CS201551B1 - Aktivní pásmová propust - Google Patents

Aktivní pásmová propust Download PDF

Info

Publication number
CS201551B1
CS201551B1 CS692478A CS692478A CS201551B1 CS 201551 B1 CS201551 B1 CS 201551B1 CS 692478 A CS692478 A CS 692478A CS 692478 A CS692478 A CS 692478A CS 201551 B1 CS201551 B1 CS 201551B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
voltage
active band
capacitor
band
band filter
Prior art date
Application number
CS692478A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiri Pomichalek
Josef Trnka
Jaroslav Hruby
Original Assignee
Jiri Pomichalek
Josef Trnka
Jaroslav Hruby
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Pomichalek, Josef Trnka, Jaroslav Hruby filed Critical Jiri Pomichalek
Priority to CS692478A priority Critical patent/CS201551B1/cs
Publication of CS201551B1 publication Critical patent/CS201551B1/cs

Links

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

Dosud známé pásmové propusti jsou tvořeny klasickými prvky a to buď LC nebo RC nebo RC s rozprostřenými parametry. Tyto pásmové propusti splňují velmi dobře a jednoduše svou funkci, ale jen potud, pokud na ně nejsou kladeny zvýšené požadavky zejména na vysoký činitel jakosti Q a na stabilitu. Jsou rovněž známy pásmové propusti, které používají krystalových rezonátorů ve spojení s pasivními LC prvky. Tyto pásmové propusti vyhovují sice vysokým požadavkům na činitel jakosti Q a na stabilitu, obsahují však zpravidla vinuté části, například složité a pracné diferenciální transformátory. Krystalové rezonátory, i když mají vynikající teplotní a časové charakteristiky a vysoký činitel jakosti Q, jsou rozměrné a velmi drahé, zejména pro malá množství a atypické kmitočty. Jejich další nevýhodou je poměrně malá mechanická odolnost. Těchto rezonátorů se využívá všude tam, kde časová nebo teplotní stabilita nebo činitel jakosti klasických elektrických prvků LC, RC a RC nesplňují na ně kladené požadavky.
Fřitoin však nebývají někdy vlastnosti krystalových rezonátorů v plné míře využity, často je nutno je dokonce zhoršovat například zatlumením přídavným odporem pro dosažení žádaného průběhu útlumové charakteristiky filtru.
Účelem vynálezu je zajistit dobrou funkci pásmových propustí v případech, kdy parametry klasických elektrických prvků LC, RC a RC již nevyhovují a parametry krystalických rezonátorů jsou zbytečně kvalitní a tudíž neekonomické.
Podstata aktivní pásmové propusti podle vynálezu spočívá v tom, že k výstupu alespoň jednoho napěťového řízeného zdroje napětí je připojen složený piezokeramický měnič.
Výhodou aktivní pásmové propusti podle vynálezu je především to, že umožňuje realizaci pólů přenosové funkce v blízkosti imaginární osy s vysokou teplotní a časovou stabilitou. Přitom pracné a složité vinuté prvky jsou s výhodou nahrazeny napěťově řízenými zdroji napětí. Ve srovnání s propustmi s krystalovými rezonátory jsou mechanicky odolnější, méně náročné na prostor a levnější. Přitom složené piezokeramické rezonátory lze velmi snadno doladit na požadovaný kmitočet broušením.
Vynález bude dále blíže vysvětlen na příkladových zapojeních podle přiloženého výkresu, kde na obr. 1 je znázorněno jedno z možných konstrukčních řešení složeného piezokeramického měniče, na obr. 2 je náhradní elektrické schéiňa složeného piezoelektrického měniče, na obr. 3 je příklad zapojení aktivní pásmové propusti realizující póly přenosové funkce druhého stupně v blízkosti imaginární osy, na obr. 4 je jiný příklad zapojení aktivní pásmové propusti realizující póly přenosové funkce čtvrtého stupně v blízkosti imaginární osy a obr. 5 představuje konkrétní realizaci obvodu podle obr. 3.
K piezokeramické destičce 1 na obr. 1 jsou připojeny dva kovové válečky 2, 3. K těmto válečkům jsou připojeny elektrické vývody 4, 5. Připojením elektrického signálu na vývody 4, 5 se piezokeramická destička 1 rozkmitá, její kmitočtová, časová a teplotní stabilita by však nebyla dostačující. Připojené kovové válečky 2, 3 vyrobené ze speciální slitiny s minimalizovanou teplotní závislostí Youngova modulu pružnosti parametry celého měniče podstatně zlepšují. Následkem toho se soustava podle obr. 1 chová jako velmi kvalitní elektromechanický rezonátor, který lze z elektrického hlediska s dostatečnou přesností modelovat náhradním schématem podle obr. 2. Náhradní schéma se skládá z paralelního spojení dvou větví, z nichž jedna obsahuje statickou kapacitu CO a druhá sériový rezonanční obvod složený z dynamického odporu R dynamické indukčnosti LI a dynamické kapapacity Cl. Vliv statické kapacity CO je obvykle nežádoucí a v obvodech se ho snažíme vhodným zapojením vyloučit. Vstupní signálové napětí U1 na obr. 3 je přiváděno na vstup invertu jícího, zesilovače Z1 s negativním zesílením — K a dále: na vstup neinvertujícího zesilovače Z2 spozitivním ze^ sílením +K. K výstupu invertu jícího zesilovače Z1 je připojena první svorka piezokeramického měniče X, jehož druhá svorka je spojena s první svorkou kondenzátoru C a s jednou svorkou impedance jejíž druhá svorka je uzemněna. Druhá svorka kondenzátoru C je spojena s výstupem neinvertujícího zesilovače Z2. Výstupní signálové naP Ř E D M 0T
Aktivní pásmová propust realizující póly přenosové funkce v blízkosti imaginární osy, vyznačená tím, že k výstupu alespoň jednopětí U2 se odebírá z impedance Z. Větev s kondenzátorem C je napájena napětím Ub, jehož fáze je posunuta o 180° oproti napětí Ua napájecímu piezokeramický měnič X. Proud II tekoucí piezokeramickým měničem X a proud 12 tekoucí kondenzátorem C se sčítají v impedanci Z. Fázový posuv mezi těmito proudy II, 12 umožňuje vzájemně vykompenzovat kapacitu kondenzátoru C a statickou kapacitu CO piezokeramického měniče X. Pro výsledný napěťový přenos se pak uplatní pouze sériová rezonanční větev piezokeramického měniče X, to je Cl, LI, R z obr. 2. Napěťový přenos pak skutečně odpovídá přenosu pásmové propusti 2. řádu.
Příklad zapojení pásmové propusti 4. řádu je uveden na obr. 4. Zapojení se' shoduje se zapojením podle obr. 3 až na to, že místo kondenzátoru C je zapojen další piezokeramický měnič XI. Přenosová admitance obvodu, tj. poměr proudu I tekoucího do impedance Z ke vstupnímu napětí U1 je dán rozdílem admitancí obou měničů X, XI. Tato přenosová admitance a tudíž také napěťový přenos je 4. řádu.
Příklad praktické realizace obvodu podle obr. 3 je znázorněn na obr. 5. Invertující zesilovač Z1 i neinvertující zesilovač Z2 z obr. 3 popřípadě zobr. 4 jsou realizovány jediným parafázovým zesilovačem s tranzistorem TI. Vstupní signálové napětí U1 je přiváděno do báze tranzistoru TI, jehož emitor a zem je připojen k prvému odporu R1 a mezi jehož kolektor a zdrojové napětí UZ je připojen druhý odpor R2. Ke kolektoru tranzistoru TI, je připojen dále kondenzátor C a k emitóru tranzistoru TI je připojen piezokeramický měnič X, Zbývající svorky kondenzátoru C a měniče X jsou navzájem propojeny a spojeny s impedancí Z, jejíž druhá svorka je uzemněna. Napětí na prvním, odporu R1 je v protifázi k napětí na druhém odporu R2. Tato napětí napájejí větev s piezokeramickým měničem X a kondenzátorem C. Proudy II, 12 tekoucí těmito větvemi se sečítají na impedanci Z, ze které je odebíráno výstupní napětí U2.
VYNÁLEZU

Claims (1)

  1. VYNÁLEZU ho napěťově řízeného zdroje napětí (1, 2) je připojen složený piezokeramický měnič (X).
    5 výkresů
CS692478A 1978-10-25 1978-10-25 Aktivní pásmová propust CS201551B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS692478A CS201551B1 (cs) 1978-10-25 1978-10-25 Aktivní pásmová propust

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS692478A CS201551B1 (cs) 1978-10-25 1978-10-25 Aktivní pásmová propust

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS201551B1 true CS201551B1 (cs) 1980-11-28

Family

ID=5417397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS692478A CS201551B1 (cs) 1978-10-25 1978-10-25 Aktivní pásmová propust

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS201551B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3585537A (en) Electric wave filters
JP5052136B2 (ja) 複合共振回路及び同回路を使用した発振回路
US3731230A (en) Broadband circuit for minimizing the effects of crystal shunt capacitance
US5030926A (en) Voltage controlled balanced crystal oscillator circuit
US4134085A (en) Narrow deviation voltage controlled crystal oscillator for mobile radio
CN1068156C (zh) 多谐振器的振荡器
US3526858A (en) Band filter of the n-path type
US5949295A (en) Integratable tunable resonant circuit for use in filters and oscillators
SE429488B (sv) Resonatoranordning for kopplade ljudvagor
CS201551B1 (cs) Aktivní pásmová propust
US4001735A (en) Single amplifier immittance network
JP3116318B2 (ja) 直列共振で運転される共振器を有するフイルタ回路
KR840008899A (ko) 발진기 회로
US3535649A (en) Active filters
US3509482A (en) Active filter networks
Bruton A transistor realization of the generalized impedance converter
Bachmann Transistor active filters using twin-T rejection networks
Sauerland et al. Ceramic IF filters for consumer products
US5196811A (en) Oscillator circuit employing quadrature networks for maintaining a constant impedance
US2829256A (en) Oscillator
US4028640A (en) Piezo-electric tuning fork oscillation circuit
US3428906A (en) Wide band frequency modulated signal detector
JP2002198798A (ja) 出力回路
SU629622A1 (ru) Кварцевый автогенератор
RU1795309C (ru) Пьезокварцевый преобразователь температуры с частотным выходом