CS239967B1 - Working semiconductor component - Google Patents

Working semiconductor component Download PDF

Info

Publication number
CS239967B1
CS239967B1 CS842426A CS242684A CS239967B1 CS 239967 B1 CS239967 B1 CS 239967B1 CS 842426 A CS842426 A CS 842426A CS 242684 A CS242684 A CS 242684A CS 239967 B1 CS239967 B1 CS 239967B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
electrode
recess
diameter
cylindrical portion
outlet
Prior art date
Application number
CS842426A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS242684A1 (en
Inventor
Oldrich Pokorny
Jiri Pliva
Emil Venhoda
Original Assignee
Oldrich Pokorny
Jiri Pliva
Emil Venhoda
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oldrich Pokorny, Jiri Pliva, Emil Venhoda filed Critical Oldrich Pokorny
Priority to CS842426A priority Critical patent/CS239967B1/en
Publication of CS242684A1 publication Critical patent/CS242684A1/en
Publication of CS239967B1 publication Critical patent/CS239967B1/en

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Účelem řešení je odstranění výrobní složitosti, poměrně značného přechodového odporu a možnosti zanesení nečistot vzniklých při pájení do vnitřního prostoru výkonové polovodičové součástky. Tohoto účelu je dosaženo řešením podle vynálezu, kde válcová část vývodní elektrody je opatřena obvodovým vybráním, jehož vnitřní průměr je roven jedné až třem pětinám průměru této válcové části a kde délka tohoto obvodového vybrání je rovna polovině až dvěma třetinám vnitřního průměru vybrání. Víko vnějšího pouzdra je vytvořeno membrénovitě poddajné. Vybrání válcové části elektrody se vytváří ve vzdálenosti rovnající se nebo menší než je průměr původní válcové části elektrody měřeno od hlavy, kterou je vývodní elektroda opatřena, dosedající na horní část polovodičového systému.The purpose of the solution is to remove manufacturing complexity, fairly substantial transition resistance and the possibility of clogging impurities when soldering into the internal space power semiconductor devices. This purpose it is achieved by the solution according to the invention, wherein the cylindrical portion of the outlet electrode is provided circumferential recess, internal the diameter is one to three fifths the diameter of the cylindrical portion and where the length this circumferential recess is equal to half up to two thirds of the internal diameter recess. The outer shell lid is formed malleable. Cylindrical recess part of the electrode is formed at a distance equal to or less than the average the original cylindrical portion of the electrode is measured from the head, which is the outlet electrode provided, abutting the upper part of the semiconductor system.

Description

Vynález se týká výkonové polovodičové součástky s polovo* dičovým systémem v kluzném styku se základní a vývodní elektrodou, vnitřním přítlačným systémem, vnějším pouzdrem s izolační částí a víkem vnějšího pouzdra opatřeným připevnovacím prostředkem pro přívodní kabel.The present invention relates to a power semiconductor component having a semiconductor system in sliding contact with a base and an output electrode, an internal thrust system, an outer housing with an insulating portion, and an outer housing lid provided with fastening means for a lead-in cable.

Dosavadní výkonové polovodičové součástky mající základní elektrodu opatřenou šroubem určeným pro připojení do chladiče, takzvané jednostranně chlazené polovodičové součástky se vypořádávají s výrobními nepřesnostmi a tepelnými dilataoemi polovodičového systému různými technickými opatřeními vývodní elektrody, která za účelem snížení axiální tuhosti a možnosti vychýlení její hlavy dosedající na polovodičový systém je vytvořena bu5 z vložené části kabelu, případně odfrézovanými plochami, které svým úhlem svírajícím s osou rotace umožňují výchylky v obou shora uvedených směrech.Existing power semiconductor components having a base electrode provided with a screw intended for connection to a radiator, so-called unilaterally cooled semiconductor components, deal with manufacturing inaccuracies and thermal dilatations of the semiconductor system by various technical measures of the outlet electrode which reduce the axial stiffness and the system is formed either from an inserted part of the cable, possibly by milled surfaces, which, by their angle to the axis of rotation, allow deflections in both directions mentioned above.

Nevýhodou těchto řešení je v případě použití vložené části kabelu do této elektrody výrobní složitost, poměrně značný přechodový odpor a možnost zanesení nečistot vzniklých při pájení do vnitřního prostoru výkonové polovodičové součástky. Nevýhodou řešení, kde válcová část elektrody je opatřena šikmým můstkem vzniklým oboustranným odfrézováním této části je kromě technologické náročnosti spojené s upínáním a použitým materiálem - mědí, značné zeslabení průřezuza tím značné elektrické ztráty a špatný odvod tepla z horní strany polovodičového systému.The disadvantage of these solutions is the manufacturing complexity, relatively high transition resistance and the possibility of clogging of solder impurities into the internal space of the power semiconductor component when using the insert part of the cable in this electrode. Disadvantage of the solution, wherein the cylindrical portion of the electrode is provided with an inclined bridge by milling the resulting both-side parts in addition to the technological difficulty associated with clamping and used materials - copper, significant weakening of the cross section and thus a considerable power loss and poor heat dissipation from the top of the semiconductor system.

239 967 nedostatky shora uvedených dosud používaných řešení odstraňuje řešení podle vynálezu, kde válcová část vývodní elektrody je opatřena obvodovým vybráním, jehož vnitřní průměr je roven jedné až třem pětinám průměru této válcové části a kde délka tohoto obvodového vybrání je rovna polovině až dvěma třetinám vnitřního průměru vybrání® Víko vnějšího pouzdra je vytvořeno membránovitě poddajné· Vybrání válcové části elektrody se vytváří ve vzdálenosti rovnající se nebo menší než je průměr původní válcové části elektrody měřeno od hlavy, kterou je vývodní elektro da opatřena, dosedající na horní část polovodičového systému· 'Výhodou tohoto řešení podle vynálezu je rozdělení nutných dilatačních rozměrů vzniklých montáží nebo tepelným zatížením na dva na sobě nezávislé technické prostředky· Tepelné nebo montážní dilatace vzniklé v této součástce, které působí ve směru rotační osy souměrnosti vyrovnává víko vnějšího pouzdra opatřené připevnovacím prostředkem jak pro vodič tak pro horní část vývodní elektrody svojí pružnou deformací· Dilatace a nepřekosti působící v rovině kolmé na rotační osu souměrnosti pak vyrovnává vybrání, kterým je válcová část vývodní elektrody opatřena.239 967 the drawbacks of the above-mentioned solutions are eliminated by the solution according to the invention, wherein the cylindrical part of the outlet electrode is provided with a circumferential recess having an inner diameter equal to one to three fifths of the diameter of the cylindrical portion. The recess of the outer electrode is formed at a distance equal to or less than the diameter of the original cylindrical portion of the electrode, measured from the head provided with the outlet electrode, on the top of the semiconductor system. The solution according to the invention is the division of the necessary dilatation dimensions due to assembly or thermal load into two independent technical means. Thermal or assembly dilatations generated in this component, which It acts in the direction of the rotational axis of symmetry to align the lid of the outer housing provided with fastening means for both the conductor and the upper part of the outlet electrode by its elastic deformation. Dilatations and impediments acting in a plane perpendicular to the rotary axis of symmetry

Dalšími výhodami, kromě shora uvedených technických, jsou i výhody ekonomické, nebo? vybrání válcové části vývodní elektrody nevyžaduje bezpodmínečně náročné třískové obrábění a je možné jej vytvořit tvářením. Rovněž víko vnějšího pouzdra je zhotoveno tvářením· lze tedy říci, že vynález vytváří podmínky nejen pro bezchybnou dlouhodobou funkci polovodičové spučástky, ale i podmínky vhodné pro velkosériovou resp. hromadnou výrobu®Other advantages, besides the above mentioned technical ones, are economic advantages, or? the recess of the cylindrical part of the outlet electrode does not require unconditionally demanding machining and can be formed by forming. Also, the lid of the outer casing is formed by molding, so it can be said that the invention creates conditions not only for the faultless long-term function of the semiconductor component, but also conditions suitable for large-series resp. mass production®

Ha připojeném výkresu je znázorněn příklad provedení výkonové polovodičové součástky podle vynálezu. Ha základní elektrodu £ přiléhá polovodičový systém 1 , který je k ní přitlačován hlavou 11 vývodní elektrody £ opatřenou vybráním 10 · Ha horní čásfvývodní elektrody £ je nasazen připevňovaoí prostředek £ sloužící pro následné připojení vývodního kabelu. Připevnovací prostředek £ je zakotven do víka 6 vnějšího pouzdra prostřednictvím izolačního členu £ , který je opět spojen se základní částí 4 vnějšího pouzdra. Ha hlavu 1^ vývodní elektrody £ dosedá izolační kroužek £ přítlačného systému 12.The accompanying drawing shows an exemplary embodiment of a power semiconductor component according to the invention. The base electrode 6 adjoins the semiconductor system 1, which is pressed against it by the outlet electrode head 11 provided with a recess 10a. The upper part of the outlet electrode 4 is fitted with a fastening means 8 for subsequent connection of the outlet cable. The fastening means 4 is anchored in the lid 6 of the outer casing by means of an insulating member 6 which is again connected to the base part 4 of the outer casing. The insulating ring 6 of the pressing system 12 bears on the head 1 of the outlet electrode 6.

Řešení podle vynálezu je možno použít u všech výkonových polo< vodičových součástek běžného provedení určených pro hromadnou výro< bu®The solution according to the invention is applicable to all power semiconductor components of conventional design intended for mass production

Claims (2)

Předmět vynálezu 239 967Subject of the invention 239 967 1« Výkonová polovodičová součástka s polovodičovým systémem v kluzném styku se základní a vývodní elektrodou, vnitřním přítlačným systémem, vnějším pouzdrem β izolační částí a víkem vnějšího pouzdra opatřeným připevnovacím prostředkem pro vodič, vyznačená tím , že válcová část vývodní elektrody /3/ je opatřena obvodovým vybráním /10/, jehož vnitřní průměr je roven jedné až třem pětinám průměru této válcové části a délka obvodového vybrání /10/ je rovna polovině až dvěma třetinám vnitřního průměru obvodového vy· brání /10/, přičemž víko /6/ vnějšího pouzdra má tvar membrány*1 «Power semiconductor component with a semiconductor system in sliding contact with the base and outlet electrodes, an internal thrust system, an outer housing β insulating part and an outer housing cover provided with a conductor fastening means, characterized in that the cylindrical part of the outlet electrode (3) is circumferential a recess (10) having an inside diameter equal to one to three fifths of the diameter of the cylindrical portion and a length of peripheral recess (10) equal to half to two thirds of the inside diameter of the peripheral recess (10); membranes * 2* Výkonová polovodičová součástka s polovodičovým systémem v kluzném styku se základní a vývodní elektrodou podle bodu 1 , vyznačená tím , že obvodové vybrání /10/ je vytvořeno· ve vzdálenosti rovné nebo menší průměru válcové části od hlavy /11/ vývodní elektrody /3/·2. A power semiconductor component with a semiconductor system in sliding contact with the base and outlet electrodes according to claim 1, characterized in that the circumferential recess (10) is formed at a distance equal to or less than the diameter of the cylindrical portion from the outlet electrode head (11). ·
CS842426A 1984-03-30 1984-03-30 Working semiconductor component CS239967B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS842426A CS239967B1 (en) 1984-03-30 1984-03-30 Working semiconductor component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS842426A CS239967B1 (en) 1984-03-30 1984-03-30 Working semiconductor component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS242684A1 CS242684A1 (en) 1985-06-13
CS239967B1 true CS239967B1 (en) 1986-01-16

Family

ID=5361387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS842426A CS239967B1 (en) 1984-03-30 1984-03-30 Working semiconductor component

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS239967B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CS242684A1 (en) 1985-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101688501B1 (en) Exhaust-gas turbocharger
CA2290794A1 (en) Electrical component with a metallic housing, particularly an electrolyte capacitor, and fixing thereof at a heat dissipation plate
CS239967B1 (en) Working semiconductor component
DE50004518D1 (en) KUGELGELENK
CZ6387U1 (en) Power semiconductor device
JP3771994B2 (en) Explosion-proof load cell
JPH0424521B2 (en)
CN221103093U (en) Servo motor shell convenient to processing is fixed
CN209045876U (en) A kind of novel docking structure of conducting slip ring
CN222785249U (en) Core structure of fuse and fuse
CN215816607U (en) Connector for motor
CN217427649U (en) Cable joint with split rubber
CN214411446U (en) Lithium cell prevents rotating utmost point post device
JPH02184239A (en) Motor
CN219370960U (en) Patch type fuse with prompt function
JPH03209021A (en) rolling bearing
CN216593322U (en) Rotation angle sensor connecting structure with stable structure
CN109378629A (en) A kind of novel docking structure of conducting slip ring
CN213022016U (en) Waterproof temperature sensor
CN214036551U (en) Novel seal body bearing
JPS59170602U (en) Connection structure between ceramic turbine rotor and metal shaft
AU736452B2 (en) Housing for receiving a planar power transistor
KR200157178Y1 (en) Coupling Structure of Magnetic Elements for Motors
JP2002093498A (en) Connector for printed wiring board
JP2022143249A (en) sealed terminal