CS242655B1 - Production method of metal contact layers in semiconductors structures - Google Patents
Production method of metal contact layers in semiconductors structures Download PDFInfo
- Publication number
- CS242655B1 CS242655B1 CS848720A CS872084A CS242655B1 CS 242655 B1 CS242655 B1 CS 242655B1 CS 848720 A CS848720 A CS 848720A CS 872084 A CS872084 A CS 872084A CS 242655 B1 CS242655 B1 CS 242655B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- pulse
- contact layers
- metal contact
- temperature
- production method
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- NQLVQOSNDJXLKG-UHFFFAOYSA-N prosulfocarb Chemical compound CCCN(CCC)C(=O)SCC1=CC=CC=C1 NQLVQOSNDJXLKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- LWUVWAREOOAHDW-UHFFFAOYSA-N lead silver Chemical compound [Ag].[Pb] LWUVWAREOOAHDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Řešení se týká způsobu výroby kovo vých kontaktních vrstev na polovodičových strukturách. Vrstva kontaktního kovu na nesená na polovodičový systém se v defi nované atmosféře zahřeje alespoň v jednom duIsu pulsním zdrojem záření, tvořeným la serem GOg» neodymovým laserem YAG nebo xenovou výbojkou na teplotu 350 až 800 °C. Doba trvání pulsu je kratší než pO^s, energie pulsu je 5 až 60 J/cm2 a rozsah vlnových délek záření 0,3 až 10,jzm.The invention relates to a method for producing a metal contact layers on semiconductor devices structures. Contact metal layer on carried on a semiconductor system at defi the atmosphere at least in one pulse source of radiation formed by la with GOg »neodymium laser YAG or xeno lamp at 350 to 800 ° C. The pulse duration is shorter than p0 ^ s, the pulse energy is 5 to 60 J / cm2 and the range wavelengths ranging from 0.3 to 10 microns.
Description
Vynález se tý. á způsobu výroby kovových kontaktních vrstev na polovodičových strukturách.The invention relates to the invention. and a method for producing metal contact layers on semiconductor structures.
Dosud známé způsoby výroby kovových kontaktních vrstev na polovodičových strukturách využívají techniky naparování, napravování, galvanického nebo bezproudového nanášení a dalších známých techniko Takto vytvořené vrstvy kontaktních kovů se zažíhávají při teplotách nezbytných k reakci kontaktního kovu s polovodi čovou podložkou, ať se jedná o vytvoření eutektické mezivrstvy, o vrstvy silicidů a podobně. Kontakty se vytvářejí v jednom nebo více krocích, ve kterých se vrstvy zažíhávají při různých teplotách. Kontaktní vrstvy jsou často tvořeny kombinací několika vrstev různých kovů.The prior art methods for producing metal contact layers on semiconductor structures utilize vapor deposition, repair, galvanic or electroless plating techniques, and other known techniques. The contact metal layers thus formed are ignited at temperatures necessary to react the contact metal with the semiconductor pad, , silicide layers and the like. The contacts are formed in one or more steps in which the layers are ignited at different temperatures. Contact layers are often made up of a combination of several layers of different metals.
Při všech těchto technologiích je třeba zahřát celou polovodičovou soustavu na teplotu 300 až 700° C podle typu kontaktního kovu.With all these technologies, the entire semiconductor system must be heated to a temperature of 300 to 700 ° C depending on the type of contact metal.
Při těchto teplotách však probíhají difuzní procesy těžkých kovů a hlubokých příměsí, dochází ke kontaminaci, redistribuci nečistot, vytváření poruch a precipitací, která je zvýrazněna zvýšeným obsahem kyslíku v povrchových vrstvách.At these temperatures, however, the diffusion processes of heavy metals and deep impurities take place, contamination, redistribution of impurities, formation of disturbances and precipitation, which are accentuated by increased oxygen content in the surface layers.
Vynález řeší způsob kBXwrýjc výroby kovových kontaktních vrstev na polovodičových strukturách tak, že vrstva naneseného kontaktního kovu se v definované atmosféře zahřeje alespoň v jednom pulsu pulsním zdrojem záření, tvořeným laserem GO^, neodymovým laserem YAG nebo xenonovou výbojkou na teplotu 350 až 800° C přičemž doba trvání pulsu je kratší než 50^4is, energie pulsu je 5 až 60 J/cm2 s rozsahem vlnových délek záření 0,3 až 10(41111.The invention solves a method of manufacturing metal contact layers on semiconductor structures by heating the deposited contact metal layer in a defined atmosphere with at least one pulse by a pulsed radiation source consisting of a GO 2 laser, a YAG neodymium laser or a xenon lamp to 350-800 ° C. pulse duration is less than 50 ^ 4is, pulse energy is 5 to 60 J / cm 2 with a wavelength range of 0.3 to 10 (41111.
Výhody řešení podle vynálezu spočívají především v tom, že při pulsním zažíhnutí kontaktního kovu je prakticky celý objem polovodičové struktury na nízké teplotě a teplotu zažíhnutí kontaktního kovu lze zvýšit na libovolnou teplotu, aniž by se ovlivnila vnitřní struktura. Nedochází ke kontaminaci, redistri— buci nečistot, difúzi těžkých kovů a k vytváření poruch.Advantages of the solution according to the invention reside in particular in the fact that with pulse ignition of the contact metal virtually the entire volume of the semiconductor structure is at a low temperature and the ignition temperature of the contact metal can be increased to any temperature without affecting the internal structure. There is no contamination, redistribution of impurities, diffusion of heavy metals, and failure.
V případě kontaktního kovu, který vytváří silicidy např. niklu, ae teplota v pulsu mezi vrstvou kontaktního kovu a polovodičovou strukturou zvýší nad hodnotu potřebnou k vytvoření silicidů.In the case of a contact metal that forms silicides such as nickel, the temperature in the pulse between the contact metal layer and the semiconductor structure increases above the value necessary to form the silicides.
242 65S242 65S
V případě použití kontaktního kovu, který při zažíhnutí vytváří rekrystalizovanou vrstvu, se v průběhu pulsu teplota rozhraní mezi kontaktním kovem a polovodičovou strukturou zvýší na nadeutektickou teplotu.In the case of the use of a contact metal which forms a recrystallized layer upon ignition, the temperature of the interface between the contact metal and the semiconductor structure is increased to a nondeutectic temperature during the pulse.
Příklad provedeníExemplary embodiment
Na polovodičové desce je bezproudově vytvořena vrstva niklu.A nickel-free layer of current is formed on the semiconductor plate.
Celý polovodičový systém se předehřeje na teplotu 35O°C a potom se v dusíkové atmosféře niklová vrstva pulsně zažíhne xenonovou výbojkou na teplotu 600° C, při které vznikne mezivrstva silicidu niklu. Délka pulsu je 10<413, energie v pulsu je 15 J/cm , tloušťka niklové vrstvy je 3^um.The entire semiconductor system is preheated to a temperature of 35 ° C and then, under a nitrogen atmosphere, the nickel layer is pulsed with a xenon lamp to 600 ° C, forming an intermediate layer of nickel silicide. The pulse length is 10 <413, the energy in the pulse is 15 J / cm, the nickel layer thickness is 3 µm.
Takto vytvořený niklový kontakt je vhodný pro pá.jení polovodičové desky k dilatační elektrodě pájkou na bázi olovo-stříbro.The nickel contact thus formed is suitable for driving the semiconductor plate to the diode electrode with a lead-silver solder.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848720A CS242655B1 (en) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | Production method of metal contact layers in semiconductors structures |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848720A CS242655B1 (en) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | Production method of metal contact layers in semiconductors structures |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS872084A1 CS872084A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS242655B1 true CS242655B1 (en) | 1986-05-15 |
Family
ID=5438173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS848720A CS242655B1 (en) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | Production method of metal contact layers in semiconductors structures |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS242655B1 (en) |
-
1984
- 1984-11-15 CS CS848720A patent/CS242655B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS872084A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101340933B1 (en) | Metal substrate with insulation layer and manufacturing method thereof, semiconductor device and manufacturing method thereof, solar cell and manufacturing method thereof, electronic circuit and manufacturing method thereof, and light-emitting element and manufacturing method thereof | |
| TWI601302B (en) | Advanced hydrogenation of solar cells | |
| US4547836A (en) | Insulating glass body with electrical feedthroughs and method of preparation | |
| US4647476A (en) | Insulating glass body with electrical feedthroughs and method of preparation | |
| EP0248445A3 (en) | Semiconductor device having a diffusion barrier and process for its production | |
| EP0134232A4 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELLS. | |
| KR960030457A (en) | METHOD FOR MANUFACTURING POROUS MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE SUBSTRATE FOR BATTERY, | |
| TW200419682A (en) | Method to manufacture a semiconductor component | |
| US3492167A (en) | Photovoltaic cell and method of making the same | |
| KR20110030391A (en) | Method of manufacturing contact areas of electronic components | |
| Affolter et al. | Properties of laser‐assisted doping in silicon | |
| US4609565A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| JPH04346274A (en) | Manufacture of photoelectricmotive force device | |
| EP0325606B1 (en) | Method of fabricating solar cells with anti-reflection coating | |
| Shibata et al. | Silicide formation using a scanning cw laser beam | |
| CS242655B1 (en) | Production method of metal contact layers in semiconductors structures | |
| DE19917758C2 (en) | Process for the production of a CuInSe2 (CIS) solar cell | |
| US5225251A (en) | Method for forming layers by UV radiation of aluminum nitride | |
| JPS6477122A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| CN100358143C (en) | MIS semiconductor device and method of fabricating the same | |
| JPS6362912B2 (en) | ||
| US4838950A (en) | Stabilization of intraconnections and interfaces | |
| DE3568353D1 (en) | Method and apparatus for making silver base two-layer contacts for electrical switches | |
| US4077045A (en) | Metallization system for semiconductive devices, devices utilizing such metallization system and method for making devices and metallization system | |
| WO1995019641A1 (en) | Fabrication of optically reflecting ohmic contacts for semiconductor devices |