CN2671232Y - 双向可控硅过电流保护装置 - Google Patents

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李永慎
冯子源
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Abstract

本实用新型涉及一种双向可控硅过电流保护装置,双向可控硅T上设有三个电极T1、T2和g,在双向可控硅T的T1端和g端上连接取样电阻R2,其中T1端为输入端,g端为输出端,双向可控硅T的T2端接地线。本实用新型克服了现有技术中过电流保护装置的保护速度慢、有冲击电流、正常工作电流和保护电流之间的过渡区较大的缺陷,通过上述设计,使双向可控硅过电流保护装置可以提供快速、无冲击的过电流保护,而且正常工作电流和保护电流之间的过渡区可以做得很小,具有结构连接结构简单、可靠性强的优点。

Description

双向可控硅过电流保护装置
所属技术领域
本实用新型涉及一种双向可控硅过电流保护装置。
背景技术
过电流保护、特别是在电话总配线架上进行过电流保护的元件一般都采用热敏电阻,主要有无机和有机的PTC,它们的工作原理是用进入设备的过电流加热热敏电阻,使它的温度升高,电阻也随着增大,使流过的电流减小,当温度升到材料的居里点时,热敏电阻进入高阻状态切断电路。上述的过电流保护装置存在以下不足:1、保护速度慢、2、开始的一瞬间有冲击电流、3、正常工作电流和保护电流之间有一较大的过渡区。
发明内容
为了克服现有技术中过电流保护装置的保护速度慢、有冲击电流、正常工作电流和保护电流之间的过渡区较大的问题,本实用新型提供一种双向可控硅过电流保护装置,该双向可控硅过电流保护装置可以提供快速、可靠、无冲击的过电流保护,而且正常工作电流和保护电流之间的过渡区较小。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:双向可控硅T上设有三个电极T1、T2和g,在双向可控硅T的T1端和g端上连接取样电阻R2,其中T1端为输入端,g端为输出端,双向可控硅T的T2端接地线。
本实用新型通过上述设计,使双向可控硅过电流保护装置可以提供快速、无冲击的过电流保护,而且正常工作电流和保护电流之间的过渡区可以做得很小,具有电路结构简单、可靠性强的优点。
附图说明
以下结合附图及实施例进一步阐明本实用新型的具体内容。
附图是本实用新型的结构示意图。
图中R1:线路电阻;R2:取样电阻;R3:负载电阻;Ui:输入电压;Ii:输入电流;It:双向可控硅导通电流;Ig:流过双向可控硅触发极电流;Is:流过取样电阻电流;Io:输出电流
具体实施方式
如图所示,在本实用新型的双向可控硅上设有三个电极T1、T2和g,双向可控硅T的T1端和g端上连接取样电阻R2,其中T1端为输入端,g端为输出端,双向可控硅T的T2端接地线。在工作状态下,假设电压极性为正,当输入电压Ui加到电路上时,产生电流通过线路电阻R1、取样电阻R2和负载电阻R3,其电流分别为Ii、Is和Io,当取样电阻R2上的电压降小于双向可控硅的T1到g的开启电压时,流过双向可控硅触发极的电流Ig为零,此时双向可控硅不工作,Ii=Is=Io,电路没有进行过电流保护。随着输入电压Ui的升高,取样电阻R2上的电流Is和电压降也逐步升高,当取样电阻R2上的电压降等于双向可控硅的T1到g的开启电压时,如果输入电压Ui再升高,取样电阻R2上的电压降就不再升高,增加的电流就形成双向可控硅触发电流Ig,当双向可控硅触发电流Ig达到双向可控硅的触发值时,双向可控硅导通,形成导通电流It,将输入电流短路入地,此时Is、Io都为零,保护了负载电阻R3。在双向可控硅导通的瞬间输入电流值就是保护电流点,此电流值是进入负载电阻R3的最大电流值。同样,当电压极性为负时其工作过程相同,双向可控硅的导通保护负载。在本实施例中,限流电流点由双向可控硅的开启电压、触发电流和取样电阻决定,在实际使用中可以用调整取样电阻R2的数值来确定限制电流的数值。

Claims (1)

1、一种双向可控硅过电流保护装置,双向可控硅T上设有三个电极T1、T2和g,其特征是在双向可控硅T的(T1)端和(g)端上连接取样电阻R2,其中(T1)端为输入端,(g)端为输出端,双向可控硅T的(T2)端接地线。
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