CS215889B1 - Method of raising the operative speed of passive diodotransformer memory - Google Patents

Method of raising the operative speed of passive diodotransformer memory Download PDF

Info

Publication number
CS215889B1
CS215889B1 CS204078A CS204078A CS215889B1 CS 215889 B1 CS215889 B1 CS 215889B1 CS 204078 A CS204078 A CS 204078A CS 204078 A CS204078 A CS 204078A CS 215889 B1 CS215889 B1 CS 215889B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
memory
diodotransformer
passive
transformers
raising
Prior art date
Application number
CS204078A
Other languages
Czech (cs)
Inventor
Jiri Musil
Original Assignee
Jiri Musil
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Musil filed Critical Jiri Musil
Priority to CS204078A priority Critical patent/CS215889B1/en
Publication of CS215889B1 publication Critical patent/CS215889B1/en

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Description

Vynález se týká způsobu zvýšení pracovní rychlosti pasivní diodotransformátorové paměti pro uložení pevných částí programu a konstant v samočinných počítačích nebo v jiných číslicových zařízeních.The invention relates to a method of increasing the operating speed of a passive diodotransformer memory for storing fixed program parts and constants in automatic computers or other digital devices.

Dosud známá zapojení používají mimo jiné diodotransformátorových pamětí. U tohoto způsobu je informace v paměti uložena tak, že čtecí vodič bud prochází nebo obchází okénka jednotlivých transformátorů. Některá zapojení používají transformátory se dvěma okénky, kterým je přiřazen příslušný logický význam, čtecí vodiče bývají zapojeny v diodové matici. Sekundární vinutí představuje výstup paměti. Stísni uložené informace se provede přivedením čtecího impulzu na vybraný čtecí vodič. Na výstupu paměti se pak objeví v paralelním kódu čtená informace. Ha jednom čtecím vodiči je tedy uloženo jedno paměťové slovo, například jedna instrukce či konstanta.. Kapacita paměti je dána součinem počtu čtecích'vodičů a počtu transformátorů^ N = n . p,Previously known circuits use among others diodotransformer memories. In this method, the information is stored in the memory such that the reader wire either passes or bypasses the windows of the individual transformers. Some wiring uses two-window transformers to which the logical meaning is assigned, the reading wires are connected in the diode matrix. The secondary winding represents the memory output. The stored information is crushed by applying a read pulse to the selected read wire. The read out information will then appear in the parallel code output. Thus, one memory word, for example one instruction or constant, is stored on one read wire. The memory capacity is given by the product of the number of read conductors and the number of transformers. p,

Kde N je kapacita paměti v bitech, n je počet transformátorů, p je počet čtecích vodičů. Počet čtecích vodičů bývá zpravidla omezen velikostí okénka transformátorů. Proto se často zvýšení kapacity paměti dosahuje zvýšením počtu transformátorů uspořádaných do skupin. Na jednom čtecím vodiči jsou pak uloženy dvě nebo více paměťových slov. Výběr čteného 3lova se provádí dodatečným hradlováním zesilovačů odezvy, zapojených na sekundární vinutí transformátorů, pomocí signálů z dekódovaných obvodů adresy. Informace se tedy odebírá vždy pou215 889 ze z jediné skupiny transformátorů. Zvyšování počtu transformátorů však vede ke zvýšení indukčností čtecího vodiče a tím ke snížení pracovní rychlosti.Where N is the memory capacity in bits, n is the number of transformers, p is the number of read wires. The number of read wires is usually limited by the size of the transformer window. Therefore, often an increase in memory capacity is achieved by increasing the number of transformers arranged in groups. Two or more memory words are then stored on one reader wire. The selection of the reader is performed by additional gating of the response amplifiers connected to the secondary windings of the transformers by means of signals from the decoded address circuits. Thus, information is always taken from a single group of transformers. However, increasing the number of transformers leads to an increase in the inductance of the reading conductor and thus to a decrease in the working speed.

Tyto nevýhody zmírňuje způsob zvýšení pracovní rychlosti pasivní diodotransformátorové paměti podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že zkratovací vinutí u skupiny transformátorů, ze ktei*é se odebírá informace, zůstává rozpojeno, zatímco u skupin transformátorů, ze kterých se informace neodebírá, se zkratuje.These disadvantages are alleviated by the method of increasing the operating speed of the passive diodotransformer memory of the present invention, which is based on the fact that the short-circuit winding of the group of transformers from which the information is taken remains disconnected, .

Tímto způsobem se sníží indukčnost čtecího vodiče, činnost spínačů je řízena signály z dekódovacích obvodů adresy stejně jako hradlování zesilovačů odezvy. Zkratovací vinutí může být pro každý transformátor samostatné nebo pro každou skupinu transformátorů společné.In this way, the inductance of the reading conductor is reduced, the operation of the switches being controlled by signals from the address decoding circuits as well as the gating of the response amplifiers. The short-circuit winding may be separate for each transformer or common to each group of transformers.

Výhodou popsaného způsobu zvýšení pracovní rychlosti pasivní diodotransformátorové paměti podle vynálezu je, ze se podstatně snižuje indukčnost čtecího vodiče a tím je možno zvýšit kapacitu paměti bez snížení rychlosti jejího čtení.An advantage of the described method of increasing the operating speed of the passive diodotransformer memory according to the invention is that the inductance of the reader conductor is substantially reduced and thus the memory capacity can be increased without reducing the read rate.

Příklad způsobu zvýšení pracovní rychlosti pasivní diodotransformátorové paměti je schematicky nakreslen na připojeném výkrese.An example of a method of increasing the working speed of a passive diodotransformer memory is schematically illustrated in the accompanying drawing.

Transformátory T^ - TQ jsou rozděleny do skupin, v nichž počet transformátorů nemusí být stejný. Skupiny A^ - A^ jsou skupiny, ze kterých se právě informace neodebírá. Pouze jediná zvolená skupina A., jeThe transformers T ^ - T Q are divided into groups in which the number of transformers need not be the same. Groups A ^ - A ^ are groups from which information is not taken. Only the only group A selected is

T jsou vybaveny zkratovacím «afiS skupiny Ag rozepnut.The Ts are equipped with a shorting afiS of the Ag group open.

skupina, ze ktere se informace odebírá. Transformátory T^ vinutím a spínačem ZV. který je u skupin A^ - Asepnut, uthe group from which the information is taken. Transformers T ^ by winding and ZV switch. which is in groups A ^ - Asepnut, u

Claims (1)

PŘEDMĚT VYNÁLEZUSUBJECT OF THE INVENTION Způsob zvýšení pracovní rychlosti pasivní diodotransformátorové paměti vyznačující se tím, Že zkratovací vinutí u skupiny transformátorů (Ag), ze které se odebírá informace, zůstává rozpojeno, zatímco u skupin transformátorů (A^ - A^), ze kterých se informace neodebírá, se zkratuje.Method of increasing the working speed of a passive diodotransformer memory, characterized in that the short-circuit winding of the transformer group (Ag) from which the information is taken remains disconnected, while the transformer groups (A ^ - A ^) from which the information is not taken are short-circuited .
CS204078A 1978-03-30 1978-03-30 Method of raising the operative speed of passive diodotransformer memory CS215889B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS204078A CS215889B1 (en) 1978-03-30 1978-03-30 Method of raising the operative speed of passive diodotransformer memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS204078A CS215889B1 (en) 1978-03-30 1978-03-30 Method of raising the operative speed of passive diodotransformer memory

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS215889B1 true CS215889B1 (en) 1982-09-15

Family

ID=5356338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS204078A CS215889B1 (en) 1978-03-30 1978-03-30 Method of raising the operative speed of passive diodotransformer memory

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS215889B1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4040026A (en) Channel for exchanging information between a computer and rapid peripheral units
EP0217291A3 (en) Circuit translator
US4183086A (en) Computer system having individual computers with data filters
CS215889B1 (en) Method of raising the operative speed of passive diodotransformer memory
US3245052A (en) Content addressed memory
US3308433A (en) Switching matrix
EP0025666A2 (en) Numerical controlling method and system
US3164824A (en) Encoding and storage apparatus for traffic measuring
US3092254A (en) Control apparatus
GB1245147A (en) Pattern controls for automatic machines
US3408637A (en) Address modification control arrangement for storage matrix
GB946569A (en) A matrix store
SU474049A1 (en) Drive control unit
US2951240A (en) Magnetic core circuit
Aldrich et al. The``Braid''Transformer Memory
KR850001836B1 (en) Simultaneous transfer of storage contents of multiple storage devices
KR830002111B1 (en) Numerical Control Method
GB1155849A (en) Data selection systems
SU453737A1 (en) DRIVE ON FERRITE CORE
SU628534A1 (en) Store for transformer-type storage
US3532266A (en) Recording method and recorder with sequentially operated recording elements
SU480114A1 (en) Permanent transformer type memory
SU750562A1 (en) Storage device
US3576548A (en) Fixed memory system using field effect devices
SU368649A1 (en) LONG-TERM STORAGE DEVICE