CS232086B1 - Uikropáskový oscilátor osazený polovodičovou diodou se záporným diferenciálním odporem - Google Patents
Uikropáskový oscilátor osazený polovodičovou diodou se záporným diferenciálním odporem Download PDFInfo
- Publication number
- CS232086B1 CS232086B1 CS831788A CS178883A CS232086B1 CS 232086 B1 CS232086 B1 CS 232086B1 CS 831788 A CS831788 A CS 831788A CS 178883 A CS178883 A CS 178883A CS 232086 B1 CS232086 B1 CS 232086B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- oscillator
- substrate
- microstrip
- ferromagnetic
- resonator
- Prior art date
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Vynález se týká mikropáskováho os- _2_ 2. 2 1 cilátoru, osazeného polovodičovou diodou se záporným diferenciálním odporem, jehož základní frekvence se nastavuje pomocí magnetického pole. Rezonátor oscilátoru je tvořen úsekem mikropáskového vedení (2), vytvořeném na ferimagnetické podložce (1), k jejíž spodní straně je svým jedním po- ! lem kolmo přivrácen permanentní magnet j. (9), který je druhým polem upevněn na uná- « Seči (10) s plynule měnitelnou a fixovatelnou polohou vůči ferimagnetické podložce (1) a vzdálenost mezi magnetem (9) a ferimagnetickou podložkou (1) je v rozmezí 0 až 30 mm, přičemž výstupní mikropáskové vedení (3) je zhotoveno na dielektrické podložce (7). Feromagnetická podložka (1) je tvořena čipem vlepeným do dielektrické podložky (7) a má rozměr celé dielektrické podložky (7). Vynález bude využíván v elektrotechnickém průmyslu.
Description
Vynález se týká mikropáskového oscilátoru osazeného polovodičovou. diodou se záporným diferenciálním odporem, jehož základní frekvence se nastavuje pomocí magnetického pole»
Jedním ze základních požadavků kladených na mikrovlnný oscilátor je možnost nastavení jeho frekvence na zadanou hodnotu, která se dále bučí udržuje konstantní - stabilizace frekvence vnější dutinou, dielektrickým rezonátorem, kmitočtovým nebo fázovým závěsem/nebo s® mění - přelaďování oscilátoru varaktorem /pomocí elektrického pole/ či YIG rezonátorem /pomocí magnetického pole/. Podle způsobu'použití oscilátoru se jedná o pomalou nebo rychlou změnu jeho frekvence. Vždy je však nutné nastavit nejdřív kmitočet oscilátoru na jeho jmenovitou hodnotu. U klasických zdrojů mikrovlnné energie se toho dosáhne mechanicky změnou celkových rozměrů rezonanční dutiny, změnou velikosti ladících prvků /Ladící kapacitní kovové nebo dielektrické kolíky/. Oscilátory konstruované v páskových strukturách jsou pro mechanické přelaďování v důsledku svého geometrického uspořádání méně vhodné. Přesto se tento způsob přelaSování vyzkoušel především v mikropáskové verzi, kdy je relativně snadno dostupný vlastní rezonanční obvod oscilátoru. Změnu frekvence mikrovlnného mikropáskového oscilátoru osazeného Gunnovou nebo lavinovou diodou, lze uskutečnit mechanickou změnou délky jeho rezonátoru. Obvykle se jedná o rezonátor ve formě krátkého úseku mikropáskového vedení, na jehož jeden konec je připojena dioda a jeho druhý konec je zatížen buá kapacitou rozptylového pole otevřeného konce vedení,nebo více či méně dokonalým zkratem. Uvažujeme-li rezonátor s otevřeným koncem, pak tento sestává ze dvou částí. Jeden tvoří mikropáskové vedení určité délky, které odpovídá nejvyšší frekvenci oscilátoru. Tato část rezonátoru je pevná a je spojena s diodou. Druhá část rezonátoru je pohyblivá, tvořena např. dielektrickým nosníkem posuvné ulože232 086 nýnt na horní stráně, substrátu. Na spodní straně nosníku je upevněn páskový vodič stejné šířky jakou má horní páskový vodič pevné části rezonátoru. Nosník je orientovaný tak, že oba páskové vodič® na sebe doléhají v celé šířce, v důsledku přítlaku shora. Posuvnou část rezonátoru lze přemístit ve směru podélné osy první části mikropáskového vedení· Přesahuje-li vodič pohyblivé části rezonátoru koncovou hranu vodiče první části mikropáskového vedení, prodlužuje jeho celkovou délku a rezonanční frekvence bude klesat. Uvažujeme-li rezonátor se zkratovaným koncem, pak délka rezonátoru se vymezuje polohou kovové planžety, která buň představuje posuvný zkratjnebo vstupní část napájecí zádrže. Planžeta je opějfc umístěna na spodní straně dielektrického nosníku shora přitlačovaného na horní plochu mikropáskového vedeni s možností posunu ve směru podélné osy mikropáskového vedení tvořícího rezonótor oscilátoru. Oba uvedené způsoby mechanického přelaďování mikropáskového oscilátoru jsou realizovatelné, jsou však vhodné spíše pro laboratorní testování oscilátorů než pro trvalé využití v provozních oscilátorech. U těchto očekáváme jednoduché nastavení základní frekvence oscilátoru v poměrně širokém frekvenčním pásmu a provozní spolehlivost.
Tyto požadavky splňuje nové řešení založené na změně elektric ké délky mikropáskového vedení vyvolané magnetickým polem permanentního magnetu prostřednictvím příčný magnetovaného polykrysta?lického ferimagnetika. Navrhované nastavení základní frekvence mikropáskového oscilátoru je použitelné v případě, že další frekvenční změna je vyvolána jinak než magnetickým polem, tzn. může být způsobena např. elektrickým polem. Podstata vynálezu spočívá v tom, že rezonátor oscilátoru je tvořen úsekem mikropáskového vedení, vytvořeném na ferimagnetické podložce, k jejíž spodní straně je svým jedním pólem kolmo přivrácen permanentní magnet, který je druhým pólem upevněn na unašeči s plynule měnitelnou a fixovatelnou polohou vůči ferimagnetické podložce a vzdálenost mezi magnetem a ferimagnaetickou podložkou je v rozmezí 0 až 30 mm, přičemž výstupní mikropáskové vedení je zhotoveno na dxelextrické podložce.
Hlavní předností tohoto oscilátoru je jednoduchost nastavení
232 086 základní frekvence mikropáskového oscilátoru vyvolaná mechanickým posuvem permanentního magnetuj ale zprostředkovaná změnou elektrické délky rezonátoru vlivem magnetického pole permanentního magnetu. Způsob nastavení základní frekvence mikropáskového oscilátoru pomocí permanentního magnetu je velice pohodlný, jednoduchý, provozně spolehlivý. Nevyžaduje zásah do vnitřní struktury oscilátoru, jak je tomu při mechanickém přelaáování. Je vhodný jak pro oscilátory instalované v provozních zařízení, kde se základní frekvence oscilátoru nastavuje jednorázově, tak pro oscilátory určené k laboratorní práci, kdy se jedním ovládacím prvkem přelaďuje základní frekvence oscilátoru velmi často.
Na přiloženém výkresu je na obr. 1 a 2 schematicky znázorněn mikropáskový oscilátor podle vynálezu.
Na obr. 1 je nakreslen mikropáskový oscilátor osazený Gunnovou diodou bez napájecích zádrží a bez varaktoru. Do korundové dielektrické podložky 7 je vlepen čip polykrystalického ferimagnetika /YIG/ 1. Na něm je vytvořen rezonátor oscilátoru ve formě krátkého úseku mikropáskového vedení 2, které je vodičem 4 spojeno s Gunnovou diodou 5. zašroubovanou do chladiče 6. Výstupní mikropáskové vedení 3 vytvořené na korundové podložce 7 je o 90° otočené vůči ose rezonátoru oscilátoru. Na obr. 2 je korundová podložka 7 usazena na držáku ve tvaru rámečku 8. Permanentní magnet 9 ve tvaru válce je na ploše své dolní základny upevněn na unášeč 10, který je svisle posuvný. Vzdálenost horní základny permanentního magnetu 9 od spodního vodiče 11 lze měnit.
Základní frekvence oscilátoru se nastaví zafixováním vzdálenosti permanentního magnetu 2 od spodního vodiče 11 podle obr. 2. Permanentní magnet 9 způsobuje příčnou magnetizaci ferimagnetika 1 jejíž velikost se mění se změnou jejich vzájemné.vzdálenosti.
V důsledku takto vyvolané změny intenzity stejnosměrného magnetic· kého pole ve ferimagnetiku mění se prvky tenzoru permeability tohoto ferimagnetika a následně dochází ke změně konstanty šíření vidu, který v mikropáskovém vedení 2 rezonujeja tím také ke změně elektrické délky rezonátoru. Tvar držáku 8 korundové podložky 7
232 088 umožňuje přibližování a oddalování permanentního magnetu 9 od vodiče 11, jelikož unášeč 10 je svisle posuvný. Protože prostor, ve kterém dochází k vazbě energie z rezonátoru do výstupního vedení 3 ,je převážně vyplněn ferimagnetikem 1, nastává současná s přelaďováním oscilátoru i změna vazby, Kterou lze využit κ linearizování výstupního výkonu oscilátoru při zméně jeho frekvence. Na celkový mechanismus přeladování oscilátoru má vliv ještě nehomogenita stejnosměrného magnetického pole permanentního magnetu 9.
Navržený způsob nastavení frekvence mikropaskového oscilátoru permanentním magnetem je ověřen na oscilátoru vyrobeném tenkovrstvou technologií s následujícími parametry. Základní frekvenci oscilátoru lze reproduKovatelně nastavit v pásmu 8.5 + 9.1 GHz změnou vzdálenosti permanentního magnetu o průměru 7 mm a výšce
2,5 mm od spodního vodiče miKr©páskového vedení. Normálová složka magnetické indukce na povrchu magnetu uprostřed jeho základny je 0.16 T. Výstupní výkon oscilátoru se v uvedeném pásmu mění od 30 do 50 mW. Oscilátor kmitá vždy jen na jedné frekvenci, bez frekvenčních či výkonových přeskoKú. Jeho další rychlé přeladování minimálně v rozsahu 180 MHz umožňuje varaktor.
Claims (3)
- PŘEDMĚT VYNALEZU232 OSB1. Mikropáskový oscilátor osazený polovodičovou diodou se záporným diferenciálním odporem, jehož základní frekvence se nastavuje pomoci magnetického pole, vyznačující se tím, že rezonátor oscilátoru je tvořen úsekem mikropáskového vedení /2/, vytvořeném na ferimagnetické podložce /1/, k jejíž spodní straně je svým jedním pólem kolmo přivrácen permanentní magnet /9/, který je druhým pólem upevněn na unášeči /10/ s plynule měnitelnou a fixovatelnou polohou vůči ferimagnetické podložce A/ a vzdálenost mezi magnetem /9/ a ferimagnetickou podložkou /1/ je v rozmezí 0 až 30 mm, přičemž výstupní mikropáskové vedení /3/ je zhotoveno na dielektrické podložce /7/.
- 2. Mikropáskový oscilátor podle bodu 1, vyznačující se tím, že ferimagnetická podložka /1/ je tvořena čipem vlepeným do dielektrické podložky /7/.
- 3. Miíytopáskový oscilátor podle bodu 1, vyznačující se tím, že ferimagnetická podložka /1/ má rozměr celé dielektrické podložky /7/.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS831788A CS232086B1 (cs) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | Uikropáskový oscilátor osazený polovodičovou diodou se záporným diferenciálním odporem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS831788A CS232086B1 (cs) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | Uikropáskový oscilátor osazený polovodičovou diodou se záporným diferenciálním odporem |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS178883A1 CS178883A1 (en) | 1984-05-14 |
| CS232086B1 true CS232086B1 (cs) | 1985-01-16 |
Family
ID=5353152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS831788A CS232086B1 (cs) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | Uikropáskový oscilátor osazený polovodičovou diodou se záporným diferenciálním odporem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS232086B1 (cs) |
-
1983
- 1983-02-15 CS CS831788A patent/CS232086B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS178883A1 (en) | 1984-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59111407A (ja) | 可同調導波管発振器 | |
| Demidov et al. | Electrical tuning of dispersion characteristics of surface electromagnetic-spin waves propagating in ferrite-ferroelectric layered structures | |
| US4028639A (en) | Oscillator using magnetostatic surface wave delay line | |
| US3546624A (en) | Electronically tuned solid state oscillator | |
| US3443244A (en) | Coaxial resonator structure for solid-state negative resistance devices | |
| Farr et al. | Novel techniques for electronic tuning of dielectric resonators | |
| Robson et al. | Some aspects of Gunn effect oscillators | |
| Dionne et al. | Tunability of microstrip ferrite resonator in the partially magnetized state | |
| US3711792A (en) | Solid state oscillator having semiconductor elements mounted in a cavity resonator | |
| Piotrowski et al. | Low-Loss Broad-Band EHF Circulator (Short Papers) | |
| CS232086B1 (cs) | Uikropáskový oscilátor osazený polovodičovou diodou se záporným diferenciálním odporem | |
| US3051908A (en) | Slow-wave broadband nonreciprocal microwave devices | |
| US4342009A (en) | Electronically tuned Gunn oscillator and mixer including the same | |
| How et al. | Radiation frequencies of ferrite patch antennas | |
| Webb et al. | Magnetostatic propagation in thin films of liquid phase epitaxy YIG | |
| US4465986A (en) | Magnetostatic wave device | |
| Fong et al. | Circuit characterization of V-band IMPATT oscillators and amplifiers | |
| US3533016A (en) | Magnetically tunable negative resistance diode microwave oscillator | |
| Muir | Analysis of stripline/slot transition | |
| Zhang et al. | Detection of mm and submm wave radiation from soliton and flux-flow modes in a long Josephson junction | |
| Solbach | Slots in dielectric image line as mode launchers and circuit elements | |
| Downing et al. | Broadband (1.95 GHz) varactor tuned X band Gunn oscillator | |
| Glance | A Magnetically Tunable Microstrip IMPATT Oscillator (Short Papers) | |
| Ondria | Wideband electronically tunable GaAs Gunn VCO's at W-band (75-110GHz) | |
| US3544918A (en) | Yig tuned gallium arsenide-limited space charge accumulation diode oscillator |