CS206747B1 - Míkropáskový impedanční transformátor - Google Patents
Míkropáskový impedanční transformátor Download PDFInfo
- Publication number
- CS206747B1 CS206747B1 CS57879A CS57879A CS206747B1 CS 206747 B1 CS206747 B1 CS 206747B1 CS 57879 A CS57879 A CS 57879A CS 57879 A CS57879 A CS 57879A CS 206747 B1 CS206747 B1 CS 206747B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- impedance
- microstrip
- impedance transformer
- line
- microstrip line
- Prior art date
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
Vynález se týká mikropáskového impedančního transformátoru použitelného ve struktuře mikropáskového vedení.
V klasických vlnovodových nebo koaxiálních vedeních se proměnná impedance realizuje obvykle pomocí kolíkových nebo pístových transformátorů event. transformátorů s posuvnými dielektriky. Ve struktuře mikropáskového vedení nelze těchto konstrukcí použít. Pro čely dolaďování, impedančního přizpůsobení atp. jě však velice žádoucí, aby také v mikropáskovém vedení bylo možno v jisté referenční rovině realizovat proměnnou impedanci. Dosud se v mikropáskovém vedení pro účely dolaďování nebo impedančního přizpůsobení používají přizpůsobovací pahýly, štěrbiny v pásku nebo úseky vedení o různé impedanci. Impedance takto realizované jsou pevně nastavené a jejich změna j^ možná pouze nevratně změnou • geometrie elementů například obrušováním. Spojitě měnit ve zvolené rovině impedanci beze změny • elektrických či magnetických parametrů substrátu i nebo bez použití nelineárních aktivních či pasivních prvků zatím nelze. ; ! i ' '
Uvedené nedostatky odstraňuje míkropáskový impedanční tiánsformátor ipodle vynálezu, jehož podstatou je, že na vrchní stráně substrátu mikropáskového vedení jsou nejméně pa dvou podélně a vzájemně poshvitýcy n^yiěích příčně uloženy [ transformační j struktury, vytvořené například ; I z páskových Vedení.
Míkropáskový impedanční transformátor fungu| je tak, že jím lze posuvem nosičů, na kterých jsou . | transformační-struktury, plynule měnit ve zvolené • referenční roVině reálnou i imaginární složku ! impedance, přičemž lze i referenční rovinu po vedení posouvat.
Zařízením podle vynálezu lze jednoduchým způsobem v mikropáskových obvodech přizpůsobovat různé prvky přímo na mikropáskové vedení. Transformační struktury vytvářejí spolu se základním mikropáskovým vedením úseky homogenního event. též úseky nehomogenního vedení — s vlnovým odporem odlišným od vlnového odporu základního mikropáskového vedení. V oblasti přechodu mezi tímto novým vedením a základním vedením dochází ke skokovým změnám vlnových odporů, které mají za následek vznik stojatého vlnění na základním mikropáskovém vedení a to i v tom případě, že toto vedení bylo před přiložením J| tráňsformačních struktur impedančně přizpůsobeTío.” Posuvem struktur podélzákladníhovedení beze změny jejich vzájemně polohy lze měnit fázi stojatého vlnění, při změně jejich vzájemné polohy dochází ke změně poměru napěťových stojatých vln. Z hlediska elektrických vlastností jde tedy o obdobu transformátoru s posuvnými dielektriky ^používaného v koaxiálním vedení. Transformační j struktury mohou být tvořeny vodivými plochami, které mohou mít galvanické kluzné spojení se základním vedením, dielektrickými nebo magnetickými materiály, které jsou posuvně umístěny na horní straně substrátu základního mikropáskového vedení. Mohou být neseny nosičem, jehož relativní permitivita nebo relativní permeabilita může být ve srovnání s relativní permitivitou nebo relativní permeabilitou základního substrátu taká nízká, že jeho vliv na rozložení elektromagnetického pole v okolí transformačních struktur lze zanedbat. K dosažení vhodného rozsahu realizované impedance lze také využít skokové změny vlnového! odporu základního mikropásku pomocí skokové ! změny jeho šířky nebo nehomogenního základního mikropáskového vedení. Technická realizace po- , suvného impedančního transformátoru může mít· variabilní konstrukci při dodržení výše uvedených'· elektrických a mechanických vlastností jeho jednotlivých částí.
Vynález je blíže popsán podle přiloženého výkřesu. Připojený výkres znázorňuje jedno z mož- ! ných řešení posuvného mikropáskového impedančního transformátoru podle vynálezu. Mikro*; páskový impedanční transformátor má transformační struktury 2 vytvořené ze dvou čtvrtvlnových úseků páskového vedení, vytvořeného vodivými pásky o nižším vlnovém odporu než je vlnový
QJ odpoFmikropáškového vedení 1, které jsou naneseny na dvou polystyrénových nosičích 3. Přítlakem ve směru šipek je zajištěno galvanické spojení se základním mikropáskovým vedením 1. Například při bezodrazovém zakončení základního mikropáskového vedení s vlnovým odporem 50 Ω bylo možno v pásmu 8 až 12 GHz spojitě měnit výslednou impedanci takto: při frekvenci 8 případně 12 GHz bylo možno realizovat jakoukoliv impedanci, která se zobrazí ve Smithově diagramu v ploše mezikruží vymezeného kružnicí konstantního poměru napěťových stojatých vln 1,2 případně 2 a kružnicí konstantního poměru napěťových stojatých vln 30 případně 30.
Mikropáskový impedanční transformátor podle vynálezu umožňuje na mikropáskóvém vedení 1 realizovat ve zvolené referenční rovině impedanci, ! jejíž reálpá a imaginární složka je proměnná.
! Referenční rovinu, ve které je impedance realizo! vána lze podél základního vedení posouvat. Y mi-! kropáskové struktuře lze takto impedančně prii způsobovat různé prvky přímo na homogenní ; vedení bez nutnosti vytvářet přizpůsobovací pahýly ‘ a podobně. Lze například optimalizovat přechody, i z mikrovlnných vedení mikropáskových na vedení i jiných typů, nastavovat držáky diod, přelaďovat; a výkonově optimalizovat obvody oscilátorů, měřit impedanci aktivních prvků._ ______.J__
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUMikropáskový impedanční transformátor s proměnnou impedancí v referenční rovině vyznačující ; se tím, že na vrchní straně substrátu mikropáskového vedení (1) jsou nejméně na dyou podélně a vzájemně posuvných nosičích (3) příčně úloženy transformační struktury (2), vytvořené například z páskových vedení.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS57879A CS206747B1 (cs) | 1979-01-25 | 1979-01-25 | Míkropáskový impedanční transformátor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS57879A CS206747B1 (cs) | 1979-01-25 | 1979-01-25 | Míkropáskový impedanční transformátor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS206747B1 true CS206747B1 (cs) | 1981-06-30 |
Family
ID=5338111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS57879A CS206747B1 (cs) | 1979-01-25 | 1979-01-25 | Míkropáskový impedanční transformátor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS206747B1 (cs) |
-
1979
- 1979-01-25 CS CS57879A patent/CS206747B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Polat et al. | Tunable liquid crystal filter in nonradiative dielectric waveguide technology at 60 GHz | |
| US7133180B2 (en) | Resonant impedance matching in microwave and RF device | |
| USRE46820E1 (en) | Impedance tuner systems and probes | |
| Hoefer | Equivalent series inductivity of a narrow transverse slit in microstrip | |
| Simons et al. | Modeling of coplanar stripline discontinuities | |
| Goverdhanam et al. | Coplanar stripline components for high-frequency applications | |
| Mukherjee et al. | Design of a broadband coaxial to substrate integrated waveguide (SIW) transition | |
| Das et al. | Excitation of waveguide by stripline-and microstrip-line-fed slots | |
| Sahoo et al. | Design of an ultrawideband planar Guanella balun | |
| CS206747B1 (cs) | Míkropáskový impedanční transformátor | |
| US4644302A (en) | Microwave power divider | |
| Gillick et al. | Ultra low impedance CPW transmission lines for multilayer MMICs | |
| Ding et al. | Varactor-tuned substrate integrated waveguide phase shifter | |
| US3955156A (en) | Microwave power divider and magic tee each comprising coplanar and slot transmission lines | |
| Peng et al. | Slotted substrate integrated waveguide phase shifter | |
| Issa et al. | A Compact X-Band Coplanar Waveguide Hybrid Lowpass Filter | |
| Choi et al. | X-band and Ka-band tunable devices using low-loss BST ferroelectric capacitors | |
| Naylor et al. | Miniaturized slow-wave coplanar waveguide circuits on high-resistivity silicon | |
| Singh et al. | A compact ultra-wideband conductor-backed CPW crossover with improved isolation | |
| Rastogi et al. | Coplanar waveguide characterization with thick metal coating | |
| Jha et al. | Design of Dual-Band Bandpass Filter on Coplanar Waveguide Using Meander Inductor | |
| EP1276167A1 (en) | Variable-frequency resonator, variable-frequency oscillator, and variable-frequency filter | |
| Kang et al. | Design of Bias Network with Suspended Microstrip Line | |
| Uwano et al. | Characterization of microstrip-to-slotline transition discontinuites by transverse resonance analysis | |
| CS205688B1 (cs) | Mikropáskový zkrat |