CS219061B1 - Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru - Google Patents
Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru Download PDFInfo
- Publication number
- CS219061B1 CS219061B1 CS548981A CS548981A CS219061B1 CS 219061 B1 CS219061 B1 CS 219061B1 CS 548981 A CS548981 A CS 548981A CS 548981 A CS548981 A CS 548981A CS 219061 B1 CS219061 B1 CS 219061B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- power semiconductor
- recombination centers
- emitter
- shaped power
- diameter
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
Předmětem vynálezu je výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru obsahující alespoň jeden PN přechod a alespoň jednu vysocedotovanou emitorovou vrstvu. Podstata vynálezu spočívá v tom, že součástka obsahuje dvě oblasti s různou koncentrací rekombinačních center. Oblast s nižší koncentrací rekombinačních center je umístěna ve středu desky a její průměr je menší než průměr emitoru.
Description
Předmětem vynálezu je výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru obsahující alespoň jeden PN přechod a alespoň jednu vysocedotovanou emitorovou vrstvu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že součástka obsahuje dvě oblasti s různou koncentrací rekombinačních center. Oblast s nižší koncentrací rekombinačních center je umístěna ve středu desky a její průměr je menší než průměr emitoru.
Vynález se týká výkonové polovodičové součástky kotoučového tvaru, obsahující alespoň jeden PN přechod a alespoň jednu vysocedotovanou emitorovou vrstvu.
Dosud známá řešení výkonových polovodičových součástek se dvěma a více vrstvami s různým typem vodivosti řešila proměnné rozložení koncentrace rekombinačních center buď hlubokou difúzí příměsí, nebo ozařováním vysokoenergetickými částicemi. Známé je vytváření rekombinačních šuntů difúzí zlata nebo řešení teplotních závislostí blokovacích a závěrných průrazných napětí ozařováním elektrony. Limitující vliv na řadu statických a dynamických parametrů a na spolehlivost mají části struktury ovlivněné blízkostí obvodového šuntu, nehomogenitami styku mezi kontaktem emitoru a okrajem kontaktu přítlačné kovové elektrody. Tyto vlastnosti ovlivňují mezní hodnoty proudové přetížitelnosti, snižují mezní parametry součástek při komunikaci, při zapínacím a vypínacím procesu apod.
Uvedené nedostatky odstraňuje provedení výkonové polovodičové součástky kotoučového tvaru podle vynálezu, která obsahuje dvě oblasti s různou koncentrací rekombinačních center. Oblast s nižší koncentrací rekombinačních center je vytvořena ve střední válcové části polovodičové struktury a její průměr je menší než nejmenší vnější průměr emitorových vrstev.
U výkonové součástky podle vynálezu jsou vlastnosti střední části polovodičové struktury určeny nižší koncentrací rekombinačních center, vyšší dobou života nerovnovážných nositelů a větší hodnotou difúzní délky. Tyto vlastnosti příznivě ovlivňují řadu parametrů, jako jsou výkonové ztráty, zatížitelnost apod. Okrajové části polovodičového systému, včetně emitorového šuntu ná obvodu obsahují podle vynálezu vyšší koncentraci rekombinačních center a mají nižší dobu života nerovnovážných nositelů a kratší difúzní délku. Tyto vlastnosti příznivě ovlivňují řadu parametrů, jako jsou výkonové ztráty, zatížitelnost apod. Okrajové části polovodičového systému, včetně emitorového šuntu na obvodu obsahují podle vynálezu vyšší koncentraci rekombinačních center a mají nižší dobu života nerovnovážných nositelů a kratší difúzní délku. Tyto vlastnosti jsou výhodné např. pro teplotní závislosti průrazných napětí u vícevrstvých polovodičových součástek a pro celou řadu dynamických parametrů.
Příklad provedení polovodičové součástky podle vynálezu je na výkresu, kde na obr. la je řez tyristorovou čtyřvrstvou strukturou a na obr. lb je znázorněno rozložení rekombinačních center v řezu této struktury. Tyristorová polovodičová struktura obsahuje vrstvy 1 až 4 s různým typem vodivosti, z nichž první emitorová vrstva 1 přiléhá k anodovému kontaktu 5 a druhá emitorová vrstva 4 přiléhá ke katodovému kontaktu B, přičemž ve středu struktury je vytvořena řídicí elektroda 7, která má kontakt s vrstvou 3 opačného typu vodivosti než druhá emitorová vrstva 4.
Rozložení rekombinačních center v řezu popsané struktury má dle obr. lb oblast 8 s nižší koncentrací rekombinačních center vytvořenou ve střední válcové části polovodičové struktury a její průměr je menší než vnější průměr druhé emitorové vrstvy 4 a okrajovou oblast 3 s vyšší koncentrací rekombinačních center.
Oblastní využití vynálezu je výroba výkonových diod, tyristorů, triaků, spínacích tranzistorů apod.
Claims (1)
- PREDMETVýkonová polovodičová součástka kotoučového' tvaru, která obsahuje alespoň jeden PN přechd a alespoň jednu vysocedotovanou emitorovou vrstvu, vyznačená tím, že součástka obsahuje dvě oblasti (8) a (9) s různou koncentrací rekombinačních cenVYNÁLEZU ter, přičemž oblast (8) s nižší koncentrací rekombinačních center je vytvořena ve střední válcové části polovodičové struktury a její průměr je menší než nejmenší vnější průměr emitorových vrstev (1] a (4).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS548981A CS219061B1 (cs) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS548981A CS219061B1 (cs) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS219061B1 true CS219061B1 (cs) | 1983-02-25 |
Family
ID=5399878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS548981A CS219061B1 (cs) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS219061B1 (cs) |
-
1981
- 1981-07-17 CS CS548981A patent/CS219061B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5243205A (en) | Semiconductor device with overvoltage protective function | |
| US4259683A (en) | High switching speed P-N junction devices with recombination means centrally located in high resistivity layer | |
| US3590346A (en) | High d/d, fast turn-on darlington controlled semiconductor switch | |
| US3370209A (en) | Power bulk breakdown semiconductor devices | |
| US6043516A (en) | Semiconductor component with scattering centers within a lateral resistor region | |
| US3727116A (en) | Integral thyristor-rectifier device | |
| EP0341000A2 (en) | Gated turn-off semiconductor device | |
| EP0423721B1 (en) | Semiconductor device with overvoltage protective function and method of fabricating such device | |
| US3996601A (en) | Shorting structure for multilayer semiconductor switching devices | |
| US3855611A (en) | Thyristor devices | |
| US3896476A (en) | Semiconductor switching device | |
| US3622845A (en) | Scr with amplified emitter gate | |
| US3513367A (en) | High current gate controlled switches | |
| US3140963A (en) | Bidirectional semiconductor switching device | |
| US3277352A (en) | Four layer semiconductor device | |
| US3508127A (en) | Semiconductor integrated circuits | |
| US4060825A (en) | High speed high power two terminal solid state switch fired by dV/dt | |
| US3437886A (en) | Thyristor with positively bevelled junctions | |
| US3696273A (en) | Bilateral, gate-controlled semiconductor devices | |
| US3504242A (en) | Switching power transistor with thyristor overload capacity | |
| US3914782A (en) | Reverse conducting thyristor and process for producing the same | |
| US4914045A (en) | Method of fabricating packaged TRIAC and trigger switch | |
| JPH02122671A (ja) | 制御可能なパワー半導体素子 | |
| US4077819A (en) | Technique for passivating semiconductor devices | |
| CS219061B1 (cs) | Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru |