CS213543B1 - Způsob zviditelňováni jemné struktury na monokrystalech polovodičových III v materiálů skupiny A B leptáním. - Google Patents

Způsob zviditelňováni jemné struktury na monokrystalech polovodičových III v materiálů skupiny A B leptáním. Download PDF

Info

Publication number
CS213543B1
CS213543B1 CS131081A CS131081A CS213543B1 CS 213543 B1 CS213543 B1 CS 213543B1 CS 131081 A CS131081 A CS 131081A CS 131081 A CS131081 A CS 131081A CS 213543 B1 CS213543 B1 CS 213543B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
etching
group
fine structure
materials
single crystal
Prior art date
Application number
CS131081A
Other languages
English (en)
Inventor
Arnost Hruby
Bedrich Stepanek
Original Assignee
Arnost Hruby
Bedrich Stepanek
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Arnost Hruby, Bedrich Stepanek filed Critical Arnost Hruby
Priority to CS131081A priority Critical patent/CS213543B1/cs
Publication of CS213543B1 publication Critical patent/CS213543B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

Leptáni monokrystalů polovodičových materiálů skupiny 111¼7 se provádí ve vodnýoh rostooioh emisi kyselin něho slkalil v ultrazvukovém poli o kmitočtu 10* ai 10** Hz při teplotč 15 až 50 °0 po doku 15 až 60 sekund, při černi leptaoí směs obsahuje aktivující přimte 0^1 až 0,01 % hmot· těžkého kovu, například stříbro nebo med

Description

(54) Způsob zviditelňováni jemné struktury na monokrystalech polovodičových III v materiálů skupiny A B leptáním.
Leptáni monokrystalů polovodičových materiálů skupiny 111¼7 se provádí ve vodnýoh rostooioh emisi kyselin něho slkalil v ultrazvukovém poli o kmitočtu 10* ai 10** Hz při teplotč 15 až 50 °0 po doku 15 až 60 sekund, při černi leptaoí směs obsahuje aktivující přimte 0^1 až 0,01 % hmot· těžkého kovu, například stříbro nebo miň.
Sil »41
Vynález ee týká způsobu leptáni monokrystalů polovodičových materiálů pro zviditelňováni jemné struktury a vad těoto krystalů, kde vzorky byly předem obroušeny a oleptány na leSk.
Zviditelňováni jemné struktury polovodičových materiálů a zvláště strukturních, defektů se běžně provádí ohemiokým leptáním ve vodnýoh roztocích kyselin čl alkálii s různými přísadami ( R.K.Willardson, H.L.Goeringi Preparatlon of I1I-V Oompounds, vol.I.
New York, Reinhold Publ.Oer. (1962). Lesklé leptáni způsobuje vyhlazováni nerovnosti * vyrovnáni povrchu, kdežto leptáni k odhaleni struktumloh defektů leptá diferencovaně a defektni místa přednostně. V podstatě probíhají oba tyto druhy leptáni vždy Souběžně a současně a právě vhodným složením leptadel lze docílit toho, že převažuje buň vyhlazováni povrchu, nebo zviditelňováni strukturních vad. V každém případě však vzniká během leptáni na povrchu materiálu tenká vrstva leptadla nasycená rozpuštěnými produkty, nebo také vrstva plynné, které isoluje vlastni leptadlo od materiálu a bráni tak odhalováni jemné struktury. Z těehto důvodů je nutno vzorkem v leptadle pohybovat, nebo pohybovat leptadlem vůči vzorku, avěak tato běžná metoda, kterou popisuji mimů jiné R.K.Villardson, H.L.Goeringi Preparatlon of III-VÓompounds, vol.I, New York, Reinhold Bibl.Cer. (1962), je účinná jen částečně a do značné miry ovlivňuje reprodukovatelnost výsledků, zvláště při kvantitavnim vyhodnooováni počtu poruch v monokrystalu.
Tyto nevýhody lze odstranit podle tohoto vynélezu, jehož předmětem je způsob zvidltelňovóni strukturních defektů na monokrystalech polovodičových materiálů skupiny AIIIgV leptAnin ve vodných roztocích směsi kyselin nebo alkálii.
Podstatou vynálezu je pracovní postup, při kterém se leptáni provádí po dobu 15 až 60 sekund v ultrazvukovém poli o kmitočtu 10* až 10^ Hz při teplotě 15 až 50 °C, při čemž leptaci směs obsahuje aktivující přiměs 0,1 až 0,01 % těžkého kovu, například stříbro nebo měň. Ultrazvukem se neustále rozrušuje vrstvička leptacioh zplodin a plynů na povrchu vzorku, leptáni probíhá rychleji, je kontrolovatelně a reprodukovatelná, což právě bývá slabou stránkou běžného způsobu leptáni.
Leptání se provádí v zařízeni podle obrázku 1. Ve skleněné kádince 1 je silikonový olej 2 a v něm několik centimetrů nade dnem je uložen isolovaně zdroj ultrazvukových kmitů, např. křemenný výbrus g s polepy 4. K polepům se přivádí VF energie £ vhodného kmitočtu. V polyetylenové kádince 6 je položen nábrus zkoumaného materiálu 2, který byl předtím jemně obroušen a leskle oleptán. V této menši kádince je leptadlo 8 vhodného složeni, zpravidla méně agresivní než při normálním leptáni. Větěi kádinka 1 se silikonovým olejem 2 je uložena v chladícím mediu £ tak, aby se teplota silikonového oleje 2 udržovala během leptáni na teplotě 15 až 35 °C. Lázeň,se během leptáni vlivem vybavené ultrazvukové energie zahřívá.
Přiklad 1.
Jemně obroušený a na lesk oleptaný vzorek monokrystalu galllumarsehldu byl vložen do zařízeni dle obrázku 1 s leptadlem o složeni:
1 3 S 4 3 ml kyselina dusičná 65 % ml kyselina fluorovodíková 57 % ml kyselina octová ledová 100 % ml vodný roztok dusičnanu stříbrného 1 %.
Při použiti vysokofrekvenčního generátoru o výkonu 500 W a 10000 Hz leptáni probíhalo po dobu 50 sekund, načež byl vzorek rychle uložen do vody a dokonale opláchnut.
Touto metodou byl dosažen mnohem reálnější obraz leptaného materiálu než je možno získat klasickým způsobem leptáni. Rovněž bylo možné sledovat na metalografickém mikroskopu strukturu jednotlivých leptových důlků.
Příklad 2
Jemně obroušený a na lesk oleptaný vzorek monokrystalu křemíku byl vložen do zařízeni podle obrázku 1 a leptadlem o složeni:
ml kyselina dusičná 65 % ml kyselina fluorovodíková 57 % ml kyselina octová ledová 100 % * 1 g dusičnanu měčLnatého.
Při použiti vysokofrekvenčního generátoru o výkonu 500 W a 100000 Hz leptáni probíhalo po dobu 20 sekund, načež byl vzorek rychle opláchnut vodou a dokonale omyt.
Tímto postupem byl získán mnohem reálnější obraz a mnohem jemnější detaily struktury než je možno získat klasickým způsobem. Rovněž bylo možné sledovat na metalografickém mikroskopu dislokace ve shlucích i spirélni dislokace.
Příklad 5
Jemně obroušený a na lesk oleptaný vzorek monokrystalu germánia byl vložen do zařízeni podle obrázku 1 s leptadlem o složeni:
ml kyselina dusičná 65 % ml kyselina fluorovodíková 57 % ml kyselina octová ledová 100 % g dusičnanu měčlnatého.
Při použití vysokofrekvenčního generátoru o výkonu 500 W a 10000 Hz leptání probíhalo po dobu 50 sekund, načež byl vzorek rychle přenesen do vody a dokonale opláchnut.
Touto metodou byl dosažen mnohem, reálnější obraz leptaného materiálu než je možno získat klasickým způsobem. Rovněž bylo možné sledovat na metalografickém mikroskopu shlu ky velmi drobných leptových důlků , řádově menších než jsou běžné dislokace.
Způsob podle vynálezu je možno využít ve všech laboratořích, kde se připravují krystalické materiály A^B^, například pro kontrolu základního materiálu pro výrobu polovodičových prvků z materiálů AIIIBV a optických součástek z téhož materiálu.

Claims (1)

  1. ΡδϊίΜΪΤ VYNALEZU
    Způsob zviditelňováni jemné struktury na monokrystalech polovodičových materiálů skupiny A^^B^ leptáním ve vodných roztocích smčsi kyselin nebo alkálií, vyznačující
    4, c se tim, že se leptáni provádí v ultrazvukovém poli o kmitočtu 10 až 10 -Hz při teplotě 15 až 50 °C po dobu 15 - 60 sekund a leptací směs obsahuje aktivisujici příměs 0,1 až 0,01 % těžkého kovu, například stříbro nebo měň.
CS131081A 1981-02-24 1981-02-24 Způsob zviditelňováni jemné struktury na monokrystalech polovodičových III v materiálů skupiny A B leptáním. CS213543B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS131081A CS213543B1 (cs) 1981-02-24 1981-02-24 Způsob zviditelňováni jemné struktury na monokrystalech polovodičových III v materiálů skupiny A B leptáním.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS131081A CS213543B1 (cs) 1981-02-24 1981-02-24 Způsob zviditelňováni jemné struktury na monokrystalech polovodičových III v materiálů skupiny A B leptáním.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS213543B1 true CS213543B1 (cs) 1982-04-09

Family

ID=5347162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS131081A CS213543B1 (cs) 1981-02-24 1981-02-24 Způsob zviditelňováni jemné struktury na monokrystalech polovodičových III v materiálů skupiny A B leptáním.

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS213543B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Camp A Study of the Etching Rate of Single‐Crystal Germanium
US4100014A (en) Etching agent for III/V semiconductors
Amelinckx et al. Interaction of dislocations and F-centres in sodium chloride single crystals
US4274907A (en) Method of chemically polishing a doubly rotated quartz plate
Wegner et al. Preferential chemical etching of terrestrial and lunar olivines
CS213543B1 (cs) Způsob zviditelňováni jemné struktury na monokrystalech polovodičových III v materiálů skupiny A B leptáním.
Deslattes et al. Observations of Dislocations in Ammonium Dihydrogen Phosphate: Production of Dislocation‐Free Crystals
Sangwal et al. Etching studies on potassium dichromate (KBC) crystals
US3860467A (en) Method of etching a surface of a substrate comprising LITAO{HD 3 {B and chemically similar materials
US3533856A (en) Method for solution growth of gallium arsenide and gallium phosphide
Lawrence et al. Method for producing large Si films for preselected imperfection analysis
Bartlett et al. The generation of dislocation loops at the surfaces of crystals of silver bromide
Sato et al. Nucleation of Multiply Twinned Particles at an Early Stage of Vapor Deposition
Barber et al. Observations of dislocations and surface features in corundum crystals by electron transmission microscopy
Wegner et al. Chemical etching of dislocations in forsterite
Levinstein et al. Calcium tungstate. II. Observation of dislocations
Singh et al. Etching studies on crystals of thallium arsenic selenide
Ayres et al. Dislocation Arrangements Resulting from the Diffusion of Zn into Cu: Etch‐Pit Studies
Narayanan et al. Anomalous diffraction effects in gallium arsenide single crystals
JPH03106031A (ja) シリコンウェーハ
Wood et al. The Characterization of GaAs Surfaces
Sugawara et al. Dissolution Rates at Dislocation Sites on the (111) Surface of Cu Single Crystals Etched in Young’s Solution at 290 K
Fuschillo et al. Structure, Growth, and Properties of Twist and Tilt Grain Boundaries in Bicrystals of NaCl
Seifert Electron Microscopy of Etched Plagiodase Feldspar
SU990892A1 (ru) Способ травлени монокристаллов метаниобата лити