CS270631B1 - Zapojení gnténrfho zesilovače s nízkým šumem a nízkým intermodnlačním zkreslením - Google Patents

Zapojení gnténrfho zesilovače s nízkým šumem a nízkým intermodnlačním zkreslením Download PDF

Info

Publication number
CS270631B1
CS270631B1 CS888883A CS888388A CS270631B1 CS 270631 B1 CS270631 B1 CS 270631B1 CS 888883 A CS888883 A CS 888883A CS 888388 A CS888388 A CS 888388A CS 270631 B1 CS270631 B1 CS 270631B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
transistor
resistor
transistors
low
emitter
Prior art date
Application number
CS888883A
Other languages
English (en)
Other versions
CS888388A1 (en
Inventor
Zdenek Ing Masin
Original Assignee
Masin Zdenek
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Masin Zdenek filed Critical Masin Zdenek
Priority to CS888883A priority Critical patent/CS270631B1/cs
Publication of CS888388A1 publication Critical patent/CS888388A1/cs
Publication of CS270631B1 publication Critical patent/CS270631B1/cs

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Anténní zesilovač je určen pr® nesm&ovou letadlovou anténu užívanou v jprovozn leteckých dlouhovlnných a středowSnných radiokompasů. Splňuje současně vysoké požadavky kladené na intermodulačnŽ zkreslení nad 80 dB při vysoké dynamice až 133 dB a vysoké vstupní citlivosti legpSí než 2 yuV v rozsahu pracovních teplot: od - 55 °C do + 80 °C. Obeahuje kaskádu editorových sledovačů. První tranziettor pracuje s vnuceným pracovním bodem zdrojem proudu z druhého tranzistoru, který je teplotně stabilizovaný. Třetí a výkonový čtvrtý tranzistor kaskády jsou rtwněž teplotně stabilizovány sériově uspořádaným obvodem z rezistoru a polovodičových diod. V zapojepí lze s výhodou spojit paralelně nejméně dva první eventuelně třetí tranzistory.

Description

Vynález se týká zapojení anténního zesilovače s nízkým šumem a nízkým intermodulačním zkreslením pro nesměrovou anténu.
V provozu leteckých dlouhovlnných a střpdovlnných radiokompasů se užívá nesměrová letadlová anténa malých rozměrů, která pro ;svou nízkou efektivní elektrickou výšku a nízkou kapacitu vyžaduje neladěný širokopásmový zesilovač vykazující nízký šum, vysoký dynamický rozsah, nízké intermodulaíní'zkreslení, nízkou vstupní kapacitu a vysoký vstupní odpor. Vlastnosti anténního zesilovače převážně určují parametry celého radiokompasů a často posunují kvalitu celého zařízení do nižší jakostní třídy. Tato skutečnost vyvolává nutnost použití takového anténního ·zesilovače, u kterého je vstupní citlivost lepší než 2 uV pro odstup signálu k šumu-*6 dB při šíři páema 1,7 kHz a kapacitě antěny cca 25 pF, dynamický rozsah větší než 100 dB, intermodulační zkrealení nad 80 dB, vatupní odpor vyšší 5.10^-Ω. a stálost vlastností v rozmezí teplot od -55 °C do + 80 °C. V praxi používaná polovodičová zapojení splňují některé z uvedených požadavků, ale nesplňují všechny požadavky najednou. _U anténních zesilovačů používaných pro podobné účely a u vstupních širokopásmových zesilovačů různých sond špičkových měřicích laboratorních přístrojů je dosahováno například intermodulační zkreslení jen 70 dB.
Nevýhody známých řešení zmírňuje a výše uvedené požadavky kladené na anténní zesilovače pro nesměrovou letadlovou anténu splňuje zapojení anténního zesilovače podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že obsahuje kaskádu emitorových sledovačů tvořenou prvním, třetím a výkonovým čtvrtým tranzistorem, přičemž první tranzistor má řídící elektrodu vysokofrekvenčně připojenu ke vstupní svorce a emitor má' připojen ke kolektoru druhého tranzistoru, jehož emitor je připojen ke společné svorce přes první rezistor a jehož báze je připojena jednak ke společné svorce přes první teplotně kompenzační obvod obsahující sériové uspořádání druhého rezistoru a první polovodičové diody orientované souhlasně s přechodem báze - emitor druhého tranzistoru, jednak k napájecí svorce přes pátý rezistor. Báze třetího tranzistoru je připojena jednak ke společné svorce přes druhý teplotně kompenzační obvod obsahující sériové uspořádání třetího rezistoru a druhé a třetí polovodičové diody orientovaných souhlasně s přechody báze - emitor třetího a výkonového čtvrtého tranzistoru, jednak k napájecí svorce přes šestý rezistor. K napájecí svorce je dále připojen kolektor prvního a třetího tranzistoru a kolektor výkonového čtvrtého tranzistoru přes primární vinutí výstupního transformátoru. Emitor výkonového čtvrtého tranzistoru je připojen přes linearizační zpětnovazební čtvrtý rezistor ke společné svorce. V zapojení mohou být spojeny nejméně dva shodné první tranzistory paralelně, rovněž jako mohou být spojeny nejméně dva shodné třetí tranzistory paralelně. ~
Vyšší účinky zapojení anténního zesilovače podle vynálezu spočívají v tom, že splňuje současně vysoké požadavky kladené na intermodulační zkreslení nad 80 dB při vysoké dynamice až 110 dB a vysoké vstupní citlivosti lepší než 2 ^uV při odstupu signálu od šumu 6 dB a šířce pásma 1,7 kHz v rozsahu pracovních teplot od -55 °C do +80 °C.
Na připojeném výkrese je vyobrazeno schéma zapojení anténního zesilovače podle vynálezu.
Konkrétní provedení zapojení anténního zesilovače podle vynálezu Je uspořádáno tak, že první tranzistor TI z kaskády emitorových sledovačú tvořené prvním, třetím a výkonovým čtvrtým tranzistorem TI, T3, T4, má svoji řídicí elektrodu připojenu přes první kondensátor Cl ke vstupní svorce 2, emitor má připojen ke kolektoru druhého tranzistoru T2, jehož emitor je připojen ke společné svorce JL přes první rezistor R1 a jehož báze je připojena ke společné svorce 1 jednak přes první ?
C3 270631 Bl teplotně kptnpenzační obvod Kl, obsahující sériové uspořádání druhého rezistoru R2 a první polovodičové diody Dl orientované souhlasně s přechodem báze - emitor druhého tranzistoru T2, jednak přes třetí kondenzátor C3 a dále k napájecí svorce 3 přes pátý rezistor R5. Řídící elektroda prvního tranzistoru TI je připojena přes devátý rezistor R9 do středu rezistorového děliče tvořeného sedmým a osmým rezistorem R7, ΊίΒ, přičemž, druhý konec oemého rezistoru KB jo.píyípojen ke společné nvorcc 1_, n druhý konec sedmého rezistoru R7 je připojen k napájecí svorce 3. Střed rezistorového děliče R7, R8 je připojen přes druhý kondenzátor C2 ke společné sVorce 1. Báze třetího tranzistoru T3 je připojena jednak přes čtvrtý kondenzátor C4 k emitoru prvního tranzistoru TI, jednak ke společné svorce 1 přes druhý kompenzační..obvod K2 obsahující sériové uspořádání třetího rezistoru R3 a druhé a třetí polovodičové diody D2, D3 orientovaných aouhlasně a přechody báze - emitor třetího a výkonového čtvrtého tranzistoru T3, T4, jednak k napájecí svorce^přes šestý rezistor R6. K napájecí svorce 3 je dále připojen kolektor prvního a třetího tranzistoru TI, T3« Emitor výkonového čtvrtého tranzistoru T4 -ie připojen přes linearizační zpětnovazební čtvrtý rezistor R4 ke společné svorce 1, zatímco kolektor výkonového čtvrtého tranzistoru T4 je připojen k. napájecí svorce 3 přes desátý rezistor R 10 paralelně spojený s primárním vinutím výstupního transformátoru TR, jehož sekundární vinutí je ukončeno čtvrtou a pátou svorkou _5. První tranzistor TI je tranzistor řízený polem. Lepšího poměru signál šum lze dosáhnout zapojením dvou nebo více tranzistorů paralelně. .
Vstupní signál přiváděný od antény je připojen na vstupní svorku_2. Řídící elektroda (hradlo) prvního-tranzistoru TI dostává polarizační napětí z rezistorového děliče tvořeného sedmým a osmým rezistorem R7, R8 přes devátý rezistor R9 určující převážnou část vstupní vodivosti. Kolektor prvního tranzistoru TI je připojen na kladné napájecí napětí ke svorce 3» Pracovní bod je prvnímu tranzistoru TI vnucen zdrojem proudu z druhého tpanzistoru T2, který je teplotně stabilizovaný. Zvýšení výstupní impedance druhého tranzistoru T2 je docíleno prvním rezistorem Rl. Velká výstupní impedance druhého tranzistoru 12 a velká vstupní impedance třetího tranzistoru T3 zaručují napěťový zisk prvého tranzistoru TI prakticky roven jedné při jeho vysoké vstupní impedanci a nepatrné vstupní kapacitě. Teplotní stabilita kolektorového proudu druhého tranzistoru T2 a tedy i prvního tranzistoru TI je určována první diodou Dl v sérii s druhým rezistorem R2 tvořícím s pátým rezistorem R5 napěťový dělič, z něhož je napájena báze druhého tranzistoru T2. Třetí kondenzátor 03 slouží k filtraci. Čtvrtý kondenzátor C4 převádí signál z emitoru prvního tranzistoru TI na bázi třetího tranzistoru T3, jehož báze je napájena z rezistorového děliče tvořeného šestým rezistorem R6 a třetím rezistorem R3 v sérii s druhou a třetí polovodičovou diodou D2, D3, které zajišťují teplotní stabilizaci proudů třetího a čtvrtého tranzistoru T3, T4. Kolektor třetího tranzistoru T3 je připojen na kladné napájecí napětí ke svorce 3. Primární vinutí výstupního transformátoru TR je přemostěno desátým rezistorem R10, který zajišťuje přizpůsobení výstupní impedance čtvrtého tranzistoru T4 na impedanci výstupního kabelu, například 50 nebo 75X1 . Čtvrtý rezistor R4 určuje jednak kolektorový proud výkonového čtvrtého tranzistoru T4 a jeho zisk, jednak linearizuje převodní charakteristiku. Výstupní signál je odebírán z výstupních svorek 4, 5.

Claims (3)

  1. P í E DM Č T VYNÁLEZU
    1. Zapojení anténního zesilovače s nízkým šumem a nízkým intermodulečním zkreslením, vyznačující se tím, že obsahuje kaskádu emitorových sledováčů tvořenou prvním, třetím a výkonovým čtvrtým tranzistorem (TI), (T3), (T4), přičemž první tranzistor (TI) má řídící elektrodu vysokofrekvenčně připojenu ke vstupní .syprce (2) a emitor má připojen ke kolektoru druhého tranzistoru (12), jehož emitor je připojen ke společné svorce (1) přes první rezistor (Rl) a jehož báze je připojeno jodnnk ke společné svorce (1) přes první teplotně kompenzační obvod (Kl) obsahující sériové uspořádání druhého rezistorů (R2) a první polovodičové diody (Dl) orientované souhlasně s přechodem báze - emitor druhého tranzistoru (T2), jednak k napá-jěcí svorce (3) přes pátý rezistor (R5), zatímco báze třetího tranzistoru (T3) je připojena jednak ke společné svorce (1) přes druhý kompenzační obvod (K2) obsahující sériové uspořádání třetího rezistorů (R3) a druhé a třetí polovodičové diody (D2), (D3) orientovaných souhlasně s přechody báze - emitor třetího a výkonového čtvrtého tranzistoru (T3), (T4), jednak k napájecí svorce (3) přes šestý rezistor (R6), přičemž k napájecí svorce (3) je dále připojen kolektor prvního a třetího tranzistoru (TI), (T3) a kolektor výkonového čtvrtého tranzistoru (T4) přes primární vinutí výstupního transformátoru (TR), zatímco emitor výkonového čtvrtého tranzistoru (T4) je připojen přes linearizační zpětnovazební čtvrtý rezistor (R4) ke společné svorce (1).
  2. 2. Zapojení anténního zesilovače podle bodu 1, vyznačené tím, že Jsou spojeny nejméně dva shodné první tranzistory (TI) paralelně.
  3. 3. Zapojení anténního zesilovače podle bodu 1, vyznačené tím, že jsou spojeny nejméně dva shodné třetí tranzistory (T3) paralelně.
CS888883A 1988-12-28 1988-12-28 Zapojení gnténrfho zesilovače s nízkým šumem a nízkým intermodnlačním zkreslením CS270631B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS888883A CS270631B1 (cs) 1988-12-28 1988-12-28 Zapojení gnténrfho zesilovače s nízkým šumem a nízkým intermodnlačním zkreslením

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS888883A CS270631B1 (cs) 1988-12-28 1988-12-28 Zapojení gnténrfho zesilovače s nízkým šumem a nízkým intermodnlačním zkreslením

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS888388A1 CS888388A1 (en) 1989-11-14
CS270631B1 true CS270631B1 (cs) 1990-07-12

Family

ID=5440038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS888883A CS270631B1 (cs) 1988-12-28 1988-12-28 Zapojení gnténrfho zesilovače s nízkým šumem a nízkým intermodnlačním zkreslením

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS270631B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS888388A1 (en) 1989-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2863762B2 (ja) パワーセンサ
KR910009088B1 (ko) 온도 안정 rf 검출기
US4713563A (en) d.c. Block capacitor circuit for rejection of d.c. offset
CA1287384C (en) Controlled-output amplifier and power detector therefor
CA1125368A (en) Full-wave rectifier
US4646002A (en) Circuit for high impedance broad band probe
US4495471A (en) Buffer amplifier
HK35497A (en) Input circuit for a high-frequency amplifier
KR0149650B1 (ko) 전류 증폭기
KR840001016A (ko) 전자 임피던스 장치
US4625131A (en) Attenuator circuit
US4092701A (en) Ultra high input impedance/voltage range amplifier
CS270631B1 (cs) Zapojení gnténrfho zesilovače s nízkým šumem a nízkým intermodnlačním zkreslením
SU1417167A1 (ru) Амплитудный детектор
US4612513A (en) Differential amplifier
US4714894A (en) Operational amplifier
US5144169A (en) Operational amplifier circuit
US4639623A (en) High sensitivity signal detector
EP0351835A3 (en) Logarithmic amplification circuit for obtaining output voltage corresponding to difference between logarithmically amplified values of two input currents
SU1580528A1 (ru) Повторитель напр жени
KR20010005720A (ko) 전력 감지 회로
JPS5654117A (en) Schmitt circuit
DE69004747D1 (de) Breitbandverstärker mit konstanter Verstärkung und mit hochfrequenzbestimmter Eingangsimpedanz.
EP0181752A3 (en) Extended range amplifier circuit
SU1596429A1 (ru) Детектор амплитудно-модулированных сигналов