductor device in a standard test environment | |
| CS273111B1 (en) | Method of partial temperature coefficient determination in experimental way | |
| KR102823320B1 (en) | Method and system for calibrating a controller for determining the resistance of a load | |
| US5148707A (en) | Heat-sensitive flow sensor | |
| JP2013210356A (en) | Temperature measurement device | |
| US3371708A (en) | Electronic comparator for sensing and affecting conditions | |
| JP2541540Y2 (en) | Ceramic heater | |
| SU1597596A1 (en) | Electronic temperature-sensitive element | |
| JPH09203668A (en) | Apparatus and method for measuring thermal resistance | |
| CN220252039U (en) | Current detection assembly | |
| CN117968930B (en) | Temperature drift correction system and method for MEMS heat conduction type vacuum sensor | |
| JPS5832177A (en) | Measuring method for temperature in mosfet channel part | |
| Bąba et al. | Considerations on SiC MOSFET TSEP-based junction temperature measurement routines in practical use | |
| JPH1096703A (en) | Heat conduction parameter sensing method with resistor, and sensor circuit |