CN2886769Y - 磁屏蔽线圈 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了具有磁屏蔽功能的电力线圈。它具有线圈1,在线圈1的外部空间放置磁屏蔽墙2,磁屏蔽墙2的边缘朝向漏磁场。磁屏蔽墙2将漏磁和电磁辐射完全限制在线圈1与磁屏蔽墙2之间的范围内部,对磁屏蔽墙的外部没有泄漏和辐射。磁屏蔽墙2本身不会局部发热,也不会使外部环境的金属构件或壳体局部发热;而且制作简单,损耗低噪声小,可应用于电抗器、变压器、互感器等电力设备。

Description

磁屏蔽线圈
所属领域:
本实用新型涉及电力设备的一种线圈。
背景技术:
许多电力设备内部安装有线圈,如变压器、电抗器、互感器等,线圈产生的漏磁或电磁辐射,会使线圈外部的金属构件或壳体局部发热,还会干扰仪表、计算机或其他电力设备的正常工作。
发明内容:
本实用新型从源头上入手,彻底解决了漏磁影响,将线圈产生的漏磁或电磁辐射完全限制在磁屏蔽墙2与线圈1之间的范围内,磁屏蔽墙2的外侧空间则没有漏磁和电磁辐射。而且,磁屏蔽墙2本身不会局部过热,不会使磁屏蔽墙2外侧的任何金属构件局部过热,也不会干扰仪表、计算机等的正常工作。
磁屏蔽墙2由很薄的导磁材料叠加而成,导磁材料的边缘朝向漏磁场的磁力线方向,这样就使磁力线的矢量方向与导磁材料处在同一个平面或平行,并且与导磁材料边缘的断面相交,避免了磁力线穿过或切割导磁材料平面或表面。各方向漏磁通沿着导磁材料边缘进入磁屏蔽墙2的导磁材料,并且沿着晶粒方向或磁阻最小的方向流通;而且,极大地减少或消除了漏磁通在导磁材料中形成的涡流,改善了电场和磁场。因此损耗低、噪音小、节能环保。
图1是该实用新型的空间结构:线圈1的外侧四周、上端及下端放置了数块磁屏蔽墙2。线圈1的漏磁进入磁屏蔽墙2,只在磁屏蔽墙2与线圈1之间流通,不会泄漏到磁屏蔽墙2另一侧的空间;而且,线圈1的电磁波辐射也被磁屏蔽墙2吸收和衰减。
磁屏蔽墙2也可以采用拼装结构,数块磁屏蔽墙拼装组合在一起,组成整体磁屏蔽墙,中间留有间隙以利于散热。磁屏蔽墙可以通过接地片有效接地。
线圈1是产生磁场的源,可以是一个绕组或多个绕组,也可以有磁芯或没有磁芯。线圈1的绕组可以是圆形、矩形或其他形状。
本实用新型的磁屏蔽墙2可以形成了一个有间隙的封闭空间,漏磁和电磁辐射能够完全限制在这个空间内部,而空间外部则没有漏磁。
本实用新型可以开发出没有漏磁的线圈或电力设备。
对于图1所示完整的空间结构,去掉一个或数个磁屏蔽墙2,会使漏磁向一定空间泄漏和传播,这样该磁屏蔽线圈的漏磁就在一定范围、方向和空间辐射和传播,即该适用新型可以限制和调节线圈1漏磁的存在空间,这样就构成了以下几种应用:
1.在某个位置没有漏磁或漏磁较弱,则可以去掉该处磁屏蔽墙;或者在某个位置或空间不考虑漏磁的影响,则可不在此处设置磁屏蔽墙;
2.在某个位置或空间要防止漏磁的影响,则在该处保留或放置磁屏蔽墙;而其他不需要考虑漏磁影响的空间,则可不设置磁屏蔽墙。
3.某个金属构件或壳体由于漏磁的作用而局部过热,则可以在适当位置和空间设置磁屏蔽墙,把漏磁阻挡和限制在一定范围,不使漏磁穿过该部件,便消除了这种局部过热。
磁屏蔽墙2由导磁材料做成,可以是任意几何形状。在此,以硅钢片做成的矩形磁屏蔽墙为例来进行说明。
在图2所示矩形磁屏蔽墙2中间是长方形硅钢片21,数张大小相同的长方形硅钢片边缘对齐地垒叠在一起,成为一个长方体;该长方体最外侧两张长方形硅钢片21的外侧是长方形绝缘板23,长方形绝缘板外侧是长方形钢板条24;长方形硅钢片21,长方形绝缘板23,长方形钢板条24迭加在一起,在当中适当位置有二个圆孔2F,在孔2F中装有绝缘管25,用螺杆2A穿过绝缘管25、螺母2D,把每张硅钢片21、绝缘板23、钢板条24紧固连接成磁屏蔽墙2,此时磁屏蔽墙2中的硅钢片21与钢板条24、螺杆2A是绝缘的。在硅钢片21靠近绝缘板23处放置一个铜带作为磁屏蔽墙的接地片22,便于接地。
附图说明:
图1为本实用新型的主、俯视图;
图2为磁屏蔽墙2的主、俯、左三视图。
具体实施:
摘要附图为本实用新型图1所示结构的一种具体实现,将漏磁完全屏蔽在磁屏蔽墙2形成的空间内部,消除了漏磁对外界环境的影响。在摘要附图中(图中没有画出正前方的磁屏蔽墙),线圈1与上、下端的磁屏蔽墙2之间有绝缘块3,在其他部件的配合下将线圈夹紧固定。

Claims (1)

1.一种磁屏蔽线圈,它具有线圈1和在线圈1的外围空间放置的磁屏蔽墙2,其特征是:磁屏蔽墙2的导磁材料的边缘朝向漏磁场的磁力线方向,磁力线的方向与导磁材料处在同一个平面或平行,并且与导磁材料边缘的断面相交,漏磁通沿着磁屏蔽墙2的导磁材料边缘进入导磁材料并且流通,避免了磁力线穿过或切割导磁材料平面或表面,磁阻和涡流极小。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102573429A (zh) * 2010-12-09 2012-07-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 屏蔽装置、加工方法及设备、半导体设备
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