CS206747B1 - Míkropáskový impedanční transformátor - Google Patents

Míkropáskový impedanční transformátor Download PDF

Info

Publication number
CS206747B1
CS206747B1 CS57879A CS57879A CS206747B1 CS 206747 B1 CS206747 B1 CS 206747B1 CS 57879 A CS57879 A CS 57879A CS 57879 A CS57879 A CS 57879A CS 206747 B1 CS206747 B1 CS 206747B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
impedance
microstrip
impedance transformer
line
microstrip line
Prior art date
Application number
CS57879A
Other languages
English (en)
Inventor
Karel Hoffmann
Jan Zehentner
Original Assignee
Karel Hoffmann
Jan Zehentner
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Karel Hoffmann, Jan Zehentner filed Critical Karel Hoffmann
Priority to CS57879A priority Critical patent/CS206747B1/cs
Publication of CS206747B1 publication Critical patent/CS206747B1/cs

Links

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

Vynález se týká mikropáskového impedančního transformátoru použitelného ve struktuře mikropáskového vedení.
V klasických vlnovodových nebo koaxiálních vedeních se proměnná impedance realizuje obvykle pomocí kolíkových nebo pístových transformátorů event. transformátorů s posuvnými dielektriky. Ve struktuře mikropáskového vedení nelze těchto konstrukcí použít. Pro čely dolaďování, impedančního přizpůsobení atp. jě však velice žádoucí, aby také v mikropáskovém vedení bylo možno v jisté referenční rovině realizovat proměnnou impedanci. Dosud se v mikropáskovém vedení pro účely dolaďování nebo impedančního přizpůsobení používají přizpůsobovací pahýly, štěrbiny v pásku nebo úseky vedení o různé impedanci. Impedance takto realizované jsou pevně nastavené a jejich změna j^ možná pouze nevratně změnou • geometrie elementů například obrušováním. Spojitě měnit ve zvolené rovině impedanci beze změny • elektrických či magnetických parametrů substrátu i nebo bez použití nelineárních aktivních či pasivních prvků zatím nelze. ; ! i ' '
Uvedené nedostatky odstraňuje míkropáskový impedanční tiánsformátor ipodle vynálezu, jehož podstatou je, že na vrchní stráně substrátu mikropáskového vedení jsou nejméně pa dvou podélně a vzájemně poshvitýcy n^yiěích příčně uloženy [ transformační j struktury, vytvořené například ; I z páskových Vedení.
Míkropáskový impedanční transformátor fungu| je tak, že jím lze posuvem nosičů, na kterých jsou . | transformační-struktury, plynule měnit ve zvolené • referenční roVině reálnou i imaginární složku ! impedance, přičemž lze i referenční rovinu po vedení posouvat.
Zařízením podle vynálezu lze jednoduchým způsobem v mikropáskových obvodech přizpůsobovat různé prvky přímo na mikropáskové vedení. Transformační struktury vytvářejí spolu se základním mikropáskovým vedením úseky homogenního event. též úseky nehomogenního vedení — s vlnovým odporem odlišným od vlnového odporu základního mikropáskového vedení. V oblasti přechodu mezi tímto novým vedením a základním vedením dochází ke skokovým změnám vlnových odporů, které mají za následek vznik stojatého vlnění na základním mikropáskovém vedení a to i v tom případě, že toto vedení bylo před přiložením J| tráňsformačních struktur impedančně přizpůsobeTío.” Posuvem struktur podélzákladníhovedení beze změny jejich vzájemně polohy lze měnit fázi stojatého vlnění, při změně jejich vzájemné polohy dochází ke změně poměru napěťových stojatých vln. Z hlediska elektrických vlastností jde tedy o obdobu transformátoru s posuvnými dielektriky ^používaného v koaxiálním vedení. Transformační j struktury mohou být tvořeny vodivými plochami, které mohou mít galvanické kluzné spojení se základním vedením, dielektrickými nebo magnetickými materiály, které jsou posuvně umístěny na horní straně substrátu základního mikropáskového vedení. Mohou být neseny nosičem, jehož relativní permitivita nebo relativní permeabilita může být ve srovnání s relativní permitivitou nebo relativní permeabilitou základního substrátu taká nízká, že jeho vliv na rozložení elektromagnetického pole v okolí transformačních struktur lze zanedbat. K dosažení vhodného rozsahu realizované impedance lze také využít skokové změny vlnového! odporu základního mikropásku pomocí skokové ! změny jeho šířky nebo nehomogenního základního mikropáskového vedení. Technická realizace po- , suvného impedančního transformátoru může mít· variabilní konstrukci při dodržení výše uvedených'· elektrických a mechanických vlastností jeho jednotlivých částí.
Vynález je blíže popsán podle přiloženého výkřesu. Připojený výkres znázorňuje jedno z mož- ! ných řešení posuvného mikropáskového impedančního transformátoru podle vynálezu. Mikro*; páskový impedanční transformátor má transformační struktury 2 vytvořené ze dvou čtvrtvlnových úseků páskového vedení, vytvořeného vodivými pásky o nižším vlnovém odporu než je vlnový
QJ odpoFmikropáškového vedení 1, které jsou naneseny na dvou polystyrénových nosičích 3. Přítlakem ve směru šipek je zajištěno galvanické spojení se základním mikropáskovým vedením 1. Například při bezodrazovém zakončení základního mikropáskového vedení s vlnovým odporem 50 Ω bylo možno v pásmu 8 až 12 GHz spojitě měnit výslednou impedanci takto: při frekvenci 8 případně 12 GHz bylo možno realizovat jakoukoliv impedanci, která se zobrazí ve Smithově diagramu v ploše mezikruží vymezeného kružnicí konstantního poměru napěťových stojatých vln 1,2 případně 2 a kružnicí konstantního poměru napěťových stojatých vln 30 případně 30.
Mikropáskový impedanční transformátor podle vynálezu umožňuje na mikropáskóvém vedení 1 realizovat ve zvolené referenční rovině impedanci, ! jejíž reálpá a imaginární složka je proměnná.
! Referenční rovinu, ve které je impedance realizo! vána lze podél základního vedení posouvat. Y mi-! kropáskové struktuře lze takto impedančně prii způsobovat různé prvky přímo na homogenní ; vedení bez nutnosti vytvářet přizpůsobovací pahýly ‘ a podobně. Lze například optimalizovat přechody, i z mikrovlnných vedení mikropáskových na vedení i jiných typů, nastavovat držáky diod, přelaďovat; a výkonově optimalizovat obvody oscilátorů, měřit impedanci aktivních prvků._ ______.J__

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Mikropáskový impedanční transformátor s proměnnou impedancí v referenční rovině vyznačující ; se tím, že na vrchní straně substrátu mikropáskového vedení (1) jsou nejméně na dyou podélně a vzájemně posuvných nosičích (3) příčně úloženy transformační struktury (2), vytvořené například z páskových vedení.
CS57879A 1979-01-25 1979-01-25 Míkropáskový impedanční transformátor CS206747B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS57879A CS206747B1 (cs) 1979-01-25 1979-01-25 Míkropáskový impedanční transformátor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS57879A CS206747B1 (cs) 1979-01-25 1979-01-25 Míkropáskový impedanční transformátor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS206747B1 true CS206747B1 (cs) 1981-06-30

Family

ID=5338111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS57879A CS206747B1 (cs) 1979-01-25 1979-01-25 Míkropáskový impedanční transformátor

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS206747B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Polat et al. Tunable liquid crystal filter in nonradiative dielectric waveguide technology at 60 GHz
US7133180B2 (en) Resonant impedance matching in microwave and RF device
USRE46820E1 (en) Impedance tuner systems and probes
Hoefer Equivalent series inductivity of a narrow transverse slit in microstrip
Simons et al. Modeling of coplanar stripline discontinuities
Goverdhanam et al. Coplanar stripline components for high-frequency applications
Mukherjee et al. Design of a broadband coaxial to substrate integrated waveguide (SIW) transition
Das et al. Excitation of waveguide by stripline-and microstrip-line-fed slots
Sahoo et al. Design of an ultrawideband planar Guanella balun
CS206747B1 (cs) Míkropáskový impedanční transformátor
US4644302A (en) Microwave power divider
Gillick et al. Ultra low impedance CPW transmission lines for multilayer MMICs
Ding et al. Varactor-tuned substrate integrated waveguide phase shifter
US3955156A (en) Microwave power divider and magic tee each comprising coplanar and slot transmission lines
Peng et al. Slotted substrate integrated waveguide phase shifter
Issa et al. A Compact X-Band Coplanar Waveguide Hybrid Lowpass Filter
Choi et al. X-band and Ka-band tunable devices using low-loss BST ferroelectric capacitors
Naylor et al. Miniaturized slow-wave coplanar waveguide circuits on high-resistivity silicon
Singh et al. A compact ultra-wideband conductor-backed CPW crossover with improved isolation
Rastogi et al. Coplanar waveguide characterization with thick metal coating
Jha et al. Design of Dual-Band Bandpass Filter on Coplanar Waveguide Using Meander Inductor
EP1276167A1 (en) Variable-frequency resonator, variable-frequency oscillator, and variable-frequency filter
Kang et al. Design of Bias Network with Suspended Microstrip Line
Uwano et al. Characterization of microstrip-to-slotline transition discontinuites by transverse resonance analysis
CS205688B1 (cs) Mikropáskový zkrat