CS248835B1 - Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny - Google Patents
Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny Download PDFInfo
- Publication number
- CS248835B1 CS248835B1 CS453285A CS453285A CS248835B1 CS 248835 B1 CS248835 B1 CS 248835B1 CS 453285 A CS453285 A CS 453285A CS 453285 A CS453285 A CS 453285A CS 248835 B1 CS248835 B1 CS 248835B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- melt
- crucible
- growth
- foreign
- embryo
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Zařizeni pro připravu monokrystalů růstem na zárodku z cizí taveniny, s regulovatelnou rychlostí otáčení, sestávající z platinového kelímku uloženého v keramickém podstavci, na který dosedá spodek krytu pěstovacího prostoru, přičemž v prostoru pro taveninu ve vnitřním prostoru kelímku je umístěn zárodek monokrystalu upevněný na držáku zavěšeném v horní části krytu. Kelímek je opatřen nástavcem zabraňujícím ochlazovaní taveniny.
Description
Vynález se týká přípravy monokrystalů růstem na zárodku z cizí taveniny při současné aplikaci metody otáčeného kelímku.
K zlepšení metody růstu monokrystalů z cizí taveniny byla navržena a uplatněna řada modifikací. Jednou z nich je postup, při kterém se monokrystaly připravují v uzavřeném sférickém platinovém kelímku, na jehož vnitřní stěně je uchycen zárodek monokrystalu (Tolksdorf W.,'.Velz F.:”Crystal Growth of íúagnetic Garnets from Hightemperature Solutions /Crystals Growth, Propertios and Applications/, C. J.LI.Rooi jmans, Springer-Verlag 1978). Při růstu krystalů se kelímek současně otáčí, takže zrychlováním a zpomalováním otáček kelímku dochází k promíchávání taveniny obsažené v kelímku. Nevýhodou tohoto postupu, která silně omezuje jeho rozšíření v technické i vědecké oblasti, jsou značné náklady na sférický platinový kelímek a dále obtíže technického rázu spojené s rozřezáváním kelímku a jeho opětným svařováním pro další práce. Nemožnost sledování procesu růstu omezuje použití této metody pouze na materiály, jejichž krystalizační podmínky jsou předem známy.
Ukázalo se proto jako účelné a nutné, aby bylo vyřešeno zařízený které nebude mít výše uvedené nedostatky; cíl byl dosažen tímto vynálezem, jehož pí-edmětem je zařízení pro přípravu monokrys talů růstem na zárodku z cizí taveniny, s regulovatelnou rychlostí otáčení, obsahující svislý kelímek a držák zárodku krystalu. Podstatou vynálezu je konstrukční provedení sestávající z platinového kelímku, opatřeného prodlužujícím nástavcem a uloženého v keramickém podstavci, na který dosedá spodek krytu pěstovacího pros toru přičemž ve vnitřním prostoru kelímku, určeném pro taveninu, je umístěn zárodek monokrystalu upevněný v nastavitelném držáku, zavěšeném ve středu horní části krytu pěstovacího prostoru,která je opatřena víčkem popřípadě odnímatelným. Nástavec kelímku je tvořen dvěma souosými plášti válce upravenými nad sebou.
Konstrukce nástavce ve tvaru dvou souosých plᚣů válců zabraňuje ochlazování taveniny při manipulaci s držákem zárodku; držák má nastavitelnou délku, čímž je umožněno vpravení zárodku do zvolené vrstvy a polohy v tavenině. Celá soustava je umístěna na otočném keramickém nosičý zprostředkujícím otáčení celé soustavy.
Výhodou tohoto řešení je podstatné snížení nákladů na
248 835 opětovné pořizování platinového kelímku, a možnost libovolné manipulace s držákem zárodku. Krystalj^ační proces je možno kdykoliv přerušit, krystal z taveniny vyjmout a znovu do ní vložit. Tato okolnost je důležitá pro přípravu nových materiálů, u kterých podmínky růstu nejsou známy. Další předností tohoto řešení je okolnost, že v zařízení jo možno použít kelímku standartního tvaru a provedení s nástavcem, na kterém je upevněn držák zárodku a kryt pěstovacího prostoru. Nástavec ve tvaru dvou souosých plášťů válce zabraňuje, aby se při manipulaci s držákem yzor^u favenina ochlazovala. J)r.žák vzorj<u má nastavitelnou délku, což umožňuje, aby zárodek vzorku byl vpraven do předem zvoleného místa v určitá vrstvě a místě objemu taveniny.
Na přiloženém výkresu je znázorněno zařízení pro přípravu monokrystalu růstem na zárodku z cizí taveniny. Platinový kelímek JL, v jehož spodní části se nachází prostor pro taveninu 7 a který je opatřen nástavcem 2 tvořeným dvěma odnímáteInými souosými plášti válce, je uložen v keramickém podstavci 8, v němž je upravena souosá kapilára 10 s vloženým termočlánkem 11, sloužícím k měření teploty taveniny. Na keramický podstavec 8 dosedá kryt 3 pěstovacího prostoru, opatřený odnímatelným víkem
5. Keramický podstavec 8 je spojen s keramickou truákou 9, umožňující manipulaci s celou soustavou, jako je její otáčení, vkládání do elektrické pece nebo vyjímání z ní. Spodní část prostoru 7 pro taveninu je určena pro zárodek monokrystalu upevněný na držáku 4, zavěšeném ve středu horní části krytu 3 pěstovacího prostoru.
Zařízení podle vynálezu které je možno využít například pro výrobu oxydových monokrystalů, bylo ověřeno při přípravě ytrito-železitého granátu z taveniny kysličníku olovnatého.
Claims (3)
- l0 Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizí taveniny, s regulovatelnou rychlostí otáčení, obsahující svislý kelímek a držák zárodku krystalu, vyznačující se tím, že sestává z platinového kelímku (1) opatřeného prodlužujícím nástavcem (2) a uloženého v keramickém podstavci (8), na který dosedá spodek krytu (3) péstovacího prostoru, při· čemž ve vnitřním prostoru kelímku (1) určeném pro taveninu je umístěn zárodek (6) monokrystalu,upevněný v nastavitelném držáku (4) zavěšeném ve středu horní části krytu (3) pěstovacího prostoru, který je opatřen víčkem (5).
- 2. Zařízení podle bodu 1, vyznačující se tím, že víčko (a) pro uzavření péstovacího prostoru je odnímatelné.
- 3. Zařízení podle bodu 1 a 2,vyznačující se tím, že nástavec (2) kelímku (1) je tvořen dvěma souosými plášti válce, upravenými nad sebou.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS453285A CS248835B1 (cs) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS453285A CS248835B1 (cs) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS248835B1 true CS248835B1 (cs) | 1987-02-12 |
Family
ID=5388282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS453285A CS248835B1 (cs) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS248835B1 (cs) |
-
1985
- 1985-06-21 CS CS453285A patent/CS248835B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0252537A1 (en) | Process for crystal growth of KTiOPO4 from solution | |
| US3060065A (en) | Method for the growth of preferentially oriented single crystals of metals | |
| US4793894A (en) | Process for crystal growth from solution | |
| US5343827A (en) | Method for crystal growth of beta barium boratean | |
| CS248835B1 (cs) | Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny | |
| Horowitz et al. | Bridgman growth of Rb2MnCl4 via accelerated crucible rotation technique | |
| Tolksdorf | Growth of magnetic garnet single crystals from high temperature solution | |
| RU2070476C1 (ru) | Устройство для получения монокристаллических отливок | |
| CN104141170B (zh) | 化合物硼酸钠镉晶体的生长方法 | |
| Elwell | Fundamentals of flux growth | |
| CN2150215Y (zh) | 生长磷酸二氘钾单晶的恒温培养槽 | |
| JPS6374991A (ja) | 単結晶成長用試料容器 | |
| Takaki et al. | The Production of Single Crystals of Metals and Alloys with any Desired Orientation by Solidification at High Temperature | |
| Fehlner | Growing crystals: A survey of laboratory methods | |
| RU2072004C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов литиевой феррошпинели life5o8 | |
| Kugler et al. | The lattice parameters of K2SnCl6 at low temperatures determined by high resolution single crystal X-ray diffraction | |
| KR0173339B1 (ko) | 열전 소재의 제조 장치와 이 장치를 이용한 열전 소재의 제조 방법 | |
| Boczkal et al. | Non-Equilibrium Crystallization of Monotectic Zn-25% Bi Alloy under 600 g. Materials 2021, 14, 4341 | |
| SU827260A1 (ru) | Способ получени образца галли | |
| RU1228526C (ru) | Способ выращивани монокристаллов сложных оксидов из расплава и устройство дл его осуществлени | |
| CN109252211A (zh) | 一种激光晶体的生长装置及方法 | |
| Elwell | Carlsbad, CA 92008, USA | |
| Payne | An apparatus for the thermal analysis of alloys containing a segregating constituent | |
| JPH0571551B2 (cs) | ||
| Watanabe et al. | Improvement of the specimen cooling device for the electron microscope |