CS229264B1

CS229264B1 - Double-turn inductor for semiconductor crystals preparation by zone melting method with induction heating

Info

Publication number: CS229264B1
Application number: CS687682A
Authority: CS
Inventors: Vilem Rndr Smejkal; Frantisek Ing Zatopek
Original assignee: Smejkal Vilem; Zatopek Frantisek
Priority date: 1982-09-27
Filing date: 1982-09-27
Publication date: 1984-06-18

Abstract

Podstata vynálezu spočívá v tom, že stabilizující závit dvouzávitového paralelně připojeného induktoru, který rozhodující měrou ovlivňuje teplotní a elektrodynamické podmínky na dolním rozhraní fází, má tvar plošného induktoru s vnitřním průměrem srovnatelným s průměrem rostoucího krystalu, horní plochu omezenou rovinou kolmou k ose rotace krystalu, empiricky volený tvar dolní plochy a vnější průměr nejméně o 20 milimetrů větší než vnitřní průměr. Hlavní ohřívací závit, zhotovený z trubky o průměru 4 až 6 mm, uložený nad stabilizujícím závitem, vytváří asymetrické pole v oblasti horního rozhraní fází, kterým lze ovlivňovat proces tavení výchozích ingotů. Asymetrie pole hlavního ohřívacího závitu je v oblasti dolního rozhraní fází eliminována stabilizujícím závitemThe essence of the invention is that it stabilizes double-threaded thread connected in parallel inductor, which is crucial affects thermal and electrodynamic the conditions at the lower phase boundary, has a shape surface inductor with internal diameter comparable to the diameter of the growing crystal, the upper surface with a limited plane perpendicular to the axis of rotation of the crystal, empirically chosen shape the lower surface and the outer diameter by at least 20 millimeters larger than the internal diameter. Main a heating thread made of a tube of diameter 4 to 6 mm, placed above stabilizing thread, creates an asymmetric field in the area upper interfaces of the phases to which it can be influenced the process of melting the initial ingots. Asymmetry the main heating thread field is in the lower interface phase is eliminated stabilizing thread

Description

Podstata vynálezu spočívá v tom, že stabilizující závit dvouzávitového paralelně připojeného induktoru, který rozhodující měrou ovlivňuje teplotní a elektrodynamické podmínky na dolním rozhraní fází, má tvar plošného induktoru s vnitřním průměrem srovnatelným s průměrem rostoucího krystalu, horní plochu omezenou rovinou kolmou k ose rotace krystalu, empiricky volený tvar dolní plochy a vnější průměr nejméně o 20 milimetrů větší než vnitřní průměr. Hlavní ohřívací závit, zhotovený z trubky o průměru 4 až 6 mm, uložený nad stabilizujícím závitem, vytváří asymetrické pole v oblasti horního rozhraní fází, kterým lze ovlivňovat proces tavení výchozích ingotů. Asymetrie pole hlavního ohřívacího závitu je v oblasti dolního rozhraní fází eliminována stabilizujícím závitem.SUMMARY OF THE INVENTION The stabilizing thread of a two-threaded parallel-connected inductor, which decisively affects the temperature and electrodynamic conditions at the lower phase interface, has the shape of a surface inductor with an inner diameter comparable to the diameter of the growing crystal. an empirically selected shape of the lower face and an outside diameter at least 20 millimeters greater than the inside diameter. The main heating thread, made of a 4 to 6 mm diameter pipe, located above the stabilizing thread, creates an asymmetric field in the region of the upper phase boundary that can influence the melting process of the starting ingots. The field heating asymmetry of the main heating coil is eliminated in the region of the lower phase boundary by a stabilizing coil.

'V. CQ “o -5b CSJ crj'IN. CQ 'o -5b CSJ crj

Vynález se týká dvouzávitového induktoru pro přípravu polovodičových krystalů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a twin coil inductor for the preparation of semiconductor crystals by the induction heating method of zonal melting.

Při přípravě polovodičových, zejména křemíkových, krystalů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem se pro vytvoření roztavené zóny používá jednak jedno- 1 vícezávltvých induktorů zhotovených z měděných nebo stříbrných trubek a jednak jednozávitových plošných induktorů zhotovených z rotačně symetrického tělesa, jehož vnitřní průměr je menší a vnější průměr větší než průměr připravovaného krystalu.In the preparation of semiconductor, especially silicon, crystals by the method of zonal melting with induction heating, one or more multi-strand inductors made of copper or silver tubes and single-threaded flat inductors made of a rotationally symmetrical body whose inner diameter is smaller outer diameter greater than that of the crystal being prepared.

Nevýhodou jednozávitových induktorů zhotovených z trubek obvykle o průměru 4 až 6 mm je, že jsou použitelné pro přípravu krystalů do průměru 30 mm. Použití vícezávitových sériově vinutých induktorů, u kterých je průměr vnitřního závitu menší než průměr připravovaného krystalu, umožňuje sice přípravu krystalů i větších průměrů, ale v oblasti křížení závitů dochází ke značné nehomogenitě elektromagnetického pole, jež je příčinou mikroskopických změn rychlosti růstu krystalu a s ohledem na závislost rozdělovacího koeficientu příměsí v krystalech na rychlosti krystalizace, způsobuje nehomogenní rozložení příměsí v krystalech. Jsou-li závity induktoru připojeny ke společnému zdroji paralelně, je nutno v důsledku rozložení proudů volit vnitřní závit asymetrický, aby bylo zajištěno účinné odtavování výchozího ingotu po jeho celém průřezu, což rovněž značně narušuje rotační symetrii elektromagnetického pole.The disadvantage of single-threaded inductors made of tubes typically 4 to 6 mm in diameter is that they are useful for preparing crystals up to 30 mm in diameter. The use of multi-threaded series wound inductors in which the diameter of the internal thread is smaller than the diameter of the prepared crystal allows the preparation of crystals even larger diameters, but in the area of thread crossings there is considerable inhomogeneity of electromagnetic field. the distribution coefficient of the impurities in the crystals at the rate of crystallization, causes an inhomogeneous distribution of the impurities in the crystals. If the inductor threads are connected in parallel to the common source, the asymmetric internal thread must be selected as a result of current distribution to ensure efficient melting of the initial ingot along its entire cross-section, which also greatly disrupts the rotational symmetry of the electromagnetic field.

Tyto nedostatky v symetrii pole sice odstraňují jednozávitové plošné induktory, jejichž profily jsou srovnatelné s profily vícezávitových induktorů, ale které mají menší účinnost. Zlepšení symetrie pole se neprojevuje u těchto induktorů jen v oblasti dolního rozhraní fází, tj. v místě, kde narůstá krystal, ale také u horního rozhraní fází, kde dochází k odtavování povrchu výchozího ingotu. Není-li výchozí ingot válcového tvaru, pak v tomto místě mohou vznikat drobné svisle orientované výčnělky pevné fáze, které v případě, že teplotní podmínky neumožňují jejich protavení, se prodlužují úměrně s posuvem roztavené zóny, až dojde k jejich kontaktu s induktorem, jenž znemožní plynulý přísuv tavícího se materiálu, nebo je příčinou vysokofrekvenčního výboje a tím i přerušení tavby. Symetrické pole v okolí horního rozhraní fází bývá rovněž příčinou vzniku souvislých neprotavených oblastí ve tvaru prstenců, které se vytvářejí uvnitř roztavené zóny v rovinách mezi horním rozhraním fází a nejužším místem roztavené zóny. Jejich protavení je provázeno náhlou změnou tvaru roztavené zóny a tím i její mechanické stability v takové míře, že nezřídka dojde k porušení rovnováhy mezi silovým působením gravitace, povrchového napětí a elektrodynamických sil s následným vykápnutím taveniny.These deficiencies in field symmetry are eliminated by single-turn flat inductors whose profiles are comparable to those of multi-turn inductors, but which have less efficiency. The improvement of the field symmetry is not only reflected in these inductors in the region of the lower phase boundary, i.e. where the crystal grows, but also in the upper boundary of the phase where the initial ingot surface melts. If the initial ingot is not cylindrical, then there may be small vertically oriented solid phase protrusions which, if the temperature conditions do not allow them to melt, extend proportionally with the displacement of the molten zone until they contact the inductor, making it impossible a continuous inflow of melting material, or it causes a high-frequency discharge, and thus a break in the melting. The symmetrical field around the upper phase boundary also causes continuous non-melted, ring-shaped areas that are formed within the molten zone in the planes between the upper phase boundary and the narrowest point of the molten zone. Their melting is accompanied by a sudden change in the shape of the molten zone and hence its mechanical stability to such an extent that the equilibrium between the force of gravity, surface tension and electrodynamic forces and the subsequent dropping of the melt often occurs.

Uvedené nedostatky odstraňuje dvouzávitový induktor pro přípravu polovodičových krystalů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že stabilizující závit, který je uložen pod hlavním asymetrickým závitem, je tvořen rotačně symetrickým tělesem, jehož vnitřní průměr je srovnatelný s průměrem rostoucího krystalu, vnější průměr je nejméně o 20 mm větší než průměr rostoucího krystalu a jehož horní plocha leží v rovině kolmé na osu rotace rostoucího krystalu.The two-thread inductor for preparing semiconductor crystals by the induction heating method according to the invention is based on the fact that the stabilizing thread, which is located under the main asymmetric thread, consists of a rotationally symmetrical body whose inner diameter is comparable to the diameter The outer diameter is at least 20 mm larger than the diameter of the growing crystal and whose upper surface lies in a plane perpendicular to the axis of rotation of the growing crystal.

Rovina hlavního asymetrického ohřívacího závitu je skloněna tak, že jeho vzdálenější část tvořená křivkou směřuje od přívodů do prostoru vymezeného stabilizujícím závitem.The plane of the main asymmetric heating coil is inclined so that its distal portion formed by the curve points from the inlets to the space defined by the stabilizing coil.

Hlavní ohřívací závit navazuje na přívody v nestejných vzdálenostech od horní plochy stabilizujícího závitu.The main heating thread connects to the inlets at unequal distances from the upper surface of the stabilizing thread.

Asymetrický ohřívací závit, jehož polovina vzdálenější od přívodů ke koaxiálnímu vedení má tvar křivky, která svým průměrem do roviny kolmé na osu rotace krystatalu nepřesahuje průřez rostoucího krystalu a která spojitě navazuje na oblouky protáhlé až pod okraj tavícího se ingotu, umožňuje protavení ingotu po té části jeho průřezu, jež je průmětem hlavního ohřívacího závitu ve směru osy rotace do tohoto průřezu. Nechá-li se horní hřídel zařízení, jež je opatřeno takto konstruovaným induktorem, rotovat velmi pomalou rychlostí, nejlépe 0,5 až 2 ot/min, pak v průběhu tavby se dostává postupně každý bod průřezu ingotu do místa, ve kterém je zajištěno efektivní odtavování. Z hlediska působení induktoru na případné nerovnosti na povrchu výchozího ingotu, odtoku taveniny z okrajových částí tavícího se ingotu do roztavené zóny a znemožňování vzniku souvislých neprotavených oblastí ve tvaru prstenců, je účelné volit hlavní ohřívací závit mírně skloněný vůči rovině kolmé k se rostoucího krystalu tak, aby rovina jím vymezená směřovala od přívodů do prostoru vymezeného stabilizujícím závitem, nebo aby hlavní ohřívací závit navazoval na přívody v nestejné vzdálenosti od horní plochy stabilizujícího závitu. Nepříznivý vliv asymetrie pole hlavního ohřívacího závitu je v oblasti dolního' rozhraní fází eliminován stabilizujícím závitem. Účinnost takto konstruovaného induktoru je srovnatelná s účinností induktorů zhotovených z trubek.The asymmetric heating coil, half of which is farther from the leads to the coaxial conduit, has a curve shape that does not exceed the cross-sectional area of the growing crystal with its diameter perpendicular to the axis of crystal rotation and continuously connects to arcs elongated below the melting ingot. its cross-section, which is the projection of the main heating coil in the direction of the axis of rotation into this cross-section. If the upper shaft of a device equipped with such an inductor is rotated at a very slow speed, preferably 0.5 to 2 rev / min, then during the melting process, each ingot section of the ingot gradually reaches the point where efficient melting is ensured . In view of the effect of the inductor on any unevenness on the surface of the ingot, the melt runoff from the peripheral portions of the melting ingot into the molten zone, and preventing the formation of continuous non-molten regions in the ring shape, that the plane delimited by it extends from the inlets to the space defined by the stabilizing thread, or that the main heating thread connects to the inlets at an unequal distance from the upper surface of the stabilizing thread. The unfavorable effect of the main heating thread asymmetry is eliminated in the region of the lower phase interface by a stabilizing thread. The efficiency of the inductor constructed in this way is comparable to the efficiency of inductors made of tubes.

Příkladná provedení induktorů podle předloženého vynálezu jsou znázorněna na přiložených výkresech, na nichž představuje obr. 1 dvouzávitový induktor, jehož hlavní ohřívací závit leží v rovině kolmé k ose soustavy; obr. 2 dvouzávitový induktor, jehož hlavní ohřívací závit je skloněn do prostoru vymezeného stabilizujícím závitem; obr. 3 dvouzávitový induktor, jehož přívody k hlavnímu ohřívacímu závitu nejsou ve stejnéExemplary embodiments of inductors according to the present invention are shown in the accompanying drawings, in which Fig. 1 is a two-threaded inductor whose main heating thread lies in a plane perpendicular to the axis of the assembly; FIG. 2 a two-threaded inductor whose main heating thread is inclined into the space defined by the stabilizing thread; FIG. 3 shows a two-threaded inductor whose leads to the main heating coil are not the same

229284 vzdálenosti od horní plochy stabilizujícího závitu; obr. 4 půdorys induktoru z obr. 1 až 3.229284 distance from the upper surface of the stabilizing thread; FIG. 4 is a plan view of the inductor of FIGS. 1 to 3.

Jak vyplývá z obr. 1 a obr. 4, tvoří výchozí ingot 1, roztavená zóna 2, rostoucí krystal 3 a stabilizující závit 4 osově symetrickou soustavu. Hlavní ohřívací závit zhotovený z trubky sestává ze dvou částí. Polovina vzdálenější od přívodů 7 je tvořena křivkou 5, která svým průmětem nepřesahuje průřez rostoucího krystalu 3 a její funkcí je zúžení a protavení roztavené zóny 2 po celém průřezu. Druhá polovina hlavního ohřívacího závitu má tvar oblouků 6, jež navazují na přívody 7 ve vzdálenosti rovné poloměru výchozího ingotu 1 od osy rotace ingotu 1, a její funkcí je protavení okrajových částí výchozího ingotu 1, jenž se tak při rotaci dostává v průběhu tavby každým bodem svého průřezu do místa s dostatečně účinným tavením. Nad místem, kde hlavní ohřívací závit navazuje na přívody 7 od koaxiálního vedení, dochází rovněž k odtavování neprotavených výčnělků 8 pevné fáze, jež vznikají na povrchových nerovnostech, a ve směru rotace se vytváří odtokový kanál 9, jenž umožňuje spojité přitékání taveniny do roztavené zóny 2. Funkce odtokového kanálu 9 je účinnější, je-li hlavní ohřívací závit skloněn tak, že jeho vzdálenější část tvořená křivkou 5‘ směřuje do prostoru vymezeného stabilizujícím závitem 4, jak je znázorněno na obr. 2. Zlepšení odtavování neprotavených výčnělků 8 pevné fáze lze dosáhnout tím, že přívody 7‘ od koaxiálního vedení navazují na. hlavní ohřívací závit v nestejné vzdálenosti od horní plochy stabilizujícího závitu 4, jak je znázorněno na obr.1 and 4, the initial ingot 1, the molten zone 2, the growing crystal 3 and the stabilizing thread 4 form an axially symmetrical system. The main heating thread made of the tube consists of two parts. The half distal from the inlets 7 is formed by a curve 5 which by its projection does not exceed the cross section of the growing crystal 3 and its function is to narrow and melt the melted zone 2 over the entire cross section. The other half of the main heating coil is in the form of arcs 6 which are connected to the inlets 7 at a distance equal to the radius of the ingot 1 from the axis of rotation of the ingot 1 and function to melt the edge portions of the ingot 1. its cross-section to a location with sufficiently efficient melting. Above the point where the main heating thread is connected to the inlets 7 from the coaxial conduit, non-melted solid phase protrusions 8, which are formed on surface irregularities, are also melted and a drain channel 9 is formed in the direction of rotation. The function of the drain channel 9 is more effective when the main heating coil is inclined so that its distal portion formed by the curve 5 'faces the space defined by the stabilizing coil 4 as shown in Fig. 2. in that the leads 7 'of the coaxial line are connected to the coaxial line. the main heating thread at an unequal distance from the upper surface of the stabilizing thread 4, as shown in FIG.

3. Stabilizující závit 4, který je tvořen rotačně symetrickým tělesem, vytváří v oblasti krystalizace mezi roztavenou zónou 2 a rostoucím krystalem 3 tepelné a elektrodynamické podmínky umožňující spojitý růst monokrystalu a současně v tomto místě eliminuje vliv asymetrie ohřívacího závitu.3. The stabilizing thread 4, which is formed by a rotationally symmetrical body, creates thermal and electrodynamic conditions in the crystallization region between the molten zone 2 and the growing crystal 3 allowing continuous growth of the single crystal and at the same time eliminates the influence of the heating thread asymmetry.

Příprava polovodičových krystalů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem se provádí v evakuované nebo Inertním plynem napuštěné komoře zařízení. Tato komora je v případě vertikálního souosého uspořádání opatřena dvěma vertikálně uloženými na sobě nezávisle pohyblivými hřídeli. Na horní hřídeli je připevněn ingot výchozího materiálu, tj. polykrystalická tyč přibližně válcového tvaru, na dolní hřídeli je připevněn monokrystalický zárodek. K induktoru, uloženému uprostřed komory zařízení, jsou od oscilačního obvodu vysokoferkvenčního generátoru přiváděny vysokofrekvenční proudy. Vířivými proudy naindukovanými na dolním konci polykrystalické tyče se polykrystalická tyč zahřívá, až na ní dojde k vytvoření kapky taveniny kuželového tvaru. Po spojení taveniny s monokrystalickým zárodkem v prostoru uvnitř induktoru se při rotaci a pohybu směrem dolů obou hřídelí nechá na monokrystalickém zárodku narůstat krystal. Tvar induktoru a rychlost posuvu a rotací hřídelí se volí především tak, aby byly zajištěny optimální podmínky růstu krystalu. Jednou z těchto podmínek je dosažení maximální míry rotační symetrie pole v oblasti krystalizačního rozhraní, a tím potlačení mikroskopických změn v rychlosti krystalizace, jež jsou příčinou nehomogenního ukládání atomů příměsi v rostoucím krystalu. Tato symetrie, jež bývá zajišťována, ve srovnání s indduktory zhotovenými z trubek, málo účinnými plošnými induktory ve tvaru rotační plochy, se však nepříznivě projevuje při tavení polykrystalické tyče tím, že dává vzniknout uvnitř roztavené zóny neprotaveným souvislým oblastem ve tvaru prstenců, jejichž náhlé protavení je provázeno výraznou změnou podmínek růstu krystalu, a v případě asymetrie nebo nerovného povrchu polykrystalické tyče nezaručuje spojité tavení povrchu polykrystalické tyče. Oba tyto jevy lze odstranit a současně zvýšit účinnost induktoru tím, že volíme induktor sestavený ze dvou paralelně k jednomu zdroji připojených závitů. Horní závit, který má funkci hlavního ohřívacího závitu, je zhotoven z trubky tak, že jeho polovina vzdálenější od přívodů má tvar křivky, která svým průmětem do roviny kolmé k ose rotace nepřesahuje průřez rostoucího krystalu, a druhá polovina má tvar oblouků, které navazují na přívody pod okrajem výchozího ingotu. Takový závit umožňuje postavení ingotu na průřezu, který je přibližně shodný s tvarem závitu, a při rotaci výchozího ingotu pak celý průřez. Asymetrie pole se projevuje tak, že nad místem, kde navazuje tento závit na přívody, vzniká oblast s intenzivnějším působením pole, ve které dochází k odtavování drobných výčnělků pevné fáze. Působením této asymetrie dochází rovněž při rotaci k vytváření skloněných protavených oblastí spojujících okrajové části výchozího ingotu s rotavenou zónou, tzv. odtokových kanálů, které umožňují spojité naplňování roztavené zóny taveninou. Negativní působení asymetrie pole na rostoucí krystal je pak omezeno dolním stabilizujícím závitem, jenž má tvar rotačního, se soustavou symetrického tělesa a jenž vedle své hlavní funkce, kterou je vytváření takových teplotních a elektrodynamických podmínek v oblasti krystalizace, jež umožňují spojitý růst monokrystalu požadovaného průměru, eliminuje v této oblasti svým působením vliv asymetrického pole hlavního závitu. Zlepšení funkce odtokového kanálu, resp. účinnějšího odtavování povrchu výchozího ingotu lze dosáhnout tím, že hlavní ohřívací závit neleží v rovině kolmé na osu soustavy, resp. že tento závit navazuje na přívody v nestejné výšce.The preparation of semiconductor crystals by the method of flying zone melting with induction heating is carried out in an evacuated or inert gas impregnated chamber of the device. In the case of a vertical coaxial configuration, this chamber is provided with two vertically mounted, independently movable shafts. The ingot of the starting material, i.e. a polycrystalline rod of approximately cylindrical shape, is attached to the upper shaft, and a monocrystalline seed is attached to the lower shaft. High-frequency currents are supplied to the inductor disposed in the center of the apparatus chamber from the oscillating circuit of the high-frequency generator. With the eddy currents induced at the lower end of the polycrystalline bar, the polycrystalline bar is heated until a cone-shaped melt droplet is formed. After the melt is coupled to the monocrystalline nucleus in the space inside the inductor, a crystal is allowed to grow on the monocrystalline nucleus during rotation and downward movement of both shafts. The shape of the inductor and the speed of shifting and rotation of the shafts are chosen so as to ensure optimum crystal growth conditions. One of these conditions is to achieve a maximum rate of rotational field symmetry in the region of the crystallization interface, thereby suppressing the microscopic changes in crystallization rate that cause inhomogeneous deposition of dopant atoms in the growing crystal. However, this symmetry, which is in comparison with tube-inductors, provided by low-efficiency rotational surface inductors, adversely affects the melting of the polycrystalline rod by producing non-melted continuous ring-shaped regions within the molten zone whose sudden melting is accompanied by a significant change in crystal growth conditions, and in the case of asymmetry or uneven surface of the polycrystalline rod does not guarantee continuous melting of the surface of the polycrystalline rod. Both of these phenomena can be eliminated and at the same time increase the efficiency of the inductor by choosing an inductor made of two parallel to one source of connected threads. The upper thread, which has the function of the main heating thread, is made of a tube such that its half further from the inlets has the shape of a curve that does not project beyond the cross-section of the growing crystal by its projection to the plane perpendicular to the axis of rotation. feeds below the edge of the initial ingot. Such a thread allows the ingot to be positioned on a cross-section that is approximately identical to the shape of the thread, and the entire cross-section is rotated when the initial ingot is rotated. The asymmetry of the field is manifested in such a way that above the point where this thread connects to the inlets, there is an area with more intensive field action, in which the small protrusions of the solid phase are melted. The effect of this asymmetry also results in the formation of inclined molten regions joining the peripheral portions of the initial ingot with the rotated zone, the so-called drain channels, which allow the molten zone to be continuously filled with melt. The negative effect of field asymmetry on the growing crystal is then limited by the lower stabilizing thread, which has the shape of a rotating, symmetrical body system and which, in addition to its main function of creating temperature and electrodynamic conditions in crystallization eliminates the effect of the asymmetric field of the main thread in this area. Improvement of drain channel function, resp. more efficient melting of the surface of the initial ingot can be achieved by the fact that the main heating thread does not lie in a plane perpendicular to the axis of the system, respectively. This thread is connected to the inlets of unequal height.

Claims

SUBJECT

1. A two-thread inductor for preparing semiconductor crystals by the method of vertical zonal melting with induction heating in a vertical coaxial configuration consisting of a main asymmetric heating coil and a stabilizing coil connected in parallel thereto, characterized in that the stabilizing coil (4) is located below the main asymmetric heating coil is formed by a rotationally symmetrical body whose inner diameter is comparable to the diameter of the growing crystal (3), the outer diameter is at least 20 mm larger than the diameter of the growing crystal (3) and whose upper surface lies in a plane perpendicular to the axis of rotation of the growing crystal.

OF THE INVENTION

2. A threaded inductor for semiconductor crystal preparation by the induction heating zone method of melting according to claim 1, characterized in that the plane of the main asymmetrical heating coil is inclined so that its distal part formed by the curve (5) points from the inlets to the space defined by the stabilizing coil ( 4).

3. A two-thread inductor for the preparation of semiconductor crystals by the method of zonal melting with induction heating according to items 1 and 2, characterized in that the main heating thread is connected to the inlets (7) at unequal distances from the upper surface of the stabilizing thread (4).