Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vladimir Miklas, Josef SlovikfiledCriticalVladimir Miklas
Priority to CS846705ApriorityCriticalpatent/CS246142B1/sk
Publication of CS670584A1publicationCriticalpatent/CS670584A1/cs
Publication of CS246142B1publicationCriticalpatent/CS246142B1/sk
Sposob vytvorenia hradiel tranzistorov a spojovacích vodičov v drážkách polovodičové] došky vytvořených najma V-leptom. Sposob prináša vyššie účinky oproti doterajšiemu stavu jednoduchou technológiou výroby hradiel tranzistorov v mikrometrovej respektive submikrometrovej oblasti a spojovacích vodičov vnořených do povrchu polovodičovej došky. Podstata spósobu je deponovanie určujúcej vrstvy a vytvorenie úzkého pásika z tejto vrstvy vo V-lepte leptáním bez maskovania. Sposob je určený najmá pre výrobu tranzistorov V—MOS s minimálnymi parazitnými kapacitami a dížkou kanálu v mikrometrovej, respektive submikrometrovej oblasti. Sposob bližšie objasní obrázok 2.
CS846705A1984-09-061984-09-06Sposob vytvárania hradiel tranzistorov a spojovacích vodičov
CS246142B1
(sk)
Установка для одновременно-раздельной эксплуатации нескольких эксплуатационных объектов одной скважиной (варианты) и клапан-отсекатель револьверного типа для нее