CS256236B1 - System of casing with semiconductor detector - Google Patents
System of casing with semiconductor detector Download PDFInfo
- Publication number
- CS256236B1 CS256236B1 CS868683A CS868386A CS256236B1 CS 256236 B1 CS256236 B1 CS 256236B1 CS 868683 A CS868683 A CS 868683A CS 868386 A CS868386 A CS 868386A CS 256236 B1 CS256236 B1 CS 256236B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- semiconductor detector
- electrical contact
- housing
- semiconductor
- detector
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000013228 contact guidance Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Je řešeno uspořádání pouzdra s polovodičovým detektorem, umožňující minimalizací rozměrů a zaručující dobrý tepelný a elektrický kontakt polovodičového detektoru. Systém je tvořen chladovodem uzavřeným víkem se závitem. V pouzdře je umístěn polovodičový detektor, který je od víka oddělen první izolační podložkou a od stěn chladovodu druhou izolační podložkou. Pod polovodičovým detektorem je chladovod opatřen osazením, na němž je uložena tvarovaná pružná podložka z izolantu, kterou prochází elektrický kontakt. Je výhodné, když pružná podložka je v místě průchodu elektrického kontaktu zesílena. Systém lze použít pro většinu polovodičových detektorů sloužících k detekci ionizujícího záření, zvláště pak v systémech pro detekci rentgenového záření.The arrangement of the semiconductor housing is solved detector to minimize dimensions and guaranteeing good heat and electrical contact of the semiconductor detector. The system consists of a closed-loop cooler threaded lid. It is placed in the case a semiconductor detector that is from the lid separated by a first insulating pad and from the walls of the cold store with a second insulating pad. Under the semiconductor detector is fitted with a cooler on which it is molded elastic pad made of insulating material the electrical contact. Preferably, the resilient pad is in place the electrical contact passage. The system can be used for most semiconductor detectors for detection ionizing radiation, especially in systems for X-ray Detection.
Description
Vynález se týká konstrukčního řešení systému pouzdra s polovodičovým detektorem pro detekci ionizujícího záření.The invention relates to a design of a housing system with a semiconductor detector for detecting ionizing radiation.
Při spektrometrickém měření ionizujícího záření pomocí polovodičového detektoru bývá tento detektor spolu se vstupní Částí elektronicky umístěn v kryostatu a chlazen, obvykle kapalným dusíkem. Rozhodující vlastností systému z hlediska kvality je energetické rozlišení.In the spectrometric measurement of ionizing radiation by means of a semiconductor detector, the detector together with the input part is electronically placed in a cryostat and cooled, usually with liquid nitrogen. The decisive quality feature of the system is the energy resolution.
To je možno zlepšit jednak zmenšením parazitních kapacit vstupní části elektroniky, jednak dobrým chlazením. Proto bývá polovodičový detektor, spolu se vstupní částí elektroniky stíněn proti tepelnému záření z pláště kryostatu. Dalším důležitým kriteriem pří porovnání vlastností systému je spotřeba chladivá. Z tohoto hlediska je vhodné minimalizovat celkový objem a hmotnost pouzdra polovodičového detektoru.This can be improved both by reducing the parasitic capacities of the input part of the electronics and by good cooling. Therefore, the semiconductor detector, together with the input part of the electronics, is shielded against thermal radiation from the cryostat housing. Another important criterion when comparing system properties is the refrigerant consumption. In this respect, it is advisable to minimize the total volume and weight of the semiconductor detector housing.
Dosud jsou známa dvě řešení systému pouzdra s polovodičovým detektorem, která se snaží řešit energetické rozlišení systému a jeho chlazení. První z nich užívá sevření polovodičového detektoru mezi část pouzdra a pevný elektrický kontakt odvádějící signál z polovodičového detektoru. Hlavní nevýhodou tohoto uspořádání je nedostatečná kompenzace změn rozměrů pouzdra a polovodičového detektoru, jež se projeví při ochlazení na teplotu blízkou bodu varu dusíku. Při slabém sevření polovodičového detektoru může dojít ke zhoršení tepelného nebo elektrického kontaktu. Při silném sevření může dojít k mechanickému poškození polovodičového detektoru.So far, two solutions of a housing system with a semiconductor detector have been known which seek to solve the energy resolution of the system and its cooling. The first uses a grip of the semiconductor detector between the housing part and a fixed electrical contact conducting the signal from the semiconductor detector. The main disadvantage of this arrangement is the lack of compensation for changes in the housing and semiconductor detector dimensions that occur when cooled to a temperature close to the boiling point of nitrogen. If the semiconductor detector is weakly clamped, thermal or electrical contact may deteriorate. Strong clamping can cause mechanical damage to the semiconductor detector.
Druhý způsob použivá pevné sevření polovodičového detektoru mezi dvě části pouzdra, kde elektrický kontakt je přitlačován pomocí pružiny k detektoru. Z hlediska tepelného kontaktu má toto řešení stejné nevýhody jako v předchozím případě a navíc elektrický kontakt má větší parazitní kapacitu projevující se zhoršením energického rozlišení systému.The second method uses a firm grip of the semiconductor detector between two parts of the housing, where the electrical contact is pressed by a spring to the detector. In terms of thermal contact, this solution has the same disadvantages as in the previous case, and moreover, the electrical contact has a greater parasitic capacity resulting in a deterioration in the energy resolution of the system.
Výše uvedené nedostatky odstraňuje systém pouzdra s polovodičovým detektorem podle vynálezu. Pouzdro je tvořeno chladovodem uzavřeným víkem se závitem. V pouzdře je umístěn polodičový detektor oddělený od víka první izolační podložkou, která je s víkem v tepelném kontaktu a od stěny chladovodu druhou izolační podložkou, která je v tepelném kontaktu s chladovodem. V pouzdře je též umístěn elektrický kontakt pro odvod signálu z polovodičového detektoru. Podstatou vynálezu je, že chladovod je pod polovodičovým detektorem opatřen osazením, na němž je uložena tvarovaná pružná podložka z izolantu. Touto tvarovanou pružnou podložkou prochází elektrický kontakt. Je výhodné, když tvarovaná pružná podložka je v místě průchodu elektrického kontaktu zesílena.The above drawbacks are overcome by the semiconductor detector housing system of the invention. The housing consists of a cooler closed by a threaded lid. The housing includes a semiconductor detector separated from the lid by a first insulating pad that is in thermal contact with the lid and a second insulating pad that is in thermal contact with the refrigerant from the cold wall. The housing also has an electrical contact for signal removal from the semiconductor detector. It is an object of the present invention to provide a cooling conduit under the semiconductor detector with a shoulder on which a shaped insulating elastic pad is mounted. Electrical contact passes through this shaped spring washer. Preferably, the shaped resilient pad is thickened at the point where the electrical contact passes.
Výhodou tohoto uspořádání systému pouzdra s polovodičovým detektorem s tvarovanou pružnou podložkou podle vynálezu je, že zaručuje stálé tepelné spojení polovodičového detektoru s víkem pouzdra a stálé elektrické spojení polovodičového detektoru s elektrickým kontaktem i při změně rozměrů pouzdra a polovodičového detektoru, způsobené ochlazením na teplotu blízkou bodu varu dusíku. Odstraňuje se též nebezpečí mechanického poškození polovodičového detektoru a zjednodušuje se jeho montáž. Oproti konstrukcím využívajícím vnější přítlačné síly, například pružiny, má uspořádání podle vynálezu menší parazitní kapacity, což se projeví lepším energetickým rozlišením systému, menšími rozměry a tím i menší hmotností, což má za následek menší odpař chladivá v systému. Zesílením tvarované pružné podložky v místě průchodu elektrického kontaktu se docílí lepší vedení tohoto kontaktu a zároveň lepší rozložení napětí v pružné podložce při namáhání, čímž se částečně předchází vzniku trvalé deformace.The advantage of this embodiment of the housing of the semiconductor detector with the shaped resilient pad according to the invention is that it guarantees a stable thermal connection of the semiconductor detector to the housing lid and a stable electrical connection of the semiconductor detector to the electrical contact. nitrogen boiling. It also eliminates the risk of mechanical damage to the semiconductor detector and simplifies its installation. Compared to constructions utilizing external thrust forces such as springs, the arrangement according to the invention has less parasitic capacities, which results in better energy resolution of the system, smaller dimensions and thus less weight, resulting in less coolant evaporation in the system. By reinforcing the shaped spring washer at the point where the electrical contact passes, better contact guidance is achieved and at the same time a better distribution of stress in the spring washer under stress, thereby partially preventing permanent deformation.
Příklad uspořádání systému pouzdra s polovodičovým detektorem podle vynálezu je schematicky znázorněn na přiloženém výkrese v řezu.An exemplary embodiment of a housing system with a semiconductor detector according to the invention is schematically shown in the accompanying drawing in section.
Pouzdro v tomto systému je tvořeno chladovodem JL s víkem 6_ majícím závit. Pod tímto víkem 6 je umístěn polovodičový detektor 4^ který je od víka £ oddělen první izolační vložkou 5 a od stěn chladovodu 2 druhou izolační vložkou 2· Pod polovodičovým detektorem £ je na chladovodu 2 vytvořeno osazení 2· Toto osazení 2 lze nahradit například zarážkou, tvořenou šrouby apod. Na osazení 2 je uložena tvarovaná pružná podložka 2 z izolantu. Touto tvarovou pružnou podložkou 2. prochází elektrický kontakt 2· v tomto případě je tvarovaná pružná podlož ka 2 v místě průchodu elektrického kontaktu 2 zesílena.The housing in this system is formed by a cooler 11 with a cover 6 having a thread. Under this cover 6 there is a semiconductor detector 4 which is separated from the cover 6 by a first insulating insert 5 and from the walls of the cooler 2 by a second insulating insert 2. formed by screws, etc. On the shoulder 2 is placed shaped spring washer 2 made of insulating material. The electrical contact 2 passes through this shaped spring washer 2. In this case, the shaped spring washer 2 is reinforced at the point where the electrical contact 2 passes.
Při změně rozměrů pouzdra a polovodičového detektoru 4, způsobené ochlazením na teplotu blízkou bodu varu dusíku, dochází ke zhoršení tepelného kontaktu polovodičového detektoru 4 s pouzdrem a ke zhoršení elektrického kontaktu polovodičového detektoru 2 s elektrickým kontaktem 2· Tomu se předchází tím, že při montáži se zašroubováním víka § do chladovodu 2 vytvoří ve tvarované pružné podložce 2 dostatečné předpětí. Toto předpětí pak při ochlazení pouzdra a polovodičového detektoru 2 stačí kompenzovat změnu rozměrů.Changing the dimensions of the housing and the semiconductor detector 4 caused by cooling to a temperature close to the boiling point of nitrogen will deteriorate the thermal contact of the semiconductor detector 4 with the housing and the electrical contact of the semiconductor detector 2 to the electrical contact 2 will deteriorate. by screwing the lid 5 into the cooler 2 creates sufficient pre-tension in the shaped spring washer 2. This preload then suffices to compensate for the dimension change when the housing and semiconductor detector 2 cool.
Systém lze s výhodou použít pro většinu polovodičových detektorů sloužících k detekci ionizujícího záření, zvláště pak v systémech pro detekci rentgenového záření.The system can advantageously be used for most semiconductor detectors for detecting ionizing radiation, especially in X-ray detection systems.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS868683A CS256236B1 (en) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | System of casing with semiconductor detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS868683A CS256236B1 (en) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | System of casing with semiconductor detector |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS868386A1 CS868386A1 (en) | 1987-08-13 |
CS256236B1 true CS256236B1 (en) | 1988-04-15 |
Family
ID=5437753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS868683A CS256236B1 (en) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | System of casing with semiconductor detector |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CS (1) | CS256236B1 (en) |
-
1986
- 1986-11-27 CS CS868683A patent/CS256236B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS868386A1 (en) | 1987-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5936499A (en) | Pressure control system for zero boiloff superconducting magnet | |
US6230499B1 (en) | Detector device | |
US5918470A (en) | Thermal conductance gasket for zero boiloff superconducting magnet | |
KR100882625B1 (en) | Supercooling system | |
US7967506B2 (en) | Power supply temperature sensor and system | |
US20090293504A1 (en) | Refrigeration installation having a warm and a cold connection element and having a heat pipe which is connected to the connection elements | |
GB1194621A (en) | Thermal Switch for Cryogenic Apparatus | |
KR0157725B1 (en) | Defrost detector for defrosting detection | |
US4362023A (en) | Thermoelectric refrigerator having improved temperature stabilization means | |
US4599592A (en) | Device for holding the housing of a superconducting magnet winding | |
GB1265470A (en) | ||
WO2006028563A2 (en) | Radiation detector system having heat pipe based cooling | |
CS256236B1 (en) | System of casing with semiconductor detector | |
US5295207A (en) | Optical apparatus for measuring current in a grounded metal-clad installation | |
US4484814A (en) | Superconductive magnet | |
US4139057A (en) | Method and device for measuring moisture in electric machines | |
EP0245057A2 (en) | Helium cooling apparatus | |
US6153883A (en) | Energy dispersive semiconductor X-ray detector with improved silicon detector | |
US4097036A (en) | Clamping device for a thermally and electrically pressure-contacted semiconductor component in disk-cell construction | |
US4802345A (en) | Non-temperature cycling cryogenic cooler | |
EP0464498A2 (en) | Current lead | |
KR20130034998A (en) | Apparatus for stiffness measurement | |
Gladun et al. | Investigation of the heat conductivity of niobium in the temperature range 0.05–23 K | |
US4918308A (en) | Integrated detector dewar cryoengine | |
US4556327A (en) | Temperature averaging thermal probe |