CS256143B1 - Compound detector of bismuth germate monocrystals - Google Patents

Compound detector of bismuth germate monocrystals Download PDF

Info

Publication number
CS256143B1
CS256143B1 CS862748A CS274886A CS256143B1 CS 256143 B1 CS256143 B1 CS 256143B1 CS 862748 A CS862748 A CS 862748A CS 274886 A CS274886 A CS 274886A CS 256143 B1 CS256143 B1 CS 256143B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
photomultiplier
photocathode
bismuth
finely ground
polished
Prior art date
Application number
CS862748A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS274886A1 (en
Inventor
Karel Blazek
Vaclav John
Pavel Vrzala
Original Assignee
Karel Blazek
Vaclav John
Pavel Vrzala
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Karel Blazek, Vaclav John, Pavel Vrzala filed Critical Karel Blazek
Priority to CS862748A priority Critical patent/CS256143B1/en
Publication of CS274886A1 publication Critical patent/CS274886A1/en
Publication of CS256143B1 publication Critical patent/CS256143B1/en

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

Složený detektor z monokrystalů vizmutgermanátu, umožňující vytváření velkých detekčních celků, sestávající z jednotlivých monokrystalických výbrusů, jejichž plochy kolmé na fotokatodu fotonásobiče jsou jemně broušeny a výstupní plochy rovnoběžné s fotokatodou jsou jemně broušeny a výstupní plochy rovnoběžné s fotokatodou jsou leštěny, přičemž první» vstupní plocha je rovněž jemně broušena a výstupní plochy, přiléhající k fotonásobiči jsou leštěny zatímco jednotlivé sousedící plochy jsou navzájem spojeny optickým silikonovým tmelem o indexu lomu n = 1,5 o tloušEce 0,1 až 0,5 mm.A composite detector made of bismuth germanate single crystals, enabling the creation of large detection units, consisting of individual single crystal sections, the surfaces of which perpendicular to the photocathode of the photomultiplier are finely ground and the output surfaces parallel to the photocathode are finely ground and the output surfaces parallel to the photocathode are polished, with the first input surface also being finely ground and the output surfaces adjacent to the photomultiplier being polished while the individual adjacent surfaces are connected to each other with an optical silicone sealant with a refractive index of n = 1.5 and a thickness of 0.1 to 0.5 mm.

Description

Vynález se týká složeného detektoru z monokrystalů vizmutgermanátu Bi^Ge^O^i vhodného zejména pro spektrometrii gama-záření.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a composite detector consisting of single crystals of bismuthgermate Bi-Ge-O-O, particularly suitable for gamma-ray spectrometry.

Při spektrometrii gama-záření jsou v současné době převážně používány scintilační detektory z monokrystalů jodidu sodného, aktivovaného thaliem. Vytváření větších detekčních systémů například anticomptonovského stínění z těchto monokrystalů nečiní podstatné problémy a to proto, že tyto monokrystaly lze v dostatečné jakosti vypěstovat v takových rozměrech, ze celý detekční systém lze vytvořit z jednoho monokrystalu. V současné době dochází k přechodu k monokrystalům vizmutgermanátu, které díky vysokému atomovému číslu Z a hustotě umožňují zmenšení detekčního objemu až šestnáctkráte. Avšak současná technologie neumožňuje vypěstováni jakostních monokrystalů vizmutgermanátu velkých rozměrů, umožňujících konstrukci gama-spektrometrů, anticomptonovských stíněni apod. z jediného monokrystalu. Vytvářeni velkých detekčních soustav tmelením menších výbrusů naráží na problémy a to především' proto, že monokrystal vizmutgermanátu má vysoký index lomu n = 2,5 a optické tmely, zaručující pevnost spoje a transparenci při vlnové délce emise = 480 nm existuji do indexu lomu n = 1,6. Při použití takového tmelu dochází k několikanásobné reflexi na rozhraní krystal/tmel, čímž ve vzniklém gama-spektru dojde k rozmazávání píků, popřípadě vzniku dvojpíků a podstatnému zhoršení energetické rozlišovací schopnosti.For gamma-ray spectrometry, thalium-activated sodium iodide single crystal scintillation detectors are currently used predominantly. Creating larger detection systems, for example, anticompton shielding from these single crystals does not pose significant problems, because these single crystals can be grown in sufficient quality in such dimensions that the entire detection system can be formed from a single single crystal. Currently, there is a transition to monocrystals of bismuth permate, which, thanks to the high atomic number Z and density, allows the detection volume to be reduced up to 16 times. However, the present technology does not allow the cultivation of high-quality monocrystals of large size bismuth-permeate, allowing the construction of gamma-spectrometers, anticompton shading, etc. from a single single crystal. The formation of large detection systems by cementing smaller sections faces problems, mainly because the single crystal of bismuth-germanate has a high refractive index of n = 2.5 and optical sealants guaranteeing bond strength and transparency at a wavelength of emission = 480 nm exist in the refractive index of n = 1.6. When using such a putty, there is a multiple reflection on the crystal / putty interface, whereby in the resulting gamma-spectrum the peaks are smeared or the double peaks are formed and the energy resolution is significantly impaired.

Tyto obtíže odstraňuje a umožňuje vytváření velkých detekčních celků složený detektor z monokrystalů vizmutgermanátu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že sestává z jednotlivých monokrystalických výbrusů, jejichž plochy kolmé na fotokatodu fotonásobiče a výstupní plochy rovnoběžné s fotokatodou fotonásobiče jsou jemně broušeny a vstupní plochy rovnoběžné s fotokatodou fotonásobiče jsou leštěny, přičemž první vstupní plocha je rovněž jemně broušena a výstupní plochy, přiléhající k fotonásobiči jsou leštěny, zatímco jednotlivé sousedící plochy jsou navzájem spojeny optickým silikonovým tmelem o indexu lomu n = 1,5 a tloušíce 0,1 až 0,5 mm.The complex detector of the single-crystal of bismuth-germate according to the invention consists of individual monocrystalline cuts, the surfaces perpendicular to the photocathode of the photomultiplier and the output surfaces parallel to the photocathode of the photomultiplier are finely ground and the entrance surfaces parallel with the photocathode of the photomultiplier are polished, the first inlet surface is also finely ground and the exit surfaces adjacent to the photomultiplier are polished, while the individual adjacent surfaces are connected to each other by an optical silicone sealant having a refractive index n = 1.5 and 0.1 to 0 thickness; 5 mm.

Za těchto podmínek dochází k pevnému optickému spoji jednotlivých monokrystalických výbrusů, aniž by docházelo k snížení luminiscenční účinnosti vlivem reflexí na rozhraních, přičemž vzniklé energetické spektrum je shodné se spektrem jednotlivých monokrystalických výbrusů při zachování energetické rozlišovací schopnosti.Under these conditions, the optical single junction of the single monocrystalline cuts is rigid, without reducing the luminescence efficiency due to the reflections at the interfaces, the energy spectrum being identical to that of the single monocrystalline cuts, while maintaining the energy resolution.

V dalším je vynález jako jedno z konkrétních provedení znázorněn na připojeném schematickém výkresu.In the following, the invention is shown as one specific embodiment in the attached schematic drawing.

Na výkresu jsou zakresleny jednotlivé monokrystalické výbrusy _1, jemně broušené plochy 2, leštěné plochy 3_, vrstva tmelu ý, znázorněná tučnou čarou a umístění fotonásobiče 5.The drawing shows the individual monocrystalline cuts 1, the finely ground surfaces 2, the polished surfaces 3, the sealant layer 1 shown in bold line and the location of the photomultiplier 5.

Je výhodné, aby jemně broušené plochy 2 měly drsnost RA = 0,5 ^um.It is preferred that the finely ground surfaces 2 have a roughness RA = 0.5 µm.

Claims (1)

Složený detektor z monokrystalů vizmutgermanátu, vyznačený tím, že sestává z jednotlivých monokrystalických výbrusů (1), jejichž plochy (2) kolmé na fotokatodu fotonásobiče (5) a výstupní plochy (2) rovnoběžné s fotokatodou fotonásobiče (5) jsou jemně broušeny a výstupní plochy (3) rovnoběžné s fotokatodou fotonásobiče (5) jsou leštěny, přičemž první vstupní plochy (3) jsou rovněž jemně broušeny a výstupní plochy (3) přiléhající k fotonásobi či (5) jsou leštěny zatímco jednotlivé sousedící plochy (2, 3) jsou spojeny optickým silikonovým tmelem (4) o indexu lomu n = 1,5 a tloušíce 0,1 až 0,5 mm.Composite detector of single-crystal of bismuth-germanate, characterized in that it consists of individual single-crystal cuts (1), whose surfaces (2) perpendicular to the photocathode of the photomultiplier (5) and the output surfaces (2) parallel to the photocathode of the photomultiplier (5) (3) parallel to the photocathode of the photomultiplier (5) are polished, wherein the first inlet surfaces (3) are also finely ground and the exit surfaces (3) adjacent to the photomultiplier or (5) are polished while individual adjacent surfaces (2, 3) are joined Optical silicone sealant (4) having a refractive index of n = 1.5 and a thickness of 0.1 to 0.5 mm.
CS862748A 1986-04-15 1986-04-15 Compound detector of bismuth germate monocrystals CS256143B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS862748A CS256143B1 (en) 1986-04-15 1986-04-15 Compound detector of bismuth germate monocrystals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS862748A CS256143B1 (en) 1986-04-15 1986-04-15 Compound detector of bismuth germate monocrystals

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS274886A1 CS274886A1 (en) 1987-08-13
CS256143B1 true CS256143B1 (en) 1988-04-15

Family

ID=5365451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS862748A CS256143B1 (en) 1986-04-15 1986-04-15 Compound detector of bismuth germate monocrystals

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS256143B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CS274886A1 (en) 1987-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1505410B1 (en) Scintillator panel and radiation image sensor
CN1318858C (en) Radiation detector and a method of manufacturing the detector
US20050104000A1 (en) Scintillator assembly with pre-formed reflector
US5391878A (en) Multiplexed fiber readout of scintillator arrays
Miyaoka et al. Performance characteristics of micro crystal element (MiCE) detectors
US5831269A (en) Radiation detector element
US5386122A (en) Radiation detector and method for making the same
CA2442932A1 (en) Method and system for determining the energy and position information from scintillation detector
US20040140431A1 (en) Multi-application highly reflective grid array
US4733088A (en) Radiation detector
CN102549453A (en) Radiation conversion elements with reflectors for radiological imaging apparatus
US5012103A (en) Radiation detector
EP1298455B1 (en) Scintillator panel and radiation ray image sensor
CS256143B1 (en) Compound detector of bismuth germate monocrystals
JPS5988676A (en) Manufacture of multi-channel radiation detector block
Okajima et al. Characteristics of a gamma‐ray detector using a bismuth germanate scintillator
CN115902991A (en) PET detector based on partially continuous crystals and PET imaging system
DE69122987T2 (en) Device for determining the properties of earth formations using individual scintillation crystal detectors
JPH09292469A (en) Method for manufacturing radiation detector array
JPH08271637A (en) Method for manufacturing radiation detector array
JPS62129776A (en) Detector for positron ct apparatus
Tornai et al. Effect of refraction index and light sharing on detector element identification for 2D detector modules in Positron Emission Tomography
CN103181769A (en) Tomography method and system sued for sample-separation real-time sampling of leading edges of digital waves
CN213091896U (en) Teflon membrane scintillation crystal array
JPS59206793A (en) Method for manufacturing scintillator array