CN2678216Y - 一种与计算机配套使用的负离子发生器 - Google Patents
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Abstract
一种与计算机配套使用的负离子发生器，主要由机壳、机芯电路、离子发射头及USB插头组成，机壳由壳体和导电保护栅格组成，导电保护栅格上接有一定电位，机芯电路由振荡电路、升压电路、多级倍压电路组成，本实用新型的特点是：具有特殊的导电保护栅格，在离子发射头输入端加入消弧电阻，能源通过USB插头由计算机主机提供，特别是升压电路采用片式压电陶瓷变压器升压，经多级倍压电路通过消弧电阻与离子发射头相联接，本实用新型在电路、机壳和导电保护栅格上，设计新颖、具有体积小、无需短路保护、升压比高、绝缘简单、安全稳定、电磁干扰小、不燃烧等优点。
Description
所属领域
本实用新型涉及电子技术领域，特别涉及一种由片式压电陶瓷变压器作为升压电路，并具有导电保护栅格，消弧电阻和USB插头，能与计算机配套使用的负离子发生器。
背景技术
综所周知，负离子发生器是一种人身保健设备，是净化环境、产生新鲜空气，促进人们健康和对某些疾病辅助治疗的微功耗产品，目前世界许多国家都相继研究和投入生产，美、法、日、俄罗斯等发达国家已较普遍使用；近几年来，我国有关的厂家已研制生产出性能较好的产品，如广东，辽宁等省的电子设备等单位都相继生产性能较好的负离子发生器。这些产品其结构均是由机壳、机芯电路、负离子发射头等构成，其核心部分机芯电路需要专门设计供电电路，高压产生器为传统线绕变压器，则要求变压器具有很高的电压比，此时，对变压器初级绕组与次级绕组的绝缘强度和次级匝间绝缘强度都有很高要求，使得加工工艺复杂，成本增高，使用中故障率上升，往往还会导致变压器中匝与匝之间击穿、短路、甚至引起燃烧等灾难性后果；机壳仅仅对机芯起保护作用，机壳内部的负离子发生器所产生的高浓度负离子只能靠扩散和电风扇送风的方法逸出壳外，实际使用效果较差，其中绝大部份的负离子被外壳阻隔或吸收而衰减掉，供电电路也要另行独立配置，使得负离子发生器体积大、重量大，而且对使用环境也有一定限制。
发明内容
针对上述现有技术存在的缺陷和不足，本实用新型的目的在于提供一种具有体积小、无需短路保护、升压比高、绝缘简单、安全稳定、电磁干扰小、不需要单独设计提供供电电路的负离子发生器。
为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：、一种与计算机配套使用的负离子发生器，它包括机壳、机芯电路、离子发射头，其特征在于：还包括一个USB插头，直接与计算机主机连接，为机芯电路提供能源，所述机壳由绝缘壳体和导电保护栅格构成，导电保护栅格上接有一定电位；所述机芯电路由振荡升压电路组成，振荡升压电路由振荡电路、升压电路和多级倍压电路组成，在所述导电保护栅格与多级倍压电路之间连接有一泄放电路。
所述离子发射头输入端接有一消弧电阻，且与多级倍压电路输出相连接。
所述泄放电路由泄放电阻R5和二极管D3、D4组成。
所述机芯电路的直流供电电压是通过USB插头由计算机主机提供再经发光二极管LED，保护电阻R3、滤波电容C1输出为机芯电路提供能源。
所述升压电路由片式压电陶瓷变压器构成，所述片式压电陶瓷变压器的输入电容作为振荡回路的回路电容连接在复合三极管的发射极与集电极之间，使片式压电陶瓷变压器形成自激振荡。
所述振荡电路由电阻R1、R2、电感L1、三极管Q1、Q2组成，其中D1为保护二极管，连接在三极管Q1、Q2之间，电感L1连接在三极管Q1的集电极上，电阻R1连接在三极管Q1的基极上并与电感L1并联，电阻R2一端连接在三极管Q2的发射极上，一端连接在三极管Q1的基极上，三极管Q1的发射极与三极管Q2基极连接。
所述多级倍压电路由二极管D6、D7、D8、D9，电容C2、C3、C4组成，电容C2位于二极管D6的阴极和D7的阳极之间，电容C3位于二极管D7的阴极和D8阳极之间，电容C4位于二极管D8的阴极和D9的阳极之间，其中二极管D6、D7、D8、D9采用并联方式连接。
所述导电保护栅格可以作成一个独立的零件，也可与机壳的其它部份作成一个整体。
本实用新型的优点是：
1、不需要单独提供供电电路，直接利用计算机主机上所带的电源，而且负离子发生器只须要毫安级电流，不会对主机工作造成影响，可与计算机配套使用，净化计算机周围环境空气、产生新鲜空气，使计算机操作人员始终保持清醒的头脑，提高工作效率。
2、升压电路由片式压电陶瓷变压器代替传统的线绕变压器，具有体积小、无需短路保护、升压比高、绝缘简单、安全稳定、电磁干扰小的特点。
3、在导电保护栅格上，接有一定电位，使离子发射头之间维持相应的电位差，产生一定电场，此电场加速负离子的逸出速度，同时泄放电路还及时地泄放被导电保护栅格吸收的少数负离子，使导电保护栅格维持在一定的电位，保证负离子能高效率地逸出到大气中，大地提高离子发生器的使用效果，解决了现有的离子发生器释放到机壳外离子逸出效率低的难题，其产生负离子浓度离导电保护栅30cm处大于3×106个/cm3，净化空气，并具有一定的杀菌和抑制电磁辐射和抗静电作用。
4、在多级倍压与离子发射头之间加有一消弧电阻，此电阻不仅调节离子发射头端电压同时限制大的电流量，当有电弧脉冲产生时其能量被消弧电阻所消耗和吸收，同时大大减少离子发射头臭氧的释放量。
附图说明
图1是本实用新型结构剖视图。
图2是本实用新型电路连接图。
具体实施方式
众所周知，负离子发生器的工作原理是：利用高压电场使空气电离产生负离子，而离子的产生需要的工作电压由数千伏到数拾千伏，为了保障人身安全，避免可能触及到高压部分，一般都将负离子发生器置于一个密闭的壳体中，其负离子发生器所产生的负离子由一个特别设置的导电保护栅格逸出。
如图1所示，本实用新型负离子发生器：包括机壳1、机芯电路2、离子发射头3、泄放电路4，其特征在于还包括一个USB插头，直接与计算机主机连接为机芯电路2提供能源，所述机壳1由绝缘壳体5和导电保护栅格6组成，导电栅6上接有一定电位，使机壳1形成一个电位，目的是加速负离子发生器产生的离子逸出；所述机芯电路2由振荡电路7、升压电路8和多级倍压电路9组成；在所述导电保护栅格6与多级倍压电路之间连接有一泄放电路4，离子发射头3与多级倍压电路9之间接有相应阻值大小的消弧电阻R4。
如图2所示，机芯电路2主要由振荡电路7、升压电路8、多极倍压电路9、组成，其中振荡电路7由电阻R1、R2、电感L1、三管Q1、Q2组成，其中D1为保护二极管，升压电路8由片式压电变压器(PT)组成、多级倍压电路9由二极管D6、D7、D8、D9，电容C2、C3、C4组成，输出数千伏以上电压通过消弧电阻R4到离子发射头3，离子发射头3采用一种极细的(Φ0.06-0.20mm)合金丝制成，可以作成放电针，也可作成放电刷，具有释放负离子效率高和耐腐蚀的优点，泄放电路4接于机芯电路2与导电保护栅格6之间，LED为发光二极管，R3为保护电阻，监视机芯电路正常的工作状态。
电路连接方式及工作原理如下：
当计算机配套使用的负离子发生器通过USB插头接入计算机主机，将直流电压加于振荡电路7，直流电压通过R1、R2组成的偏置电路给Q1、Q2组成的复合管振荡电路提供偏置电压，复合管上连接有保护二极管D1，当片式压电陶瓷变压器(PT)升压输出，通过分布电容耦合，经R7向复合管Q1的基极提供正反馈信号形成自激，其振荡频率与片式压电陶瓷变压器的机械谐振频率接近。由Q1、Q2组成的复合管兼顾振荡、放大、提供能量三重工作状态给片式压电陶瓷变压器PT提供输入能量，片式压电陶瓷变压器从振荡回路获得激励功率，产生升压约N倍的输出电压传输到多级倍压电路9，多级倍压电路9由二极管D6、D7、D8、D9，电容C2、C3、C4组成，根据对输出电压高低要求，增减多级倍压电路9的级数，使输出电压达到数千伏以上的直流电压通过消弧电阻R4连接到离子发射头3，使空气电离产生负离子。
Claims (8)
1、一种与计算机配套使用的负离子发生器，它包括机壳(1)、机芯电路(2)、离子发射头(3)，其特征在于：还包括一个USB插头，直接与计算机主机连接，为机芯电路(2)提供能源，所述机壳(1)由绝缘壳体(5)和导电保护栅格(6)构成，导电保护栅格(6)上接有一定电位；所述机芯电路(2)由振荡电路(7)、升压电路(8)和多级倍压电路(9)组成，在所述导电保护栅格(6)与多级倍压电路(9)之间连接有一泄放电路(4)。
2、如权利要求1所述的一种与计算机配套使用的负离子发生器，其特征在于：所述离子发射头(3)的输入端通过一消弧电阻R4与多级倍压电路(9)相连接。
3、如权利要求1所述的一种与计算机配套使用的负离子发生器，其特征在于：所述泄放电路(4)由泄放电阻R5和二极管D3、D4组成。
4、如权利要求1所述的一种与计算机配套使用的负离子发生器，其特征在于所述机芯电路(2)的直流供电电压是通过USB插头由计算机主机提供再经发光二极管LED，保护电阻R3、滤波电容C1输出为机芯电路提供能源。
5、如权利要求1所述的一种与计算机配套使用的负离子发生器，其特征在于：所述升压电路(8)由片式压电陶瓷变压器构成，所述片式压电陶瓷变压器的输入电容作为振荡回路的回路电容连接在复合三极管的基极与集电极之间，使片式压电陶瓷变压器形成自激振荡。
6、如权利要求1所述的一种与计算机配套使用的负离子发生器，其特征在于：所述振荡电路(7)由电阻R1、R2、电感L1、三极管Q1、Q2组成，其中D1为保护二极管，连接在三极管Q1、Q2之间，电感L1连接在三极管Q1的集电极上，电阻R1连接在三极管Q1的基极上并与电感L1并联，电阻R2一端连接在三极管Q2的发射极上，一端连接在三极管Q1的基极上，三极管Q1的发射极与三极管Q2基极连接。
7、如权利要求1所述的一种与计算机配套使用的负离子发生器，其特征在于所述多级倍压电路(9)由二极管D6、D7、D8、D9，电容C2、C3、C4组成，电容C2位于二极管D6的阴极和D7的阳极之间，电容C3位于二极管D7的阴极和D8阳极之间，电容C4位于二极管D8的阴极和D9的阳极之间，其中二极管D6、D7、D8、D9采用并联方式连接。
8、如权利要求1所述的一种与计算机配套使用的负离子发生器，其特征在于：所述导电保护栅格(6)可以作成一个独立的零件，也可与机壳(1)的其它部份作成一个整体。
Priority Applications (1)
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| CN 03262453 CN2678216Y (zh) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | 一种与计算机配套使用的负离子发生器 |
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| CN 03262453 CN2678216Y (zh) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | 一种与计算机配套使用的负离子发生器 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2678216Y true CN2678216Y (zh) | 2005-02-09 |
Family
ID=34580426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN 03262453 Expired - Lifetime CN2678216Y (zh) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | 一种与计算机配套使用的负离子发生器 |
Country Status (1)
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|---|---|
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-
2003
- 2003-07-10 CN CN 03262453 patent/CN2678216Y/zh not_active Expired - Lifetime
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: XI AN HAILIDE ANION TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: XI AN H-LEADER NEGATIVE ION TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20050422 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20050422 Address after: 710075 No. 6, No. 40, hi tech Zone, Xi'an hi tech Zone, Shaanxi Patentee after: Xi'an Hailide Anion Technology Co., Ltd. Address before: 710075 No. 6, No. 40, hi tech Zone, Xi'an hi tech Zone, Shaanxi Patentee before: Hongde negative Ion Technique Co. Ltd., Xi'an |
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| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: XI AN KONG HONG ENVIRONMENTAL SCIENCE AND TECHNOL Free format text: FORMER OWNER: XI AN HAILIDE ANION TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20080125 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20080125 Address after: No. 6, 40, hi tech Zone, Xi'an hi tech Zone, Shaanxi, China: 710075 Patentee after: Xi'an KongKong Environmental Protection Technology Co., Ltd. Address before: No. 6, 40, hi tech Zone, Xi'an hi tech Zone, Shaanxi, China: 710075 Patentee before: Xi'an Hailide Anion Technology Co., Ltd. |
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| C17 | Cessation of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Expiration termination date: 20130710 Granted publication date: 20050209 |