CS240099B1 - Způsob výroby PN přechodu v křemíkových deskách - Google Patents
Způsob výroby PN přechodu v křemíkových deskách Download PDFInfo
- Publication number
- CS240099B1 CS240099B1 CS845021A CS502184A CS240099B1 CS 240099 B1 CS240099 B1 CS 240099B1 CS 845021 A CS845021 A CS 845021A CS 502184 A CS502184 A CS 502184A CS 240099 B1 CS240099 B1 CS 240099B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- junction
- silicon wafers
- silicon
- type
- diffusant
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
fiešení se týká způsobu výroby PN přechodu v křemíkových deskách zvláště pak vrstvy vodivosti typu P pod emitorem N+ difúzí ve vakuované křemenné ampuli, pomocí difuzantu jmenovité vodivosti a typu. Jedná se o proces, při kterém se využívá Si prášek dotovaný na požadovanou úroveň nečistot. Zdrojem difuzantu je práškový křemík jmenovité zrnitosti 60 až 500 mesch, který se naleguje některou ze známých legur, například galiem, borem nebo fosforem při teplotě 900 až 1230 °C na povrchovou koncentraci 1.101? až 1.1021 atomů/cm3.
Description
(54) (61) (23) Výstavní priorita (22) Přihlášeno 29 06 84 (21) PV 5021-84 (40) Zveřejněno (45) Vydáno
06 85 01 07 87
LSBBDA JIŘÍ ing.;
Simko timotbj ing., praha
Způsob výroby PN přechodu v křemíkových deskách fiešení se týká způsobu výroby PN přechodu v křemíkových deskách zvláště pak vrstvy vodivosti typu P pod emitorem N+ difúzí ve vakuované křemenné ampuli, pomocí difuzantu jmenovité vodivosti a typu. Jedná se o proces, při kterém se využívá Si prášek dotovaný na požadovanou úroveň nečistot.
Zdrojem difuzantu je práškový křemík jmenovité zrnitosti 60 až 500 mesch, který se naleguje některou ze známých legur, například galiem, borem nebo fosforem při teplotě 900 až 1230 °C na povrchovou koncentraci 1.101? až 1.1021 atomů/cm3.
240 099 (51) Int. CI V
H Ol L 21/38
240 099
Vynález se týká způsobu výroby PN přechodu v křemíkových deskách, zvláště pak vrstvy vodivosti typu P pod emitorem N* difúzí ve vakuované křemenné ampulig pomocí difuzantu jmenovité vodivosti a typu,, Jedná se o proces, při kterém se využívá Si prášek dotovaný na požadovanou úroveň nečistot*
Dosud se pro přípravu zdroje difuzantu pro vytvoření PN přechodu v křemíkových destičkách využívá rozemletých Si desekj předem dotovaných příslušnou příměsí běžnou difuzní technologií. Dalším způsobem přípravy difuzantu je rozemletí legovaného křemíkového monokrystalu.
V prvém případě je nutná dlouhodobá difúze požadované př/měsi do křemíkových destiček, přičemž rozložení příměsi v křemíkových destičkách s jejich tloušťkou klesá. Obsah příměsi v rozemleté formě destiček pak odpovídá průměrné hodnotě koncentrace v celých destičkách. Při vytváření PN přechodu se tím značně zvýší efektivní” povrchový odpor difuzního zdroje. Například Jestliže se nadifunduje fosfor z plynného media do křemíkové destičky silné 400 Aim po dobu 20 hod. při teplotě 1200° C s maximální povrchovou koncentrací 1.10 atomů/cnr je průměrná povrchová koncentrace práškového difuzantu 3.10^ atomů/cm^. Uvedená hodnota je limitní a tímto způsobem nelze získat difuzní zdroj s vyšší povrchovou koncentrací.
240 099
V druhém případě použití rozemletého vysoce legovaného monokrystalu spočívá nevýhoda v tom, že vysokou koncentrací příměsi se znečistí celá aparatura tažičky při jeho přípravě.
Uvedené nevýhody odstraňuje způsob výroby PN přechodu v křemíkových deskách pomocí zdroje difuzantu připraveného rozemletím křemíkového materiálu na frakci požadovaného zrna a legovaného na požadovanou koncentraci některou ze známých metod difuz ního procesu, podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom , že zdrojem difuzantu je práškový křemík jmenovité zrnitosti 60 až 500 mesch, který se naleguje některou ze známých legur/například galiem, borem nebo fosforem při teplotě 900 až 1250° C na povrchovou koncentraci 1.10^ až 1.102^ atomů/cm3.
Výsledkem je možnost vytváření PN přechodu ve vakuu za pomocí takto získaného práškového difuzantu s rovnoměrnou a předem volitelnou povrchovou koncentrací.
Zvláště výhodné je vytváření PN přechodu pomocí takto připraveného difuzního zdroje při výrobě vícevrstvých polovodičových součástek, u kterých je nutné posílit a regulovat vrstvu vodivosti typu P pod emitorem typu N+, s cílem zvýšení jejich odolnosti vůči du/dt, snížení vypínací doby a zlepšení parametrů statického zapínání.
Příklad
Čisté křemíkové destičky se rozemelou a na sítech se oddělí frakce 125 až 250 mesch. Po oleptání, vyprání a usušení se křemíkový materiál nasype ve slabé vrstvě do křemenné vaničky /nosníčku/ spolu s testovací křemíkovou destičkou stejného výchozího materiálu, podle které se testuje křemenný prášek. Při teplotě 1200° C se nadifunduje z plynné fáze legující prvek,například galium, na koncentraci 1.10 atomů/cm . Takto získaný práškový difuzant se oleptá, usuší a poté se vloží do vakuované křemenné ampule spolu s křemíkovými destičkami. Při teplotě 1230°C se provede difúze galia do křemíkových destiček po dobu 1,5 hod., čímž se získá vrstva vodivosti typu P v tloušice 12 ijim s povrchovou koncentrací
Claims (1)
- Předmět vynálezu240 099Způsob výroby PN přechodu v křemíkových deskách, zvláště pak vrstvy vodivosti typu P pod emitorem vodivosti typu N+ difúzí ve vakuované křemenné ampuli, vyznačený tím , že zdrojem difuzantu je práškový křemík jmenovité zrnitosti 60 až 500 meech., který se naleguje některou ze známých legur-například. galiem, borem nebo fosforem při teplotě 900 až 1250° C na povrchovou koncentraci 1.101? až
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS845021A CS240099B1 (cs) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | Způsob výroby PN přechodu v křemíkových deskách |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS845021A CS240099B1 (cs) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | Způsob výroby PN přechodu v křemíkových deskách |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS502184A1 CS502184A1 (en) | 1985-06-13 |
| CS240099B1 true CS240099B1 (cs) | 1986-02-13 |
Family
ID=5394253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS845021A CS240099B1 (cs) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | Způsob výroby PN přechodu v křemíkových deskách |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS240099B1 (cs) |
-
1984
- 1984-06-29 CS CS845021A patent/CS240099B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS502184A1 (en) | 1985-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4137103A (en) | Silicon integrated circuit region containing implanted arsenic and germanium | |
| Chern et al. | The defect structure of CdTe: Hall data | |
| Baldi et al. | Heavy Metal Gettering in Silicon‐Device Processing | |
| JPS6031231A (ja) | 半導体基体の製造方法 | |
| Carns et al. | Hole mobility measurements in heavily doped Si/sub 1-x/Ge/sub x/strained layers | |
| US3548269A (en) | Resistive layer semiconductive device | |
| GB823317A (en) | Improvements in or relating to methods of making semiconductor bodies | |
| US3076732A (en) | Uniform n-type silicon | |
| US4401506A (en) | Process for producing semiconductor device | |
| US4588455A (en) | Planar diffusion source | |
| EP0550750B1 (en) | Semiconductor wafer heat treatment method | |
| CS240099B1 (cs) | Způsob výroby PN přechodu v křemíkových deskách | |
| Thomas et al. | Low-temperature epitaxial growth of doped silicon films and junctions | |
| US3658606A (en) | Diffusion source and method of producing same | |
| US3533856A (en) | Method for solution growth of gallium arsenide and gallium phosphide | |
| Ablekim et al. | Fabrication of single-crystal solar cells from phosphorous-doped CdTe wafer | |
| US3649369A (en) | Method for making n-type layers in gallium arsenide at room temperatures | |
| US4157497A (en) | Qualification test of gallium arsenide | |
| Favennec et al. | On the ion implantation of the group VI impurities into GaAs | |
| Larkins et al. | GaAs with very low acceptor impurity background grown by molecular beam epitaxy | |
| US3445302A (en) | Method for fabricating double-diffused semiconductive devices | |
| Ravi | Generation of Dislocations and Stacking Faults at Surface Heterogeneities in Silicon | |
| Forkel et al. | Pac studies of ion implanted silicon | |
| Madix et al. | Reaction probabilities of oxygen with heated (110)-germanium and (111) and (100)-silicon single-crystals | |
| US2979429A (en) | Diffused transistor and method of making |