CS269437B1 - Ampoules for the cultivation of mercury halide monocrystals from the gas phase - Google Patents

Ampoules for the cultivation of mercury halide monocrystals from the gas phase Download PDF

Info

Publication number
CS269437B1
CS269437B1 CS886638A CS663888A CS269437B1 CS 269437 B1 CS269437 B1 CS 269437B1 CS 886638 A CS886638 A CS 886638A CS 663888 A CS663888 A CS 663888A CS 269437 B1 CS269437 B1 CS 269437B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
ampoule
growth
ampoules
gas phase
ampule
Prior art date
Application number
CS886638A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS663888A1 (en
Inventor
Cestmir Ing Barta
Cestmir Ing Csc Barta
Original Assignee
Barta Cestmir
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Barta Cestmir filed Critical Barta Cestmir
Priority to CS886638A priority Critical patent/CS269437B1/en
Publication of CS663888A1 publication Critical patent/CS663888A1/en
Publication of CS269437B1 publication Critical patent/CS269437B1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Řešení se týká uspořádání ampule pro ; pěstování monokrystalů halogenidů rtuti z plynné fáze. Ampule je uzavřena zatavením '· pouze na jednom konci. Druhý konec je u- ; zavřen druhou ampulí, zasunutou dnem dov- ! hitř, přiěemž druhá ampule mé vnější prů- ’ měr jen nezbytně menší než je vnitřní prů­ měr růstové ampule. Velikost vnitřního prostoru růstové ampule je vymezena vzdá­ leností dna růstové ampule od dna zasunu- : té druhé ampuleThe solution relates to the arrangement of an ampoule for growing single crystals of mercury halides from the gas phase. The ampoule is sealed at one end only. The other end is closed by a second ampoule inserted with its bottom inwards, the second ampoule having an outer diameter only necessarily smaller than the inner diameter of the growth ampoule. The size of the inner space of the growth ampoule is defined by the distance between the bottom of the growth ampoule and the bottom of the inserted second ampoule.

Description

Vynález se týká uspořádání ampule pro pěstování monokrystalů chloridu, bromidu, jodidu rtutného nebo jodidu rtutnatého z plynné fáze a řeší problém efektivnější výrony těchto monokrystalů. 'The invention relates to an ampoule arrangement for growing single crystals of chloride, bromide, mercuric iodide or mercuric iodide from the gas phase and solves the problem of more efficient growth of these single crystals.

Dosavadní metody pěstování uvedených monokrystalů jsou založeny na sublimaci výchozí suroviny v místě o relativně vySSÍ teplotě a následné kondenzaci takto vzniklých par v místě o relativně nižSí teplotě. Velikost a průběh teplotních gradientů mezi oběma místy jsou přitom voleny tak, aby výsledkem kondenzace par halogenidů rtuti byl růst přís luěného monokrystalu. Celý proces přitom probíhá v ampuli, která byla po vložení suroviny evakuována a následně zatavena, popřípadě byla částečně či zcela naplněna pomocným plynem. .The current methods of growing the mentioned single crystals are based on the sublimation of the starting material in a place with a relatively higher temperature and the subsequent condensation of the vapors thus formed in a place with a relatively lower temperature. The size and course of the temperature gradients between the two places are chosen so that the condensation of mercury halide vapors results in the growth of the corresponding single crystal. The entire process takes place in an ampoule, which was evacuated after the raw material was inserted and subsequently sealed, or was partially or completely filled with an auxiliary gas. .

Nedostatkem popsaného řeěení je nutnost ampuli po vložení suroviny a evakuaci, resp. napuStění pomocným plynem, následně zatavit, přičemž při vyjímání vypěstovaného monokrystalu je nutné ampuli rozříznout, čímž se znemožní dalSí její použití. Při evakuování ampule vzniká navíc nebezpečí, že bude její vnitřní prostor kontaminován olejovými parami z vývěvy.The disadvantage of the described solution is the necessity of sealing the ampoule after the raw material is inserted and evacuated or filled with auxiliary gas, and when removing the grown single crystal, the ampoule must be cut open, which makes its further use impossible. When evacuating the ampoule, there is also a risk that its internal space will be contaminated with oil vapors from the vacuum pump.

Bylo nalezeno, že výrobu monokrystalů chloridu, bromidu, jodidu rtutného nebo jodidu rtutnatého lze zefektivnit použitím ampule podle vynálezu, jejíž podstata spočívá v tom, že vlastní růstová ampule je uzavřena zatavením pouze na jednom konci a z druhé strany je uzavřena zasunutím druhé ampule dnem dovnitř, která má vnějSí průměr jen nezbytně menší, ’ než je vnitřní průměr růstové ampule tak, že velikost vnitřního prostoru růstové ampule je vymezena zvolenou vzdáleností dna růstové ampule od dna zasunuté druhé ampule.It has been found that the production of single crystals of chloride, bromide, mercuric iodide or mercuric iodide can be made more efficient by using an ampoule according to the invention, the essence of which lies in the fact that the growth ampoule itself is closed by sealing only at one end and on the other side it is closed by inserting a second ampoule with its bottom inward, which has an outer diameter only necessarily smaller than the inner diameter of the growth ampoule, so that the size of the inner space of the growth ampoule is defined by the selected distance of the bottom of the growth ampoule from the bottom of the inserted second ampoule.

r\ Výhoda uspořádání ampule podle vynálezu spočívá v tom, že po vypěstování monokrys talu lze ampuli rozebrat a monoktystal vyjmout bez poškození ampule. Ampuli je možno použít opakovaně.The advantage of the ampoule arrangement according to the invention is that after the single crystal has been grown, the ampoule can be disassembled and the single crystal removed without damaging the ampoule. The ampoule can be used repeatedly.

Konkrétní způsoby použití ampule pro pěstování monokrystalů podle vynálezu jsou po psány v následujících příkladech.Specific methods of using the ampoule for growing single crystals according to the invention are described in the following examples.

Příklad 1Example 1

Křemenná růstová ampule o vnitřním průměru 26 mm, zatavená na jednom konci, byla naplněna surovinou chloridu rtutného a poté do ní byla zasunuta druhá ampule dnem dovnitř, která měla vnější průměr 25,5 mm tak, že vzdálenost dna růstové ampule od dna'zasunuté . druhé ampule byla 250 mm. Po vložení této soustavy do pece byl průběh teplotního pole zvolen vhodně tak, že surovina sublimovala a vzniklé páry vyplňovaly růstový prostor ampule a dále unikaly mezerou mezi stěnami růstové a zasunuté druhé ampule ven mimo soustavu, přičemž zároveň vytlačovaly vzduch přítomný v růstovém prostoru ampule. Po stanovené době byl průběh teplotního pole vhodně upraven tak, že páry chloridu rtutného začaly v prostoru mezi stěnami obou ampuli kondenzovat, že ho vzniklý krystalický chlorid rtutný vyplnil do té míry, že byl vnitřní prostor od vnějšího prostředí hermeticky izolován. Potom byl ve vnitřním prostoru vypěstován monokrystal. Hotový monokrystal byl potom ze soustavy vyjmut tak, že zkondenzované suroviny v prostoru mezi růstovou a zasunutou druhou ampuli byla adsublimována nad kahanem, druhá ampule byla vytažena z růstové ampule a krystal vyjmut. Takto rozebranou ampuli bylo možné opakovaně použít.A quartz growth ampoule with an internal diameter of 26 mm, sealed at one end, was filled with the raw material of mercuric chloride and then a second ampoule was inserted into it with the bottom inwards, which had an external diameter of 25.5 mm, so that the distance between the bottom of the growth ampoule and the bottom of the inserted second ampoule was 250 mm. After inserting this system into the furnace, the course of the temperature field was chosen appropriately so that the raw material sublimed and the resulting vapors filled the growth space of the ampoule and then escaped through the gap between the walls of the growth and inserted second ampoule out of the system, while at the same time displacing the air present in the growth space of the ampoule. After a specified time, the course of the temperature field was suitably adjusted so that the vapors of mercuric chloride began to condense in the space between the walls of both ampoules, so that the resulting crystalline mercuric chloride filled it to the extent that the internal space was hermetically isolated from the external environment. Then a single crystal was grown in the inner space. The finished single crystal was then removed from the system by adsubliming the condensed raw materials in the space between the growth and inserted second ampoules over a burner, the second ampoule was pulled out of the growth ampoule and the crystal was removed. The ampoule thus disassembled could be reused.

Příklad 2Example 2

Skleněná růstová ampule o vnitřním průměru 10 mm, byla zatavená na jednom konci, byla naplněna surovinou jodidu rtutnatého a přítomný vzduch byl vytlačen argonem. Potom do ní byla zasunuta druhá ampule dnem dovnitř, která měla vnější průměr 9,6 mm tak, že vzdálenost dna růstové ampule od dna zasunuté druhé ampule byla 180 mm.A glass growth ampoule with an internal diameter of 10 mm, sealed at one end, was filled with a raw material of mercuric iodide and the air present was displaced with argon. Then a second ampoule was inserted into it, bottom-in, which had an external diameter of 9.6 mm, so that the distance between the bottom of the growth ampoule and the bottom of the inserted second ampoule was 180 mm.

Po vloženi této soustavy do pece byl průběh teplotního pole zvolen vhodně tak, že páry jodidu rtutnatého, vznikající sublimací suroviny, pronikaly do mezery mezi stěnami obou ampuli, zde kondenzovaly, až vzniklý krystalický jodid rtutnatý vyplnil mezeru do téAfter placing this system in the furnace, the course of the temperature field was chosen appropriately so that the mercury iodide vapors, resulting from the sublimation of the raw material, penetrated the gap between the walls of the two ampoules, condensed there, until the resulting crystalline mercury iodide filled the gap to the point where it was completely solid.

CS 269 437 Bl míry, že byl vnitřní růstový prostor ampule hermeticky izolován od vnějšího prostředí. Potom byl v růstovém prostoru vypěstován monokrystal, který byl hotový vyjmut z ampule tak, že zkondenzovaný krystalický jodid rtutnatý byl z mezery mezi stěnami obou ampulí odsublimován, soustava mpulí byla rozebrána a krystal vyjmut. Ampule bylo možné použít pro další růstový cyklus.CS 269 437 Bl extent that the internal growth space of the ampoule was hermetically isolated from the external environment. Then a single crystal was grown in the growth space, which was then removed from the ampoule so that the condensed crystalline mercuric iodide was sublimed from the gap between the walls of both ampoules, the system of ampoules was disassembled and the crystal was removed. The ampoule could be used for the next growth cycle.

Claims (1)

P Ř E D MÍT VYNÁLEZUSUBJECT OF THE INVENTION Ampule pro pěstování monokrystalů halogenidů rtuti z plynné fáze, vyznaCující se tím, že vlastní růstová ampule, uzavřená zatavením pouze na jednom svém konci, je z druhé strany uzavřena zasunutou druhou ampulí dnem dovnitř, přiěeraž druhá ampule má vnější průměr jen nezbytně menší než je vnitřní průměr růstové ampule a velikost vnitřního prostoru růstové ampule je vymezena vzdáleností dna růstové ampule od dna zasunuté dru· hé ampule.Ampoule for growing single crystals of mercury halides from the gas phase, characterized in that the growth ampule itself, closed by sealing only at one end, is closed on the other side by a second ampule inserted with the bottom inward, the second ampule having an outer diameter only necessarily smaller than the inner diameter of the growth ampule and the size of the inner space of the growth ampule is defined by the distance of the bottom of the growth ampule from the bottom of the inserted second ampule.
CS886638A 1988-10-05 1988-10-05 Ampoules for the cultivation of mercury halide monocrystals from the gas phase CS269437B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS886638A CS269437B1 (en) 1988-10-05 1988-10-05 Ampoules for the cultivation of mercury halide monocrystals from the gas phase

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS886638A CS269437B1 (en) 1988-10-05 1988-10-05 Ampoules for the cultivation of mercury halide monocrystals from the gas phase

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS663888A1 CS663888A1 (en) 1989-09-12
CS269437B1 true CS269437B1 (en) 1990-04-11

Family

ID=5413908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS886638A CS269437B1 (en) 1988-10-05 1988-10-05 Ampoules for the cultivation of mercury halide monocrystals from the gas phase

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS269437B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CS663888A1 (en) 1989-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1322449C (en) Crystallization apparatus
US3857679A (en) Crystal grower
GB949233A (en) A fusion process for producing a compound or an alloy in crystalline form
GB1286024A (en) Method of producing single semiconductor crystals
CS269437B1 (en) Ampoules for the cultivation of mercury halide monocrystals from the gas phase
US3944393A (en) Apparatus for horizontal production of single crystal structure
Fullmer et al. Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5
US2990259A (en) Syringe-type single-crystal furnace
US3704103A (en) Method of preparing single crystals of mercurous chloride
Garton et al. Flux growth of MgO and LaA1O3 crystals doped with isotope 17O
CN1046004C (en) Descent method for growing large size cesium iodide (CSI) crystal
US3694166A (en) Crystal growth tube
US4662982A (en) Method of producing crystals of materials for use in the electronic industry
Jones Anthracene and Anthracene-Tetracene Crystals from Vapor
RU176565C (en) Method of growing spectrometric monocrystals of sodium iodide activated by thallium
US4559217A (en) Method for vacuum baking indium in-situ
US2937075A (en) Method of preparing pure indium phosphide
FR2276872A1 (en) Monocrystalline red mercuric iodide prepn. - by purification and sublimation of polycrystalline material
US6126995A (en) Process for producing stable divalent scandium
JPH01183499A (en) Production of high-purity znse single crystal and apparatus therefor
RU2023770C1 (en) Method of growing semiconductor crystals
JP2829315B2 (en) Apparatus and method for producing high dissociation pressure compound semiconductor single crystal
RU1429601C (en) Method of obtaining scintillation material
SU1641900A1 (en) Method of producing single crystals of antimony oxide
SU1458448A1 (en) Method and apparatus for producing cryocrystals