CN2854694Y - 用长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器寿命 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种利用使用长寿命的非挥发性随机存储芯片，或者长寿命的非挥发性非随机存储芯片构成的物理分区，在这个分区中进行需要在外部主存储介质盘构成的存储器中存储需要频繁读写的数据文件的储存区的存储介质部分。这个物理分区可以作为“存储器和所存储的文件基本信息数据”的存储区，和/或作为虚拟存储器，来提高磁、光、半导体等多种内部和/或外部非挥发性数据文件存储器使用寿命的方法。特别涉及一种使用具有长寿命的非挥发性随机存储芯片的内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的存储控制器和将其作为内部和/或外部非挥发性数据文件存储器存储介质的方法。

Description

用长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器寿命

技术领域

本实用新型涉及一种利用使用长寿命的非挥发性随机存储芯片，或者长寿命的非挥发性非随机存储芯片提高磁、光、半导体等多种内部和/或外部非挥发性数据文件存储器使用寿命的方法。特别涉及一种使用具有长寿命的非挥发性随机存储芯片的内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的存储控制器和将其作为内部和/或外部非挥发性数据文件存储器存储介质的方法。

本实用新型说明书中所说的1.“数据文件”是指不包括主机基本输入/输出系统(BIOS)的各种类型的数据文件。2.内部和/或外部非挥发性数据文件存储器是指不包括主机的内部存储模块ROM、SRAM、DRAM，等存储器，以及主机内安装的运行操作系统及应用程序的随机存储器DRAM等存储器，而是为了保存数据文件而安装的非挥发性存储器。

背景技术

目前磁、光和半导体存储器的存储技术不断发展，使得硬盘、可读写光盘、磁光盘、半导体移动存储卡的容量不断增加，功能不断增强，性能不断改进。但是其使用寿命受到某些因素的限制，影响到在某些方面的应用。

目前世界上提高内部和/或外部非挥发性数据文件存储器使用寿命的研究，主要在提高其存储材料本身的使用寿命上进行研究，例如“虽然经过多年的研究，但是到目前FlashROM的读写寿命也就在几十万次到几百万次，这个读写次数的寿命使得FlashROM作为USB闪盘的存储芯片是可以的，作为使用DOS、UNIX、LINUX等操作系统所使用的存储盘(DOM盘)也是可以的，因为这些操作系统不象WINDOWS操作系统将硬盘当作虚拟存储器而频繁进行存储与读写操作，因而读写次数不多，但是作为WINDOWS操作系统所使用的存储盘是有问题的，因为此时读写次数要大大增加，使用时间大大缩短，可能是用不了多久就损坏了，使得使用成本大大增加。同样因为图像摄取是30幅/秒，因此使用FlashROM存储器就无法用于各种需要录制摄像资料的设备中，如飞机、汽车等黑盒子所使用的存储器，而因为震动较大，硬盘等也无法使用，所以这些设备目前无法存储录像资料。

而本实用新型提高内部和/或外部非挥发性数据文件存储器使用寿命所采用的方法不是提高在现有的材料使用寿命，而是通过使用具有较长使用寿命的非挥发性随机存储器和/或挥发性随机存储器代替内部和/或外部非挥发性数据文件存储器中的有中等重复写入次数限制或者有较高重复写入次数限制的存储介质中，存储读写频率较高的数据的存储区域的存储介质，减低主存储介质的重复写入次数限制，来提高内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的使用寿命。这样可以提高主存储介质至少几十倍到几百倍甚至几千倍的使用寿命。使得这些存储器可以用于各种需要长寿命存储器的地方使用，例如：不仅可以用于使用WINDOWS操作系统的计算机上，而且可以作为各种需要录制摄像资料的存储器，如飞机、汽车等黑盒子存储器以及各种摄像机的存储器，使得这些设备的功能大大扩展。

因为内部和/或外部非挥发性数据文件存储器进行数据存储时需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据，如：DOS、Windows、Windows NT等操作系统所使用的FAT、FAT32、NTFS，LINUX操作系统所使用的EXT2文件管理系统等等，各种计算机操作系统或者各种专用的操作系统在每次对内部和/或外部非挥发性数据文件存储器进行读写存储数据时，都要读写引导扇区(BOOT)、文件分配表(FAT)、文件目录表(FDT)。如果是硬盘，在0柱面0磁头I扇区还存一个由FDISIC分区命令形成的主引导扇区。它由主引导记录+分区表+有效标志组成。(一般要读Partition Table、BOOT、MBR、DBR、FAT、FDT)。而上述存储这些文件和数据的区域的存储介质因为需要频繁读写，因此存储这些数据的存储介质很容易达到读写寿命的最高读写次数，而造成这部分存储介质的损坏，而它们又是存储这个存储器存储的文件存放信息的信息，因此他们的损坏就造成这个存储器存储数据的丢失，所以它们的寿命直接决定了内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的使用寿命。而数据区的存储介质因为频繁读写的次数比较起来不是太多，损坏的情况不是很多，即使损坏也只是个别数据的丢失或者个别文件的损坏，造成的损失相对比较小。因此本实用新型使用具有比较长使用寿命的非挥发性随机存储器代替存储器中具有相对比较短使用寿命的有重复写入次数限制的存储介质存储这部分“存储器和所存储的文件基本信息数据”数据，既可以大大延长内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的使用寿命，也不会因为某一部分存储介质的损坏而引起全部数据丢失。

部分操作系统如WINDOWS等操作系统在内部和/或外部非挥发性数据文件存储器中设立虚拟存储区，需要反复进行数据读写存储，使得所建立的虚拟存储区内的存储介质因为需要频繁读写，因此存储这些数据的存储介质很容易达到读写寿命的最高读写次数，而造成这部分存储介质的损坏。所以内部和/或外部非挥发性数据文件存储器除了硬盘以外，因为重复写入次数的限制，无法应用于需要虚拟存储器的操作系统中代替硬盘使用。

而在某些容易造成硬盘损坏的工作条件下，如在震动较大的工作环境下应用的工业控制计算机、汽车上应用的计算机，军用笔记本计算机等等因为无法使用硬盘只能使用其它存储器，如使用FlashRom的半导体数据存储器，就无法长期应用于使用虚拟存储器的操作系统，即使勉强应用也会使有操作系统设置的虚拟存储区域的存储介质寿命大大缩短，而使这些内部和/或外部非挥发性数据文件存储器损坏。因此本实用新型使用具有比较长使用寿命的非挥发性随机存储器或者挥发性随机存储器代替存储器中具有相对比较短使用寿命的有重复写入次数限制的存储介质存储这部分数据，既可以大大延长内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的使用寿命。

目前各种类型的计算机主机系统大都使用各种类型的内部和/或外部非挥发性数据文件存储器，其中计算机主机系统是指但不局限于个人电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(PDA)、数码相册、数码相机、数码摄像机等使用各种类型中央处理器作为控制、运算和/或数据处理的系统。

在部分主机系统中也使用内部存储器，如：数码相机、可以照相的手机等等置于机身内的用于存储图片用的内部FlashRom半导体存储器。

内部和/或外部非挥发性数据文件存储器是指但不局限于使用具有中等或者有较高重复写入次数限制的光、磁存储器和非挥发性半导体存储器等存储介质的内部和/或外部非挥发性数据文件存储器。各种磁盘(包括硬盘)其使用寿命相对是比较长的，大约是几年的使用寿命，但是在其使用寿命期内，由于内部或者外部的原因，其是零道和FAT存储区很容易损坏，而且一旦这个部位损坏，整个硬盘存储的数据就全部丢失了，造成的损失是很大的。而目前的可以重复写入的光盘的重复写入次数大约是几千次左右，目前半导体闪存介质(FlashMemory)做成的闪存卡等的重复写入次数大约是10⁶左右。这些内部和/或外部非挥发性数据文件存储器如果是做一般的存储文件是够了，但是如果是作为需要反复进行读写的地方使用，如作为计算机虚拟存储器或者需要反复进行数据存储的黑盒子中的数据存储器使用时，就非常容易损坏，需要经常更换。作为使用有中等或者有较高重复写入次数限制的光、磁和非挥发性半导体存储器等存储介质的内部和/或外部非挥发性数据文件存储器，其使用寿命受到光盘、磁盘和非挥发性随机存储器的重复写入次数限制等各种因素的限制，因此提高其使用寿命是本实用新型的主要目的。

发明内容

根据本实用新型的一个技术方案，提供了一种长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器使用寿命的电路，包括由存储控制芯片存储控制电路，和外部主存储介质控制器和外部主存储介质构成的构成的存储器，特别是，包括由外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器，和外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质。特别是，包括由外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器，和外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质构成的物理分区，这个分区用作存储需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据文件的存储器。特别是，包括由外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器，控制外部长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质，和/或外部长寿命的随机存储介质控制器控制外部长寿命的随机存储介质构成的物理分区，这个分区用作虚拟存储器。特别是，包括由外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器，和外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质构成的存储器应用于ATA、或SATA、或SCSI、或存储卡、或USB、或蓝牙、或IEEE 1394接口的磁存储器、光存储器、磁光存储器、内部和/或外部非挥发性半导体存储器。特别是，包括由外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器，和外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质构成的存储器应用于ATA、或SATA、或SCSI、或存储卡、或USB、或蓝牙、或IEEE 1394接口的磁盘、可读写光盘、磁光盘、内部和/或外部非挥发性半导体存储器、内部和/或外部非挥发性半导体存储卡、存储盘。特别是，包括由主机的内部数据、地址、控制总线，控制的由外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器，和外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质构成的存储器，作为存储需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据文件的存储器。特别是，包括由主机的外部接口总线控制器，控制的由外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器，和外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质构成的存储器，作为存储需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据文件的存储器。特别是，当电源中断、和/或接到关机命令、和/或接到从取出存储设备中主存储介质的命令、和/或按下取出开关的时候，将长寿命盘中的“存储器和所存储的文件基本信息数据”存储到在主存储介质盘中。特别是，包括外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器包括无限次地重复写入能力的非挥发性随机和/或非随机存储器：具有较高重复写入次数限制的非挥发性随机或者非随机存储器。特别是，外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器包括无限次地重复写入能力的非挥发性随机和/或非随机存储器：磁体元件的MRAM存贮器(磁体RAM)或者RRAM(电阻RAM)，具有较高重复写入次数限制的非挥发性随机或者非随机存储器，铁磁随机存储器/铁电存贮器FeRAM存贮器、或使用相变材料的OUM存贮器(相变化内存PRAM)、或超高密度存储芯片(MILLIPEDE)存储器。

而本实用新型通过使用具有较长使用寿命的非挥发性随机存储器，和/或具有较长使用寿命的非挥发性存储器，和/或挥发性随机存储器，代替内部和/或外部非挥发性数据文件存储器中的具有相对较短使用寿命的中等重复写入次数限制，或者有较高重复写入次数限制的存储介质中存储读写频率较高的“存储器和所存储的文件基本信息数据”区，和/或作为虚拟存储器等需要频繁读写数据的存储区域的存储介质，减低主存储介质的重复写入次数限制，来提高内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的使用寿命。

由于在进行数据存储的过程中存储器需要反记录“存储器和所存储的文件基本信息数据”的存储区，和/或作为虚拟存储器频繁读写所建立的虚拟存储区等等，这些存储区具有比主文件数据存储区，有相对较高的使用频率。在这些存储区因为需要经常进行频繁读写，造成存储这部分数据的存储介质很快就达到极限使用寿命，而容易损坏这部分存储区的存储介质部分，而造成整个存储器的损坏，如在光盘、磁盘和非挥发性半导体存储器等等主存储介质中，需要存储经常进行反复重复读写“存储器和所存储的文件基本信息数据”的那部分存储介质，如以DOS操作系统为例，DOS操作系统每次进行内部和/或外部非挥发性数据文件存储器读写存储数据时，都要读/写的Partition Table、ROOT、MBR、DBR、FAT表等等存储器信息和文件存放位置信息，以及WINDOWS操作系统在操作系统所设立的虚拟存储区反复进行虚拟数据存储等等，各种操作系统虽然其磁盘操作系统不同、读写的内容不同，但是都要进行存储器信息和文件存放位置信息区的读/或写，而这些区域的存储介质因为需要频繁读写，因此存储这些数据的存储介质，它们的寿命直接决定了内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的使用寿命。本实用新型是使用较长使用寿命存储介质的代替比较短使用寿命的存储介质，例如用具有无限次地重复写入能力无使用寿命限制的存储介质，代替有较高重复写入次数限制的、有相对较长使用寿命的存储介质，或用这两种较长寿命存储介质代替各种内部或者内部和/或外部非挥发性数据文件存储器中的相对使用寿命短的存储介质中存储需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据文件的存储介质部分，而主存储介质中只是储存数据、文件等不需要经常重复写入的数据。

这样就可以大大延长内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的使用寿命。当然也可以利用这个另外安装的长寿命的非挥发性随机存储器部分存放其它各种类型的数据。例如使用具有无限次地重复写入能力的非挥发性随机存储器如磁体元件的MRAM(磁体RAM)、RRAM(电阻RAM)等，和/或具有较高重复写入次数限制的非挥发性随机存储器如铁磁随机存储器/铁电存贮器FeRAM、和使用相变材料的OUM(相变化内存PRAM)、超高密度存储芯片(MILLIPEDE)等存储器等，以及SDRAM、DRAM、静态随机存取存储器(SRAM)等具有无限次地重复写入能力的挥发性随机存储器等，用于替代各种具有中等或者有较高重复写入次数限制的存储介质的内部或者内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的需要频繁读写存储这些数据的存储介质，以及用更高使用寿命的非挥发性随机存储器替代较低一些使用寿命的非挥发性随机存储器制成的内部或者内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的需要频繁读写的部分存储介质。

长寿命的存储介质是指但不局限于各种长寿命非挥发性随机或者非随机存储器，包括：1.具有无限次地重复写入能力的非挥发性随机存储器如磁体元件的MRAM(磁体RAM)、RRAM(电阻RAM)等，2.具有较高重复写入次数限制的非挥发性随机或者非随机存储器，如：铁磁随机存储器/铁电存贮器FeRAM、和使用相变材料的OUM(相变化内存PRAM)、超高密度存储芯片(MILLIPEDE)等存储器等，但是这些具有较高重复写入次数限制的非挥发性随机或者非随机存储器相对于具有无限次地重复写入能力的非挥发性随机存储器或者挥发性随机存储器使用寿命相对来说还是比较短的。3.SDRAM、DRAM、静态随机存取存储器(SRAM)等具有无限次地重复写入能力的挥发性随机存储器等。

中等寿命的非挥发性存储器是指但不局限于具有中等重复写入次数限制的非挥发性随机或者非随机存储器，如：FlashRom半导体随机或者非随机数据存储器等。

非挥发性的磁性随机存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与FLASHROM大致相同；而“随机存取”是指中央处理器读取资料时，不一定要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。

本实用新型可以用于各种具有中等或者有较高重复写入次数限制的光存储器(如各种DVD-RW、CD-RW等等)、磁存储器(如各种硬磁盘、软磁盘等等)、光磁存储器(如磁光盘MO、MD等等)和非挥发性半导体存储器(各种类型的FlashRom存储卡如SD卡、CF卡等等、DOM FlashRom存储盘等等)等各种具有中等或者有较高重复写入次数限制的存储介质制成的内部或者内部和/或外部非挥发性数据文件存储器，提高其使用寿命是本实用新型的主要目的。

注：ROOT稱做DIR(DIR＝Directory)是根目錄區ROOT區中可記錄目缘或檔案。其损坏引起的引导故障：MBR(master boot record)，即主引导记录，MBR分成兩個部份；分别為MBP(主開機程式：Master Boot Program)及Partition Table(硬碟分割表)，以DOS操作系统为例，其DBR就是存放DOS的啟動程式，主要功能就是用来載入DOS的兩個隱藏文件(IO.SYS、MSDOS.SYS)：FAT表(File Allocation Table文件分配表)，是Microsoft在FAT文件系统中用于磁盘数据(文件)索引和定位引进的一种链式结构，在不同的操作系统中有不同的文件分配表，如：WIN 98或WIN 2000、WIN XP就使用FAT32或者NTSF文件分配表。

附图说明

图1.是本实用新型硬件架构示意图。

图2.是本实用新型第一实施例硬件架构示意图。

图3.是本实用新型第二实施例硬件架构示意图。

图4.是本实用新型第三实施例硬件架构示意图。

图5.是本实用新型第四实施例硬件架构示意图。

图6.是本实用新型第五实施例硬件架构示意图。

图7.是本实用新型第六实施例硬件架构示意图。

图8.是本实用新型存储操作程序流程图。

本实用新型的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

本实用新型的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

图1.是本实用新型硬件架构示意图。

本实用新型的硬件架构示意图和实施例以及实施例的说明部分，是借用发明名称为“存储控制芯片及数据存储控制方法”的专利(申请人：深圳市朗科科技有限公司，发明人：邓国顺、成晓华、向锋，申请日2003.7.28，申请号03140023.x，)的硬件架构示意图和实施例的硬件结构说明，来进一步说明本实用新型的发明要点、实现方法和功能特点，本实用新型实施例中之所以采用“存储控制芯片及数据存储控制方法”专利的硬件架构，只是为了说明本实用新型的特点方便，在应用到各种不同类型、不同种类的内部或者内部和/或外部非挥发性数据文件存储器时，这种存储器实际所采用的存储控制芯片及数据存储控制方法是根据具体实际电路的需要，而采用不同的、合适的电路类型和控制方法，如当用在硬盘中的时候，其控制电路要用硬盘的存储控制芯片和存储控制方法。因为本实用新型的要点不在上述专利中申请的存储控制芯片和数据存储控制方法上，在本实用新型的实施例中只是因用上述专利来重点说明本实用新型的要点，而关于的存储控制芯片和数据存储控制方法因为不是本实用新型的要点，因此不再详述，具体的内容可以参考上述专利说明书和有关的各种存储器的存储控制芯片的各种资料。

系统主机1是指但不局限于个人电脑.笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(PDA)、数码相册、数码相机、数码摄像机、数码录音机、数码录像机、MP3录音、播放器、MP4录音、录像、播放器等等各种需要安装内部和/或外部非挥发性数据文件存储器的应用系统。存储控制芯片中用协议实现控制器2与系统主机1连接并进行数据传输。

从功能模块上分，包括处理器(MCU)3、DMA控制器4、协议实现控制器2、数据校验模块5、内部存储模块6、PLL模块8、寄存器组7、供电模块14、外部存储介质控制器10、外部主存储介质13，本实用新型的重点在：新增了外部长寿命的非挥发性随机存储介质控制器9、外部长寿命的非挥发性随机存储介质11、外部长寿命的非挥发性随机存储介质12、外部长寿命的随机存储介质控制器14、外部长寿命的随机存储介质15外部存储介质控制器10、外部主存储介质13。其作用和处理方法在“存储控制芯片及数据存储控制方法”的专利中详细论述过了，本实用新型说明书中就不再进一步论述了。

处理器3可以采用可编程单片机(徽控制器)作为整个存储控制芯片的控制器，还可以采用DSP控制器、Risc控制器.X85控制器等各种类型的处理器(MCU)。通过访问控制上述的DMA控制器4、协议实现控制器2、数据校验模块5、内部存储模块6、PLL模块8、寄存器组7、外部存储介质控制器10、外部长寿命的非挥发性随机存储介质控制器9、外部长寿命的随机存储介质控制器14等，实现控制上述功能模块、参数配置等功能。

这里所说的外部存储介质3是指但不局限于SDRAM.DRAM.EPPROM.静态随机存取存储器(SRAM)、磁体元件的MRAM(磁体RAM)、RRAM(电阻RAM)、铁磁随机存储器/铁电存贮器FeRAM、使用相变材料的OUM(相变化内存PRAM)、超高密度存储芯片(MILLIPEDE)闪存介质(FLASHMemory)等存储器。

所述的DMA控制器4连接并且受控于上述的处理器3，通过该处理器3发出的指令启动DMA控制器4.并且，该DMA控制器4可以通过调用所述的寄存器组如中的参数及参数位，建立DMA数据传输通道，完成不同DMA传输类型的数据快速传输功能。

所述的协议实现控制器2主要是实现与系统主机1进行数据交换，包括：编解码、校检、位填充、地址编码、转换等，从而便与系统主机之问的数据交换符合相对应的协议标准。

所述的数据校验模块5是在数据交换的过程中通过在线的编解码，可以采用但不限于汉明码(Hamming Codc)或RS(Reed-Soloman)码等的在线编解码，保障数据的正确性。该数据校验模块5是在DMA数据交换通道建立的同时，即开始运作。

该内部存储模块6作为整个存储控制芯片的内存，可包括ROM和/或RAM.其中，ROM主要是存储控制整个芯片操作的应用程序和/或系统程序；RAM作为应用程序运行的缓存，并且可以存储由外部存储介质11、12、13、15和/或系统主机1传输来的数据，所述的RAM可以选用但不限于SRAM、DRAM、SDRAM、MRAM、RRAM、FRAM等。

所述的外部存储介质控制器9、10、14是用来控制外部存储介质的读写时序。可以是(但不限于)闪存介质控制器，MRAM控制器、RRAM(电阻RAM)控制器、铁磁随机存储器/铁电存贮器FeRAM控制器、使用相变材料的OUM(相变化内存PRAM)控制器等等。而所述的PLL模块8则控制整个芯片的时钟。

所述的寄存器组7包括多个寄存器，可以分别设定并且存储各个控制器、模块对应的默认的参数及参数值。该寄存器组7至少包括：处理器控制寄存器、处理器状态寄存器、处理器地址寄存器、DMA控制寄存器、DMA状态寄存摇、DMA计数寄存器、协议实现控制寄存器、协议实现状态寄存器、协议实现计数寄存器、外部存储介质计数寄存器、RAM地址寄存器、外部存储介质地址寄存器、外部存储介质命令寄存器、数据校验控制寄存器。数据校验状态寄存器等。

存储控制芯片具有两种操作模式：处理器模式和DMA模式，通过对应寄存各的相应参数来决定采用何种操作模式，其中，处理器模式是由处理器3对整个芯片的数据线和地址线进行控制，处理器3可以通过指令访问内部存储模块6、协议实现控制器2、外部存储介质控制器9、10、14等，该处理器模式主要用于对协议实现控制器2的配置；DMA模式是由DMA控制器4对整个芯片的数据线和地址线进行控制，主要是根据相关寄存器的不同参数及参数值来建立DMA数据传输通道，完成不同类型的DMA数据传输，所述的DMA数据传输类型包括但不限于：从协议实现控制器到外部存储介质控制器、协议实现控制器到内部存储模块、内部存储模块到协议实现控制器、内部存储模块到外部存储介质控制器、外部存储介质控制器到内部存储模块、外部存储介质控制器到内部存储模块(扇区的最后16个字节)、外部存储介质控制器到协议实现控制器的数据传输，以及对外部存储介质的擦除，外部存储介质的编程等等。

本实用新型主要通过使用外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11，替代具有外部存储介质控制器10控制的外部主存储介质13构成的存储器中存储需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据的存储区的存储介质部分，来提高外部存储介质控制器10控制的外部主存储介质13的使用寿命。

本实用新型通过使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部长寿命的非挥发性随机和/或使用非随机存储介质12，和/或外部长寿命的随机存储介质控制器14，控制外部长寿命的随机存储介质15，作为虚拟存储器，替代在外部存储介质控制器10控制的外部主存储介质13上，所建立的虚拟存储器的存储区的存储介质使用寿命。

如使用具有无限次地重复写入能力的非挥发性随机存储器如磁体元件的MRAM(磁体RAM)、RRAM(电阻RAM)等，或者具有较高重复写入次数限制的非挥发性随机或者非随机存储器，如：铁磁随机存储器/铁电存贮器FeRAM、和使用相变材料的OUM(相变化内存PRAM)、超高密度存储芯片(MILLIPEDE)等存储器等，代替具有中等寿命的非挥发性存储器，如：FlashRom半导体随机或者非随机数据存储器等。也可以使用具有无限次地重复写入能力的非挥发性随机存储器如磁体元件的MRAM(磁体RAM)、RRAM(电阻RAM)等，代替具有较高重复写入次数限制的非挥发性随机或者非随机存储器，如：铁磁随机存储器/铁电存贮器FeRAM、和使用相变材料的OUM(相变化内存PRAM)、超高密度存储芯片(MILLIPEDE)等存储器等。

供电模块14，可以根据设计要求决定是否采用，可以使用电池或者蓄电池供电，也可以采用电容储存电储能供电。可以用于当电源关机时或者当存储器接收到主机1发出关机的指令，存储器根据设计要求决定将控制外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11的存储的数据写入外部主存储介质13中的时候的存储器的电源共给，也可以预防因为突然中断外部电源供给时的存储器可以及时保存未写完的数据，避免数据丢失时的电源供给等等意外事件发生时的存储器继续工作所需要的短时间的电源供给。

本实用新型的内部和/或外部非挥发性数据文件存储器实际有多个物理分区，可以分别将每个物理分区，可以按实际物理分区定义成逻辑分区，或者将几个物理分区定义成一个逻辑分区。但是要规定在“虚拟盘”的物理分区上建立虚拟盘，而不能再主存储介质的物理分区上建立虚拟盘。在“长寿命盘”的物理分区上记录“存储器和所存储的文件基本信息数据”存储到在主存储介质盘中记录要存取的主文件数据。而不能在主存储介质的物理分区上建立“存储器和所存储的文件基本信息数据”频繁读写区，在主存储介质的物理分区上建立“存储器和所存储的文件基本信息数据”只是为了备份和防止主存储介质从驱动器中取出后造成“存储器和所存储的文件基本信息数据”丢失。主文件数据时从中等寿命的主存储器介质上开始记录。最好每次往主存储介质上记录新的数据的时候，能按照删除的时间顺序依次往下纪录，而不是每次记录数据的时候，都是从起始位置依次查找是否有空的位置而记录数据。这样容易因为每次纪录的时候都是从起始位置记录，而造成主存储介质的起始位置因为频繁读写，而造成这一部分存储介质损坏。

本实用新型的存储器可以根据设计要求进行分区，如：

1.按实际物理结构进行分区，可分成：

a.由外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11构成的物理分区，在这个分区中进行的数据存取，是为了代替具有外部主存储介质13构成的存储器中存储需要频繁读写的数据文件的储存区的存储介质部分。这个分区在本实用新型说明书中简称“长寿命盘”

b.由外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质12，外部长寿命的随机存储介质控制器14控制外部长寿命的随机存储介质15构成的物理分区，这个分区可以作为虚拟存储器，来提高由外部存储介质控制器10控制的外部主存储介质13作为虚拟存储器时的使用寿命。这个分区在本实用新型说明书中简称“虚拟盘”，在内部或外部存储器中是否需要安装“虚拟盘”可以根据设计要求来决定，如：这个存储器只是为了存储文件，就可以不需要安装，如果作为需要虚拟存储器操作系统使用的存储设备就需要安装“虚拟盘”。

c.由外部存储介质控制器10控制的外部主存储介质13构成的物理分区，在这个分区中主要存取数据文件。这个分区在本实用新型说明书中简称“主盘”

2.将几个物理盘合成一个大的分区。但是规定村主文件数据时从中等寿命的主存储器介质上开始记录。最好每次往主存储介质上记录新的数据的时候，能按照删除的时间顺序依次往下纪录，而不是每次记录数据的时候，都是从起始位置依次查找是否有空的位置而记录数据。这样容易因为每次纪录的时候都是从起始位置记录，而造成主存储介质的起始位置因为频繁读写，而造成这一部分存储介质损坏。而由外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11构成的物理分区的地址中存取存储器进行数据存储时需要频繁读写的某些存储器信息和存储的文件信息的数据。由外部长寿命的非挥发性随机和/或使用非随机存储介质12，和/或由外部长寿命的随机存储介质15构成的物理分区的地址区域，在这个地址区中可以作为虚拟存储器进行数据存取。

d.可以将外部长寿命的非挥发性随机和/或使用非随机存储介质11、12合并成一个芯片，当然也可以是多个芯片，当时一个芯片的时候，在这个芯片构成的物理分区上既可以作为“长寿命盘使用”，也可以作为“虚拟盘”使用。

图2.是本实用新型第一实施例硬件架构示意图。

图2中描述了的本实用新型硬件架构的一种实施例硬件架构电路，这是磁盘或磁光盘或光盘等存储器的存储控制芯片的电路。

在这个实施例中的硬件架构和图1基本相同，只是在这个实施例中协议实现控制器是ATA或SATA或SCSI或存储卡等的协议实现控制器2b，用来为外部磁盘(HD)、或磁光盘(MO或MD)、或光盘(DVD-RW、DVD-RAM等等)的存储介质控制器10a控制的外部磁盘或磁光盘或光盘存储介质13a，传输存取信息和存取数据。

在这个电路中：

使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11的数据存取，作为长寿命盘存储器，代替具有中等寿命的非挥发性存储器中存储需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据存储区的存储介质部分。

使用外部长寿命的随机存储介质控制器14，控制外部长寿命的随机存储介质15，和/或使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部长寿命的非挥发性随机和/或使用非随机存储介质12，作为虚拟盘存储器(虚拟盘)。代替具有中等寿命的非挥发性存储器(主盘)中存储需要频繁读写的“虚拟”存储区的存储介质部分。

图3.是本实用新型第二实施例硬件架构示意图。

图3描述了的本实用新型硬件架构的一种实施例硬件架构电路，这是中等寿命的非挥发性半导体盘等存储器的存储控制芯片的电路。

在这个实施例中的硬件架构和图1基本相同，只是在这个实施例中协议实现控制器用作ATA或SATA或SCSI或存储卡等的协议实现控制器2b，用来为外部中等寿命的非挥发性半导体存储介质控制器10b控制的外部中等寿命的非挥发性半导体存储介质13b传输存取信息和存取数据。这个电路可以用于各种由非挥发性半导体存储介质做成的存储卡或者存储盘，如：CF卡、存储盘(DOM盘)等等。

在这个电路中：

使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11的数据存取，作为长寿命盘存储器，代替具有中等寿命的非挥发性半导体存储器中存储需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据存储区的存储介质部分。

使用外部长寿命的随机存储介质控制器14，控制外部长寿命的随机存储介质15，和/或使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部长寿命的非挥发性随机和/或使用非随机存储介质12，作为虚拟盘存储器(虚拟盘)。代替具有中等寿命的非挥发性半导体存储器(主盘)中存储需要频繁读写的“虚拟”存储区的存储介质部分。

图4.是本实用新型第三实施例硬件架构示意图。

图4中描述了的本实用新型硬件架构的一种实施例硬件架构电路，这是磁盘或磁光盘或光盘等存储器的存储控制芯片的电路。

在这个实施例中的硬件架构和图1基本相同，只是在这个实施例中协议实现控制器是USB、或蓝牙、或IEEE 1394、或存储卡的协议实现控制器2b，用来为外部磁盘或磁光盘或光盘存储介质控制器10a控制的外部磁盘或磁光盘或光盘存储介质13a，传输存取信息和存取数据。

在这个电路中：

使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11的数据存取，作为长寿命盘存储器，代替具有中等寿命的非挥发性存储器中存储需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据存储区的存储介质部分。

使用外部长寿命的随机存储介质控制器14，控制外部长寿命的随机存储介质15，和/或使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部长寿命的非挥发性随机和/或使用非随机存储介质12，作为虚拟盘存储器(虚拟盘)。代替具有中等寿命的非挥发性存储器(主盘)中存储需要频繁读写的“虚拟”存储区的存储介质部分。

图5.是本实用新型第四实施例硬件架构示意图。

图5描述了的本实用新型硬件架构的一种实施例硬件架构电路，这是中等寿命的非挥发性半导体盘等存储器的存储控制芯片的电路。

在这个实施例中的硬件架构和图1基本相同，只是在这个实施例中协议实现控制器是USB、或蓝牙、或IEEE139、或存储卡的协议实现控制器2b，用来为外部中等寿命的非挥发性半导体存储介质控制器10b控制的外部中等寿命的非挥发性半导体存储介质13b传输存取信息和存取数据。

在这个电路中：

使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11的数据存取，作为长寿命盘存储器，代替具有中等寿命的非挥发性半导体存储器中存储需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据存储区的存储介质部分。

可以根据设计要求使用外部长寿命的随机存储介质控制器14，控制外部长寿命的随机存储介质15，和/或使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部长寿命的非挥发性随机和/或使用非随机存储介质12，作为虚拟盘存储器(虚拟盘)。代替具有中等寿命的非挥发性半导体存储器(主盘)中存储需要频繁读写的“虚拟”存储区的存储介质部分。

图6.图7是本实用新型第五、第六实施例硬件架构示意图。

图6描述了的本实用新型硬件架构的一种实施例硬件架构电路，这是内部中等寿命的非挥发性半导体存储器等的半导体存储器存储控制芯片的电路。

在这两个实施例中的硬件架构和图1基本相同，只是在这个实施例中没有协议实现控制器和主机1，图6直接由主机的内部数据、地址、控制总线，或者由图7的主机的外部接口总线控制器16，如PCI总线控制器等，可以直接控制控制由外部外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9控制的外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11、12，由外部长寿命的随机存储介质控制器14控制的外部长寿命的随机存储介质15，也可以由图2所示通过ATA或SATA或SCSI或存储卡等的协议实现控制器2b进行控制的由外部外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9控制的外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11、12，和/或由外部长寿命的随机存储介质控制器14控制的外部长寿命的随机存储介质15，由中等寿命的非挥发性半导体存储介质控制器10b控制的外部中等寿命的非挥发性半导体存储介质13b的数据存取。由主机的外部接口总线控制器，控制的由外部长较寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器，和外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质构成的存储器，作为存储需要频繁读写的数据文件的存储器。和/或作为虚拟盘存储器。

在这个电路中：

使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质11的数据存取，作为长寿命盘存储器，代替具有中等寿命的非挥发性半导体存储器中存储需要频繁读写的“存储器和所存储的文件基本信息数据”和/或其它数据存储区的存储介质部分。

使用外部长寿命的随机存储介质控制器14，控制外部长寿命的随机存储介质15，和/或使用外部较长寿命的非挥发性随机或者非随机存储介质控制器9，控制外部长寿命的非挥发性随机和/或使用非随机存储介质12，作为虚拟盘存储器(虚拟盘)。代替具有中等寿命的非挥发性半导体存储器(主盘)中存储需要频繁读写的“虚拟”存储区的存储介质部分。

图8.是本实用新型存储操作程序流程图。

在进行面部识别系统程序进行面部识别时，因为面部不是正对摄取面部图像的摄像照相器件，因此摄取的面部图像是偏斜的，造成面部识别的困难，因此需要判别面部是否偏离识别、判别，以便提醒纠正面部不是正对摄取面部图像的摄像照相器件的问题。

本实用新型的判别面部是否偏离识别系统程序的原理和处理方法，包括如下处理过程：

在使用长寿命的非挥发性随机存储器的长寿命盘提高磁、光、半导体等内部和/或外部非挥发性数据文件存储器使用时，本实用新型的使用长寿命的非挥发性随机存储器的长寿命盘程序的原理和处理方法，包括如下处理过程：

a.开始；

b.从主盘中读“存储器和所存储的文件基本信息数据”到长寿命盘中；说明：此段程序可以根据设计要求决定，如果不需要将信息数据备份到主盘上去，可以不运行此段程序。c.核对长寿命盘中与主盘中存储的“存储器和所存储的文件基本信息数据”否一致；说明：此段程序可以根据设计要求决定，如果不需要将信息数据备份到主盘上去，可以不运行此段程序。

d.接受主机1发出的存储文件指令，也可以同时接受对存储器的各种指令；

e.存取文件时在长寿命盘中读写“存储器和所存储的文件基本信息数据”，在主存储介质盘中存储数据文件；说明：这样就可以在读写文件时，不用读写主存储介质盘了，提高了主存储介质盘的使用寿命。

f.电源是否中断；说明：在存储器运行的时候可以不断进行断电监视，

g.启用备用电源供电；电源是否中断接到从取出存储设备中主存储介质的命令或者按下取出开关

h.是否接到关机命令；

i.是否接到从取出存储设备中主存储介质的命令或者按下取出开关：

j.将长寿命盘中的“存储器和所存储的文件基本信息数据”存储到在主存储介质盘中，以及还没有来得及在主存储介质盘上存储完毕的文件数据抵叙进行存储。说明：如果不需要将信息数据备份到主盘上去，也可以不运行长寿命盘中的“存储器和所存储的文件基本信息数据”存储到在主存储介质盘中程序，但是可以根据设计要求将还没有来得及在主存储介质盘上存储完毕的文件数据继续进行存储。

k.存储完毕。

l.是否接到从取出存储设备中主存储介质的命令或者按下取出开关说明：如果是可以取出的存储介质盘，如各种可以从DVD-RAM，DVD-RW驱动器中取出的存储盘等等，在取出存储介质盘之前可以根据设计要求，按照主机运行程序的取出存储介质盘的命令，或根据检测到的按下存储介质盘取出开关的情况，将长寿命盘中的“存储器和所存储的文件基本信息数据”存储到在主存储介质盘中去。

m.退出主存储介质说明：

n.等待装入新的主存储介质

o.装入新的主存储介质说明：

p.关机

q.结束

本实用新型所使用的各个模块和各个元器件可以根据设计要求增减，各种功能也可以根据设计要求添加或者减少。本实用新型的各个附图所标示的电路图和程序流程图可以根据设计要求以及使用的元件不同而加以改变。

如上所述，已经参照各附图，详细描述了本实用新型的最佳实施例，但是，不应认为本实用新型的构思仅仅限于上述的各个实施例。本领域的技术人员，通过上述各实施例构思的启迪，不难对本实用新型的长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器使用寿命系统作出各种改进、改变或替换，以及应用于各种存储器系统中，因此，这些改进、改变或替换，不应认为已脱离了本实用新型的构思，或所附权利要求书所限定的范围。

Claims (6)

1.一种长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器使用寿命的电路，包括：

存储控制电路，用于控制数据存取：

主存储介质：

主存储介质控制器，与存储控制电路相连，控制主存储介质的数据存取，与主存储介质一起构成主存储器：

其特征在于，还包括：

长寿命存储介质，存储需要频繁读写的基本数据和/或其他数据：

长寿命存储介质控制器，与存储控制电路相连，控制长寿命存储介质的数据存取，与长寿命存储介质一起构成长寿命储存器。

2.根据权利要求1所述的长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器使用寿命的电路，其特征在于，所述主存储器为外部存储器或内部存储器。

3.根据权利要求1所述的长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器使用寿命的电路，其特征在于，所述长寿命存储介质为非挥发性存储介质或随机存储介质。

4.根据权利要求1所述的长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器使用寿命的电路，其特征在于，所述长寿命存储介质为磁体RAM、电阻RAM，铁磁随机存储介质、铁电存贮器FeRAM存贮介质、使用相变材料的OUM存贮介质、或超高密度存储介质。

5.根据权利要求1所述的长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器使用寿命的电路，其特征在于，所述常规存储器为应用于ATA、或SATA、或SCSI、或存储卡、或USB、或蓝牙、或IEEE 1394接口的光存储器、磁光存储器、内部或外部非挥发性半导体存储器。

6.根据权利要求1所述的长寿命非挥发性存储芯片提高内部或外部存储器使用寿命的电路，其特征在于，所述常规存储器为应用于ATA、或SATA、或SCSI、或存储卡、或USB、或蓝牙、或IEEE 1394接口的磁存储器。

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