CS255419B1 - Válcový magnetron s jedním meandrovitým plasmatickým oblakem - Google Patents

Válcový magnetron s jedním meandrovitým plasmatickým oblakem Download PDF

Info

Publication number
CS255419B1
CS255419B1 CS856463A CS646385A CS255419B1 CS 255419 B1 CS255419 B1 CS 255419B1 CS 856463 A CS856463 A CS 856463A CS 646385 A CS646385 A CS 646385A CS 255419 B1 CS255419 B1 CS 255419B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
magnetron
permanent magnets
ring set
magnets
target
Prior art date
Application number
CS856463A
Other languages
English (en)
Other versions
CS646385A1 (en
Inventor
Jiri Stanislav
Karel Dadourek
Oldrich Rybar
Original Assignee
Jiri Stanislav
Karel Dadourek
Oldrich Rybar
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Stanislav, Karel Dadourek, Oldrich Rybar filed Critical Jiri Stanislav
Priority to CS856463A priority Critical patent/CS255419B1/cs
Publication of CS646385A1 publication Critical patent/CS646385A1/cs
Publication of CS255419B1 publication Critical patent/CS255419B1/cs

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Jedná se o válcový magnetron s anodou z kruhových desek a dutým válcovým targetem. Target má 4 řady magnetů, po úhlu 90° obvodů magnetronu a dále má 2 kruhové sady magnetů uspořádané tak, že kolem targetů uspořádané tak, že kolem targetu se vytváří meandrovitý oblak plazmatu, ve kterém dochází k odpracování materiálu. Používá se k nanášení tenkých vrstev ve vakuu na vnitřní průměry rotačních součástí .

Description

Vynález řeší konstrukci válcového magnetronu pro nanášení tenkých vrstev ve vakuu na vnitřní průměry rotačních součástí.
Dosud známá řešení jsou konstruována buS jako kolíkové magnetrony, kdy target ve formě tyče je vložen do středu rotační součásti, na jejíž povrch má být vrstva nanášena a magnetické pole je umístěno na obvodu této součásti, nebo jako válcové magnetrony s toroidním vícenásobným plazmatickým oblakem. Nevýhodou prvního řešení je malá univerzálnost s ohledem na nutnost umístění magnetického pole mimo vlastní target i součást, nevýhodou druhého řešení je, že piazmatické toroidy leží kolmo na podélnou osu magnetronu a tudíž depoziční rychlosti po délce magnetronu jsou dány superposicí deposičních rychlostí jednotlivých plazmatických toroidů.
To vede k nerovnoměrné rychlosti nanášeni vrstvy po délce součásti, a při použití magnetronu na reaktivní depozice i k následné změně stechiometrie vrstvy. Dosud známá řešení neumožňují pomocí magnetronu deponovat jak nereaktivní tak i reaktivní vrstvy na vnitřní průměry součástí, nebo zajištují jejích depozici pouze na součásti o velkých vnitřních průměrech s ohledem na nutnost použití vnější anody při omezeném využití targetu a při nerovnoměrném nanášení vrstev.
Uvedené nevýhody odstraňuje válcový magnetron dle vynálezu jehož podstata spočívá v tom, že magnety jsou uspořádány na nosiči magnetů jednak v řadách a jednak v kruhových sadách, přičemž horní kruhová sada je vytvořena permanentními magnety polovanými severním polem N vně nosiče magnetů a jižním polem S dovnitř; spodní kruhová sada je polována opačně. Permanentní magnety v řadách jsou uloženy ve směru podélné osy tělesa magnetronu a jsou uspořádány tak, že vždy po 90° obvodu magnetronu je jedna řada permanentních magnetů polovaných severními póly vně magnetronu a s jižními póly dovnitř a následující řada opačně, přičemž v případě souhlasné polarizace permanentních magnetů v podélné ose s horní kruhovou sadou nebo dolní kruhovou sadou navazuje řada permanentních magnetů v ose přímo na kruhovou sadu /horní .nebo dolní/, v případě polarizace opačné pak je vytvořena mezera mezi protilehlou kruhovou sadou /horní nebo dolní/ a opačně polarizovanou řadou permanentních magnetů. Anodu tvoří kruhové desky a target tvoří dutý válec.
Vyšší účinek válcového magnetronu dle vynálezu lze spatřovat v tom, že má pod válcovou katodou o daném průřezu vytvarováno magnetické pole tak, že je vytvořen oblak plazmatu zajištující rovnoměrné pokrytí targetu plazmou a tím i rovnoměrné, odprašování materiálu z povrchu. Současně toto řešení dovoluje rovnoměrné nanesení vrstvy po celém obvodu bez rotaoe výrobku nebo magnetronu.
Vzhledem ke tvarování magnetického pole kolmo na podélnou osu lze anody výhodně umístit na obou koncích magnetronu, čímž odpadá nutnost vnější anody okolo pláště targetu. V tomto uspořádání je možno bez dalších konstrukčních změn konstruovat magnetron o libovolné délce, omezené pouze výkonem napájecích zdrojů.
Na připojeném výkrese je znázorněn válcový magnetron dle vynálezu, kde značí obr. I - nárys vnitřní části válcového magnetronu s některými díly znázorněnými v řezu, obr. 2 - je řez rovinou A-A, z obr. l.
Válcový magnetron na obr. 1 je tvořen nosičem £ magnetů, z feromagnetického materiálu, na němž jsou přichycené permanentní magnety 2, které v dalším textu nazýváme jen magnety £. Těleso magnetronu je uzavřeno na obou stranách pólovými nástavci £, mezi něž je vložen target £ tvořící katodu. Target 3 je v podstatě dutý válec. Na obou stranách nad pólovými nástavci £ je uložena izolace £ a anoda 6, přičemž anoda. £ vytváří rovnoměrné elektrické pole po celém obvodě. Přes přívod chladící vody £ je do vnitřní části magnetronu přivedena chladící kapalina, která umožňuje chlazení jak targetu £ i magnetů 2.. Těleso válcového magnet ronu je staženo několika spojovacími Šrouby z neferomagnetického materiálu, které procházejí otvory v pólových nástavcích 4, v izolaci _5 a v anodách 2 - šrouby i otvory zde nejsou pro jednoduchost znázorněny. Magnety 2 jsou na nosiči magnetů JL uspořádány v řadách ve směru podélné osy magnetronu tak, že vždy po 90° obvodu je jedna řada magnetů 2· Další magnety 2 jsou usazeny v horní kruhové sadě 9 a v dolní kruhové sadě 10. Podélné řady magnetů 2 nezasahují až k protilehlé kruhové sade 9 nebo 10 a je zde vytvořena mezera - vysvětleno dále v popisu vynálezu v závislosti na polarizaci magnetů 2. Magnety 2 jsou v kruhových sadách 9 nebo 1_θ uspořádány tak, že horní kruhová sada 2 Ďe vytvořena magnety 2 polovanými severními póly N vně nosiče _1 magnetů a jižními póly S dovnitř? spodní kruhová sada 10 je polována opačným způsobem.
Magnety 2 jsou uspořádané v řadách v podélné ose magnetronu tak, že vždy jedna řada magnetů 2 je polovaná severními póly N vně magnetronu a jižními póly S dovnitř a následující řada je polovaná opačně. Přitom v případě souhlasné polarizace magnetů 2 v podélné ose s horní nebo spodní kruhovou sadou 2 nebo 10 navazuje řada magnetů 2 v ose přímo na kruhovou sadu 9 nebo 10; v případě polarizace opačné pak je vytvořena mezera mezi kruhovou sadou 2 nebo 10 a opačně polarizovanou řadou. Tímto uspořádáním je vytvořeno výsledné magnetické pole kolmé na osu magnetronu, které je v okrajových částech stočeno o 180° do protisměru.
Vlivem působení zkříženého magnetického a elektrického pole dochází k usměrněnému toku ionizovaných částí, které vytvářejí nad targetem 2 plazmatický oblak ve tvaru křivky, kterou je možno popsat jako meandr, rozložený po obvodě targetu 2 a jehož amplituda je dána délkou magnetického pole. V oblasti dopadu ionizovaných částic na target 2 dochází / k odprašování targetu 2· Vzhledem ke tvarování magnetického pole jsou přednostní erosní? oblasti pootočeny o 90° a tudíž dochází k rovnoměrnému odprašování po celém obvodě.
Na obr. č. 2 je řez z roviny A-A z obr. 1 a je zde znázorněno rozmístění řad magnetů 2 a jejich polarizace,, tvar průřezu nosiče 2 magnetu a targetu 2·
Válcový magnetron umožňuje deponovat ve vakuu na vnitřní průměry rotačních součástí tenké vrstvy z elektricky vodivých, neferomagnetických materiálů. Tyto vrstvy mohou být jak reaktivní, tak nereaktivní.

Claims (1)

  1. Válcový magnetron s jedním meandrovitým plazmatickým oblakem,pro nanášení vrstev ve vakuu sestávající z nosiče magnetů, pólových nástavců a izolace vyznačující se tím, že permanentní magnety (2) jsou uspořádány na nosiči (1> magnetů jednak v řadách a jednak v kruhových sadách {9, 10), přičemž horní kruhová sada (9) je vytvořena permanentními magnety (2) polovanými severními póly N vně nosiče (1) magnetů a jižními póly S dovnitř? spodní kruhová sada (10) je polována opačně; permanentní magnety (2) v řadách jsou uloženy ve směru podélné osy tělesa magnetronu a jsou uspořádány tak, že vždy po 90° obvodu magnetronu je jedna řada permanentních magnetů (2) polovaných severními póly N vně magnetronu a jižními póly S dovnitř a násJ.edující řada opačně, přičemž souhlasné polarizace permanentních magnetů (2) v podélné ose s horní kruhovou sadou (9) nebo dolní kruhovou sadou (10) navazuje řéida permanentních magnetů (2) v ose přímo na kruhovou sadu (9, 10), v případě polarizace opačné pak je vytvořena mezera mezi protilehlou kruhovou sadou (9, 10) a opačně polarizovanou řadou permanentních magnetů (2), přičemž anodu (4) tvoří kruhové desky a target (3) tvoří dutý válec.
CS856463A 1985-09-11 1985-09-11 Válcový magnetron s jedním meandrovitým plasmatickým oblakem CS255419B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS856463A CS255419B1 (cs) 1985-09-11 1985-09-11 Válcový magnetron s jedním meandrovitým plasmatickým oblakem

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS856463A CS255419B1 (cs) 1985-09-11 1985-09-11 Válcový magnetron s jedním meandrovitým plasmatickým oblakem

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS646385A1 CS646385A1 (en) 1987-07-16
CS255419B1 true CS255419B1 (cs) 1988-03-15

Family

ID=5411730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS856463A CS255419B1 (cs) 1985-09-11 1985-09-11 Válcový magnetron s jedním meandrovitým plasmatickým oblakem

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS255419B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS646385A1 (en) 1987-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6077406A (en) Sputtering system
EP0884761B1 (en) Sputtering apparatus with a rotating magnet array
KR100224507B1 (ko) 자전관 음극을 이용한 기초재의 코팅을 위한 방법 및 장치
TW439110B (en) Magnetically-enhanced plasma chamber with non-uniform magnetic field
CA2601834C (en) Sputtering devices and methods
US4915805A (en) Hollow cathode type magnetron apparatus construction
US5133850A (en) Sputtering cathode for coating substrates in cathode sputtering apparatus
EP0081331B1 (en) Vacuum sputtering apparatus
JP2002088472A5 (cs)
WO1990005793A1 (en) Improved magnetron sputtering cathode
KR102101720B1 (ko) 스퍼터링 장치
CS255419B1 (cs) Válcový magnetron s jedním meandrovitým plasmatickým oblakem
CZ480489A3 (en) Method of sputtering layers and apparatus for making the same
US6402903B1 (en) Magnetic array for sputtering system
US6249200B1 (en) Combination of magnets for generating a uniform external magnetic field
CN220550219U (zh) 磁控溅射组合装置及设备
EP0600429B1 (en) Magnetron sputtering device and method for thin film coating
CS255418B1 (cs) Válcový magnetron s několikanásobným eliptickým plasmatickým oblakem
JP4533499B2 (ja) 磁気中性線放電スパッタ装置
KR960011245B1 (ko) 스퍼터링 장치
WO2001036701A1 (en) High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target
KR101089372B1 (ko) 원통형 스퍼터링 캐소드 및 이를 구비한 스퍼터링 장치
JPS62167877A (ja) プラズマ移動式マグネトロン型スパツタ装置
EP2485241B1 (en) Post cathode physical vapor deposition system and magnet array for use within a post cathode
JPS5562164A (en) Sputtering unit