CS240864B1 - Způsob úpravy ionizujícího z polovodičový aření - Google Patents

Způsob úpravy ionizujícího z polovodičový aření Download PDF

Info

Publication number
CS240864B1
CS240864B1 CS843296A CS329684A CS240864B1 CS 240864 B1 CS240864 B1 CS 240864B1 CS 843296 A CS843296 A CS 843296A CS 329684 A CS329684 A CS 329684A CS 240864 B1 CS240864 B1 CS 240864B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
detector
cryostat
detectors
layer
liquid nitrogen
Prior art date
Application number
CS843296A
Other languages
English (en)
Other versions
CS329684A1 (en
Inventor
Ivan Hartl
Jan Seda
Original Assignee
Ivan Hartl
Jan Seda
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ivan Hartl, Jan Seda filed Critical Ivan Hartl
Priority to CS843296A priority Critical patent/CS240864B1/cs
Publication of CS329684A1 publication Critical patent/CS329684A1/cs
Publication of CS240864B1 publication Critical patent/CS240864B1/cs

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

Řešení se týká způsobu úpravy polovodičových detektorů ionizujícího záření a řeší úpravu polovodičových detektorů, zejména těch, které vzhledem k vysoké hladině šumu mají velmi špatnou rozlišovací schopnost. Podstata řešení spočívá v tom že se odstraní n-vrstva, případně ještě zbylý p-materiál a z jedné strany nebo z obou stran okraje aktivní oblasti se odstraní vrstva 1 až 5 mmt vytvoří se nové přechody, detektor se driftuje, evakuuje, zapouzdří do kryostatu a ponoří do Dewarovy nádoby s kapalným dusíkem, připojí k vysokonapěíovému stejnosměrnému zdroji, nečistoty se sorbují v molekulovém sítu kryostatu, detektor se přepojí na zdroj konstantního proudu za současného měření kapacity a po vychlazení na pracovní teplotu se proměří. Řešení lze využít ve výrobě i při vědeckovýzkumné činnosti.

Description

Předmětem vynálezu je způsob úpravy gern|áhi^plit£bv;^hh detektorů tak, aby bylo dosaženo co nejlepší p*Q£Liáovaffí schop• ('li nosti při maximálně možné účinnosti detektoru, vztažené na 1 r.m plochy aktivní oblasti.
Dosud se výřezy monokrystalů pro přínrsvu germanium-litiových detektorů vybírají především tak, aby bylo dosaženo vysokého stupně rozdělení' odporu jak radiálně, tak i axiálně. Střešní hodnota se pohybuje okolo 20 ohmem. Déle se při výběru výřezů přihlíží k rozložení dislokací, jejich shluků, respektive dislokačních čar.
Krystal má mít ořibližně 2 000 dislokací na 1 cm jeho řezu s vysokým stupněm homogenity jejich rozložení. Když jsou tato kritéria splněna, je z monokrystalu vyroben germanium-litiový detektor dosavadní technologií, která spočívá v provedení difúze litie. do monokrystalu z laku, obsahující LiH, odleptáním výřezu z jedné strany, provedením driftu ve freonu při 37 °C a dále vyrovnávacího driftu při teplotě -30 °C a detektor se zapouzdří do kryostatu. Pote», se evakuuje a ponoří do Dewarovy nádoby s kapalným dusíkem. Po vychlazení na nracovní teplotu se detektor proměří. Asi v 80 % případů se stává, že není na detektor možno vložit požadované elektrické napětí, a- to u koaxiálních typů alespoň 2 keV oři zpětných proudech 10 až 10 A. Napětí, které detektory snesou, bývá u většiny nižší než 2 000 V a v některých případech ještě méně. Takové detektory mají tak vysoký šum, še spektrum testovacího zdroje gama záření ^θΟο je neměřitelné nebo, že rozlišovací senopnost je horší než 4 keV.
U těchto detektorů se zpravidla obnovují kontakty provedením nové difúze litia; po ní se krátce driftují ve freonu při teplotě 37 °C a nrovede se vyrovnávací drift při teplotě -30 °C v chladicím boxu, aby se krystalová mříž dokonale zformovala. Při této operaci se měří pokles kapacity detektoru, která se obvykle pohybuje v hodnotách desítek až stovek pF. Když pokles kapacity ustane, zapouzdří se detektor znovu do kryostatu, evakuuje se a proměří při pracovní tenlotě v kryostatu ponořeném do Dewarovy nádoby, naplněné kapalným dusíkem. Detektory, u kterých se nepodaří zvýšit závěrné napětí při zpětných proudech nižších než 10 A ani po třikrát až pětkrát opakovaném dosavadním postupu, se vyřazují.
Nevýhody dosavadních technologických postupů se odstraňují způsobem, úpravy polovodičových detektorů ionizujícího záření podle vynálezu, jehož podstata snočívá v tom, že z vadných detektorů, majících Špatnou rozlišovací schopnost, způsobenou vysokou hladinou
240 864 šumu, se odstraní n-vrsťva a případně ještě zbylý p-materiál a z jedné nebo obou stran okraje aktivní oblasti se odstraní vrstva o síle 1 až 3 mm, z vnější strany detektoru se provede difúze lithia a případně se z vnitřní strany napaří tenká vrstva zlata, načež se detektor driftuje ve freonu při teplote 37 °C až 47 °C no dobu 2 až 14 hodin, zapouzdří se do kryostatu, evakuuje na vakuum 10až 1<j Pa a ponoří do kapalného dusíku v Dewarově nádobě, nřipojí k vysokonapětovému stejnosměrnému zdroji konstantního proudu a no ohřátí na teplotu 40 až 200 °C pro odstranění zbytkových povrchových nečistot v molekulovém sítu kryostatu se detektor nřipojí na zdroj konstantního proudu za současného měření kapacity detektorů, no jejímž poklesu na hodnotu blízkou teoretické se detektor od zdroje odpojí a no vychlazení na pracovní teplotu se proměří. Aby se shora popsané' operace daly provést·, je nutno zaměnit přívodní drátek detektoru k průchodce kryostatu z původně niklového o průměru 0,1 mm za měděný o průměru 0,2 až 0,4 mm. Postupem podle vynálezu se dosáhne nového a vyššího'technického účinku, který se projevuje tím, že jednak vyřazené vadné detektory se po provedeném postupu podle vynálezu zlepší natolik, že jejich parametry vyhovují pro spektrometrické měření stejně nebo léně než jinak bezvadné detektory, u nichž nebyl postup podle vynálezu aplikován, jednak tím, že vyrobené detektory vyhovující jen pro taková měření, kde stačí nižší rozlišovací schopnost, se zlepší tak, že jsou použitelné i pro mnohem náročnější měření.
Příklad
Na germanium-lithiový detektor před úpravou bylo možno vložit nři závěrných proudech 10 A napětí pouze 700 V. Tento detektor 50 mel spektrum záření gama Co neměřitelné vzhledem k tomu, že bylo překryto Šumem detektoru. Na detektoru byla odstraněna n-vrstva původního přechodu o tloušíce 2,5 mm a dále 1,5 mm aktivní oblasti v blízkosti původního n-přechodu. Po vytvoření nového n-přechodu difúzí lithia byl detektor driftován ve freonu při teplotě 37 °C po dobu 4 hodin. Potombyl zapouzdřen do kryostatu, odčerpán na vy-3 soké vakuum 10 Pa a vložen do Dewarovy nádoby s kapaným dusíkem. Pak byl detektor připojen k vysokonapětovému zdroji konstantního
240 864 proudu. Detektorem protékal proud 600 mA, kterým byl ohřát na teplotu 60 °C a na této teplotě udržován po dobu 1 hodiny. Pak byl detektor přepojen na zdroj konstantního proudu, zařízeného na současné měření kaoacitv detektoru.
Po 4 hodinách došlo k poklesu kapacity detektoru na 30 pF. Detektor byl odpojen od zdroje a po vychlazení na pracovní teplotu bylo u něho dosaženo těchto vlastností : při vloženém napětí 2 000 V byl naměřen zpětný proud 3 x 10-^ A, rozli šovací schopnost pro linii 1,332 MeV ^θΟο 2,1 keV a. relativní účinnost sběru náboje 5 %·
Vynález lze využít při úpravách i opravách detektorů ionizujícího záření jak při jejich výrobě, tak i při vědeckovýzkumné činnosti.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    240 864
    Způsob úpravy polovodičových detektorů ionizujícího záření, majících špatnou rozlišovací schopnost, způsobenou vysokou hladinou šumu, spočívající v difúzi lithia, driftu ve freonu, evakuaci a chlazení kapalným dusíkem, vyznačený tím, že z vadných detektorů se odstraní n-vrstva a ořínsdne ještě zbylý p-materiál a z jedné nebo obou stran okraje aktivní oblasti se odstraní vrst va o tloušíce 1 až 3 mni a z vnější strany detektoru se provede di fuze lithia a případně se z vnitřní strany napaří tenká vrstva zlata, načež se detektor driftuje ve freonu při tenlotě 37 až
    47 °C po dobu 2 až 14 hodin, zapouzdří se do kryostatu, evskuuje .—2 -4 vakuum 10 až 10 Pa a ponoří do kapalného dusíku v Dewerovš ná době, připojí k vysokonapělovému stejnosměrnému zdroji konstantní ho proudu a po ohřátí na teplotu 40 až 200 °C pro odstranění zbyt kových povrchových nečistot v molekulovém sítu kryostatu se detek tor připojí na zdroj konstantního proudu za současného měření kapacity detektoru a po poklesu kapacity detektoru na hodnotu blízkou teoretické se detektor od zdroje odpojí a po vychlazení na pracovní teplotu proměří.
CS843296A 1984-05-04 1984-05-04 Způsob úpravy ionizujícího z polovodičový aření CS240864B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS843296A CS240864B1 (cs) 1984-05-04 1984-05-04 Způsob úpravy ionizujícího z polovodičový aření

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS843296A CS240864B1 (cs) 1984-05-04 1984-05-04 Způsob úpravy ionizujícího z polovodičový aření

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS329684A1 CS329684A1 (en) 1985-07-16
CS240864B1 true CS240864B1 (cs) 1986-03-13

Family

ID=5372588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS843296A CS240864B1 (cs) 1984-05-04 1984-05-04 Způsob úpravy ionizujícího z polovodičový aření

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS240864B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS329684A1 (en) 1985-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Dhakal et al. Effect of high temperature heat treatments on the quality factor of a large-grain<? format?> superconducting radio-frequency niobium cavity
Aune et al. Superconducting TESLA cavities
Fiederle et al. Comparison of CdTe, Cd0. 9Zn0. 1Te and CdTe0. 9Se0. 1 crystals: application for γ-and X-ray detectors
Haensel et al. Measurement of photoabsorption of the lithium halides near the lithium K edge
Ding et al. Temperature-dependent quantum efficiency degradation of K-Cs-Sb bialkali antimonide photocathodes grown by a triple-element codeposition method
Ciovati et al. Development of a prototype superconducting radio-frequency cavity for conduction-cooled accelerators
Peiniger et al. A superconducting Nb3Sn coated multicell accelerating cavity
Ciovati et al. High field Q slope and the effect of low-temperature baking at 3 GHz
Barday et al. Characterization of a superconducting Pb photocathode in a superconducting<? format?> rf photoinjector cavity
Reece et al. Performance experience with the CEBAF SRF cavities
Saiki et al. Electron Spin Resonance in fine particles of metallic lithium
CS240864B1 (cs) Způsob úpravy ionizujícího z polovodičový aření
Monteith Trapping and thermal release of irradiation electrons from polyethylene terephthalate films
Geim Nonlocal magnetoresistance of bismuth films
Meulenberg et al. Dosimetry and total dose radiation testing of GaAs devices
Klaumünzer et al. Effects of low temperature irradiation with heavy ions on superconductor niobium
Munisa et al. Ultrafast dynamics of an unoccupied surface resonance state in B i 2 T e 2 Se
Agarwal et al. Growth and characterization of layer compounds in the series WSx Se2-x
Troyanovskii et al. Electron localization over the surface of crystalline hydrogen and neon
Falke et al. Transition temperature depression in quench condensed Zn-Mn dilute alloy films
Allen et al. RF surface resistance of high-T c superconducting A15 thin films
Vignolo et al. Ionic conductivity in KCl irradiated at room temperature
Kako et al. Test results on high gradient L-band superconducting cavities
Andrews et al. Microhardness variations in II-VI semiconducting compounds as a function of composition
Bauriedl et al. Low temperature irradiation equipment for measurements down to 150 mK