CS248835B1 - Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny - Google Patents

Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny Download PDF

Info

Publication number
CS248835B1
CS248835B1 CS453285A CS453285A CS248835B1 CS 248835 B1 CS248835 B1 CS 248835B1 CS 453285 A CS453285 A CS 453285A CS 453285 A CS453285 A CS 453285A CS 248835 B1 CS248835 B1 CS 248835B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
melt
crucible
growth
foreign
embryo
Prior art date
Application number
CS453285A
Other languages
English (en)
Inventor
Stanislav Durcok
Emil Pollert
Original Assignee
Stanislav Durcok
Emil Pollert
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanislav Durcok, Emil Pollert filed Critical Stanislav Durcok
Priority to CS453285A priority Critical patent/CS248835B1/cs
Publication of CS248835B1 publication Critical patent/CS248835B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Zařizeni pro připravu monokrystalů růstem na zárodku z cizí taveniny, s regulovatelnou rychlostí otáčení, sestávající z platinového kelímku uloženého v keramickém podstavci, na který dosedá spodek krytu pěstovacího prostoru, přičemž v prostoru pro taveninu ve vnitřním prostoru kelímku je umístěn zárodek monokrystalu upevněný na držáku zavěšeném v horní části krytu. Kelímek je opatřen nástavcem zabraňujícím ochlazovaní taveniny.

Description

Vynález se týká přípravy monokrystalů růstem na zárodku z cizí taveniny při současné aplikaci metody otáčeného kelímku.
K zlepšení metody růstu monokrystalů z cizí taveniny byla navržena a uplatněna řada modifikací. Jednou z nich je postup, při kterém se monokrystaly připravují v uzavřeném sférickém platinovém kelímku, na jehož vnitřní stěně je uchycen zárodek monokrystalu (Tolksdorf W.,'.Velz F.:”Crystal Growth of íúagnetic Garnets from Hightemperature Solutions /Crystals Growth, Propertios and Applications/, C. J.LI.Rooi jmans, Springer-Verlag 1978). Při růstu krystalů se kelímek současně otáčí, takže zrychlováním a zpomalováním otáček kelímku dochází k promíchávání taveniny obsažené v kelímku. Nevýhodou tohoto postupu, která silně omezuje jeho rozšíření v technické i vědecké oblasti, jsou značné náklady na sférický platinový kelímek a dále obtíže technického rázu spojené s rozřezáváním kelímku a jeho opětným svařováním pro další práce. Nemožnost sledování procesu růstu omezuje použití této metody pouze na materiály, jejichž krystalizační podmínky jsou předem známy.
Ukázalo se proto jako účelné a nutné, aby bylo vyřešeno zařízený které nebude mít výše uvedené nedostatky; cíl byl dosažen tímto vynálezem, jehož pí-edmětem je zařízení pro přípravu monokrys talů růstem na zárodku z cizí taveniny, s regulovatelnou rychlostí otáčení, obsahující svislý kelímek a držák zárodku krystalu. Podstatou vynálezu je konstrukční provedení sestávající z platinového kelímku, opatřeného prodlužujícím nástavcem a uloženého v keramickém podstavci, na který dosedá spodek krytu pěstovacího pros toru přičemž ve vnitřním prostoru kelímku, určeném pro taveninu, je umístěn zárodek monokrystalu upevněný v nastavitelném držáku, zavěšeném ve středu horní části krytu pěstovacího prostoru,která je opatřena víčkem popřípadě odnímatelným. Nástavec kelímku je tvořen dvěma souosými plášti válce upravenými nad sebou.
Konstrukce nástavce ve tvaru dvou souosých plᚣů válců zabraňuje ochlazování taveniny při manipulaci s držákem zárodku; držák má nastavitelnou délku, čímž je umožněno vpravení zárodku do zvolené vrstvy a polohy v tavenině. Celá soustava je umístěna na otočném keramickém nosičý zprostředkujícím otáčení celé soustavy.
Výhodou tohoto řešení je podstatné snížení nákladů na
248 835 opětovné pořizování platinového kelímku, a možnost libovolné manipulace s držákem zárodku. Krystalj^ační proces je možno kdykoliv přerušit, krystal z taveniny vyjmout a znovu do ní vložit. Tato okolnost je důležitá pro přípravu nových materiálů, u kterých podmínky růstu nejsou známy. Další předností tohoto řešení je okolnost, že v zařízení jo možno použít kelímku standartního tvaru a provedení s nástavcem, na kterém je upevněn držák zárodku a kryt pěstovacího prostoru. Nástavec ve tvaru dvou souosých plášťů válce zabraňuje, aby se při manipulaci s držákem yzor^u favenina ochlazovala. J)r.žák vzorj<u má nastavitelnou délku, což umožňuje, aby zárodek vzorku byl vpraven do předem zvoleného místa v určitá vrstvě a místě objemu taveniny.
Na přiloženém výkresu je znázorněno zařízení pro přípravu monokrystalu růstem na zárodku z cizí taveniny. Platinový kelímek JL, v jehož spodní části se nachází prostor pro taveninu 7 a který je opatřen nástavcem 2 tvořeným dvěma odnímáteInými souosými plášti válce, je uložen v keramickém podstavci 8, v němž je upravena souosá kapilára 10 s vloženým termočlánkem 11, sloužícím k měření teploty taveniny. Na keramický podstavec 8 dosedá kryt 3 pěstovacího prostoru, opatřený odnímatelným víkem
5. Keramický podstavec 8 je spojen s keramickou truákou 9, umožňující manipulaci s celou soustavou, jako je její otáčení, vkládání do elektrické pece nebo vyjímání z ní. Spodní část prostoru 7 pro taveninu je určena pro zárodek monokrystalu upevněný na držáku 4, zavěšeném ve středu horní části krytu 3 pěstovacího prostoru.
Zařízení podle vynálezu které je možno využít například pro výrobu oxydových monokrystalů, bylo ověřeno při přípravě ytrito-železitého granátu z taveniny kysličníku olovnatého.

Claims (3)

  1. l0 Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizí taveniny, s regulovatelnou rychlostí otáčení, obsahující svislý kelímek a držák zárodku krystalu, vyznačující se tím, že sestává z platinového kelímku (1) opatřeného prodlužujícím nástavcem (2) a uloženého v keramickém podstavci (8), na který dosedá spodek krytu (3) péstovacího prostoru, při· čemž ve vnitřním prostoru kelímku (1) určeném pro taveninu je umístěn zárodek (6) monokrystalu,upevněný v nastavitelném držáku (4) zavěšeném ve středu horní části krytu (3) pěstovacího prostoru, který je opatřen víčkem (5).
  2. 2. Zařízení podle bodu 1, vyznačující se tím, že víčko (a) pro uzavření péstovacího prostoru je odnímatelné.
  3. 3. Zařízení podle bodu 1 a 2,vyznačující se tím, že nástavec (2) kelímku (1) je tvořen dvěma souosými plášti válce, upravenými nad sebou.
CS453285A 1985-06-21 1985-06-21 Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny CS248835B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS453285A CS248835B1 (cs) 1985-06-21 1985-06-21 Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS453285A CS248835B1 (cs) 1985-06-21 1985-06-21 Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS248835B1 true CS248835B1 (cs) 1987-02-12

Family

ID=5388282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS453285A CS248835B1 (cs) 1985-06-21 1985-06-21 Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS248835B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0252537A1 (en) Process for crystal growth of KTiOPO4 from solution
US3060065A (en) Method for the growth of preferentially oriented single crystals of metals
US4793894A (en) Process for crystal growth from solution
US5343827A (en) Method for crystal growth of beta barium boratean
CS248835B1 (cs) Zařízení pro přípravu monokrystalů růstem na zárodku z cizi taveniny
Horowitz et al. Bridgman growth of Rb2MnCl4 via accelerated crucible rotation technique
Tolksdorf Growth of magnetic garnet single crystals from high temperature solution
RU2070476C1 (ru) Устройство для получения монокристаллических отливок
CN104141170B (zh) 化合物硼酸钠镉晶体的生长方法
Elwell Fundamentals of flux growth
CN2150215Y (zh) 生长磷酸二氘钾单晶的恒温培养槽
JPS6374991A (ja) 単結晶成長用試料容器
Takaki et al. The Production of Single Crystals of Metals and Alloys with any Desired Orientation by Solidification at High Temperature
Fehlner Growing crystals: A survey of laboratory methods
RU2072004C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов литиевой феррошпинели life5o8
Kugler et al. The lattice parameters of K2SnCl6 at low temperatures determined by high resolution single crystal X-ray diffraction
KR0173339B1 (ko) 열전 소재의 제조 장치와 이 장치를 이용한 열전 소재의 제조 방법
Boczkal et al. Non-Equilibrium Crystallization of Monotectic Zn-25% Bi Alloy under 600 g. Materials 2021, 14, 4341
SU827260A1 (ru) Способ получени образца галли
RU1228526C (ru) Способ выращивани монокристаллов сложных оксидов из расплава и устройство дл его осуществлени
CN109252211A (zh) 一种激光晶体的生长装置及方法
Elwell Carlsbad, CA 92008, USA
Payne An apparatus for the thermal analysis of alloys containing a segregating constituent
JPH0571551B2 (cs)
Watanabe et al. Improvement of the specimen cooling device for the electron microscope