CS272990B1 - Method of planar semiconductor detector production - Google Patents
Method of planar semiconductor detector production Download PDFInfo
- Publication number
- CS272990B1 CS272990B1 CS239588A CS239588A CS272990B1 CS 272990 B1 CS272990 B1 CS 272990B1 CS 239588 A CS239588 A CS 239588A CS 239588 A CS239588 A CS 239588A CS 272990 B1 CS272990 B1 CS 272990B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- semiconductor detector
- semiconductor
- energy
- planar semiconductor
- conductivity
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
i cs 272990 B1
Vynález sa týká sposobu výroby planárneho polovodičového detektora. V doposial* známých planárnych celoplošných a mikropásikových polovodičov detekto- ·rov sa používají nepářené alebo naprášené kovové vrstvy, najma zlato, ktoré vytvářejís vlastným polovodičom Schottkyho usměrňující přechod. Tento tvoří funkční část iden-tifikácie dopadajíceho elektromagnetického alebo korpuskulárneho žiarenia podía ener-gie. V poslednon období sa začínají používat planáme polovodičové detektory, ktorépre identifikácíu žiarenia využívají P-N přechod, vytvořený technologiou difuziealebo implantácie napr. bóru B alebo fosforu P do substrátu opačného typu vodivostis měrným odporom^’ větším než 1000 Ohnt.cn.
Nevýhodou týchto planárnych polovodičových detektorov Je to, že a noparovonými anaprašovenými vrstvami sí časovo nestabilně, citlivé na mechanické poškodenie a u di- 1 fásnychj resp. implantovaných sa nedosahují požadované energetické rozlíšenia dopada- jíceho žiarenia o energii E aenšej ako 20 keV pre základný a aplikovaný Jádrovývýskům a výskům vysokoenergetických relativistických častíc.
Hoře uvedené nedostatky odstraňuje sposob výroby planámého polovodičového de-tektora so strmým prechodom podťa vynálezu, ktorého podstata spočívá v tom, že saimplantují molekulárně komplexy BF2 a íažké ióny Ga o dávke D=10^^ až ÍO1^ iónov/cmdo hlbky d=50 až 100 nm substrátu N-typu vodivosti. Výhodou sposobu výroby polovodičového planárného detektora podťa vynálezu je, žesa vyrobí extrémně plytký a strmý P-N přechod s lepším energetickým rozlišením dopa-dajíceho elektromagnetického a korpuskulárneho žiarenia s energiou E menšou ako 15keV; vyrobené detektory stí časovo stabilnejšie v porovnaní s naprašovenými alebo na-parovanými vrstvami u detektorov so Schottkyho prechodom.
Se z plenárnym polovodičovým detektorom je znázorněný na obr. Výroba planárneho polovodičového detektora sa vykoná napr. tak, že na substrát 1 : typu vodivosti N sa vytvoří ma3kovaeia dielektrická vrstva 2. Fotolitografickou tech-nológiou vytvoříme geometriu budíceho detektora, cez ktorí implantujeme do híbky 50 : 'až 100 nm plytký a strmý P-N přechod s velkým gradientom konceňtrácie prvej oblasti3 vodivostných příměsí molekulámych komplexov BFg a íažkých iónov Ga, o dávke” ; - ·*/·-2=1014 až 1015 iónov/cm2. . -..Γ . ; . .
Po vytvoření plytkého a strmého P-N přechodu, urobíme implantáciu druhem oblasti. 4typu vodivosti N, nepr. arzénu As z opečnej strany polovodičového' substrátu 1. Ohmický·,kontakt 5 Je vytvořený štandardnou technologiou na čelnej i spodněj straně planárnehopolovodičového detektora. . ..... ' ' \ ? ‘ ‘
Sposob výroby detektora podl'a vynálezu možeme využit'napr. v medicína,-biologlc-kom, chemickom, geologickom, fyzikálnom, astronomickou a ekologickou výskúine, á.při;·automatizácii a robotizácii národného hospodárstva. "> . '· 7 í i i i i
v. · ··
Claims (1)
- I? Ϊ CS 272990 B1 P RE DUET VYNÁLEZU Sposob výroby plynámeho polovodičového detektore so strmým prechodom, vyznaču-júei sa tým, že sa implantuj ti molekulárně komplexy BFg, tažké ióny Ga, o dávke0=101^ až 1015 iónov/cm2 do híbky d=50 až 100 nm do substrátu (1) N typu vodivosti. 1 výkres
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS239588A CS272990B1 (en) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Method of planar semiconductor detector production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS239588A CS272990B1 (en) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Method of planar semiconductor detector production |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS239588A1 CS239588A1 (en) | 1990-07-12 |
| CS272990B1 true CS272990B1 (en) | 1991-02-12 |
Family
ID=5360980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS239588A CS272990B1 (en) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | Method of planar semiconductor detector production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS272990B1 (cs) |
-
1988
- 1988-04-08 CS CS239588A patent/CS272990B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS239588A1 (en) | 1990-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Schroder et al. | The semiconductor field-emission photocathode | |
| Nikzad et al. | Direct detection and imaging of low-energy electrons with delta-doped charge-coupled devices | |
| Kramberger | Reasons for high charge collection efficiency of silicon detectors at HL-LHC fluences | |
| Navick et al. | 320 g ionization-heat bolometers design for the EDELWEISS experiment | |
| Modak et al. | Influence of energetic particles and electron injection on minority carrier transport properties in Gallium Oxide | |
| CS272990B1 (en) | Method of planar semiconductor detector production | |
| JPH0923020A (ja) | 半導体粒子検出器およびその製造方法 | |
| Modak et al. | Effect of electron injection on minority carrier transport in 10 MeV proton irradiated β-Ga2O3 schottky rectifiers | |
| EP2888764B1 (en) | Photon counting semiconductor detectors | |
| Muminov et al. | Developing Si (Li) nuclear radiation detectors by pulsed electric field treatment | |
| Manchester et al. | Doping of silicon by ion implantation | |
| King et al. | Experience in fabricating semiconductor devices using ion implantation techniques | |
| Duboz et al. | GaN Schottky diodes for proton beam monitoring | |
| Víñals et al. | The experiments to determine the electron capture and ß-decay of 8B into the highly excited states of 8Be. | |
| Printz | Development of radiation-hard n-in-p type silicon detectors and studies on modules with transverse momentum discrimination for the CMS detector at the LHC | |
| Queisser | Reversal of contrast for infrared absorption of deep levels in semi‐insulating GaAs | |
| Benito García | The experiments to determine the electron capture and beta-decay of B-8 into the highly excited states of Be-8 | |
| Yudin et al. | Generation centre distribution in boron-implanted silicon pn junctions | |
| Tin et al. | Near‐surface defects associated with 2.0‐MeV 16O+ ion implantation in n‐GaAs | |
| Dalla Betta et al. | Silicon radiation detectors with three-dimensional electrodes (3D Detectors) | |
| JPS60240161A (ja) | 半導体放射線検出器 | |
| Yuguang et al. | Carrier concentration profiles in multiply implanted silicon with 0.5–7.5 MeV phosphorus | |
| Haworth et al. | Blending lead-210 and AMS age profiles from estuarine sediment cores to reconstruct Holocene climate change in the Sydney Region | |
| Brau | Recent developments in silicon calorimetry | |
| Hee-Yong et al. | Comparative Study on Current-Voltage Characteristics and Efficiencies of Ion-Implanted and Dopant-Diffused Silicon Solar Cells |