CS252420B1 - Mikrovlnný oscilátor s tranzistorem MESFE - Google Patents
Mikrovlnný oscilátor s tranzistorem MESFE Download PDFInfo
- Publication number
- CS252420B1 CS252420B1 CS852093A CS209385A CS252420B1 CS 252420 B1 CS252420 B1 CS 252420B1 CS 852093 A CS852093 A CS 852093A CS 209385 A CS209385 A CS 209385A CS 252420 B1 CS252420 B1 CS 252420B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- microwave oscillator
- resonator
- transistor
- gate circuit
- oscillator according
- Prior art date
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Řešení se týká mikrovlnného oscilátoru s tranzistorem MESFE, vytvořeného na elektricky vodivé ploše své základní desky. Předmet řešení je vhodný k využití zejména v případech, kdy je potřebné mít k dispozici přeladitelný a snadno vyrobitelný mikrovlnný oscilátor y jednom nebo několika vyhotoveních, umožňující jednoduchou montáž a výměnu aktivních prvků bez nebezpečí jejich zničení. Podstata mikrovlnného oscilátoru spočívá v tom, že je opatřen držákem, ve kterém je svým zřídlem vyjímatelně upevněn tranzistor, jehož vývod hradla je spojen s prvním koncem obvodu hradla, který je svým druhým koncem upevněn přes izolační podložku k základní desce, pod obvodem hradla je up~. raven rezonátor, a nora tranzistoru je přemostěna kolíkem tvaru písmene L, k němuž je připojen napájecí přívod, přičemž kolíkem a napájecím přívodem je tvořen obvod nory.
Description
Vynález řeší mikrovlnný oscilátor s tranzistorem MESFE, vytvořený na elektricky vodivé ploše své základní desky·
Dosavadní konstrukce mikrovlnných oscilátorů s tranzistory MESFE jsou řešeny s využitím mikropáskovýoh struktur na dielektrických substrátech, do nichž jsou tranzistory přivařeny nebo pájeny* Doladění obvodů je proveditelné velmi obtížně a výměna aktivního prvku má často za následek jeho zničení nebo není možná vůbec· Používání dielektrických substrátů má za ná** sledek zvýšení ztrát obvodů· Vývoj mikropáskových struktur je velmi složitý a nároky na parametry a jakost materiálů jsou rovněž vysoké· Výsledkem je vysoká cena a rentability se dosa** , huje jen velkou sériovostí výroby·
Hlavni nevýhody těchto dosud známých konstrukcí mikrovlnných oscilátorů tedy spočívají zejména ve vysoké cené a jakosti použitých materiálů, a dále v nemožnosti jejioh dolaďování a neopravitelnosti, přičemž tyto nevýhody vystupují do popředí zejména v případech, kdy pro daný účel je zapotřebí pouze několik kusů takového oscilátoru·
Uvedené nevýhody jsou odstraněny mikrovlnným oscilátorem podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že je opatřen držákem, ve kterém je svým zřídlem vyjímatelně upevněn tranzistor, jehož vývod hradla je spojen s prvním koncem obvodu hradla· který je svým druhým koncem upevněn přes izolační podložku k základní desce, pod obvodem hradla je upraven rezonátor, a nora tranzistoru je přemostěna kolíkem tvaru písmene L, k němuž je připojen napájecí přívod, přičemž kolíkem a napájecím přívodem je tvořen obvod nory·
Při výhodném vytvořeni vynálezu je rezonátor tvořen dielek trickým rezonátorem, rezonátorem TEM nebo dutinovým rezonátorem s videm ΤΕχχχ nebo ™xxx·
Dále je výhodné, když obvod hradla je opatřen zakončovacím odporem· e Rovněž je výhodné, když kolík je připojen k zátěži souosým vedením nebo obdélníkovým vlnovodem·
Při dalším výhodném vytvoření je k obvodu hradla zapojen meohanioký kapacitní ladicí prvek nebo ladicí varaktor, nebo js k obvodu hradla vázán rezonátor T1G laditelný vnějším magnetickým polem·
Hlavni výhody mikrovlnného oscilátoru podle vynálezu spočívají v tom, že umožňuje nastavení vazby dielektrického rezonátoru s vedením TEM v obvodu hradla tranzistoru i nastavení zpětné vazby a výstupná vazby pomocí kolíku tvaru plemene L, spojeného s norou tranzistoru MESFE· Konstrukce mikrovlnného oscilátoru podle vynálezu rovněž umožňuje navázat k obvodu hrad la také další typy rezonátorů, včetně např· rezonátoru YIG, pou žívat mechanické ladicí prvky z vodiče či dielektrika, nebo používat elektrické ladění pomocí varaktoru nebo ferritového prvku v obvodu hradla tranzistoru MESFE. Kromě toho mikrovlnný oscilátor podle vynálezu umožňuje snadnou montáž i výměnu jak tranzistoru, tak rezonátoru, je mechanicky i elektricky stálý a je snadno vyrobítelný, takže jeho zhotovení je rentabilní i tehdy, kdy pro daný účel, např· měření a zkoušení, je zapotře< bí zhotovit pouze jeden nebo několik kusů, přičemž tento jeden nebo několik kusů mají vzhledem k uvedeným výhodám víceúčelové využití·
V dalším je vynález podrobněji vysvětlen na příkladu provedení ve spojení s výkresovou částí·
Na připojeném obr· 1 je schematicky znázorněn příklad mechanického provedení mikrovlnného oscilátoru podle vynálezu, na obr· 2 je schematicky znázorněn příklad elektrického zapojeni mikrovlnného.oscilátoru podle vynálezu·
Mikrovlnný oscilátor podle vynálezu je vytvořen na základní desce 1, která je buň v celém svém průřezu, nebo alespoň na své horní ploše elektricky vodivá· Je opatřen párem rozebíratelných držáků 2, ve kterých je svým zřídlem 4 vyjímatelně upevněn tranzistor 3. Vývod 5 hradla tranzistoru 3 je spojen s prvním koncem obvodu 9 hradla, který je svým druhým koncem upevněn přes izolační podložku k základní desce 1. Pod obvodem 9 hradla je upraven rezonátor 8, který je obvodem 9.hradla spojen s elektricky vodivou plochou základní desky JL· Nora 13 tranzistoru 3 je spojena s kolikem 6 tvaru písmene L, k němuž . je připojen napájecí přívod 7.» Kolíkem 6 a napájecím přívodem 7 je tvořen obvod nory 13· K obvodu 9 hradla, viz obr· 2, je připojen napájecí filtr 12, tvořený zakončovacím odporem 10 a kondenzátorem, a kolík 6 je k nezř.áscrnoné zátěži připojen souosým vedením 11«
Rezonátor 8 m&žo být tvořen dlelektrický» rezonátorem, rezonátorem TEM nebo dutinový» rezonátorem a viděn ΤΒχχχ nebo ΤΜχχχ· Kolík 6 aůže být připejen k zátěži rovněž obdélníkový» vlnovode»· K obvodu 9 kradla může být zapojen neohanioký kapaoitnf ladicí prvek nebo ladicí varaktor· K obvodu 9 hradla rovněž může být vázán rezonátor YIG laditelný vnějším magnetickým pole»·
Popsaný mikrovlnný oscilátor po zapojeni napájecích napětí pracuje tak, že prostřednictví» zpětné vazby koliko» 6 je výstupní signál z nory 13 tranzistoru 3 v patřičné fázi dodáván do obvodu 9 hradla a znovu zesilován, čímž jsou splněny podmínky kmitání oscilátoru na kmitočtu, určeném rezonátorem 8 v obvodu 9 hradla·
Mikrovlnný oscilátor podlo vynálezu jo v mikrovlnné technice vhodný k využití zejména tehdy, kdy pro konkrétní případ je potřebné »ít k dispozici snadno přeladíteIné a případ od případu snadno vyrobiteíné zařízeni, umožňující jednoduchou montáž a výměnu aktivních prvků, bez rizika jejich poškození nebo zničení*
P ĚE DM í T VYNÁLEZU
Claims (10)
- P ĚE DM í T VYNÁLEZUΛ1, Mikrovlnný oscilátor s tranzistorem MESFE, vytvořený na elektricky vodivé ploše své základní desky, vyznačený tía, ie je opatřen držákem (2), ve kterém je svým zřídlem (4) vyjímatelně upevněn tranzistor (3), jehož vývod (5) hradlá je spojen s prvním koncem obvodu (9, hradla, který je svým druhým koncem upevněn přes izolační podložku k základní desce (1), pod obvodem (9) hradla je upraven rezonátor (8), Λ nora'(13) tranzistoru (3) je přemostěna kolíkem (6) tvaru písmene L, k němuž je připojen napájecí přívod (7), přičemž kolikera (6) a napájecím přívodem (7) je tvořen obvod nory (13),
- 2, Mikrovlnný oscilátor podle bodu 1» vyznačený tím, že rezonátor (8) je tvořen dielektrickým rezonátorem, t
- 3, Mikrovlnný oscilátor podle bodu 1, vyznačený tím, že rezonátor (8) je tvořen rezonátorem TEM,
- 4, Mikrovlnný oscilátor podle bodu 1, vyznačený tim, že rezonátor (8) je tvořen dutinovým rezonátorem s videm ΤΕχχχ nebo TM · xxx*
- 5, Mikrovlnný oscilátor podle některého z předchozích bodů, vyznačený tím, že obvod (9) hradla je opatřen zakončovacím odporem (10),
- 6· Mikrovlnný oscilátor podle některého z předchozích bodů, vyznačený tím, že kolík (6) je připojen k zátěži souosým vedením (11),
- 7, Mikrovlnný oscilátor podle některého z bodů 1 až 5, vyznačený tím, že kolík (8) je připojen k zátěži obdélníkovým vlnovodem,
- 8, Mikrovlnný oscilátor podle některého z předchozích bodů, vyznačený tím, že k obvodu (9) hradla je zapojen mechanický kapacitní ladicí prvek,
- 9, Mikrovlnný oscilátor podle některého z bodů 1 až 7, vyznačený tím, že k obvodu (9) hradla je zapojen JadicX varaktor,
- 10· Mikrovlnný oscilátor podlé některého z bodů 1 až 7, vyznačený tím, že k obvodu (9) hradla JO vázán rezonátor ÝIG laditelný vnějším magnetickým polem,
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS852093A CS252420B1 (cs) | 1985-03-23 | 1985-03-23 | Mikrovlnný oscilátor s tranzistorem MESFE |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS852093A CS252420B1 (cs) | 1985-03-23 | 1985-03-23 | Mikrovlnný oscilátor s tranzistorem MESFE |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS209385A1 CS209385A1 (en) | 1987-02-12 |
| CS252420B1 true CS252420B1 (cs) | 1987-09-17 |
Family
ID=5357025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS852093A CS252420B1 (cs) | 1985-03-23 | 1985-03-23 | Mikrovlnný oscilátor s tranzistorem MESFE |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS252420B1 (cs) |
-
1985
- 1985-03-23 CS CS852093A patent/CS252420B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS209385A1 (en) | 1987-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7133180B2 (en) | Resonant impedance matching in microwave and RF device | |
| KR101089195B1 (ko) | 유전체 도파관의 입출력 결합 구조 | |
| US20180277918A1 (en) | Cavity type wireless frequency filter having cross-coupling notch structure | |
| JPH0666589B2 (ja) | 可同調導波管発振器 | |
| US6396366B1 (en) | Coaxial cavity resonator | |
| Navarro et al. | Broadband electronically tunable planar active radiating elements and spatial power combiners using notch antennas | |
| US6175286B1 (en) | Dielectric resonator and dielectric filter using the same | |
| CA1095130A (en) | Solid state power combiner for transmitter | |
| CS252420B1 (cs) | Mikrovlnný oscilátor s tranzistorem MESFE | |
| US4083016A (en) | Coupled-cavity microwave oscillator | |
| US3916363A (en) | Rf in-line impedance matched fuse holder assembly | |
| CA1096945A (en) | Solid state power combiner | |
| US4371849A (en) | Evanescent-mode microwave oscillator | |
| US3943463A (en) | Tunable oscillator/amplifier circuit for millimeter-wave diodes | |
| EP0505963B1 (en) | Compact voltage controlled oscillator for microwave applications | |
| US3290614A (en) | High frequency oscillator having distributed parameter resonant circuit | |
| US4431974A (en) | Easily tuned IMPATT diode module | |
| US4617531A (en) | Directly modulated microwave oscillator having adjustable load coupling | |
| US3745479A (en) | Microwave oscillator structure for parallel operation of solid-state diodes | |
| US3343103A (en) | Temperature compensated solid state microwave oscillator | |
| US3644843A (en) | Temperature stable negative resistance diode coaxial cavity energy converter operating in an antiresonant mode | |
| US4818956A (en) | Dielectrically stabilized GaAs FET oscillator with two power output terminals | |
| US4359700A (en) | Balancing network for microwave power combiner | |
| US4025881A (en) | Microwave harmonic power conversion apparatus | |
| US3659223A (en) | Microwave oscillator with two or more paralleled semiconductive devices |