CS243553B1 - Sposob merania časovej stability závěrného prúdu polovodičových diod pri zvýšenej teplote - Google Patents
Sposob merania časovej stability závěrného prúdu polovodičových diod pri zvýšenej teplote Download PDFInfo
- Publication number
- CS243553B1 CS243553B1 CS83140A CS14083A CS243553B1 CS 243553 B1 CS243553 B1 CS 243553B1 CS 83140 A CS83140 A CS 83140A CS 14083 A CS14083 A CS 14083A CS 243553 B1 CS243553 B1 CS 243553B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- measuring
- closing current
- elevated temperature
- closing
- stability
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Sposob merania časovej stability závěrného prúdu diod pri zvýšenej teplote rieši problematiku z oboru merania elektrických parametrov diskrétnych polovodičových súčiastok. Časová stabilita závěrného prúdu je důležitá z hladiska dlhodobej spolahlivej prevádzky polovodičových diod. Velký význam má najma v prípadoch, že sa pracuje pri hornej medznej teplote a s malou rezervou závěrného napatia. Sledovanie časovej stability závěrného prúdu, t. j. závislosti IK = f(t) pri konštantnom závernom napatí je časové zdíhavé a pre sériová výrobu nevhodné. Sposob merania podlá vynálezu dovoluje vyhodnotil časovú stabilitu závěrného prúdu v krátkom čase, cca 5 sekúnd. Je vhodný pre sériovú výrobu a možno ho použil i pre automatické vyhodnocovanie. Hlavná oblast použitia tohto sposobu merania je pre usmerňovacie diody, rýchle usmerňovacie diódy, vysokonapátové usměrňovače, ale je možné ho aplikovat i pre tranzistory
Description
Vynález rieši sposob merania časovej stability závěrného prúdu polovodičových diod pri zvýšenej teplote.
Blokovacia schopnost polovodičových diod v závernom smere je podmienená dlhodobou časovou stabilitou závěrného prúdu. Okrem závěrného napatia je určujúcim parametrom hodnoty závěrného prúdu teplota. U ideálnej diody je závěrný prúd cez objem polovodiča daný tzv. nasýteným prúdom Io, ktorého teplotná závislost je daná vzťahom: Io(T) = Io(To)e »(T —To) (1) kde
To = 298 K (normálna teplota) T > To — zvýšená teplota a — koeficient (pre Si = 0,1 K'1) V skutočnosti je závěrný prúd vyšší, ako výchádza podl'a prvého vztahu a je spůsobený prevažne nedefinovanými povrchovými stavmi. Podl'a toho aj charakter teplotnej a časovej závislosti závěrného prúdu může byť rozmanitý. Doterajší sposob merania časovej stability závěrného prúdu je vel'mi zdíhavý. Dioda sa vloží do termostatu vyhriateho na zvýšenú teplotu a sleduje sa hodnota závěrného prúdu v čase niekofko minút až niekofko hodin. Z toho důvodu je tento spůsob nevhodný pre sériovú výrobu.
Vyššie uvedený nedostatok odstraňuje spůsob merania podlá vynálezu, ktorého podstatou je, že dioda sa vyhřeje na zvýšenú teplotu a dlhodobá časová stabilita sa vyhodnocuje na prirodzene chladnúcej diodě z merania aspoň dvoch hodnůt závěrného prúdu meraného pri konštantnom závernom napatí, ktoré sa merajú v krátkom časovom slede za sebou.
Spůsob merania podlá vynálezu je možné robiť například takto:
Dióda sa najskůr zohreje na zvýšenú teplotu v termostate alebo prechodom definovaného impulzu priepustného prúdu. Pre zvýšenie citlivosti je vhodné v zmysle vztahu (1) vollť teplotu blízku maximálnej dovolenej teplote přechodu. Potom sa dióda rýchlo vyberie z termostatu alebo sa přeruší vyhrievací priepustný prúd a připojí sa měrné závěrné napatie.
Doba od prerušenia vyhrievania po pripojenie závěrného napatia je maximálně 2 sekundy. Odčítá sa počiatočná hodnota závěrného prúdu IR0 a po čase Δ t druhá hodnota IRi.
Ako vyhovujúce diody na dlhodobú časovú stabilitu závěrného prúdu sa hodnotia také diody, v ktorých pokles závěrného prúdu v závislosti na čase zodpovedá prirodzenému chladnutiu diody — priebehy 1 a 2 na obr. 1, pričom priebeh 1 zodpovedá dióde s mensou tepelnou kapacitou.
Diody, v ktorých je pokles závěrného prúdu nevýrazný — priebeh 3 na obr. 1, alebo prúd stúpa — priebeh 4 na obr. 1 sa hodnotia ako nevyhovujúce.
Pre takéto hodnotenie stability závěrného prúdu postačuje doba Δt = ti — to =1-^3 sekundy. Ako nevyhovujúce sa hodnotia tiež diody, v ktorých sa překročí hodnota závěrného prúdu IK0, stanovená pre konkrétny typ diody a teplotu.
Tento spůsob merania dlhodobej časovej stability závěrného prúdu diod je vhodný pre meranie usměrňovačích diod stredného výkonu konvenčných i rýchlych a pre vysokonapáťové usměrňovače, ktoré možno merať v normálnom prostředí. Možno ho aplikovat i pre meranie časovej stability zbytkových prúdov tranzistorov.
Claims (2)
- PREDMET1. Spůsob merania časovej stability závěrného prúdu polovodičových diod pri zvýšenej teplote vyznačený tým, že dioda sa vyhřeje na zvýšenú teplotu a dlhodobá časová stabilita sa vyhodnocuje na prirodzene chladnúcej dióde z merania aspoň dvoch hodnůt závěrného prúdu meraného pri kon- vynalezu štantnom závernom napatí, ktoré sa merajú v časovom slede max. 3 sekundy za sebou.
- 2. Spůsob merania ako v bode 1, vyznačený tým, že dióda sa vyhřeje na zvýšenú teplotu definovaným prúdovým impulzom v priepustnom smere. 1 list výkresov 243553
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS83140A CS243553B1 (cs) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | Sposob merania časovej stability závěrného prúdu polovodičových diod pri zvýšenej teplote |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS83140A CS243553B1 (cs) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | Sposob merania časovej stability závěrného prúdu polovodičových diod pri zvýšenej teplote |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS14083A1 CS14083A1 (en) | 1985-09-17 |
| CS243553B1 true CS243553B1 (cs) | 1986-06-12 |
Family
ID=5333040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS83140A CS243553B1 (cs) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | Sposob merania časovej stability závěrného prúdu polovodičových diod pri zvýšenej teplote |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS243553B1 (cs) |
-
1983
- 1983-01-10 CS CS83140A patent/CS243553B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS14083A1 (en) | 1985-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DK2753903T3 (en) | PROCEDURE AND APPARATUS FOR ESTIMATING A TEMPERATURE OF A SEMICONDUCTOR CHIP | |
| Wohlgemuth et al. | Hot spot tests for crystalline silicon modules | |
| US9529037B2 (en) | Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device | |
| Weckbrodt et al. | Monitoring of gate leakage current on SiC power MOSFETs: An estimation method for smart gate drivers | |
| Asimakopoulos et al. | On $ V_ {{\text {ce}}} $ Method: In Situ Temperature Estimation and Aging Detection of High-Current IGBT Modules Used in Magnet Power Supplies for Particle Accelerators | |
| Amoiridis et al. | Vce-based chip temperature estimation methods for high power IGBT modules during power cycling—A comparison | |
| Tran et al. | Constant ΔT j power cycling strategy in DC mode for top-metal and bond-wire contacts degradation investigations | |
| Otto et al. | Lifetime modelling of discrete power electronic devices for automotive applications | |
| CS243553B1 (cs) | Sposob merania časovej stability závěrného prúdu polovodičových diod pri zvýšenej teplote | |
| JP6531646B2 (ja) | ジャンクション温度特定装置およびジャンクション温度特定方法 | |
| Hamidi et al. | Effects of current density and chip temperature distribution on lifetime of high power IGBT modules in traction working conditions | |
| Johnson | Laser diode burn-in and reliability testing | |
| Cova et al. | Thermal characterization of IGBT power modules | |
| Ghimire | Real time monitoring and wear out of power modules | |
| ES2752239T3 (es) | Método para someter a prueba el acoplamiento de dado de un conjunto de célula fotovoltaica | |
| Deppe et al. | Silicon Carbide MOSFETs Aging Testing Platform for EV Chargers Using Power Cycling | |
| Yu et al. | Determination of Short-Circuit Safe Operating Area of Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Stress Conditions | |
| Bryant et al. | A unified platform for junction temperature estimation and condition monitoring of power semiconductor devices | |
| Cheng | Wafer Level Reliability Monitoring of NBTI Using Polysilicon Heater Structures for Production Measurements | |
| Hernes et al. | Improving monitoring of parallel ageing of IGBT bond-wires and solder layers by temperature compensation | |
| US3426277A (en) | Method of determining the current handling capacity of a thyristor | |
| US3978405A (en) | Damage thresholds of p-n junction devices by a current pulse method | |
| Shiner et al. | Transient Thermal Resistance—General Data and Its Use | |
| Kolter et al. | Body Diode Junction Temperature Measurement within an accelerated Application Stress Test for 10 Millisecond Temperature Cycling | |
| Zheng et al. | Analysis of Power Cycle Aging Test for SiC MOSFET |