CS232029B1 - Způsob elektrolytického čištění chloridového roztoku paladia, ruthenia nebo platiny - Google Patents

Description

232 029

Vynález sa týká zapojenia na meranie hustoty stavov roz-hrania MIS štruktár /METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR5 - kov -izolant - polovodič, v ďalšom MIS štruktár/0

Najčastejšie používaným spósobom na zistovanie rozlože-nia hustoty v energetickom pasme polovodiče je spósob, ke-dy sa uskutoční záznam kvázistatickej kapacitno-napatovej křiv-ky - v ňalšom C-U křivky, ktorá sa porovnává s C-U závislos-tou ideálnej MIS štruktáry. Na základe porovnania sa zložitýmspósobom uskutoční výpočet hodnoty N.e pozdfž celej G-U závis-losti. Okrem toho je nutné C-U závislost? reálnej MIS struktu-ry ručně integrovat, čo je nepřesné a zdfhavé.

Uvedené nedostatky sá odstraněné zapojením na meranie hus-toty stavov rozhrania MIS štruktúr podlá vynálezu, ktorěho pod-stata je v tom, že napátový blok je připojený cez kapacitnýblok, cez zosilňovač absolútnej hodnoty jednak na podielový lo-garitmický zosilňovač a jednak na rozdielový zosilňovač, naktorý je připojená vstupná svorka zapojenia a ktorý je ďalejpřipojený jednak cez podielový logaritmický zosilňovač na prvúvýstupná svorku zapojenia a jednak cez integrátor na druhá výs-tupná svorku zapojenia. Výhoda zapojenia podlá vynálezu je v tom, že má váčšiurýchlost, přesnost a přehlednost vyšetrovania N^0 - s vislostí MIS štruktárř kde Ν^θ je rozloženie hustoty v ener-getickom pásme polovodiče a Je povrchový potenciál.

Na priloženom výkrese je znázorněná bloková schéma zapo-jenia na meranie hustoty stavov rozhrania MIS štruktár. 232 029

Usporiadanie na obrázku obsahuje napaťový hlok 2 a kapa-citný blok 1, oba určené na meranie kvázistacionárnych C-U zá-vislostí MIS struktur sériovo spojených a připojených cez zo-silňovač 2 absolútnej hodnoty jednak na podielový logaritmic-ký zosilňovač 2 a jednak na rozdielový zosilňovač £♦ Na roz-dielový zosilňovač £ je připojená vstupná svorka 2 zapojeniaa ktorý je připojený ňalej cez podielový logaritmický zosil-ňovač 2 na prvá výstupná svorku 8 zapoj enia a ešte cez integ-rátor £ na druhů výstupná svorku 2·

Směr šírenia signálu napaťovej árovne ámernej diferenciál-ně j kapacitě MIS štruktáry je vyznačený šípkami· Po nastaveníhodnot K a UQÍ v integrátore 6 a rozdielovom zosilňovač £ jena prvej vstupnej svorke 8 hodnota ámerná log (N^g + Csc/q) ana druhéj výstupnej svorke 2 hodnota ámerná . Ručným odpo-čítáním hodnoty CQ„/q získáme žiadané rozloženie hustoty sta-vov rozhrania. Celý výpočet zredukuje na odpočítavanie dvochkriviek. Ručná integrácia tu nie je nutná, pretože obvody pos-

kde y θ - je povrchový potenciál /v/ • —2Cert “ kapacita oblasti priestorového náboja /P m /sc G - kapacita /P/ U - napatie /v/

Uci "* naPatie odpovedajáce kapacitě izolačnej vrstvy /v/ K - integračná konstanta

Kvázistatický spósob merania nizkofrekvenčných kapacitno-napáťových C-U závislostí sa používá vo vedeckej a priemyselnejpraxi pre jeho rýchle, přesné a komplexné vlastnosti. Dává kom-plexný pohlad na kvalitu rozhrania polovodič - izolačná vrstvaMIS štruktár, ale aj na kvalitu izolačnej vrstvy a povrchu po-lovodiče . Vlastnosti finálnych výrobkov závisia v značnej mie-re od vlastností skámanej MIS štruktáry. Preto je táto metodaa zapojenie potřebné na každom pracovisku, ktoré sa zaoberá výs-kumom a výrobou unipolárnych prvkov.

Claims (1)

1. PREDMET VYNÁLEZU 232 029 Zapojenie na meranie hustoty stavov rozhrania MIS štruk-tár vyznačený tým, že napátový blok /2/ je připojený cez kapa-citný blok /1/, cez zosilňovač /3/ absolutnéj hodnoty jednakna podielový logaritmický zosilňovač /5/ a jednak na rozdielo-vý zosilňovač /4/, na ktorý je připojená vstupná svorka /7/ za-pojenia a ktorý je ďalej připojený jednak cez podielový logaritraický zosilňovač /5/ na prvú výstupná svorku /8/ zapojenia ajednak cez integrátor /6/ na druhu výstupná svorku /9/ zápoje-nia* 1 výktes