CS231294B1 - Anoda pro článek na fotoelektrolytickou konversi sluneční energie - Google Patents

Anoda pro článek na fotoelektrolytickou konversi sluneční energie Download PDF

Info

Publication number
CS231294B1
CS231294B1 CS833812A CS381283A CS231294B1 CS 231294 B1 CS231294 B1 CS 231294B1 CS 833812 A CS833812 A CS 833812A CS 381283 A CS381283 A CS 381283A CS 231294 B1 CS231294 B1 CS 231294B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
anode
photoelectrolytic
conversion
solar energy
cell
Prior art date
Application number
CS833812A
Other languages
English (en)
Other versions
CS381283A1 (en
Inventor
Emil Pollert
Milos Nevriva
Jiri Hejtmanek
Original Assignee
Emil Pollert
Milos Nevriva
Jiri Hejtmanek
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Emil Pollert, Milos Nevriva, Jiri Hejtmanek filed Critical Emil Pollert
Priority to CS833812A priority Critical patent/CS231294B1/cs
Publication of CS381283A1 publication Critical patent/CS381283A1/cs
Publication of CS231294B1 publication Critical patent/CS231294B1/cs

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10—Process efficiency
    • Y02P20/133—Renewable energy sources, e.g. sunlight

Landscapes

  • Hybrid Cells (AREA)

Abstract

Anoda n-typu pro článek na fotoelektrolytickou konversi sluneční energie, která je tvořena nejméně dvěma vrstvami s rozdílnou koncentrací donorů, a to jednak povrchovou, na světlo citlivou vrstvou o tloušťce 0,05 až 10 /um, která obsahuje donory o koncentraci v rozmezí 10^ j o 7» až 10 cm-2, a jednak elektricky vodivým substrátem o koncentraci donorů v rozmezí * 101? až 1022 cm“^.

Description

Vynález se týká polovodičových anod n-typu pro fotoelektrolytickou konversi sluneční energie.
Pro anody ve fotoelektrolytických článcích se používají látky n-typu s polovodivým chováním® S ohledem na požadavek stability vůči fotokorosi uvedené látky jsou převážně jednoduché nebo směsné kysličníky transitivních prvků. Polovodivé chování se u nich dosahuje vytvořením donorových příměsí řízením valence přítomných kationtů. To se děje buá vhodnou substitucí,nebo změnou kyslíkové stechiometrie. Množství donorových příměsí má vliv na velikost elektrického odporu anody a na šířku vrstvy prostorového náboje vznikajícího v polovodiči při styku s elektrolytem®
Z toho vyplývají protichůdné požadavky na polovodičovou anodu n-typu pro fotoelektrolytickou konversi sluneční energie. Z důvodů nízkých ohmických ztrát by bylo žádoucí, aby se v materiálu anody dosáhlo co nejvyšší koncentrace donorů, zatímco pro optimální využití dopadajícího slunečního záření je výhodná široká vrstva prostorového náboje, která předpokládá nízkou koncentraci donorů.
Výhodným řešením je proto anoda n-typu pro článek na fotoelektrolytickou konversi sluneční energie podle tohoto vynálezu, jehož podstatou je uspořádání, při kterém anoda je tvořena nejméně dvěma vrstvami s rozdílnou koncentrací donorů, z nichž jednou je povrchová světelně citlivá vrstva o tloušťce 0,05 až 10/ím, která obsahuje donory o koncentraci v rozmezí 10xs· až 10x cm” , a druhou tvoří elektricky vodivý substrát o koncentraci donorů v rozmezí 10^ až 1022 cm”\
Vynález využívá poznatku, že povrchová vrstva anody n-typu podle tohoto vynálezu zajistí účinnou přeměnu sluneční energie na energii elektrickou, zatímco vrstva substrátu zprostředkuje odvedení vyrobeného elektrického proudu za nízkých ohmických ztrát do vnějšího obvodu.
- 2 231 294
Anodu podle vynálezu je možno vyrobit různými způsoby. Jedním z nich je postup založený na metodě kapalné epitaxie, dalším je způsob transportu z plynné fáze, které jsou běžně známé z polovodičové technologie. Tak například se na monokrystalu substrátu s dobrou elektrickou vodivostíQ <10 Ϊ1 cm nechá vyrůst z kapalné fáze monokrystalická vrstva o stejné nebo obdobné krystalické struktuře, o tloušťce v rozmezí 0,05 až 10/um a o nízké koncentraci donorů v rozmezí 10až ΙΟ3·8 cm”\ Jiným vhodným . způsobem přípravy tenké^světelně citlivé vrstvy je dodatečná oxydace povrchu substrátu s vysokou koncentrací donorů temperováním v rozmezí 400° až 1.200° C v kyslíkové atmosféře po takovou dobu, aby tloušíka vytvořené povrchové vrstvy nepřesáhla 10 /um.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    231 294
    Anoda n-typu pro článek na fotoelektrolytickou konversi sluneční energie/vyznačující se tím, že je tvořena nejméně dvěma vrstvami s rozdílnou koncentrací donorů, a to jednak povrchovou, na světlo citlivou vrstvou o tlouštce 0,05 až 10/im, která obsahuje donory o koncentraci v rozmezí 10^ až ΙΟ^θ cm“3, a jednak elektricky vodivým substrátem o koncentraci donorů v rozmezí 1017 až 1022 cm“3.
CS833812A 1983-05-30 1983-05-30 Anoda pro článek na fotoelektrolytickou konversi sluneční energie CS231294B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS833812A CS231294B1 (cs) 1983-05-30 1983-05-30 Anoda pro článek na fotoelektrolytickou konversi sluneční energie

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS833812A CS231294B1 (cs) 1983-05-30 1983-05-30 Anoda pro článek na fotoelektrolytickou konversi sluneční energie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS381283A1 CS381283A1 (en) 1984-02-13
CS231294B1 true CS231294B1 (cs) 1984-10-15

Family

ID=5379310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS833812A CS231294B1 (cs) 1983-05-30 1983-05-30 Anoda pro článek na fotoelektrolytickou konversi sluneční energie

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS231294B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS381283A1 (en) 1984-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Russak et al. Thin film CdSe photoanodes for electrochemical photovoltaic cells
Gerischer The role of semiconductor structure and surface properties in photoelectrochemical processes
Bhattacharya et al. Semiconductor liquid junction solar cell based on chemically deposited Bi2 S 3 thin film and some semiconducting properties of bismuth chalcogenides
US20090020150A1 (en) Structures of ordered arrays of semiconductors
Cahen et al. n‐CuInSe2 based photoelectrochemical cells: Improved, stable performance in aqueous polyiodide through rational surface and solution modifications
Ellis et al. Characterization of n‐Type Semiconducting Indium Phosphide Photoelectrodes: Stabilization to Photoanodic Dissolution in Aqueous Solutions of Telluride and Ditelluride Ions
CA1077161A (en) Photo-voltaic power generating means and methods
US4465565A (en) CdTe passivation of HgCdTe by electrochemical deposition
Pandey et al. Comparative study of performance of CdTe, CdSe and CdS thin films-based photoelectrochemical solar cells
McGregor et al. Photoeffects in Fe2O3 sintered semiconductors
Takahashi et al. Resistivity, carrier concentration, and carrier mobility of electrochemically deposited CdTe films
GB1558746A (en) Semiconductor liquid junction photocell
Neumann‐Spallart et al. Photoelectrochemical properties of semiconducting cadmium mercury telluride thin films with bandgaps between 1.47 and 1.08 eV
US4163987A (en) GaAs-GaAlAs solar cells
US4235651A (en) Fabrication of GaAs-GaAlAs solar cells
CA1138080A (en) Semiconductor liquid junction photocell using surface modified gaas electrode
Cahen et al. n-CuInSe2 photoelectrochemical cells
Deshmukh et al. CdS1-x Se x thin film electrodes: an electrochemical photovoltaic study
Lewerenz et al. Surface modification of polycrystalline p-CuInS2 and p-CuInSe2 electrodes for improved solar cell performance
Chandra et al. Photoelectrochemical solar cells using electrodeposited GaAs and AlSb semiconductor films
CS231294B1 (cs) Anoda pro článek na fotoelektrolytickou konversi sluneční energie
US4343870A (en) Semiconductor liquid junction photocell having a P-type photoactive electrode
Mandal et al. Surface-modified CdTe PEC solar cells
Chen et al. Photoelectrochemical test for photovoltaic activity of p-CuInSe2 films
US4459343A (en) Nonaqueous electrolyte photoelectrochemical cell