CS260613B1

CS260613B1 - A method for storing implanted mococrystalline germanium particles

Info

Publication number: CS260613B1
Application number: CS87369A
Authority: CS
Inventors: Marie Skrivankova
Original assignee: Marie Skrivankova
Priority date: 1987-01-20
Filing date: 1987-01-20
Publication date: 1989-01-12
Also published as: CS36987A1

Abstract

Způsob se provádí tak, že se bezprostředně po implantaci umístí vzorky implantovaného germania v evakuované komůrce a nchladí na teplotu minus 20 °C až minus 170 stupňů Celsia. Tím se zabrání zhoršení vlastností implantované vrstvičky, ke kterému dochází je-li vzorek uchováván za normálních podmínek.The method is carried out by placing the implanted germanium samples in an evacuated chamber immediately after implantation and cooling them to a temperature of minus 20°C to minus 170°C. This prevents the deterioration of the properties of the implanted layer that occurs when the sample is stored under normal conditions.

Description

Vynález se týká způsobu uchovávání implantovaných vzorků monokrystalů germania pro přípravu detektorů nízkoenergetického záření gama, aniž by došlo k zhoršení vlastností implantovaných vrstev.The invention relates to a method of storing implanted samples of germanium single crystals for the preparation of low energy gamma detectors without deteriorating the properties of the implanted layers.

Detektory záření gama z velmi čistého germania se připravují tak, že se na destičce monokrystalu germania zhotoví jeden závěrný a jeden ohmický kontakt. V některých případech, zejména při přípravě detektorů nízkoenergetického záření se s výhodou používá pro zhotovení jednoho nebo obou kontaktů technologie iontové implantace.The gamma radiation detectors from very pure germanium are prepared by making one closing and one ohmic contact on the germanium single crystal plate. In some cases, especially in the preparation of low energy radiation detectors, ion implantation technology is preferably used to make one or both contacts.

To znamená, že jsou do tenké povrchové vrstvičky germaniového monokrystalu implantovány na speciálních přístrojích urychlené ionty atomů, které mají vhodné dopující vlastnosti. Takové přístroje jsou techniky i finančně velmi náročné a jsou obvykle používány pro řadu externích pracovišť pro práce za různých podmínek a jejich seřízení pro implantace požadovaného dopantu s požadovanými parametry je obvykle dosti obtížné a časově náročné.This means that accelerated atom ions having suitable doping properties are implanted on special devices on a thin surface layer of germanium single crystal. Such devices are both technically and financially demanding and are usually used for a variety of external workstations to work under different conditions and their adjustment for implanting the desired dopant with the desired parameters is usually quite difficult and time consuming.

Pro přípravu detektorů je v literatuře doporučováno provést technologické úpravy a zapouzdření detektoru bezprostředně po im¹· plantaci. Při delším skladování implantovaných vzorků dochází ke zhoršení vlastností závěrných nebo ohmických kontaktů, posléze k jejich nepoužitelnosti pro přípravu detektorů vůbec. Je tedy nutno vždy provádět na implantačních zařízení implantace jen takového množství vzorků, které je možno zpracovat během jednoho až dvou týdnů.For the preparation of detectors is recommended in the literature done to the treatment and immediately after encapsulation of the detector ¹ · im plantation. Long-term storage of implanted specimens worsens the properties of the closing or ohmic contacts, and eventually makes them unusable for detector preparation at all. Therefore, it is always necessary to implant only an amount of specimens that can be processed within one to two weeks.

Nedostatky tohoto způsobu spočívají v tom, že není možno provádět technologické práce na přípravě implantovaných detektorů průběžně, ale jen bezprostředně po implantaci vzorků. Implantované vrstvy je třeba připravovat na implantačním zařízení často, což vede jednak k velkým časovým prostojům, protože zařízení není používáno jen pro tyto účely a často je třeba čekat, až bude dokončena jiná práce, kromě toho časté požadavky na implantační práce prodražují, vzhledem k složitým úpravám zařízení, používanou technologií.The disadvantages of this method are that it is not possible to carry out technological work on the preparation of implanted detectors continuously, but only immediately after the implantation of the samples. Implanted layers need to be prepared frequently on the implant device, leading to high downtime as the device is not only used for these purposes and often has to wait for other work to be completed, in addition to the frequent demands on implantation work, the equipment used by the technology.

Tyto nedostatky odstraňuje postup podle vynálezu, při kterém se čerstvě implantované vzorky okamžitě umístí v evakuované komůrce a ochladí na teplotu minus 20 °C až minus 170 °C.These drawbacks are overcome by the process of the invention in which freshly implanted samples are immediately placed in an evacuated chamber and cooled to a temperature of minus 20 ° C to minus 170 ° C.

Výhodou postupu podle vynálezu je to, že vzorky implantovaných destiček z germaniového monokrystalu je možno uchovávat výše uvedeným způsobem na pracovišti, aniž dojde k zhoršení vlastností implantovaných vrstev. Destičky jsou pak ke stálé dispozici pro další technologický proces. Není nutné časté provádění implantací a tak zbytečné zvyšování finančních nákladů.An advantage of the process according to the invention is that the samples of implanted platelets of germanium single crystal can be stored in the above manner in the workplace without deteriorating the properties of the implanted layers. The plates are then permanently available for the next technological process. Frequent implants are not required, and thus unnecessary cost increases.

Výše popsaným způsobem byly uchovávány implantované vzorky monokrystalického germania po dobu delší než půl roku a pak byly zhotoveny kvalitní detektory ionizujícího záření s implantovaným závěrným kontaktem. Při uchovávání vzorků za normálních podmínek je implantovaný vzorek obvykle po dvou týdnech nepoužitelný.Implanted monocrystalline germanium samples were stored as described above for more than half a year, and then high-quality ionizing radiation detectors were implanted with implanted closing contact. When stored under normal conditions, the implanted specimen is usually unusable after two weeks.

Vynález je možno využít v provozech, kde se průběžně používá technologie iontové implantace pro přípravu povrchových přechodů. Umožní úspornější provoz a racionálnější využití implantačních zařízení.The invention can be used in operations where ion implantation technology is continuously used to prepare surface transitions. It will allow more efficient operation and more rational use of implant devices.

Claims

A method for storing implanted monocrystalline germanium samples, characterized in that the implanted samples are immediately placed in an evacuated chamber immediately after implantation and cooled to a temperature of minus 20 ° C to minutes of 170 ° C.